JPS6059063A - 多孔質薄膜の製造方法 - Google Patents

多孔質薄膜の製造方法

Info

Publication number
JPS6059063A
JPS6059063A JP16800683A JP16800683A JPS6059063A JP S6059063 A JPS6059063 A JP S6059063A JP 16800683 A JP16800683 A JP 16800683A JP 16800683 A JP16800683 A JP 16800683A JP S6059063 A JPS6059063 A JP S6059063A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
substrate
pores
porous thin
desired material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16800683A
Other languages
English (en)
Inventor
Teruo Asaumi
浅海　輝雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Faurecia Clarion Electronics Co Ltd
Original Assignee
Clarion Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Clarion Co Ltd filed Critical Clarion Co Ltd
Priority to JP16800683A priority Critical patent/JPS6059063A/ja
Publication of JPS6059063A publication Critical patent/JPS6059063A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5826—Treatment with charged particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5873—Removal of material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、膜の孔の大きさおよび密度を任意に制御でき
るようになされた多孔質薄膜の製造方法に関するもので
ある。
温度センサーやガスセンサーの構成材料として用いられ
る多孔質薄膜ｔＸ裂造するには従来、（１）セラミック
スのように微粉体を焼成する方法、（２）粉体な塗布す
る方法、（３）多孔質アルミナのようにアルミニウムを
陽極酸化する方法等が知られている。
しかし上記（１）、（２）の方法は多孔質薄膜の孔の大
きさおよび密度が粉体の大きさによって制限されるが、
粉体の大きさの制御が比較的難かしくまた薄膜化も困難
であるという問題がある。上記（３）の方法は以上のよ
うな問題は改善されるがその材料がアルミニウムに限定
されてしまう欠点がある。
本発明は以上の観点からなされたもので５所望材料と低
融点金属材料とを同時にスパッタリングすることによっ
て基板上に両材料の混合薄膜を形成し、次いで上記基板
をプラダＸエツチング処理することによって混合薄膜か
ら金属材料のみｔ除去するように構成して所望材料の多
孔質薄膜を得るようにした製造方法を提供することン目
的とするものである。以下図面を参照して本発明実施例
を説明する。
第１図は本発明の実施に用いられるヌバツタ装置を示す
断面図で、１は容儀、２は上部電極、３は下部電極、４
は高周波電源、５は基板、６はターゲットで所望材料７
およびこの上に配置されたその他の金属材料８から構成
されている。
第２図はターゲット６の上面図である。
以上の構成により容器ｌを排気した後高周波スパッタリ
ングを行うと、下部電１ｆｊＩＡ３に接続されているタ
ーゲット６の所望材料７および金属材料８は同時にスパ
ッタされるので、基板５表面には両材料が均一に分散さ
れた混合薄膜９が第３図（ａ）のように形成される。
次いでその基板５を四弗化炭素（ＣＦ４　）、四塩化炭
素（ＣＣＡ’４　）、塩素（ＣＡｚ　）等の反応性ガス
雰囲気中でプラズマエツチング処理すると、上記混合薄
膜９からその表面の金属材料８のみがエツチング除去さ
れるので、基板５表面の混合薄膜９は第３図（ｂ）のよ
うに孔１０が多数形成されるようになる。
この場合多孔質薄膜の孔の大きさはスパッタリング時の
基板５の温度に依存し、この温度を制御することにより
数μｍ〜数ｎｍの大きさの孔を任意にかつ正確に形成す
ることができる。また孔の密度はターゲットを構成する
両材料の組成比により容易に制御することができる。
さらにターゲットｙ構成する材料は二種類以上に設定す
ることができる。
またプラズマエツチング処理によれば金属材料８のエツ
チング除去は極めて低温で行うことができるので、薄膜
９に加わるストレヌを最少限に抑えることができるため
、ひび、われ、剥離等ン発主させることなく多孔質薄膜
を形成することができる。
金属材料８としては反応性ガスの選択により高融点材料
を用いた場合でも容易に除去することができるので、は
とんどすべての金ｔｉＡｙｒ用いることができる。
例えば白金（ｐｔ）等もＣＦ４ガスプラズマエツチング
により除去可能なので、白金の触媒作用を生かしたガス
センサーに適用することができる。
以上述べて明らかなように本発明によれは、所望材料と
金説材料とを同時にスパッタリングすることによって基
板上に両材料の混合薄膜乞形成し、次いで上記基板をプ
ラズマエツチング処理することによって混合薄膜から金
属材料のみン除去するように構成したものであるから、
所望材料の多孔質薄膜を得ることができるので従来欠点
を除去することができる。
本発明により温度センサーやガスセンサー等を含む各種
センサーに適用し得る均質な多孔質薄膜７得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は本発明の実施に用いられる装置を
示す断面図および上面図、第３図（ａｌおよび（ｂｌは
共に本発明実施例〉示す断面図である。 ５・・・基板、６・・・ターゲット、７・・・所・望材
料、８・・・金寓材料、９・・・混合薄膜、１０・・・
孔。 第１図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （４）所望材料と金属材料とを同時にスパッタリングす
    ることによって基板上に両材料の混合薄膜を形成する工
    程、 旧　上記基板をプラズマエツチング処理することＫよっ
    て混合薄膜から上記金属材料のみン除去する工程、 からなることを特徴とする多孔質薄膜の製造方法。
JP16800683A 1983-09-12 1983-09-12 多孔質薄膜の製造方法 Pending JPS6059063A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16800683A JPS6059063A (ja) 1983-09-12 1983-09-12 多孔質薄膜の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16800683A JPS6059063A (ja) 1983-09-12 1983-09-12 多孔質薄膜の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6059063A true JPS6059063A (ja) 1985-04-05

Family

ID=15860050

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16800683A Pending JPS6059063A (ja) 1983-09-12 1983-09-12 多孔質薄膜の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6059063A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4977038A (en) * 1989-04-14 1990-12-11 Karl Sieradzki Micro- and nano-porous metallic structures
JPH0335203A (ja) * 1989-06-30 1991-02-15 Hitachi Cable Ltd 希土類元素添加ガラス導波路の製造方法
WO2004092440A1 (ja) * 2003-04-16 2004-10-28 Bridgestone Corporation 多孔質薄膜の形成方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4977038A (en) * 1989-04-14 1990-12-11 Karl Sieradzki Micro- and nano-porous metallic structures
JPH0335203A (ja) * 1989-06-30 1991-02-15 Hitachi Cable Ltd 希土類元素添加ガラス導波路の製造方法
WO2004092440A1 (ja) * 2003-04-16 2004-10-28 Bridgestone Corporation 多孔質薄膜の形成方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4119483A (en) Method of structuring thin layers
EP0641250B1 (en) Inorganic membrane for microfiltration, and a process for production of such an inorganic membrane
JP3020154B2 (ja) ダイヤモンド多孔質体の製造方法
JPS6015148B2 (ja) 被加工層内の凹みの側壁の傾斜を制御する方法
JPH09107049A (ja) 加圧焼結による支持体の上での電子的構成部材の固定法
JPS6059063A (ja) 多孔質薄膜の製造方法
Vorobyova et al. SEM investigation of pillared microstructures formed by electrochemical anodization
JPS6059066A (ja) 多孔質薄膜の製造方法
EP0665303A1 (en) Method of producing a microporous, gas permeable electrode structure and a microporous, gas permeable electrode structure
JPH0637072A (ja) テーパエッチング方法
JPS6027752B2 (ja) ドライエツチング法
JPH0660323A (ja) テーパ状エッチング方法
JPH0770768A (ja) 無機膜の形成方法
JPS61232620A (ja) 半導体基板エツチング方法
JPH0395829A (ja) 微小冷陰極の製造方法
JPH04131109A (ja) ２層構造ＳｉＣセラミックスフィルタおよびその製造方法
JP2543891B2 (ja) 微細パタ−ンの形成方法
JPS58130528A (ja) 半導体のエツチング方法
JPS58220428A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH054806B2 (ja)
JPH05832A (ja) ガラス系素材のエツチング加工方法
JPS6265328A (ja) エツチング法
JPS59119727A (ja) ドライエツチング方法
JPH08328236A (ja) 転写マスクの製造方法
JPS5831533A (ja) テ−パ−エツチング方法