JPH05136130A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05136130A JPH05136130A JP29534591A JP29534591A JPH05136130A JP H05136130 A JPH05136130 A JP H05136130A JP 29534591 A JP29534591 A JP 29534591A JP 29534591 A JP29534591 A JP 29534591A JP H05136130 A JPH05136130 A JP H05136130A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- contact window
- shielding film
- reflection light
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造方法に関し，多層配線の配
線層上の絶縁層にコンタクト窓を寸法精度よく形成する
方法の提供を目的とする。 【構成】 半導体基板１上に形成された配線層４上の絶
縁層５に配線層４を露出するコンタクト窓を形成するに
際し, コンタクト窓形成領域の絶縁層５上に低反射遮光
膜６を選択的に形成した後全面にレジスト層を形成し,
次いで, コンタクト窓形成用マスクを用いてレジスト層
を露光した後現像し，コンタクト窓形成領域に開孔7aを
有するレジストマスク７を形成して開孔7a底部に低反射
遮光膜６を露出させ, 次いで，レジストマスク７をマス
クにして開孔7aから低反射遮光膜６及び絶縁層５をエッ
チングし，配線層４を露出するコンタクト窓８を形成す
るように構成する。また，前記絶縁層５は酸化シリコン
層であり，前記低反射遮光膜６は窒化チタン膜であるよ
うに構成する。
線層上の絶縁層にコンタクト窓を寸法精度よく形成する
方法の提供を目的とする。 【構成】 半導体基板１上に形成された配線層４上の絶
縁層５に配線層４を露出するコンタクト窓を形成するに
際し, コンタクト窓形成領域の絶縁層５上に低反射遮光
膜６を選択的に形成した後全面にレジスト層を形成し,
次いで, コンタクト窓形成用マスクを用いてレジスト層
を露光した後現像し，コンタクト窓形成領域に開孔7aを
有するレジストマスク７を形成して開孔7a底部に低反射
遮光膜６を露出させ, 次いで，レジストマスク７をマス
クにして開孔7aから低反射遮光膜６及び絶縁層５をエッ
チングし，配線層４を露出するコンタクト窓８を形成す
るように構成する。また，前記絶縁層５は酸化シリコン
層であり，前記低反射遮光膜６は窒化チタン膜であるよ
うに構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係り，特に，多層配線の配線層上の絶縁層にコンタクト
窓を形成する方法に関する。
係り，特に，多層配線の配線層上の絶縁層にコンタクト
窓を形成する方法に関する。
【０００２】近年の集積回路における多層配線は微細化
が進み，配線層に段差を生じ，配線層間のコンタクトを
とるビアに，安定した形状と寸法精度が出にくくなって
きている。
が進み，配線層に段差を生じ，配線層間のコンタクトを
とるビアに，安定した形状と寸法精度が出にくくなって
きている。
【０００３】それゆえ，配線層上の絶縁層に形成するコ
ンタクト窓の形成には，安定した形状と寸法精度を出す
ための新たな工夫が要求されている。
ンタクト窓の形成には，安定した形状と寸法精度を出す
ための新たな工夫が要求されている。
【０００４】
【従来の技術】図３(a) 〜(d) はコンタクト窓形成の従
来例を示す工程順断面図である。以下これらの図を参照
しながら従来例とその問題点について説明する。
来例を示す工程順断面図である。以下これらの図を参照
しながら従来例とその問題点について説明する。
【０００５】図３(a) 参照 Ｓｉ基板１上に絶縁膜２，３として，例えばＳｉＯ2 膜
が形成されており，その上に段差のある配線層４とし
て，例えばＡｌ層が形成されている。Ａｌ層４上に絶縁
層５として，例えばＰＳＧ層が形成されている。
が形成されており，その上に段差のある配線層４とし
て，例えばＡｌ層が形成されている。Ａｌ層４上に絶縁
層５として，例えばＰＳＧ層が形成されている。
【０００６】この段差を有するＡｌ層４上の絶縁層５に
コンタクト窓を形成する。 図３(b) 参照 絶縁層５上にポジレジストを塗布してポジレジスト層を
形成する。コンタクト窓形成用マスク（例えばレチク
ル）を用いてポジレジスト層を露光する。この時，露光
光はポジレジスト層とＰＳＧ層５を透過してＡｌ層４に
入射し，その段差部で反射した光がポジレジスト層に再
入射し，コンタクト窓形成領域以外のポジレジスト層の
部分を露光してしまう。
コンタクト窓を形成する。 図３(b) 参照 絶縁層５上にポジレジストを塗布してポジレジスト層を
形成する。コンタクト窓形成用マスク（例えばレチク
ル）を用いてポジレジスト層を露光する。この時，露光
光はポジレジスト層とＰＳＧ層５を透過してＡｌ層４に
入射し，その段差部で反射した光がポジレジスト層に再
入射し，コンタクト窓形成領域以外のポジレジスト層の
部分を露光してしまう。
【０００７】図３(c) 参照 露光されたポジレジスト層を現像し，開孔7bを有するレ
ジストマスク７を形成する。この時，コンタクト窓形成
領域以外のポジレジスト層の露光部も現像され，余分な
開孔部7cが生じる。
ジストマスク７を形成する。この時，コンタクト窓形成
領域以外のポジレジスト層の露光部も現像され，余分な
開孔部7cが生じる。
【０００８】図３(d) 参照 開孔7bからＰＳＧ層５をエッチングしてコンタクト窓8a
を形成する。この時,余分な開孔部7cにもエッチャント
が回り込み，余分なコンタクト窓部8bが形成されてしま
う。
を形成する。この時,余分な開孔部7cにもエッチャント
が回り込み，余分なコンタクト窓部8bが形成されてしま
う。
【０００９】このように，従来の方法では，特に段差を
有する配線層上の絶縁層では，安定したコンタクト窓が
形成できず，埋込み層のカバレッジ不良やコンタクト抵
抗が不安定になるといった問題が生じていた。
有する配線層上の絶縁層では，安定したコンタクト窓が
形成できず，埋込み層のカバレッジ不良やコンタクト抵
抗が不安定になるといった問題が生じていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑み，下地の配線層の影響を受けないようなコンタクト
窓の形成方法により，所定の形状，寸法を有するコンタ
クト窓を精度よく形成する方法を提供し，埋込み層のカ
バレッジを良好にし，コンタクト抵抗を安定にすること
を目的とする。
鑑み，下地の配線層の影響を受けないようなコンタクト
窓の形成方法により，所定の形状，寸法を有するコンタ
クト窓を精度よく形成する方法を提供し，埋込み層のカ
バレッジを良好にし，コンタクト抵抗を安定にすること
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図１(a) 〜(d) は第１の
実施例を示す工程順断面図，図２(a) 〜(d) は第２の実
施例を示す工程順断面図である。
実施例を示す工程順断面図，図２(a) 〜(d) は第２の実
施例を示す工程順断面図である。
【００１２】上記課題は，半導体基板１上に形成された
配線層４上の絶縁層５に該配線層４を露出するコンタク
ト窓を形成するに際し, コンタクト窓形成領域の該絶縁
層５上に低反射遮光膜６を選択的に形成した後全面にレ
ジスト層を形成し, 次いで,コンタクト窓形成用マスク
を用いて該レジスト層を露光した後現像し，コンタクト
窓形成領域に開孔7aを有するレジストマスク７を形成し
て該開孔7a底部に該低反射遮光膜６を露出させ, 次い
で，該レジストマスク７をマスクにして，該開孔7aから
該低反射遮光膜６及び該絶縁層５をエッチングし，該配
線層４を露出するコンタクト窓８を形成する半導体装置
の製造方法によって解決される。
配線層４上の絶縁層５に該配線層４を露出するコンタク
ト窓を形成するに際し, コンタクト窓形成領域の該絶縁
層５上に低反射遮光膜６を選択的に形成した後全面にレ
ジスト層を形成し, 次いで,コンタクト窓形成用マスク
を用いて該レジスト層を露光した後現像し，コンタクト
窓形成領域に開孔7aを有するレジストマスク７を形成し
て該開孔7a底部に該低反射遮光膜６を露出させ, 次い
で，該レジストマスク７をマスクにして，該開孔7aから
該低反射遮光膜６及び該絶縁層５をエッチングし，該配
線層４を露出するコンタクト窓８を形成する半導体装置
の製造方法によって解決される。
【００１３】また，前記絶縁層５は酸化シリコン層であ
り，前記低反射遮光膜６は窒化チタン膜である半導体装
置の製造方法によって解決される。また，前記開孔7aか
ら前記低反射遮光膜６の全部及び前記絶縁層５の一部を
等方性エッチングにより除去した後，前記開孔7aから前
記絶縁層５を異方性エッチングにより除去することによ
り，前記配線層４を露出するコンタクト窓８を形成する
半導体装置の製造方法によって解決される。
り，前記低反射遮光膜６は窒化チタン膜である半導体装
置の製造方法によって解決される。また，前記開孔7aか
ら前記低反射遮光膜６の全部及び前記絶縁層５の一部を
等方性エッチングにより除去した後，前記開孔7aから前
記絶縁層５を異方性エッチングにより除去することによ
り，前記配線層４を露出するコンタクト窓８を形成する
半導体装置の製造方法によって解決される。
【００１４】
【作用】本発明では，コンタクト窓形成領域の絶縁層５
上に低反射遮光膜６を形成した後全面にレジスト層を形
成しているから，コンタクト窓形成用マスクを用いてレ
ジスト層を露光する時，露光光は低反射遮光膜６に遮ら
れて配線層４に到達しない。したがって，たとえ配線層
４に段差があったとしても，レジスト層の露光領域は配
線層の段差には全く無関係になり，所定のレジストパタ
ーニングが可能となる。
上に低反射遮光膜６を形成した後全面にレジスト層を形
成しているから，コンタクト窓形成用マスクを用いてレ
ジスト層を露光する時，露光光は低反射遮光膜６に遮ら
れて配線層４に到達しない。したがって，たとえ配線層
４に段差があったとしても，レジスト層の露光領域は配
線層の段差には全く無関係になり，所定のレジストパタ
ーニングが可能となる。
【００１５】また，露光光が低反射遮光膜６表面で反射
してレジスト層に再入射し，コンタクト窓形成領域外に
露光を与えることもない。また，絶縁層５を酸化シリコ
ン層，低反射遮光膜６を窒化チタン膜で形成するように
すれば，酸化シリコン層と窒化チタン膜は同一のエッチ
ャントでエッチング除去できるから，工程が簡単であ
る。
してレジスト層に再入射し，コンタクト窓形成領域外に
露光を与えることもない。また，絶縁層５を酸化シリコ
ン層，低反射遮光膜６を窒化チタン膜で形成するように
すれば，酸化シリコン層と窒化チタン膜は同一のエッチ
ャントでエッチング除去できるから，工程が簡単であ
る。
【００１６】また，開孔7aから低反射遮光膜６の全部及
び絶縁層５の一部を等方性エッチングにより除去した
後，開孔7aから絶縁層５を異方性エッチングにより除去
するようにすれば，上部にテーパのついたコンタクト窓
８が形成されるから，コンタクト窓の埋込み層のカバレ
ッジを良好にすることができる。
び絶縁層５の一部を等方性エッチングにより除去した
後，開孔7aから絶縁層５を異方性エッチングにより除去
するようにすれば，上部にテーパのついたコンタクト窓
８が形成されるから，コンタクト窓の埋込み層のカバレ
ッジを良好にすることができる。
【００１７】
【実施例】図１(a) 〜(d) は第１の実施例を示す工程順
断面図である。以下，これらの図を参照しながら，第１
の実施例について説明する。
断面図である。以下，これらの図を参照しながら，第１
の実施例について説明する。
【００１８】図１(a) 参照 Ｓｉ基板１上に絶縁膜２として例えばＳｉＯ2 膜，絶縁
膜３として例えば厚さが例えば8000ÅのＳｉＯ2 膜が形
成されている。ＳｉＯ2 膜２とＳｉＯ2 膜３にまたがっ
て厚さが例えば5000ÅのＡｌ配線層４が形成されてい
る。Ａｌ配線層４は段差のある配線層である。Ａｌ配線
層４を覆って全面に厚さが例えば5000ÅのＰＳＧ層５が
形成されている。
膜３として例えば厚さが例えば8000ÅのＳｉＯ2 膜が形
成されている。ＳｉＯ2 膜２とＳｉＯ2 膜３にまたがっ
て厚さが例えば5000ÅのＡｌ配線層４が形成されてい
る。Ａｌ配線層４は段差のある配線層である。Ａｌ配線
層４を覆って全面に厚さが例えば5000ÅのＰＳＧ層５が
形成されている。
【００１９】図１(b) 参照 ＰＳＧ層５上に厚さ 700Åの窒化チタン（ＴｉＮ）膜を
スパッタ法で形成し，コンタクト窓形成用マスクを用い
て窒化チタン膜をパターニングし，コンタクト窓形成領
域に窒化チタン膜を残して低反射遮光膜６を形成する。
その後，全面にポシレジストを塗布し，厚さ1.5 μｍ程
度のポジレジスト層を形成する。
スパッタ法で形成し，コンタクト窓形成用マスクを用い
て窒化チタン膜をパターニングし，コンタクト窓形成領
域に窒化チタン膜を残して低反射遮光膜６を形成する。
その後，全面にポシレジストを塗布し，厚さ1.5 μｍ程
度のポジレジスト層を形成する。
【００２０】図１(c) 参照 コンタクト窓形成用マスク（レチクル）を用いてポジレ
ジスト層を露光する。露光光は低反射遮光膜６があるた
めＡｌ配線層４には到達しない。また，露光光が低反射
遮光膜６で反射されてコンタクト窓形成領域外のポジレ
ジスト層に実質的な露光を与えることもない。
ジスト層を露光する。露光光は低反射遮光膜６があるた
めＡｌ配線層４には到達しない。また，露光光が低反射
遮光膜６で反射されてコンタクト窓形成領域外のポジレ
ジスト層に実質的な露光を与えることもない。
【００２１】その後現像する。これにより，コンタクト
窓形成領域に開孔7aを有するレジストマスク７が形成さ
れる。開孔7aの幅は，例えば 0.5μｍである。 図１(d) 参照 レジストマスク７をマスクにして，開孔7aから窒化チタ
ン膜６をエッチングする。エッチングガスとしてＣＦ4
とＯ2 の混合ガスを用い，マイクロ波ダウンフローエッ
チングにより窒化チタン膜６を等方性エッチングして除
去する。
窓形成領域に開孔7aを有するレジストマスク７が形成さ
れる。開孔7aの幅は，例えば 0.5μｍである。 図１(d) 参照 レジストマスク７をマスクにして，開孔7aから窒化チタ
ン膜６をエッチングする。エッチングガスとしてＣＦ4
とＯ2 の混合ガスを用い，マイクロ波ダウンフローエッ
チングにより窒化チタン膜６を等方性エッチングして除
去する。
【００２２】次いで同じエッチングガスでＰＳＧ層５を
同じくマイクロ波ダウンフローエッチングにより等方性
エッチングして除去する。このエッチングはＰＳＧ層５
の途中まで行う。エッチングガスはレジストマスク７の
下まで回り込み，その部分のＰＳＧ層５もエッチング除
去される。窒化チタン膜６とＰＳＧ層５のエッチングを
同一装置，同一ガスでエッチングできるから工程は簡単
である。
同じくマイクロ波ダウンフローエッチングにより等方性
エッチングして除去する。このエッチングはＰＳＧ層５
の途中まで行う。エッチングガスはレジストマスク７の
下まで回り込み，その部分のＰＳＧ層５もエッチング除
去される。窒化チタン膜６とＰＳＧ層５のエッチングを
同一装置，同一ガスでエッチングできるから工程は簡単
である。
【００２３】次に，開孔7aからＣＦ4 ／ＣＨＦ3 をエッ
チングガスとしてＲＩＥによりＰＳＧ層５の異方性エッ
チングを行い，Ａｌ配線層４を露出する。その後，レジ
ストマスク７を剥離してコンタクト窓８の形成を完了す
る。
チングガスとしてＲＩＥによりＰＳＧ層５の異方性エッ
チングを行い，Ａｌ配線層４を露出する。その後，レジ
ストマスク７を剥離してコンタクト窓８の形成を完了す
る。
【００２４】コンタクト窓８の底部の幅は 0.5μｍであ
り，コンタクト窓形成用マスク（レチクル）の形状に忠
実な垂直なコンタクト窓を形成することができた。ま
た，コンタクト窓の上部は等方性エッチングの作用でテ
ーパがついて広がっている。
り，コンタクト窓形成用マスク（レチクル）の形状に忠
実な垂直なコンタクト窓を形成することができた。ま
た，コンタクト窓の上部は等方性エッチングの作用でテ
ーパがついて広がっている。
【００２５】このようなコンタクト窓の形状は，その後
コンタクト窓にＡｌを埋め込んでコンタクト埋込み層を
形成する時，そのカバレッジを良好にし，安定したコン
タクト抵抗の得られることを保証するものである。
コンタクト窓にＡｌを埋め込んでコンタクト埋込み層を
形成する時，そのカバレッジを良好にし，安定したコン
タクト抵抗の得られることを保証するものである。
【００２６】図２(a) 〜(d) は第２の実施例を示す工程
順断面図である。以下，これらの図を参照しながら，第
２の実施例について説明する。 図２(a) 参照 Ｓｉ基板１上に，厚さが例えば3000ÅのポリＳｉ層11a,
11bが形成され，ポリＳｉ層11a, 11bを覆って全面に厚
さが例えば5000ÅのＰＳＧ層12が形成されている。ＰＳ
Ｇ層12上にポリＳｉ層11a 上からポリＳｉ層11b 上にま
たがって厚さが例えば5000ÅのＡｌ配線層13が形成され
ている。Ａｌ配線層13を覆って全面に厚さが例えば5000
ÅのＰＳＧ層14が形成されている。Ａｌ配線層13は中央
部に凹部を有している。
順断面図である。以下，これらの図を参照しながら，第
２の実施例について説明する。 図２(a) 参照 Ｓｉ基板１上に，厚さが例えば3000ÅのポリＳｉ層11a,
11bが形成され，ポリＳｉ層11a, 11bを覆って全面に厚
さが例えば5000ÅのＰＳＧ層12が形成されている。ＰＳ
Ｇ層12上にポリＳｉ層11a 上からポリＳｉ層11b 上にま
たがって厚さが例えば5000ÅのＡｌ配線層13が形成され
ている。Ａｌ配線層13を覆って全面に厚さが例えば5000
ÅのＰＳＧ層14が形成されている。Ａｌ配線層13は中央
部に凹部を有している。
【００２７】図２(b) 参照 ＰＳＧ層14上に厚さ 700Åの窒化チタン（ＴｉＮ）膜を
スパッタ法で形成し，コンタクト窓形成用マスクを用い
て窒化チタン膜をパターニングし，低反射遮光膜15を形
成する。その後，全面にポシレジストを塗布し，厚さ1.
5 μｍ程度のポジレジスト層を形成する。
スパッタ法で形成し，コンタクト窓形成用マスクを用い
て窒化チタン膜をパターニングし，低反射遮光膜15を形
成する。その後，全面にポシレジストを塗布し，厚さ1.
5 μｍ程度のポジレジスト層を形成する。
【００２８】図２(c) 参照 コンタクト窓形成用マスク（レチクル）を用いてポジレ
ジスト層を露光し，その後現像する。これにより，コン
タクト窓形成領域に開孔16a を有するレジストマスク16
が形成される。開孔16a の幅は，例えば 0.5μｍであ
る。
ジスト層を露光し，その後現像する。これにより，コン
タクト窓形成領域に開孔16a を有するレジストマスク16
が形成される。開孔16a の幅は，例えば 0.5μｍであ
る。
【００２９】図２(d) 参照 レジストマスク16をマスクにして，開孔16a から窒化チ
タン膜15をエッチングする。エッチングガスとしてＣＦ
4 とＯ2 の混合ガスを用い，マイクロ波ダウンフローエ
ッチングにより窒化チタン膜15を等方性エッチングして
除去する。次いで同じエッチングガスでＰＳＧ層14を同
じくマイクロ波ダウンフローエッチングにより等方性エ
ッチングして除去する。このエッチングはＰＳＧ層14の
途中まで行う。
タン膜15をエッチングする。エッチングガスとしてＣＦ
4 とＯ2 の混合ガスを用い，マイクロ波ダウンフローエ
ッチングにより窒化チタン膜15を等方性エッチングして
除去する。次いで同じエッチングガスでＰＳＧ層14を同
じくマイクロ波ダウンフローエッチングにより等方性エ
ッチングして除去する。このエッチングはＰＳＧ層14の
途中まで行う。
【００３０】エッチングガスはレジストマスク16の下ま
で回り込み，その部分のＰＳＧ層14もエッチング除去さ
れる。窒化チタン膜15とＰＳＧ層14のエッチングを同一
装置，同一ガスでエッチングできるから工程は簡単であ
る。
で回り込み，その部分のＰＳＧ層14もエッチング除去さ
れる。窒化チタン膜15とＰＳＧ層14のエッチングを同一
装置，同一ガスでエッチングできるから工程は簡単であ
る。
【００３１】次に，開孔16a からＣＦ4 ／ＣＨＦ3 をエ
ッチングガスとしてＲＩＥによりＰＳＧ層14の異方性エ
ッチングを行い，Ａｌ配線層13を露出する。その後，レ
ジストマスク16を剥離してコンタクト窓17の形成が完了
する。
ッチングガスとしてＲＩＥによりＰＳＧ層14の異方性エ
ッチングを行い，Ａｌ配線層13を露出する。その後，レ
ジストマスク16を剥離してコンタクト窓17の形成が完了
する。
【００３２】コンタクト窓17の底部の幅は 0.5μｍであ
り，コンタクト窓形成用マスク（レチクル）の形状に忠
実な垂直なコンタクト窓を形成することができる。ま
た，コンタクト窓の上部は等方性エッチングの作用でテ
ーパがついて広がっている。
り，コンタクト窓形成用マスク（レチクル）の形状に忠
実な垂直なコンタクト窓を形成することができる。ま
た，コンタクト窓の上部は等方性エッチングの作用でテ
ーパがついて広がっている。
【００３３】このようなコンタクト窓の形状は，その後
コンタクト窓にＡｌを埋め込んでコンタクト埋込み層を
形成する時，そのカバレッジを良好にし，安定したコン
タクト抵抗の得られることを保証するものである。
コンタクト窓にＡｌを埋め込んでコンタクト埋込み層を
形成する時，そのカバレッジを良好にし，安定したコン
タクト抵抗の得られることを保証するものである。
【００３４】第１の実施例及び第２の実施例は，配線層
に段差や凹凸のある場合について説明したが，段差のな
い一見平坦な配線層であっても，結晶粒が粗い場合結晶
粒のオーダーの凹凸があり，そこからの反射光がコンタ
クト窓を形成するレジストマスクのレジスト層に望まし
くない露光を与えることがあるから，そのような場合も
本発明の方法は有効である。
に段差や凹凸のある場合について説明したが，段差のな
い一見平坦な配線層であっても，結晶粒が粗い場合結晶
粒のオーダーの凹凸があり，そこからの反射光がコンタ
クト窓を形成するレジストマスクのレジスト層に望まし
くない露光を与えることがあるから，そのような場合も
本発明の方法は有効である。
【００３５】なお，遮光膜を全面に形成した状態でコン
タクト窓を形成しても所定形状のコンタクト窓を形成す
ることができるが，この場合はコンタクト窓形成後，遮
光膜がコンタクト窓形成領域外に残るから望ましくな
い。
タクト窓を形成しても所定形状のコンタクト窓を形成す
ることができるが，この場合はコンタクト窓形成後，遮
光膜がコンタクト窓形成領域外に残るから望ましくな
い。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
配線層上のコンタクト窓を所定の形状，寸法に安定して
パターニング形成することができ，コンタクト窓を埋め
込む埋込み層のカバレッジを良好にしコンタクト抵抗を
安定にすることができる。
配線層上のコンタクト窓を所定の形状，寸法に安定して
パターニング形成することができ，コンタクト窓を埋め
込む埋込み層のカバレッジを良好にしコンタクト抵抗を
安定にすることができる。
【００３７】本発明は多層配線のコンタクト窓形成に特
に大きな効果を奏し，集積回路の高集積化に寄与するも
のである。
に大きな効果を奏し，集積回路の高集積化に寄与するも
のである。
【図１】(a) 〜(d) は第１の実施例を示す工程順断面図
である。
である。
【図２】(a) 〜(d) は第２の実施例を示す工程順断面図
である。
である。
【図３】(a) 〜(d) は従来例を示す工程順断面図であ
る。
る。
１は半導体基板であってＳｉ基板 ２は絶縁膜であってＳｉＯ2 膜 ３は絶縁膜であってＳｉＯ2 膜 ４は配線層であってＡｌ配線層 ５は絶縁層であってＰＳＧ層 ６は低反射遮光膜であってＴｉＮ膜 ７はポジレジスト層であってレジストマスク 7a, 7bは開孔 7cは余分な開孔部 ８, 8aはコンタクト窓 8bは余分なコンタクト窓部 11a, 11bはポリＳｉ層 12は絶縁層であってＰＳＧ層 13は配線層であってＡｌ配線層 14は絶縁層であってＰＳＧ層 15は低反射遮光膜であってＴｉＮ膜 16はポジレジスト層であってレジストマスク 16a は開孔 17はコンタクト窓
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板(1) 上に形成された配線層
(4) 上の絶縁層(5) に該配線層(4) を露出するコンタク
ト窓を形成するに際し, コンタクト窓形成領域の該絶縁層(5) 上に低反射遮光膜
(6) を選択的に形成した後全面にレジスト層を形成し, 次いで, コンタクト窓形成用マスクを用いて該レジスト
層を露光した後現像し，コンタクト窓形成領域に開孔(7
a)を有するレジストマスク(7) を形成して該開孔(7a)底
部に該低反射遮光膜(6) を露出させ, 次いで，該レジストマスク(7) をマスクにして，該開孔
(7a)から該低反射遮光膜(6) 及び該絶縁層(5) をエッチ
ングし，該配線層(4) を露出するコンタクト窓(8) を形
成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記絶縁層(5) は酸化シリコン層であ
り，前記低反射遮光膜(6) は窒化チタン膜であることを
特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記開孔(7a)から前記低反射遮光膜(6)
の全部及び前記絶縁層(5) の一部を等方性エッチングに
より除去した後，前記開孔(7a)から前記絶縁層(5) を異
方性エッチングにより除去することにより，前記配線層
(4) を露出するコンタクト窓(8) を形成することを特徴
とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29534591A JPH05136130A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29534591A JPH05136130A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136130A true JPH05136130A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=17819413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29534591A Withdrawn JPH05136130A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136130A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100244707B1 (ko) * | 1996-11-27 | 2000-10-02 | 김영환 | 반도체 소자의 배선 형성 방법 |
| CN100463201C (zh) * | 2005-03-11 | 2009-02-18 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 减少互补式金氧半场效晶体管影像感测器杂讯的结构 |
-
1991
- 1991-11-12 JP JP29534591A patent/JPH05136130A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100244707B1 (ko) * | 1996-11-27 | 2000-10-02 | 김영환 | 반도체 소자의 배선 형성 방법 |
| CN100463201C (zh) * | 2005-03-11 | 2009-02-18 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 减少互补式金氧半场效晶体管影像感测器杂讯的结构 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5427982A (en) | Method for fabricating a semiconductor device | |
| JPH0669351A (ja) | 多層金属配線構造のコンタクトの製造方法 | |
| JP4082812B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および多層配線構造の形成方法 | |
| US7556916B2 (en) | Method for burying resist and method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH05136130A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3408746B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1174174A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04291345A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2000040739A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0645456A (ja) | コンタクト形成方法 | |
| KR100248809B1 (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
| JPH05109719A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100437748B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR100247642B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| JP2521329B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100515372B1 (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 | |
| KR100420414B1 (ko) | 금속 배선 형성 방법 | |
| JPH07135162A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0144229B1 (ko) | 반도체 소자의 미세 콘택 형성 방법 | |
| JP3505584B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08335629A (ja) | 層間絶縁膜の形成方法 | |
| JPH0123944B2 (ja) | ||
| JPS62137831A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0373526A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH10313006A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |