JP2715813B2 - 微細パターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成方法Info
- Publication number
- JP2715813B2 JP2715813B2 JP4170699A JP17069992A JP2715813B2 JP 2715813 B2 JP2715813 B2 JP 2715813B2 JP 4170699 A JP4170699 A JP 4170699A JP 17069992 A JP17069992 A JP 17069992A JP 2715813 B2 JP2715813 B2 JP 2715813B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- oxide film
- pattern
- etching
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は微細パターンの形成方
法に関し、特に三層レジストプロセスを用いた微細パタ
ーンの形成方法に関するものである。
法に関し、特に三層レジストプロセスを用いた微細パタ
ーンの形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の縮小化に伴い、パタ
ーン寸法の微細化への要求はとどまるところを知らず、
写真製版技術の進歩にも目覚ましいものがある。
ーン寸法の微細化への要求はとどまるところを知らず、
写真製版技術の進歩にも目覚ましいものがある。
【０００３】一層レジストプロセスにおいてもレジスト
の改良、プロセスの改質が種々なされ、ハーフミクロン
パターンまでパターニングされようとしているが、下
地、レジスト膜厚および露光時間等による影響を回避す
ることは不可能である。これらの問題点を解決するため
に提案されたのが三層レジストプロセスを含む多層レジ
スト法である。
の改良、プロセスの改質が種々なされ、ハーフミクロン
パターンまでパターニングされようとしているが、下
地、レジスト膜厚および露光時間等による影響を回避す
ることは不可能である。これらの問題点を解決するため
に提案されたのが三層レジストプロセスを含む多層レジ
スト法である。
【０００４】図２は従来の三層レジストプロセスによる
微細パターンの形成方法を示す工程断面図である。図２
を参照して、１はパターン形成が行われる被エッチング
酸化膜、２は被エッチング酸化膜１をエッチングするた
めのマスクとなる下層レジスト、３は下層レジスト２を
エッチングするためのマスクとなる中間層酸化膜、４は
中間層酸化膜３をエッチングするためのマスクとなる上
層レジストであり、５は上層レジスト４、中間層酸化膜
３および下層レジスト２から構成されている三層レジス
トである。
微細パターンの形成方法を示す工程断面図である。図２
を参照して、１はパターン形成が行われる被エッチング
酸化膜、２は被エッチング酸化膜１をエッチングするた
めのマスクとなる下層レジスト、３は下層レジスト２を
エッチングするためのマスクとなる中間層酸化膜、４は
中間層酸化膜３をエッチングするためのマスクとなる上
層レジストであり、５は上層レジスト４、中間層酸化膜
３および下層レジスト２から構成されている三層レジス
トである。
【０００５】次にこのような三層レジスト５を用いて被
エッチング酸化膜１へ微細パターンを形成する方法を図
２（１）〜（５）に従って順次説明する。まず、０．５
μｍ以下の薄膜よりなる上層レジスト４を露光、現像し
て上層レジスト４パターンを形成する。このとき、上層
レジスト４は薄膜に形成することができ、かつ、被エッ
チング酸化膜１から分離され、その影響を受けることが
ないので高解像で寸法精度のよい上層レジスト４パター
ンが形成される（図２（１））。次に、上層レジスト４
パターンをマスクとして中間層酸化膜３にＣＦ4プラズ
マによる異方性エッチングを施して中間層酸化膜３パタ
ーンを形成する（図２（２））。次に、上層レジスト４
および中間層酸化膜３パターンをマスクとして下層レジ
スト２にＯ2プラズマによる異方性エッチングを施して
下層レジスト２パターンを形成する。このとき、上層レ
ジスト４は０．５μｍ程度の薄膜であるので同時に除去
されてしまう（図２（３））。次に、中間層酸化膜３お
よび下層レジスト２パターンをマスクとして被エッチン
グ酸化膜１をＣＦ4プラズマ又は沸酸によりエッチング
して被エッチング酸化膜１パターンを形成する（図２
（４））。次に下層レジスト２上に残存する中間層酸化
膜３をＣＦ4プラズマ又は沸酸により除去する。このと
き、中間層酸化膜３の除去と同時に精度よく形成された
被エッチング酸化膜１パターンもエッチングされてしま
いオーバーエッチングとなってしまう（図２（５））。
エッチング酸化膜１へ微細パターンを形成する方法を図
２（１）〜（５）に従って順次説明する。まず、０．５
μｍ以下の薄膜よりなる上層レジスト４を露光、現像し
て上層レジスト４パターンを形成する。このとき、上層
レジスト４は薄膜に形成することができ、かつ、被エッ
チング酸化膜１から分離され、その影響を受けることが
ないので高解像で寸法精度のよい上層レジスト４パター
ンが形成される（図２（１））。次に、上層レジスト４
パターンをマスクとして中間層酸化膜３にＣＦ4プラズ
マによる異方性エッチングを施して中間層酸化膜３パタ
ーンを形成する（図２（２））。次に、上層レジスト４
および中間層酸化膜３パターンをマスクとして下層レジ
スト２にＯ2プラズマによる異方性エッチングを施して
下層レジスト２パターンを形成する。このとき、上層レ
ジスト４は０．５μｍ程度の薄膜であるので同時に除去
されてしまう（図２（３））。次に、中間層酸化膜３お
よび下層レジスト２パターンをマスクとして被エッチン
グ酸化膜１をＣＦ4プラズマ又は沸酸によりエッチング
して被エッチング酸化膜１パターンを形成する（図２
（４））。次に下層レジスト２上に残存する中間層酸化
膜３をＣＦ4プラズマ又は沸酸により除去する。このと
き、中間層酸化膜３の除去と同時に精度よく形成された
被エッチング酸化膜１パターンもエッチングされてしま
いオーバーエッチングとなってしまう（図２（５））。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の三層レジストプ
ロセスは以上のようであり、パターン形成を行うべき被
エッチング酸化膜１が三層レジスト５の中間層である中
間層酸化膜３と同程度かそれ以下の膜厚である場合、図
２（４）（５）に示すように、被エッチング酸化膜１の
パターニングがいかに精度よく行われても、その後の中
間層酸化膜３除去の際、同時に被エッチング酸化膜１も
横方向にエッチングされてしまい、寸法精度よくパター
ン形成が行えないといった問題があった。このことは特
に、沸酸によるウェットエッチング法を使用して中間層
酸化膜３の除去を行う場合には寸法精度において大きな
問題となった。
ロセスは以上のようであり、パターン形成を行うべき被
エッチング酸化膜１が三層レジスト５の中間層である中
間層酸化膜３と同程度かそれ以下の膜厚である場合、図
２（４）（５）に示すように、被エッチング酸化膜１の
パターニングがいかに精度よく行われても、その後の中
間層酸化膜３除去の際、同時に被エッチング酸化膜１も
横方向にエッチングされてしまい、寸法精度よくパター
ン形成が行えないといった問題があった。このことは特
に、沸酸によるウェットエッチング法を使用して中間層
酸化膜３の除去を行う場合には寸法精度において大きな
問題となった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、三層レジストプロセスにおいて
中間層酸化膜除去後においても被エッチング酸化膜の寸
法変化を生ずることなく、良好なパターン形成が行える
微細パターン形成方法を提供することを目的とする。
ためになされたもので、三層レジストプロセスにおいて
中間層酸化膜除去後においても被エッチング酸化膜の寸
法変化を生ずることなく、良好なパターン形成が行える
微細パターン形成方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る微細パタ
ーン形成方法は上層レジストをパターニングして上層レ
ジストパターンを形成する第１の工程と、上記上層レジ
ストパターンをマスクとして中間層酸化膜をエッチング
して中間層酸化膜パターンを形成する第２の工程と、上
記上層レジストおよび中間層酸化膜パターンをマスクと
して酸化膜上に下層レジストの薄膜が残存する程度に上
記下層レジストをエッチングする第３の工程と、上記中
間層酸化膜を除去する第４の工程と、上記下層レジスト
を全面エッチングして下層レジストパターンを形成する
第５の工程と、上記下層レジストパターンをマスクとし
て酸化膜をエッチングして酸化膜パターンを形成する第
６の工程とを備えたものである。
ーン形成方法は上層レジストをパターニングして上層レ
ジストパターンを形成する第１の工程と、上記上層レジ
ストパターンをマスクとして中間層酸化膜をエッチング
して中間層酸化膜パターンを形成する第２の工程と、上
記上層レジストおよび中間層酸化膜パターンをマスクと
して酸化膜上に下層レジストの薄膜が残存する程度に上
記下層レジストをエッチングする第３の工程と、上記中
間層酸化膜を除去する第４の工程と、上記下層レジスト
を全面エッチングして下層レジストパターンを形成する
第５の工程と、上記下層レジストパターンをマスクとし
て酸化膜をエッチングして酸化膜パターンを形成する第
６の工程とを備えたものである。
【０００９】
【作用】この発明における微細パターン形成方法は、三
層レジストプロセスにおいて上層レジストおよび中間層
酸化膜パターンをマスクとして下層レジストをエッチン
グする際、酸化膜上に下層レジストの薄膜が残存するよ
うにエッチングを停止し、中間層酸化膜を除去した後、
下層レジストを全面エッチングして下層レジストパター
ンを形成し、酸化膜をエッチングするようにしたので中
間層酸化膜の除去時において酸化膜の全面が下層レジス
トにより被覆され、酸化膜がエッチングされることがな
く、酸化膜のオーバーエッチングを防止できる。
層レジストプロセスにおいて上層レジストおよび中間層
酸化膜パターンをマスクとして下層レジストをエッチン
グする際、酸化膜上に下層レジストの薄膜が残存するよ
うにエッチングを停止し、中間層酸化膜を除去した後、
下層レジストを全面エッチングして下層レジストパター
ンを形成し、酸化膜をエッチングするようにしたので中
間層酸化膜の除去時において酸化膜の全面が下層レジス
トにより被覆され、酸化膜がエッチングされることがな
く、酸化膜のオーバーエッチングを防止できる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の実施例を図を用いて説明す
る。なお、従来の技術の説明と重複する部分については
適宜、その説明を省略する。
る。なお、従来の技術の説明と重複する部分については
適宜、その説明を省略する。
【００１１】実施例１．図１はこの発明の一実施例の三
層レジストプロセスによる微細パターンの形成方法を示
す工程断面図である。図において１〜５は従来例におけ
るものと同等のものである。また図１（１）（２）は従
来の図２（１）（２）と同じ工程であるのでその詳細な
説明は省略する。次に、従来例図２（３）と同様に上層
レジスト４および中間層酸化膜３パターンをマスクとし
て下層レジスト２にＯ2プラズマによる異方性エッチン
グを施すのであるが、このとき下層レジスト２のエッチ
ング終了直前でエッチングを停止し、薄い下層レジスト
２膜を残すことにより被エッチング酸化膜１全面が下層
レジスト２で被覆されている状態とする（図１
（３））。次に、下層レジスト２上に残存する中間層酸
化膜３をＣＦ4プラズマ又は沸酸によりエッチング除去
する（図１（４））。次に、図１（３）の工程において
エッチング終了直前で停止したＯ2プラズマによる下層
レジスト２のエッチングを再開し下層レジスト２パター
ンを形成する。このとき中間層酸化膜３パターンは図１
（４）の工程で既に除去されてしまっておりマスクとな
るものが存在しないので下層レジスト２を全面エッチン
グすることになる。しかし、エッチングを要する下層レ
ジスト２の残存膜厚は非常に薄いものであるので下層レ
ジスト２パターン寸法に影響を及ぼすことはない。（図
１（５））。次に、下層レジスト２パターンをマスクと
して被エッチング酸化膜１をＣＦ4プラズマ又は沸酸に
よりエッチングして被エッチング酸化膜１パターンを形
成する（図１（６））。
層レジストプロセスによる微細パターンの形成方法を示
す工程断面図である。図において１〜５は従来例におけ
るものと同等のものである。また図１（１）（２）は従
来の図２（１）（２）と同じ工程であるのでその詳細な
説明は省略する。次に、従来例図２（３）と同様に上層
レジスト４および中間層酸化膜３パターンをマスクとし
て下層レジスト２にＯ2プラズマによる異方性エッチン
グを施すのであるが、このとき下層レジスト２のエッチ
ング終了直前でエッチングを停止し、薄い下層レジスト
２膜を残すことにより被エッチング酸化膜１全面が下層
レジスト２で被覆されている状態とする（図１
（３））。次に、下層レジスト２上に残存する中間層酸
化膜３をＣＦ4プラズマ又は沸酸によりエッチング除去
する（図１（４））。次に、図１（３）の工程において
エッチング終了直前で停止したＯ2プラズマによる下層
レジスト２のエッチングを再開し下層レジスト２パター
ンを形成する。このとき中間層酸化膜３パターンは図１
（４）の工程で既に除去されてしまっておりマスクとな
るものが存在しないので下層レジスト２を全面エッチン
グすることになる。しかし、エッチングを要する下層レ
ジスト２の残存膜厚は非常に薄いものであるので下層レ
ジスト２パターン寸法に影響を及ぼすことはない。（図
１（５））。次に、下層レジスト２パターンをマスクと
して被エッチング酸化膜１をＣＦ4プラズマ又は沸酸に
よりエッチングして被エッチング酸化膜１パターンを形
成する（図１（６））。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、この発明によればパター
ニングされた上層レジストおよび中間層酸化膜をマスク
として酸化膜上に下層レジストの薄膜が残存する程度に
この下層レジストをエッチングする。その後、上記中間
層酸化膜を除去し、上記下層レジストを全面エッチング
して下層レジストパターンを形成しこの下層レジストパ
ターンをマスクとして酸化膜をエッチングするようにし
たので酸化膜をオーバーエッチングすることなく中間層
酸化膜を除去でき、酸化膜厚が中間層酸化膜厚と同程度
かあるいは薄く形成されていたとしても寸法精度よく安
定した微細パターンの形成ができる。
ニングされた上層レジストおよび中間層酸化膜をマスク
として酸化膜上に下層レジストの薄膜が残存する程度に
この下層レジストをエッチングする。その後、上記中間
層酸化膜を除去し、上記下層レジストを全面エッチング
して下層レジストパターンを形成しこの下層レジストパ
ターンをマスクとして酸化膜をエッチングするようにし
たので酸化膜をオーバーエッチングすることなく中間層
酸化膜を除去でき、酸化膜厚が中間層酸化膜厚と同程度
かあるいは薄く形成されていたとしても寸法精度よく安
定した微細パターンの形成ができる。
【図１】この発明の実施例１の微細パターン形成方法を
示す工程断面図である。
示す工程断面図である。
【図２】従来の微細パターン形成方法を示す工程断面図
である。
である。
１ 酸化膜 ２ 下層レジスト ３ 中間層酸化膜 ４ 上層レジスト ５ 三層レジスト
Claims (1)
- 【請求項１】 上層にレジスト、中間層に酸化膜、下層
にレジストを用いた三層レジストを使用した酸化膜の微
細パターン形成方法において、 上記上層レジストをパターニングして上層レジストパタ
ーンを形成する第１の工程と、上記上層レジストパター
ンをマスクとして上記中間層酸化膜をエッチングして中
間層酸化膜パターンを形成する第２の工程と、上記上層
レジストおよび中間層酸化膜パターンをマスクとして上
記酸化膜上に上記下層レジストの薄膜が残存する程度に
上記下層レジストをエッチングする第３の工程と、上記
中間層酸化膜を除去する第４の工程と、上記下層レジス
トを全面エッチングして下層レジストパターンを形成す
る第５の工程と、上記下層レジストパターンをマスクと
して酸化膜をエッチングして酸化膜パターンを形成する
第６の工程とを備えたことを特徴とする微細パターン形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4170699A JP2715813B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 微細パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4170699A JP2715813B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 微細パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613353A JPH0613353A (ja) | 1994-01-21 |
| JP2715813B2 true JP2715813B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=15909763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4170699A Expired - Fee Related JP2715813B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 微細パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2715813B2 (ja) |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP4170699A patent/JP2715813B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0613353A (ja) | 1994-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2505359B2 (ja) | 半導体装置のコンタクトホ―ル形成方法 | |
| JP2002009056A (ja) | 微細パターン形成方法およびその方法により製造した装置 | |
| JP2715813B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| US6833232B2 (en) | Micro-pattern forming method for semiconductor device | |
| JP3841345B2 (ja) | 半導体素子の微細パターンの形成方法 | |
| JP2000173979A (ja) | エッチングマスク及び微細パターンの形成方法 | |
| JPH0293081A (ja) | 多層膜のエッチング法 | |
| JPH1079426A (ja) | 層間コンタクトの形成方法及びその構造 | |
| JPS6254427A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58216441A (ja) | 半導体装置の多層配線構造 | |
| KR0180116B1 (ko) | 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법 | |
| JP2597424B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2809274B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63258020A (ja) | 素子分離パタ−ンの形成方法 | |
| JPH0327521A (ja) | Ｍｏｓ型トランジスタの製造方法 | |
| KR100247642B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| JPH07273218A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3505584B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0122508B1 (ko) | 미세콘택홀 형성방법 | |
| JPH05136130A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06196453A (ja) | レジストの剥離方法 | |
| JPS61296722A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06291116A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6211783B2 (ja) | ||
| JPH0555211A (ja) | 配線形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071107 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081107 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081107 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091107 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |