JPS6059066A - 多孔質薄膜の製造方法 - Google Patents
多孔質薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS6059066A JPS6059066A JP58168005A JP16800583A JPS6059066A JP S6059066 A JPS6059066 A JP S6059066A JP 58168005 A JP58168005 A JP 58168005A JP 16800583 A JP16800583 A JP 16800583A JP S6059066 A JPS6059066 A JP S6059066A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- materials
- porous thin
- melting point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5873—Removal of material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、膜の孔の大きさおよび密度を任意に制御でき
るようになされた多孔質薄膜の製造方法に関するもので
ある。
るようになされた多孔質薄膜の製造方法に関するもので
ある。
温度センサーやガスセンサーの構成材料として用いられ
る多孔質薄膜を製造するには従来、（υセラミックスの
よう処微粉体を焼成する方法、（２）粉体を塗布する方
法、（３）多孔質アルミナのようにアルミニウムを陽極
酸化する方法等が仰られている。
る多孔質薄膜を製造するには従来、（υセラミックスの
よう処微粉体を焼成する方法、（２）粉体を塗布する方
法、（３）多孔質アルミナのようにアルミニウムを陽極
酸化する方法等が仰られている。
しかし上記（１）、（２）の方法は多孔質薄膜の孔の大
きさおよび密度が粉体の大きさによって制限されるが、
粉体の大きさの制御が比較的難かしくまた薄膜化も困難
であるという問題がある。上記（３〕の方法は以上のよ
うな問題は改善されるがその材料がアルミニウムに限定
されてしまう欠点がある。
きさおよび密度が粉体の大きさによって制限されるが、
粉体の大きさの制御が比較的難かしくまた薄膜化も困難
であるという問題がある。上記（３〕の方法は以上のよ
うな問題は改善されるがその材料がアルミニウムに限定
されてしまう欠点がある。
本発明は以上の観点からなされたもので、所望材料と低
融点金属材料とを同時にスパッタリングすることによっ
て基板上に両材料の混合薄膜乞形成し、次いで上記基板
を加熱処理することによって混合薄膜から低融点金属材
料のみを蒸発させるように構成して所望材料の多孔質薄
膜を得るようにした製造方法を提供することを目的とす
るものである。
融点金属材料とを同時にスパッタリングすることによっ
て基板上に両材料の混合薄膜乞形成し、次いで上記基板
を加熱処理することによって混合薄膜から低融点金属材
料のみを蒸発させるように構成して所望材料の多孔質薄
膜を得るようにした製造方法を提供することを目的とす
るものである。
以下図面を参照して本発明実施例を説明する。
第１図は本発明の実施に用いられるスパッタ装置を示す
断面図で、１は容器、２は上部電極、３は下部電極、４
は高周波電源、５は基板、６はターゲットで所望材料７
およびこの上に配置された低融点金属材料８から構成さ
れる。
断面図で、１は容器、２は上部電極、３は下部電極、４
は高周波電源、５は基板、６はターゲットで所望材料７
およびこの上に配置された低融点金属材料８から構成さ
れる。
第２図はターゲット６の上面図である。上記所望材料７
の一例としてはシリコン酸化膜（Ｓｉ０２）が用いられ
、また低融点金属材料としては亜鉛（Ｚｎ ） 、イン
ジウム（Ｉｎ ）、ビスマス（Ｂｉ）等が用いられる。
の一例としてはシリコン酸化膜（Ｓｉ０２）が用いられ
、また低融点金属材料としては亜鉛（Ｚｎ ） 、イン
ジウム（Ｉｎ ）、ビスマス（Ｂｉ）等が用いられる。
以上の構成により容器１を排気した後高周波ヌバツタリ
ング乞行うと、下部電極３に接続されているターゲット
６の所望材料７および低融点金属材料８は同時にヌパツ
タされるので、基板５衣面には両材料が均一に分散され
た混合薄膜９が第３図（ａ）のように形成される。
ング乞行うと、下部電極３に接続されているターゲット
６の所望材料７および低融点金属材料８は同時にヌパツ
タされるので、基板５衣面には両材料が均一に分散され
た混合薄膜９が第３図（ａ）のように形成される。
次いでその基板５ン真を中で加熱処理すると、上記混合
湖膜９からその表面の低融点金属材料８のみが蒸発され
るので、基板５表面の混合薄膜９は第３図（ｂ）のよう
に孔１０が多数形成されるようになる。
湖膜９からその表面の低融点金属材料８のみが蒸発され
るので、基板５表面の混合薄膜９は第３図（ｂ）のよう
に孔１０が多数形成されるようになる。
これにより例えは多孔質のシリコン酸化膜を得ることが
できる。
できる。
この場合多孔ＪＪ！！薄膜の孔の犬ぎきはスノくツタリ
ング時の基８２５の温度に依存し、この温度を制御する
ことにより数μｍ−数ｎ ｎ】の大きさの孔を任意にか
つ正確に形成することができる。ま１こ孔の密度はター
ゲットを構成する両材料の組成比により容易に制御する
ことができる。
ング時の基８２５の温度に依存し、この温度を制御する
ことにより数μｍ−数ｎ ｎ】の大きさの孔を任意にか
つ正確に形成することができる。ま１こ孔の密度はター
ゲットを構成する両材料の組成比により容易に制御する
ことができる。
さらにターゲットを構成する材料は二ａＭ以上に設定す
ることができる。
ることができる。
以上述べて明らかなように本発明によれは、所望材料と
低融点金属材料とを同時にスパッタリングすることによ
って基板上に両材料の混合薄膜ン形成し、次いで上記基
板を加熱処理することによって混合薄膜から低融点金属
材料のみを蒸発させるように構成したものであるから、
所望材料の多孔質薄膜を得ることができるので従来欠点
乞除去することができる。
低融点金属材料とを同時にスパッタリングすることによ
って基板上に両材料の混合薄膜ン形成し、次いで上記基
板を加熱処理することによって混合薄膜から低融点金属
材料のみを蒸発させるように構成したものであるから、
所望材料の多孔質薄膜を得ることができるので従来欠点
乞除去することができる。
本発明により温度センサーやカヌセンサー等を含む各種
センサーに適用し得る均質な多孔質薄膜を得ることがで
きる。
センサーに適用し得る均質な多孔質薄膜を得ることがで
きる。
第１図および第２図は本発明の実施に用いられる装置を
示す断面図および上面図、第３図（ａｌおよび（ｂｌは
共に本発明実施例を示す断面図である。 ５・・・基板、６・・・ターゲット、７・・・所望材料
、８・・・低融点材料、９・・・混合薄膜、ｌＯ・・・
ＪＬ。 第１図
示す断面図および上面図、第３図（ａｌおよび（ｂｌは
共に本発明実施例を示す断面図である。 ５・・・基板、６・・・ターゲット、７・・・所望材料
、８・・・低融点材料、９・・・混合薄膜、ｌＯ・・・
ＪＬ。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （５）所望材料と低融点金属材料とを同時にスパッタリ
ングすることによって基板上に両材料の混合薄膜を形成
する工程、 （８１上記基板を加熱処理することによって混合薄膜か
ら上記低融点金属材料のみを蒸発させる工程、 からなることをｆＦ徴とする多孔質薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58168005A JPS6059066A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 多孔質薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58168005A JPS6059066A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 多孔質薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6059066A true JPS6059066A (ja) | 1985-04-05 |
Family
ID=15860031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58168005A Pending JPS6059066A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 多孔質薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6059066A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6431960A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-02 | Furukawa Electric Co Ltd | Composite material and its production |
| JPH028398A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-11 | Ngk Insulators Ltd | 多孔質金属膜の形成方法 |
| EP1614766A1 (en) * | 2003-04-16 | 2006-01-11 | Bridgestone Corporation | Method for forming porous thin film |
| EP1975275A1 (en) * | 2005-12-28 | 2008-10-01 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Porous valve metal thin film, method for production thereof and thin film capacitor |
| JP2017116460A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社チノー | 多孔質電極及び該電極の製造方法並びにこの多孔質電極を用いた湿度センサ |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP58168005A patent/JPS6059066A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6431960A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-02 | Furukawa Electric Co Ltd | Composite material and its production |
| JPH028398A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-11 | Ngk Insulators Ltd | 多孔質金属膜の形成方法 |
| EP1614766A1 (en) * | 2003-04-16 | 2006-01-11 | Bridgestone Corporation | Method for forming porous thin film |
| EP1614766A4 (en) * | 2003-04-16 | 2011-07-06 | Bridgestone Corp | METHOD FOR PRODUCING A POROUS THIN FILM |
| EP1975275A1 (en) * | 2005-12-28 | 2008-10-01 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Porous valve metal thin film, method for production thereof and thin film capacitor |
| EP1975275A4 (en) * | 2005-12-28 | 2011-04-13 | Sumitomo Metal Mining Co | POROUS THIN VALVE METAL FILM, MANUFACTURING METHOD AND THIN FILM CONDENSER |
| US8300386B2 (en) | 2005-12-28 | 2012-10-30 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Porous valve metal thin film, method for production thereof and thin film capacitor |
| JP2017116460A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社チノー | 多孔質電極及び該電極の製造方法並びにこの多孔質電極を用いた湿度センサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4933209A (en) | Method of making a thin film recording head apparatus utilizing polyimide films | |
| US4119483A (en) | Method of structuring thin layers | |
| JPS6059066A (ja) | 多孔質薄膜の製造方法 | |
| JPS63224127A (ja) | 含浸形陰極 | |
| JP2650910B2 (ja) | 酸化物超伝導体薄膜の形成方法 | |
| US3716406A (en) | Method for making a cadmium sulfide thin film sustained conductivity device | |
| JPS6059063A (ja) | 多孔質薄膜の製造方法 | |
| JPS63241824A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| US3644188A (en) | Anodizable cermet film components and their manufacture | |
| JP2949500B2 (ja) | 超伝導セラミックスの製造方法 | |
| JPS6320302B2 (ja) | ||
| JP2776362B2 (ja) | 酸化物超伝導体薄膜の形成方法 | |
| JPH0494179A (ja) | 酸化物超伝導薄膜デバイスの作製方法 | |
| JPH06224042A (ja) | 平面インダクターとその製造方法 | |
| US3652750A (en) | Chromium-silicon monoxide film resistors | |
| JPH0230754A (ja) | 蒸着方法 | |
| JPS61232620A (ja) | 半導体基板エツチング方法 | |
| JPS5938307B2 (ja) | 金属化合物被膜の形成方法 | |
| JPH056333B2 (ja) | ||
| JPH0240810A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JP2817299B2 (ja) | 複合酸化物超電導薄膜の作製方法 | |
| DE2211699A1 (de) | Filmfoermiger strahlungsdetektor und verfahren zur herstellung desselben | |
| JPH048507B2 (ja) | ||
| US3547694A (en) | Magnetic thin films manufacturing process | |
| GB2119565A (en) | Method of making a cathode electrode and product of such method |