JPS62297852A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS62297852A JPS62297852A JP14192086A JP14192086A JPS62297852A JP S62297852 A JPS62297852 A JP S62297852A JP 14192086 A JP14192086 A JP 14192086A JP 14192086 A JP14192086 A JP 14192086A JP S62297852 A JPS62297852 A JP S62297852A
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- film
- pattern
- etching
- film pattern
- forming
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明はパターン形成方法の特に多層レジスト法による
パターン形成技術に関す多ものである。
パターン形成技術に関す多ものである。
従来の技術
半導体素子の微細化に伴い段差を有する基板上に微細な
レジストパターンを形成するために二層膜あるいは三層
膜を利用する多層レジスト技術が使用されるようになっ
てきている。
レジストパターンを形成するために二層膜あるいは三層
膜を利用する多層レジスト技術が使用されるようになっ
てきている。
従来の三層レジスト法を用いて段差を有する基板にパタ
ーンを形成する場合の一例を第２図Ａ〜Ｃに示す。
ーンを形成する場合の一例を第２図Ａ〜Ｃに示す。
段差１を有する基板２の主面に第１の膜３（例えばレジ
スト膜等）を回転塗布法等により表面がほぼ平坦となる
ように例えば１．５〜３μｍ程度形成したのち、第２の
膜４（例えば５ｉｎ２膜、金属膜等）を０．゛１〜０．
３μｍ程度、さらに第３の膜５としてレジスト膜を０．
３〜０．５μｍ程度形成する（第２図人）。
スト膜等）を回転塗布法等により表面がほぼ平坦となる
ように例えば１．５〜３μｍ程度形成したのち、第２の
膜４（例えば５ｉｎ２膜、金属膜等）を０．゛１〜０．
３μｍ程度、さらに第３の膜５としてレジスト膜を０．
３〜０．５μｍ程度形成する（第２図人）。
次にこの第３の膜５に所定の方法を用いてノくターン形
成を行ない第３の膜パターン５′を形成したのち、この
第３の膜パターン６′をマスクとして異方性のドライエ
ツチング法等を用いてエツチングを行ない第２の膜パタ
ーン４′を形成する（第２図Ｂ）。
成を行ない第３の膜パターン５′を形成したのち、この
第３の膜パターン６′をマスクとして異方性のドライエ
ツチング法等を用いてエツチングを行ない第２の膜パタ
ーン４′を形成する（第２図Ｂ）。
次に例えば酸素を用いた異方性のドライエツチング法等
を用いて第１の膜３をエツチングする。
を用いて第１の膜３をエツチングする。
この時第３の膜パターン６′は同時にエツチングされる
が、第２の膜４はエツチングされず第１の膜３をエツチ
ングする際のマスクとなシ、第１の膜パターン３′を形
成することができる（第２図Ｃ）。
が、第２の膜４はエツチングされず第１の膜３をエツチ
ングする際のマスクとなシ、第１の膜パターン３′を形
成することができる（第２図Ｃ）。
この方法では通常第１の膜３としては酸素による異方性
ドライエツチングが可能なポリマ系の膜主としてレジス
ト膜が使用され、第２の膜４としては酸素による異方性
ドライエツチングのマスクとなりうる無機膜（ＳｉＯ□
、 Ｗ 、 Ｍｏ 、ムｌ）が使用される。第３の膜６
はリングラフィ技術でパターン形成を行なうことができ
る放射線感応性樹脂膜である。
ドライエツチングが可能なポリマ系の膜主としてレジス
ト膜が使用され、第２の膜４としては酸素による異方性
ドライエツチングのマスクとなりうる無機膜（ＳｉＯ□
、 Ｗ 、 Ｍｏ 、ムｌ）が使用される。第３の膜６
はリングラフィ技術でパターン形成を行なうことができ
る放射線感応性樹脂膜である。
上記にのべた方法を用いることにより、リングラフィ技
術を用いて第３の膜４にパターン形成を行なう場合下地
が平坦化されておシ膜厚も薄くすることも可能となシ微
細パターンの形成を行なうことが容易となる。
術を用いて第３の膜４にパターン形成を行なう場合下地
が平坦化されておシ膜厚も薄くすることも可能となシ微
細パターンの形成を行なうことが容易となる。
またこの第２の膜と第３の膜の両方の性質を兼備えた膜
を用いることにより二層でパターン形成を行なう方法も
あるが、本質的には三層レジスト法と同じである。
を用いることにより二層でパターン形成を行なう方法も
あるが、本質的には三層レジスト法と同じである。
このように多層レジスト法を用いることによシ段差を有
する基板上に微細なパターン形成を行なうことが可能と
なる。またこの方法は耐ドライエツチング性が悪い電子
ビーム用レジストを用いる場合にも有効であると考えら
れ、これからますまる際に第２０膜がマスクとなり第１
の膜パターンが除去できなかったり、除去液が汚染され
るなど、第１の膜パターンを除去する工程が非常に大き
な問題である。
する基板上に微細なパターン形成を行なうことが可能と
なる。またこの方法は耐ドライエツチング性が悪い電子
ビーム用レジストを用いる場合にも有効であると考えら
れ、これからますまる際に第２０膜がマスクとなり第１
の膜パターンが除去できなかったり、除去液が汚染され
るなど、第１の膜パターンを除去する工程が非常に大き
な問題である。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、第１の膜パ
ターンの除去を通常の方法により容易で汚染なく行なう
ことができる方法を提供することを目的としている。
ターンの除去を通常の方法により容易で汚染なく行なう
ことができる方法を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、第１の膜パターン
を形成する途中で、上記第２の膜パターンを除去したの
ち第１の膜を全面エツチングして第１の膜パターンの形
成を行なうものである。
を形成する途中で、上記第２の膜パターンを除去したの
ち第１の膜を全面エツチングして第１の膜パターンの形
成を行なうものである。
作用
本発明は上記の方法により、第１の膜パターンを除去す
る際、除去を容易でかつ除去液を汚染することなく行な
うことができる。
る際、除去を容易でかつ除去液を汚染することなく行な
うことができる。
実施例
第１図ム〜Ｅは本発明の方法でパターン形成を行なった
場合の一実施例を示す。
場合の一実施例を示す。
段差１を有する基板２の主面に第１の膜３を回転塗布法
等により例えば２，５〜４μｎ程度形成したのち、第２
の膜４．第３の膜５を形成する（第１図人）。
等により例えば２，５〜４μｎ程度形成したのち、第２
の膜４．第３の膜５を形成する（第１図人）。
次に第３の膜５に所定の方法を用いてパターン形成を行
ない第３の膜パターン５′を形成したのち、この第３の
膜パターン６′をマスクとして異方性のドライエツチン
グ法等を用いてエツチングを行ない第２の膜パターン４
′を形成する（第１図Ｂ）。
ない第３の膜パターン５′を形成したのち、この第３の
膜パターン６′をマスクとして異方性のドライエツチン
グ法等を用いてエツチングを行ない第２の膜パターン４
′を形成する（第１図Ｂ）。
次に例えば酸素を用いた異方性のドライエツチング法等
を用いて第１の膜３をエツチングするがこの時完全には
エツチングしてしまわず途中でとめる（第１図Ｇ）。
を用いて第１の膜３をエツチングするがこの時完全には
エツチングしてしまわず途中でとめる（第１図Ｇ）。
次に第２の膜パターン４′を所定の方法により除去する
（第１図Ｄ）。
（第１図Ｄ）。
その後筒１の膜３をさらにエツチングし、第１の膜パタ
ーン３′を形成する（第１図Ｅ）。
ーン３′を形成する（第１図Ｅ）。
この方法を行なう際には段差の程度、途中でとめる深さ
、最終的に必要な第１の膜パターン３′の膜厚等を考慮
して第１の膜３の膜厚を設定しておく。
、最終的に必要な第１の膜パターン３′の膜厚等を考慮
して第１の膜３の膜厚を設定しておく。
以上述べた方法で形成することにより、第１■膜パター
ンが形成された時には第２の膜パターンがないため、必
要な処理終了後筒１の膜パターンを除去する際通常の除
去液で容易にかつ汚染することなく行なうことができる
。
ンが形成された時には第２の膜パターンがないため、必
要な処理終了後筒１の膜パターンを除去する際通常の除
去液で容易にかつ汚染することなく行なうことができる
。
本実施例は三層膜を用いる場合についてのみのべたがこ
れは二層膜を用いて同じような方法によりパターン形成
を行なう場合についても同様に使用できるし、段差のな
い基板においても同様に使用できることは言うまでもな
い。
れは二層膜を用いて同じような方法によりパターン形成
を行なう場合についても同様に使用できるし、段差のな
い基板においても同様に使用できることは言うまでもな
い。
発明の効果
以上のべたように本発明の方法を用いることにより、多
層レジスト法を用いてパターン形成を行なってもそのパ
ターンの除去を通常の方法で容易にかつ除去液の汚染な
く行なうことができその工業的価値は大きい。
層レジスト法を用いてパターン形成を行なってもそのパ
ターンの除去を通常の方法で容易にかつ除去液の汚染な
く行なうことができその工業的価値は大きい。
第１図ム〜Ｅは本発明の方法を用いてパターン形成を行
なう場合の一実施例の工程断面図、第２図Ａ−Ｃは従来
の方法を用いてパターン形成を行なう場合の工程断面図
である。 １〜・・・・・段差、２・・・・・・基板、３・・・・
・・第１の膜、４・・・−・・第２の膜、６・・・・・
・第３の膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第１図
なう場合の一実施例の工程断面図、第２図Ａ−Ｃは従来
の方法を用いてパターン形成を行なう場合の工程断面図
である。 １〜・・・・・段差、２・・・・・・基板、３・・・・
・・第１の膜、４・・・−・・第２の膜、６・・・・・
・第３の膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第１図
Claims (3)
- （１）基板の主面に第１の膜を形成する工程と、前記第
１の膜をエッチングする際マスクとなりうる第２の膜パ
ターンを形成する工程と、前記第２の膜パターンをマス
クとして前記第１の膜の１部を所定の深さまで除去する
工程と、前記第２の膜パターンを除去する工程と、前記
第１の膜を全面上面から均一に除去する方法により前記
第１の膜のパターンを形成する工程とよりなることを特
徴とするパターン形成方法。 - （２）第２の膜が放射線感応性および第１の膜をエッチ
ングする際のマスク性の両方を兼備えた膜であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のパターン形成方
法。 - （３）第２の膜パターンの形成が、放射線感応性樹脂パ
ターンを転写することによりなされることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14192086A JPS62297852A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14192086A JPS62297852A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62297852A true JPS62297852A (ja) | 1987-12-25 |
Family
ID=15303232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14192086A Pending JPS62297852A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62297852A (ja) |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP14192086A patent/JPS62297852A/ja active Pending
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