JPH03201530A - 微細孔の形成方法 - Google Patents
微細孔の形成方法Info
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- JPH03201530A JPH03201530A JP34361089A JP34361089A JPH03201530A JP H03201530 A JPH03201530 A JP H03201530A JP 34361089 A JP34361089 A JP 34361089A JP 34361089 A JP34361089 A JP 34361089A JP H03201530 A JPH03201530 A JP H03201530A
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- 239000011148 porous material Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＬＳＩや薄膜デバイスの製造プロセスに利用さ
れる微細孔の形成方法に関するものである。
れる微細孔の形成方法に関するものである。
従来、ＬＳＩや薄膜デバイスの製造プロセスにおいて、
絶縁膜や導電膜などの素材に微細な孔を形成する場合に
は、たとえば微細孔を形成する素材の上面にフォトレジ
スト膜を形威し、このフォトレジスト膜を所定のパター
ンに形成された露光マスクを用いて露光し、次いで現像
処理してフォトレジスト膜に微細孔に対応した孔を形成
した後、フォトレジスト膜の上から前記素材をエツチン
グして微細孔を形成する方法が用いられている。
絶縁膜や導電膜などの素材に微細な孔を形成する場合に
は、たとえば微細孔を形成する素材の上面にフォトレジ
スト膜を形威し、このフォトレジスト膜を所定のパター
ンに形成された露光マスクを用いて露光し、次いで現像
処理してフォトレジスト膜に微細孔に対応した孔を形成
した後、フォトレジスト膜の上から前記素材をエツチン
グして微細孔を形成する方法が用いられている。
しかしながら、上述した従来方法はフォトリソグラフィ
法を用いるため、形成できる孔径に限界があり、１μよ
り径の小さい微細孔を形成することは困難であった。
法を用いるため、形成できる孔径に限界があり、１μよ
り径の小さい微細孔を形成することは困難であった。
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、そ
の目的はフォトリソグラフィ法で形成される孔よりもさ
らに微細な孔を形成することのできる微細孔の形成方法
を提供することにある。
の目的はフォトリソグラフィ法で形成される孔よりもさ
らに微細な孔を形成することのできる微細孔の形成方法
を提供することにある。
上記課題を解決するために本発明による微細孔の形成方
法は、微細孔が形成される素材の表面に、アルミニウム
層を積層し、このアルミニウム層の上層部を陽極酸化し
て前記上層部に多数の微細孔を持つ酸化被膜層を形成し
た後、この酸化被膜層の微細孔をマスクとして前記アル
ミニウム層の下層部をエツチングバックし、このエツチ
ングバック後に前記アルミニウム層の下層部の微細孔を
マスクとして前記素材をエツチングして微細孔を形成す
るものである。
法は、微細孔が形成される素材の表面に、アルミニウム
層を積層し、このアルミニウム層の上層部を陽極酸化し
て前記上層部に多数の微細孔を持つ酸化被膜層を形成し
た後、この酸化被膜層の微細孔をマスクとして前記アル
ミニウム層の下層部をエツチングバックし、このエツチ
ングバック後に前記アルミニウム層の下層部の微細孔を
マスクとして前記素材をエツチングして微細孔を形成す
るものである。
すなわち本発明では、微細孔が形成される素材の表面に
アルミニウム層を積層し、このアルミニウム層の上層部
を陽極酸化′することにより、アルミニウム層の上層部
に多数の微細孔を持つ酸化被膜層が形成される。したが
って、この酸化被膜層をマスクとして膜厚方向にエツチ
ングバックし、エツチングバック後にアルミニウム層を
マスクとして素材をエツチングすることにより、フォト
リソグラフィ法で形成される孔よりもさらに微細な孔を
素材に形成することができる。
アルミニウム層を積層し、このアルミニウム層の上層部
を陽極酸化′することにより、アルミニウム層の上層部
に多数の微細孔を持つ酸化被膜層が形成される。したが
って、この酸化被膜層をマスクとして膜厚方向にエツチ
ングバックし、エツチングバック後にアルミニウム層を
マスクとして素材をエツチングすることにより、フォト
リソグラフィ法で形成される孔よりもさらに微細な孔を
素材に形成することができる。
以下、第１図（ａ）〜（ｆ）を参照して本発明の一実施
例を説明する。
例を説明する。
第１図において、１はガラス等の絶縁基板であり、この
絶縁基板１上には微細孔が形成される絶縁膜２（例えば
ＳｉＮ膜等）がプラズマＣＶＤ法等により形成されてい
る。この絶縁膜２に微細孔を形成するには、まず第１図
（ａ）に示すように絶縁膜２の上にアルミニウム層３を
堆積し、このアルミニウム層３の表面を陽極酸化する。
絶縁基板１上には微細孔が形成される絶縁膜２（例えば
ＳｉＮ膜等）がプラズマＣＶＤ法等により形成されてい
る。この絶縁膜２に微細孔を形成するには、まず第１図
（ａ）に示すように絶縁膜２の上にアルミニウム層３を
堆積し、このアルミニウム層３の表面を陽極酸化する。
ここで、アルミニウム層３の表面を陽極酸化すると、第
１図（ｂ）に示すようにアルミニウム層３の上層部に多
数の微細孔４を持つ酸化被膜５が形成される。
１図（ｂ）に示すようにアルミニウム層３の上層部に多
数の微細孔４を持つ酸化被膜５が形成される。
この酸化被膜５の微細孔４は直径が約０．５〜０．８層
程度となっており、絶縁膜２に対し垂直に形成されてい
る。また、アルミニウム層３の表面を陽極酸化すると、
酸化被膜５の下には微細孔を持たないバリア層（Ａ １
２０３ ） ６が形成され、アルミニウム層３は酸化被
膜５、バリア層６および酸化されていないアルミニウム
層７の３層となっている。
程度となっており、絶縁膜２に対し垂直に形成されてい
る。また、アルミニウム層３の表面を陽極酸化すると、
酸化被膜５の下には微細孔を持たないバリア層（Ａ １
２０３ ） ６が形成され、アルミニウム層３は酸化被
膜５、バリア層６および酸化されていないアルミニウム
層７の３層となっている。
したがって、次に酸化被膜５をマスクとしてバリア層６
を異方性エツチングでエツチングバックした後、バリア
層６をマスクとして酸化されていないアルミニウム層７
をエツチングバックする。
を異方性エツチングでエツチングバックした後、バリア
層６をマスクとして酸化されていないアルミニウム層７
をエツチングバックする。
このように酸化被膜５をマスクとしてバリア層６をエツ
チングバックした後、バリア層６をマスクとして酸化さ
れていないアルミニウム層７をエツチングハックすると
、第１図（Ｃ）に示すようにアルミニウム層７に酸化被
膜５の微細孔４と同じ大きさの微細孔８が形成される。
チングバックした後、バリア層６をマスクとして酸化さ
れていないアルミニウム層７をエツチングハックすると
、第１図（Ｃ）に示すようにアルミニウム層７に酸化被
膜５の微細孔４と同じ大きさの微細孔８が形成される。
次に第１図（ｄ）に示すように微細孔８が形成されたア
ルミニウム層７の上面にレジスト層９をＨ［ａし、この
レジスト層９をマスクとして絶縁膜２をエツチングする
。このようにレジスト層９をマスクとして絶縁膜２をエ
ツチングすると、第１図（ｅ）に示すようにレジスト層
９が堆積されていない部分の絶縁膜２がエツチングされ
、絶縁膜２にアルミニウム層７の微細孔８と同じ大きさ
の微細孔１０が形成される。
ルミニウム層７の上面にレジスト層９をＨ［ａし、この
レジスト層９をマスクとして絶縁膜２をエツチングする
。このようにレジスト層９をマスクとして絶縁膜２をエ
ツチングすると、第１図（ｅ）に示すようにレジスト層
９が堆積されていない部分の絶縁膜２がエツチングされ
、絶縁膜２にアルミニウム層７の微細孔８と同じ大きさ
の微細孔１０が形成される。
したがって、上記実施例では第１図（ｆ）に示すように
絶縁膜２にアルミニウム層７の微細孔８と同じ大きさの
微細孔１０を形成することができ、アルミニウム層７の
微細孔８は酸化被膜５の微細孔４と大きさが同じとなっ
ているので、絶縁膜２に１伺以下の微細孔１０を形成す
ることができる。
絶縁膜２にアルミニウム層７の微細孔８と同じ大きさの
微細孔１０を形成することができ、アルミニウム層７の
微細孔８は酸化被膜５の微細孔４と大きさが同じとなっ
ているので、絶縁膜２に１伺以下の微細孔１０を形成す
ることができる。
なお、上記実施例では微細孔１０を絶縁膜２の所定位置
に形成するためにレジスト層９をアルミニウム層７の上
面に堆積したが、多数の微細孔１０を絶縁膜２に形成す
る場合にはアルミニウム層７をマスクとして絶縁膜２を
エツチングすればよい。
に形成するためにレジスト層９をアルミニウム層７の上
面に堆積したが、多数の微細孔１０を絶縁膜２に形成す
る場合にはアルミニウム層７をマスクとして絶縁膜２を
エツチングすればよい。
さらに、上記実施例では微細孔１０を絶縁膜２に形成す
る場合について説明したが、導電膜に微細孔を形成する
場合にも本発明方法を適用することができる。
る場合について説明したが、導電膜に微細孔を形成する
場合にも本発明方法を適用することができる。
以上説明したように本発明は、微細孔が形成される素材
の表面に、アルミニウム層を積層し、このアルミニウム
層の上層部を陽極酸化して前記上層部に多数の？Ｉｉ細
孔を持つ酸化被膜層を形成した後、この酸化被膜層の微
細孔をマスクとして前記アルミニウム層の下層部をエツ
チングバックし、このエツチングバック後に前記アルミ
ニウム層の下層部の微細孔をマスクとして前記素材をエ
ツチングして微細孔を形成するものである。したがって
、フォトリソグラフィ法で形成される孔よりもさらに微
細な孔を素材に形成することがてきる。
の表面に、アルミニウム層を積層し、このアルミニウム
層の上層部を陽極酸化して前記上層部に多数の？Ｉｉ細
孔を持つ酸化被膜層を形成した後、この酸化被膜層の微
細孔をマスクとして前記アルミニウム層の下層部をエツ
チングバックし、このエツチングバック後に前記アルミ
ニウム層の下層部の微細孔をマスクとして前記素材をエ
ツチングして微細孔を形成するものである。したがって
、フォトリソグラフィ法で形成される孔よりもさらに微
細な孔を素材に形成することがてきる。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例を示す微細孔
の形成工程図である。 １・・・絶縁基板、２・・・絶縁膜、３・・・アルミニ
ウム層、５・・・酸化被膜、６・・・バリア層、９・・
・レジスト層、１０・・・微細孔。
の形成工程図である。 １・・・絶縁基板、２・・・絶縁膜、３・・・アルミニ
ウム層、５・・・酸化被膜、６・・・バリア層、９・・
・レジスト層、１０・・・微細孔。
Claims (1)
- 微細孔が形成される素材の表面に、アルミニウム層を
積層し、このアルミニウム層の上層部を陽極酸化して前
記上層部に多数の微細孔を持つ酸化被膜層を形成した後
、この酸化被膜層の微細孔をマスクとして前記アルミニ
ウム層の下層部をエッチングバックし、このエッチング
バック後に前記アルミニウム層の下層部の微細孔をマス
クとして前記素材をエッチングして微細孔を形成するこ
とを特徴とする微細孔の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34361089A JPH03201530A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 微細孔の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34361089A JPH03201530A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 微細孔の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03201530A true JPH03201530A (ja) | 1991-09-03 |
Family
ID=18362869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34361089A Pending JPH03201530A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 微細孔の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03201530A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1445601A3 (en) * | 2003-01-30 | 2004-09-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Localized surface plasmon sensor chips, processes for producing the same, and sensors using the same |
| JP2010286706A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 光学フィルタおよびその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP34361089A patent/JPH03201530A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1445601A3 (en) * | 2003-01-30 | 2004-09-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Localized surface plasmon sensor chips, processes for producing the same, and sensors using the same |
| JP2010286706A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 光学フィルタおよびその製造方法 |
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