JPH0310073A - 薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は抵抗膜として使用される薄膜の製造方法に関す
る。

（従来の技術） 一般に抵抗膜としてのＴ　ａ　−Ｓ　ｉ　Ｏ２膜は、比
抵抗が大きく抵抗材料として好適するため、サーマルヘ
ッド等の抵抗体として広く用いられている。

このようなＴ　ａ　　Ｓ　ｉｏ　２膜の比抵抗の制御方
法としては、スパッタリング時のガス圧を変化させたり
、ターゲットのＴａ、５ｉｎ２の混合比を変えることが
行われている。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、□スパッタリング時のガス圧を変化させ
ると基板内のシート抵抗のばらつきが大きくなってしま
う。また、ターゲットの混合比を変化させるには、ター
ゲットの製作やターゲットの交換等が必要となり、多品
種少量生産に対応させるには、莫大なコストがかかり、
生産性が悪いという欠点があった。

本発明は、上記従来の課題を解決し、安価で生産性の優
れた薄膜の製造方法を提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 本発明は、スパッタリング法により基板上に薄膜を形成
する薄膜の製造方法において、スパッタリング時に印加
する高周波電力密度を変化させることにより、前記基板
上に形成された薄膜の比抵抗を制御することを特徴とす
る薄膜の製造方法である。

（作　用） 本発明によれば、薄膜の比抵抗の制御をスパッタリング
時に印加する高周波電力密度を変化させることにより行
うため、スパッタリング時のガス圧を変化させた時のよ
うに基板内のシート抵抗のばらつきを大きくすることな
く、安価に生産性良く薄膜を得ることができる。

（実施例） 以下本発明の一実施例を図面を参照して説明する。尚、
本実施例では薄膜として、ＴａＳ　ｉＯ２膜について説
明する。

まず、Ｔａ−８ｉｎ２ターゲツトを設置したスパッタ装
置の真空槽をｌＸ１０’Ｐａまで排気し、アルゴンガス
をマスフローコントローラーにより５０ＳＣＣＭに制御
して、圧力５　Ｘ　１０−３Ｔｏｒｒ　ｒで供給した。

次に、Ｔａ−５ｉｎ２ターゲツトに高周波電力を投入し
てスパッタリングを行い、ターゲットから約［ｉ０重量
離れたグレーズドセラミック基板上にＴ　ａ　　Ｓ　ｉ
Ｏ２膜を成膜した。

この様にして成膜したＴａ−８ｉｎ２膜のシート抵抗と
膜厚を測定し、比抵抗を算出し高周波電力密度との関係
を第１図に示した。この結果、比抵抗はスパッタリング
時の高周波電力密度に依存し、高周波電力密度が増加す
るにつれ、比抵抗が小さくなっていることが確認された
。これにより、スパッタリング時のガス圧を変化させた
り、ターゲットの混合比を変化させたりすることなく、
スパッタリング時の高周波電力密度を変化させることに
より所定の比抵抗を有するＴ　ａ−３ｉｏ　２　Ｉｌｌ
を得ることができる。

尚、抵抗膜として使用される薄膜は他にＣｒ５ｔＯ２，
ＴｉＯ２，ＴａＮ等も適用できる。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば安価で生産性の優
れた薄膜を製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は高周波電力密度と形成されたＴａ−８ｉＯ２膜
の比抵抗の関係を示す図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　スパッタリング法により基板上に薄膜を形成する薄膜
   の製造方法において、スパッタリング時に印加する高周
   波電力密度を変化させることにより、前記基板上に形成
   された薄膜の比抵抗を制御することを特徴とする薄膜の
   製造方法。