JPH054806B2 - - Google Patents
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- JPH054806B2 JPH054806B2 JP11542787A JP11542787A JPH054806B2 JP H054806 B2 JPH054806 B2 JP H054806B2 JP 11542787 A JP11542787 A JP 11542787A JP 11542787 A JP11542787 A JP 11542787A JP H054806 B2 JPH054806 B2 JP H054806B2
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- membrane
- ray exposure
- exposure mask
- substrate
- reactive ion
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
Ｘ線露光用マスクのメンブレン上において、反
応性イオンエツチング法によりパターンニングを
行う際に、このメンブレンの下の空間に誘電体を
配置して行うことにより、メンブレン上のどの位
置においてもエツチングを同時に進行させること
が可能となるＸ線露光用マスクの製造方法。
応性イオンエツチング法によりパターンニングを
行う際に、このメンブレンの下の空間に誘電体を
配置して行うことにより、メンブレン上のどの位
置においてもエツチングを同時に進行させること
が可能となるＸ線露光用マスクの製造方法。
本発明は、Ｘ線露光用マスクの製造に係り、特
に反応性イオンエツチング法の実施方法の改良に
関するものである。
に反応性イオンエツチング法の実施方法の改良に
関するものである。
Ｘ線露光用マスクは周囲に基板があり、中央部
のメンブレンの下に空間を持つ構造を有している
ので、メンブレン上においてパターンニングする
際に、中央部と周辺部との反応性イオンエツチン
グの行われ方が異なり、全面のエツチングが同時
に行われず、周辺部において被エツチング物が残
存する障害が発生している。
のメンブレンの下に空間を持つ構造を有している
ので、メンブレン上においてパターンニングする
際に、中央部と周辺部との反応性イオンエツチン
グの行われ方が異なり、全面のエツチングが同時
に行われず、周辺部において被エツチング物が残
存する障害が発生している。
以上のような状況からメンブレン上のパターン
ニングを均一に実施することが可能なＸ線露光用
マスクの製造方法が要望されている。
ニングを均一に実施することが可能なＸ線露光用
マスクの製造方法が要望されている。
従来のＸ線露光用マスクの製造方法を第２図、
第３図により説明する。
第３図により説明する。
先ず第３図ａに示すように、アルミナよりなる
基板２はリング状の形状をしており、減圧CVD
法或いはプラズマCVD法により２〜4μｍの厚さ
の窒化硼素或いは炭化珪素よりなるメンブレン１
を表面に形成したシリコン基板３をその中央部に
接着する。
基板２はリング状の形状をしており、減圧CVD
法或いはプラズマCVD法により２〜4μｍの厚さ
の窒化硼素或いは炭化珪素よりなるメンブレン１
を表面に形成したシリコン基板３をその中央部に
接着する。
次いで第３図ｂに示すように、弗酸と硝酸と酢
酸の混合酸により基板２をマスクにしてシリコン
基板３をエツチングし、基板２の中央孔の部分の
シリコン基板３を完全に除去してメンブレン１の
みが残存するようにする。
酸の混合酸により基板２をマスクにしてシリコン
基板３をエツチングし、基板２の中央孔の部分の
シリコン基板３を完全に除去してメンブレン１の
みが残存するようにする。
次に第３図ｃに示すように、このメンブレン１
の上に厚さ1μｍのポリイミド樹脂層６を形成し、
次工程での酸素プラズマを用いる反応性イオンエ
ツチングによるポリイミド樹脂層６のパターンニ
ングの際に、レジスト層８が同時にエツチングさ
れるのに対抗するため、その上にシリコン酸化
膜、チタン或いはアルミニウムの中間層７を設
け、その上にレジスト層８を形成する。
の上に厚さ1μｍのポリイミド樹脂層６を形成し、
次工程での酸素プラズマを用いる反応性イオンエ
ツチングによるポリイミド樹脂層６のパターンニ
ングの際に、レジスト層８が同時にエツチングさ
れるのに対抗するため、その上にシリコン酸化
膜、チタン或いはアルミニウムの中間層７を設
け、その上にレジスト層８を形成する。
その後第３図ｄに示すように、Ｘ線露光用マス
クのＸ線を透過させるべき部分（以下、ステンシ
ル部と称する）にレジスト層８が残るように、フ
オトプロセスによつてパターンニングしてステン
シル部にレジスト層８を形成する。
クのＸ線を透過させるべき部分（以下、ステンシ
ル部と称する）にレジスト層８が残るように、フ
オトプロセスによつてパターンニングしてステン
シル部にレジスト層８を形成する。
次いでこのレジスト層８をマスクにして酸素プ
ラズマを用いる反応性イオンエツチングによりポ
リイミド樹脂層６のパターンニングを行う。この
場合にレジスト層８も同時にエツチングされるの
で上記のようにポリイミド樹脂層６の上に中間層
７を設けて、レジスト層８が無くなつた場合の補
償を行つている。
ラズマを用いる反応性イオンエツチングによりポ
リイミド樹脂層６のパターンニングを行う。この
場合にレジスト層８も同時にエツチングされるの
で上記のようにポリイミド樹脂層６の上に中間層
７を設けて、レジスト層８が無くなつた場合の補
償を行つている。
レジスト層８及び中間層７を除去した後、第３
図ｅに示すように、ステンシル部以外のメンブレ
ン１上に7000〜8000Åの厚さの金メツキを施して
Ｘ線吸収体４の形成を行う。
図ｅに示すように、ステンシル部以外のメンブレ
ン１上に7000〜8000Åの厚さの金メツキを施して
Ｘ線吸収体４の形成を行う。
この後、ポリイミド樹脂層６を除去してＸ線露
光用マスクが完成する。
光用マスクが完成する。
以上の酸素プラズマによるポリイミド樹脂層６
の反応性イオンエツチングは、第２図に示すよう
にメンブレン１の下の空間に何も無い状態で行つ
ている。
の反応性イオンエツチングは、第２図に示すよう
にメンブレン１の下の空間に何も無い状態で行つ
ている。
以上説明の従来のＸ線露光用マスクの製造方法
で問題となるのは、メンブレン上においてポリイ
ミド樹脂層をパターンニングする際に、中央部と
周辺部との反応性イオンエツチングの行われ方が
異なるために、全面のエツチングが同時に行われ
ず、周辺部において被エツチング物が残存する障
害が発生していることである。
で問題となるのは、メンブレン上においてポリイ
ミド樹脂層をパターンニングする際に、中央部と
周辺部との反応性イオンエツチングの行われ方が
異なるために、全面のエツチングが同時に行われ
ず、周辺部において被エツチング物が残存する障
害が発生していることである。
即ち、Ｘ線露光用マスクは周囲に基板があり、
中央部のメンブレンの下に空間を持つ構造を有し
ているので、ポリイミド樹脂層のパターンニング
を実施する場合に、基板の部分と中央の孔部との
誘電率が異なるため、プラズマシースの電位の分
布にバラツキが生じるので、これらの部分におけ
るエツチングレートに差が生じ、全面のエツチン
グが同時に行われず、中心部のエツチングが完了
しても周辺部において被エツチング物が残存する
障害が発生するのである。
中央部のメンブレンの下に空間を持つ構造を有し
ているので、ポリイミド樹脂層のパターンニング
を実施する場合に、基板の部分と中央の孔部との
誘電率が異なるため、プラズマシースの電位の分
布にバラツキが生じるので、これらの部分におけ
るエツチングレートに差が生じ、全面のエツチン
グが同時に行われず、中心部のエツチングが完了
しても周辺部において被エツチング物が残存する
障害が発生するのである。
本発明は以上のような状況から簡単且つ容易に
実施が可能なＸ線露光用マスクの製造方法の提供
を目的としたものである。
実施が可能なＸ線露光用マスクの製造方法の提供
を目的としたものである。
上記問題点は、Ｘ線露光用マスクのメンブレン
上において、反応性イオンエツチング法によりパ
ターンニングを行う際に、このメンブレンの下の
空間に誘電体を配設して行う本発明によるＸ線露
光用マスクの製造方法によつて解決される。
上において、反応性イオンエツチング法によりパ
ターンニングを行う際に、このメンブレンの下の
空間に誘電体を配設して行う本発明によるＸ線露
光用マスクの製造方法によつて解決される。
即ち本発明においては、Ｘ線露光用マスクの基
板に設けたメンブレンの下の空間に誘電体を配設
するので、基板の部分と基板の孔部の誘電率が均
一になるから、プラズマシースの電位の分布のバ
ラツキが無くなるので、これらの部分におけるエ
ツチングレートの差が無く、全面のエツチングを
同時に行うことが可能となる。
板に設けたメンブレンの下の空間に誘電体を配設
するので、基板の部分と基板の孔部の誘電率が均
一になるから、プラズマシースの電位の分布のバ
ラツキが無くなるので、これらの部分におけるエ
ツチングレートの差が無く、全面のエツチングを
同時に行うことが可能となる。
以下第１図、第３図ｄについてい本発明の一実
施例を説明する。
施例を説明する。
第１図に示すように、反応性イオンエツチング
装置の電極９の上に基板２を載置し、反応性イオ
ンエツチングを行うのであるが、この際反応室内
圧を真空にする場合に、メンブレン１の上下の空
間の圧力に差があると、メンブレン１に圧力が加
わる。
装置の電極９の上に基板２を載置し、反応性イオ
ンエツチングを行うのであるが、この際反応室内
圧を真空にする場合に、メンブレン１の上下の空
間の圧力に差があると、メンブレン１に圧力が加
わる。
これを防止するために、メンブレン１の下の空
間の圧力が室内圧と同じになるように、電極９に
エア抜き溝９ａを設けておく。
間の圧力が室内圧と同じになるように、電極９に
エア抜き溝９ａを設けておく。
このような状態で、アルミナよりなる誘電体５
を基板２の中心部の孔に入るようにして基板２を
電極９の上に置くと、反応室内圧を減圧してもエ
ア抜き溝９ａで通じているので、メンブレン１に
圧力が加わらず、第３図ｄに示すようなステンシ
ル部のパターンシング工程において反応性イオン
エツチングによりポリイミド樹脂層６のパターン
ニングを行つた場合、基板２と誘電体５が同じ材
料のため誘電率が等しくなり、プラズマシースの
電位の分布のバラツキが無くなり、エツチングレ
ートの差が無く、メンブレン１上のどの位置にお
いてもエツチングが同時に行われる。
を基板２の中心部の孔に入るようにして基板２を
電極９の上に置くと、反応室内圧を減圧してもエ
ア抜き溝９ａで通じているので、メンブレン１に
圧力が加わらず、第３図ｄに示すようなステンシ
ル部のパターンシング工程において反応性イオン
エツチングによりポリイミド樹脂層６のパターン
ニングを行つた場合、基板２と誘電体５が同じ材
料のため誘電率が等しくなり、プラズマシースの
電位の分布のバラツキが無くなり、エツチングレ
ートの差が無く、メンブレン１上のどの位置にお
いてもエツチングが同時に行われる。
以上説明したように本発明によれば極めで簡単
な構造の誘電体を基板の中央の孔部に設けて反応
性イオンエツチングを行うので、プラズマシース
の電位の分布のバラツキが無くなり、エツチング
レートの差が無く、メンブレンの全面のエツチン
グを同時に行うことが可能となる利点があり、著
しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待でき工
業的には極めて有用なものである。
な構造の誘電体を基板の中央の孔部に設けて反応
性イオンエツチングを行うので、プラズマシース
の電位の分布のバラツキが無くなり、エツチング
レートの差が無く、メンブレンの全面のエツチン
グを同時に行うことが可能となる利点があり、著
しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待でき工
業的には極めて有用なものである。
第１図は本発明による一実施例を示す側断面
図、第２図は従来のＸ線露光用マスクの製造方法
を示す側断面図、第３図はＸ線露光用マスクの製
造を工程順に示す側断面図、である。 図において、１はメンブレン、２は基板、３は
シリコン基板、４はＸ線吸収体、５は誘電体、６
はポリイミド樹脂層、７は中間層、８はレジスト
層、９は電極、９ａはエア抜き溝、を示す。
図、第２図は従来のＸ線露光用マスクの製造方法
を示す側断面図、第３図はＸ線露光用マスクの製
造を工程順に示す側断面図、である。 図において、１はメンブレン、２は基板、３は
シリコン基板、４はＸ線吸収体、５は誘電体、６
はポリイミド樹脂層、７は中間層、８はレジスト
層、９は電極、９ａはエア抜き溝、を示す。
Claims (1)
- １ リング状の基板２にシリコン基板３を介して
設けたメンブレン１を備えたＸ線露光用マスクの
前記メンブレン１上において、反応性イオンエツ
チング法によりパターンニングを行う際に、前記
メンブレン１の下の空間に誘電体５を配設して行
うことを特徴とするＸ線露光用マスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62115427A JPS63278332A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62115427A JPS63278332A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63278332A JPS63278332A (ja) | 1988-11-16 |
| JPH054806B2 true JPH054806B2 (ja) | 1993-01-20 |
Family
ID=14662300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62115427A Granted JPS63278332A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63278332A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6089918B2 (ja) * | 2013-04-19 | 2017-03-08 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールドの製造方法および基材 |
| JP6319474B2 (ja) * | 2017-02-07 | 2018-05-09 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド |
-
1987
- 1987-05-11 JP JP62115427A patent/JPS63278332A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63278332A (ja) | 1988-11-16 |
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