JPH0240810A - 超電導体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、超電導体の製造方法に関する。特に、使用す
べき状況に応じた所望の形状に形成できる超電導体の製
造方法に関するものである。

〔発明の概要〕

本発明は、超電導体の製造方法において、基体に超電導
体材料を被着させ、かつ該基体上にエネルギービームを
照射しながら、このエネルギービーム照射領域に超電導
体を形成することによって、該照射領域の制御により基
体上の所望位置に所望形状の超電導体を形成できるよう
にしたものである。

〔従来の技術〕

近年、各種の超電導体が開発され、例えば金属あるいは
セラミックス等の超電導体から成る材料が開発されてい
る。

このような超電導体の作成法は、一般に、蒸着法、焼結
法、溶融再結晶化法等が主である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記のように従来の超電導体は、主に蒸着法、焼結法、
溶融再結晶化法等によって作成されており、そのため、
材料として作成した後に、実際に使用すべき応用状況に
合わせて、形状を加工している。例えば、線材として用
いたい場合、超電導体を作成後、これを加工して線材化
している。

しかしこのように、超電導体を作成後、使用すべき状況
に応じた形状に加工するのは、困難なことがある。

例えば上記例に挙げた線材にする場合について言えば、
超電導体についてもその線材化には、引き延ばしとか、
パターニングとかの技術が使われる。

しかしこれらの方法では、作成に時間がかかったり、あ
るいは特に高温超電導体材料では、その線材化自体が難
しい場合がある。

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、超電導体を
、作成後加工するという必要なく、使用すべき状況に応
じた所望の形に直接形成することを可能とした、超電導
体の製造方法を提供せんとするものである。

〔問題を解決するための手段〕

上記問題点を解決するため、本発明に係る超電導体の製
造方法においては、基体に超電導体材料を被着させ、か
つ該基体上にエネルギービームを照射しながら、該エネ
ルギービーム照射領域に超電導体を形成する手段を採る
。

〔作用〕

本発明においては、上記のように基体上に超電導体材料
を被着させ、かつこれにエネルギービームを照射しなが
ら、このエネルギービーム照射領域に超電導体を形成す
るので、基体上に超電導体材料を各種手段で被着させて
、超電導体を形成したい所にエネルギービームを照射す
ることによって、所望位置に所望形状の超電導体を得る
ことができる。

よって、超電導体を作成後、使用状況に応じて加工する
等のことを要さずに、所望の超電導体が得られる。

〔実施例〕

以下本発明の一実施例について、図面を参照して説明す
る。但し、本発明は以下の実施例により限定されるもの
ではない。

本実施例は、本発明を、基体上にエネルギービームを照
射しながら上記基体上に超電導体材料を被着させ、上記
エネルギービーム照射領域に超電導体を形成する態様で
実施したものであり、具体的には、超電導体によりコイ
ルを形成する場合に適用したものである。

本実施例を説明するための構成図を、第１図に示す。

本実施例においては、基体１はコイルを形成すべき筒型
部材であり、具体的にはプラスチック製の円筒部材であ
って、この基体１にスパイラル状に超電導体を形成して
、コイルを得るものである。

第１図中、符号２は本実施例で用いる超電４体形成装置
であり、この装置２は、スパッタ室２１と、レーザー室
２２とを有している。

即ち、本実施例では、基体１に超電導体材料を被着させ
る手段としてはスパッタ法を用い、かつ照射するエネル
ギービームは、エキシマレーザ−等のレーザー光を用い
た。

スパッタ室には、超電導体材料３をスパッタ法における
ターゲットとして配置しである。超電風体材料３として
は、ここではＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の材料を用い、Ｙ　
Ｂ　ａ　ｔ　Ｃｕ　３０　ｂ−８の構造の超電導体が得
られるようにした。このスパッタ室２１に、円筒型プラ
スチックである基体１を入れ、超電導体材料３をスパッ
タ蒸着する。

基体１に超電導体材料３が被着されている所に、レーザ
ー室に配置したエネルギー線源であるレーザー線源から
、エネルギービーム５としてレーザー光を照射する。こ
の照射によって、材料の焼結を行わせ、超電導体６を形
成する。

ここで、基体１は、図示矢印Ａの如く回転し、かつ矢印
Ｂの如く上方向（または下方向）に移動するようにする
。この回転・上下運動の結果エネルギービーム５である
レーザー光は、被着された超電導体材料に、スパイラル
状に照射されることになる。照射された部分が焼結され
て超電導体となるので、焼結体となった超電導体のみが
コイル状に基体１上に形成されるので、これにより、コ
イルが出来上がる。

本実施例によれば、上記のように選択的に超電導体６を
形成できるので、どのような形状の基体１上にも、任意
の形状（本例では線材状）の超電導体を形成でき、爾後
の加工は不要にできる。

本実施例では、スパッタ室の雰囲気ガスは窒素ガスとし
た。窒素を適当な量で流すことにより、装置内部や、特
に窓２４（後記）にスパッタ物が付着することを防止で
きる。吸引部２３から内部を真空ポンプなどで吸引して
減圧して、所定圧力下でスパッタするようにした。なお
、形成すべき超電導体が酸素を含むものである場合、雰
囲気ガスに酸素が含まれるようにすると、ターゲットに
は酸素成分を含有させる必要がない場合もある。

このように、スパッタを用いる場合も、各種の態様が可
能である。勿論、超電導体材料を基体に被着させる手段
は任意であり、上記スパッタによる蒸暑以外に、各種の
手段を採用できる。

なお、図中２４はエネルギービーム５を透過する窓であ
る。

超電導体材料としては、エネルギービームにより超電導
体として形成されるものであれば、いずれも任意に用い
ることができる。また超電導体材料に応じて、基体１へ
め被着手段を任意に構成でき、また用いるエネルギービ
ームを選定できる。

例えば（Ｌ　ａ　Ｓ　ｒ　＋−ｘ）ｚＣｕ　０４　（Ｘ
≦０．０５）などのＬａ−５ｒ−Ｃｕ−０系超電導体は
、スパッタリングやスクリーン印刷などの手段で基体へ
被着することができる。Ｙｂ１．＋Ｂａ＋、ｂＣｕ３０
ｑ−ｙ多結晶体の如きＹｂ系の超電導体も、同様に用い
ることができる。また、Ｌａ系、Ｙ系の超電導体で、溶
剤塗布法や、アモルファステープの酸化により基体に被
着できるものもあり、いずれの手段も採用できる。

更にエネルギビームは、レーザー光のみならず、ＵＶ光
（例えばレンズで絞った態様で使用できる）、赤外光な
どを用いることができ、これらの照射により超電導体を
形成するように具体化することが可能である。

上記実施例と同様に、被着（スパッタ等）しながらエネ
ルギービームを照射する方法により、半導体装置例えば
ＬＳＩの配線等に本発明を適用して、配線部のみを超電
導体により形成することができる。

また、被着とエネルギービームとを別工程とし、例えば
スパッタにより基体に材料を全面被着した後、別途エツ
チング室等で、レーザー光等のエネルギービームにより
選択的にエツチングする手段によって、超電導体を形成
することができる。

〔発明の効果〕

上述の如く本発明によれば、超電導体を使用すべき状況
に応じた所望の形に直接形成することが可能で、作成後
の加工等を不要とすることができ、従って本発明は超電
導体の作成上きわめて有利ということができる。

体材料、４・・・エネルギー線源、５・・・エネルギー
ビーム、６・・・超電導体。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．基体に超電導体材料を被着させ、かつ上記基体上に
   エネルギービームを照射しながら上記エネルギービーム
   照射領域に超電導体を形成することを特徴とする超電導
   体の製造方法。