JPH06224042A - 平面インダクターとその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 周波数特性に優れたインダクタンスと高い品
質係数値を有し、しかも耐環境性に優れた平面インダク
ターを量産性良く安定に製造する。 【構成】 絶縁体である第１の磁性体基板１のコイルパ
ターンの溝６に導線２を形成した絶縁体である前記第１
の磁性体基板に、絶縁体である第２の磁性体基板４を前
記絶縁体である第１の磁性体基板のコイルパターンの溝
６のみに形成した導線２を覆うように、ガラス材３を用
いて貼り付け固定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は周波数特性に優れ、高い
品質係数値を有した平面インダクターおよびその製造方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の小型化の急速な進展に伴い、
電子部品の小型化，集積化が要求されてきている。イン
ダクター素子も、ノイズフィルターや発信回路として数
多く用いられており、小型高周波数化の検討が進められ
ている。近年、インダクター素子として平面インダクタ
ーの検討がなされている。従来のインダクター素子は磁
性体、あるいは空芯にコイルを巻き付けた構造となって
いるが、これを平面化、すなわち薄型化しようとする試
みがある。

【０００３】しかしながら、従来の平面インダクター
は、図８の平面図(1)およびそのＡ−Ａ′断面図(2)に示
すような形状が一般的で、薄型化が可能であり、そのた
め小型集積化に適した構造となっている。

【０００４】この平面インダクターは、絶縁体である第
１の磁性体基板のＮiＺnフェライト基板１，Ｃuよりな
る導線２、空隙を確保するための樹脂接着剤９で貼り付
け固定したポリイミドフィルム８、絶縁体である第２の
磁性体基板のＮiＺnフェライト基板４、および電極５よ
りなる。

【０００５】導線２は絶縁体である第１の磁性体基板の
ＮiＺnフェライト基板１に形成したコイルパターンの溝
６に形成し、導線２を形成した絶縁体である第１の磁性
体基板のＮiＺnフェライト基板１の表面に、絶縁体であ
る第２の磁性体基板のＮiＺnフェライト基板４を空隙の
ためのポリイミドフィルム８を介して、絶縁体である第
１の磁性体基板のＮiＺnフェライト基板１に形成したコ
イルパターンを被うように貼り付け固定した構造となっ
ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８に
示す以外の従来の平面インダクターでは、周波数の増加
によるインダクタンスＬの急速な劣化や品質係数値Ｑも
小さいという問題点を有し、実用レベルには達していな
かった。この問題点について種々の検討がなされた結
果、品質係数値Ｑの向上のために図８に示すような第１
の磁性体基板１と第２の磁性体基板４との間に空隙を設
ければ有効であることがわかり、第１の磁性体基板１と
第２の磁性体基板４との間にポリイミドフィルム８を空
隙として用いている。

【０００７】しかし、図８に示す第１の磁性体基板１と
第２の磁性体基板４との間にポリイミドフィルム８を空
隙として用いた平面インダクターは、ポリイミドフィル
ムと接着剤が樹脂であるために精度良く空隙を確保でき
ないため、インダクタンスＬや品質係数値Ｑ等のインダ
クター特性が不安定であり、また耐環境性に対しても不
安定であった。

【０００８】本発明は、上述した小型薄型化に適した平
面インダクターの特性が不安定であるという問題点を解
決するものであり、安定した特性と優れた耐環境性とを
有する平面インダクターを量産性良く提供することを目
的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するために、絶縁体である第１または第２の磁性体基
板のコイルパターンの溝に形成した導線を覆うようにし
て貼り付け固定するための絶縁体である第２または第１
の磁性体基板との接着剤にガラス材を用い接着してなる
ことを特徴とする。

【００１０】

【作用】本発明によれば、接着剤にガラス材を用いたこ
とにより、インダクタンスと品質係数値等のインダクタ
ー特性が安定で、しかも耐環境性にも優れた平面インダ
クターを量産性良く製造することができる。

【００１１】

【実施例】

(実施例１)次に本発明の第１の平面インダクターとその
製造方法について説明する。

【００１２】図１は本発明の第１の実施例の平面インダ
クターの平面図(1)およびそのＡ−Ａ′断面図(2)を示
す。平面インダクターは絶縁体である第１の磁性体基板
のＮiＺnフェライト基板１，Ｃuよりなる導線２、空隙
を確保するためのガラス材３、絶縁体である第２の磁性
体基板のＮiＺnフェライト基板４、および電極５よりな
る。

【００１３】導線２は絶縁体である第１の磁性体基板の
ＮiＺnフェライト基板１に形成したコイルパターンの溝
６に形成し、導線２を形成した絶縁体である第１の磁性
体基板のＮiＺnフェライト基板１の表面に、絶縁体であ
る第２の磁性体基板のＮiＺnフェライト基板４を空隙確
保のためのガラス材３を介して、絶縁体である第１の磁
性体基板のＮiＺnフェライト基板１に形成したコイルパ
ターンを覆うように貼り付け固定した構造となってい
る。

【００１４】次に、図２を用いて図１の平面インダクタ
ーの製造工程を説明する。

【００１５】図２(a)に示す第１の磁性体基板にはＮiＺ
nフェライトのインゴットから切り出し薄板状に加工し
たＮiＺnフェライト基板１を用いた。ＮiＺnフェライト
は抵抗率が高く絶縁体であるために、基板に絶縁体を用
いることなく直接導線を形成することができる。また基
板はＮiＺnフェライトのインゴットから切り出したもの
であり、その磁気特性は基板全体にわたり均質である。

【００１６】絶縁体である第１の磁性体基板のＮiＺnフ
ェライト基板１の表面に、図２(b)に示したような導線
を埋め込むためのコイルパターンの溝６を形成する。コ
イルパターンは複雑な形状でも容易に作製できるフォト
リソグラフィを用いた。コイルパターンの形状は、図１
に示した破線で示す通りである。

【００１７】鏡面に加工した絶縁体である第１の磁性体
基板のＮiＺnフェライト基板１の表面に、フォトレジス
トを所定の厚さにスピンコートにより均一に塗布する。
仮ベークを行ってフォトレジストを固着した後に、予め
作製したコイルパターンマスクのコイルパターンを転写
する。このコイルパターンが転写されたフォトレジスト
を有する絶縁体である第１の磁性体基板のＮiＺnフェラ
イト基板１を、イオンミーリング装置にセットして、基
板表面にＡrイオンを照射することにより基板表面のエ
ッチングを行う。エッチングの終了した絶縁体である第
１の磁性体基板の断面は、図２(b)に示したようにな
る。こうして絶縁体である第１の磁性体基板のＮiＺnフ
ェライト基板１の表面にコイルパターンの溝６が形成さ
れる。

【００１８】次に、このコイルパターンの溝６に導線を
形成する。図２(c)に示したように、コイルパターンの
溝６が形成された絶縁体である第１の磁性体基板のＮi
Ｚnフェライト基板１の表面に導体膜としてのＣu膜７を
スパッタリング法により形成した後に、表面を研磨して
コイルパターンの溝６以外の部分に付着した余分のＣu
膜７を除去し、図２(d)に示したように平面インダクタ
ーのコイルパターンの溝６だけに導線２としてのＣu膜
７を残す。こうして絶縁体である第１の磁性体基板のＮ
iＺnフェライト基板１の表面に形成したコイルパターン
の溝６にＣuの導線２を形成する。

【００１９】次に、図２(e)に示すように絶縁体である
第２の磁性体基板のＮiＺnフェライト基板４の表面に、
ガラス材３を形成する結晶化ガラス膜(以下、結晶化ガ
ラス膜３という)を形成する。この結晶化ガラス膜３は
第１の磁性体基板１と第２の磁性体基板４との空隙にな
ると同時に接着剤としての役割もある。したがって、結
晶化ガラス膜３の膜の厚みは精度良く、また再現性良く
制御されなければならない。さらに、磁性体基板と結晶
化ガラス膜３との付着強度も十分強いものでなければな
らない。

【００２０】したがって、結晶化ガラス膜３は極めて清
浄な基板表面に、膜の厚みを精度良く、また再現性良く
成膜することができる真空装置を用いた成膜方法で成膜
する必要がある。真空装置を用いた成膜方法には、スパ
ッタリング法，イオンプレーティング法，ＣＶＤ法など
があるが、本実施例ではスパッタリング法によりガラス
膜を形成した。

【００２１】まず、絶縁体である第２の磁性体基板のＮ
iＺnフェライト基板４は、ＮiＺnフェライトのインゴッ
トから切り出し薄板状に加工し、さらに基板表面を鏡面
に加工する。この基板を洗浄乾燥後、スパッタリング装
置にセットする。真空引きを始め所定の真空度に達した
ら、アルゴンガスを所定の圧力となるように導入する。
絶縁体である第２の磁性体基板のＮiＺnフェライト基板
４と結晶化ガラス膜３との付着力を高めるために、高周
波電力により基板表面のエッチングを行う。エッチング
を行い、極めて清浄な表面となった基板に融点が低い結
晶化ガラス材をターゲットにして、高周波スパッタリン
グ法により結晶化ガラス膜３を所定の厚さに形成する。

【００２２】ここで、結晶化ガラス材を用いたのは、結
晶化ガラスの融点が通常のガラス材と較べて低いため
に、以下に示す第１の磁性体基板のＮiＺnフェライト基
板１と第２の磁性体基板のＮiＺnフェライト基板４との
貼り合わせ固定を行う際に、比較的低温で行うことがで
きるため、温度の制御が行いやすく量産性に適している
ためである。

【００２３】次に、図２(f)に示すように、コイルパタ
ーンの溝６にＣuの導線２を形成した絶縁体である第１
の磁性体基板のＮiＺnフェライト基板１と、結晶化ガラ
ス膜３を形成した第２の磁性体基板のＮiＺnフェライト
基板４とを貼り合わせ固定する。

【００２４】コイルパターンの溝６にＣuの導線２を形
成した絶縁体である第１の磁性体基板のＮiＺnフェライ
ト基板１と、結晶化ガラス膜３を形成した第２の磁性体
基板のＮiＺnフェライト基板４とを、第１の磁性体基板
のＮiＺnフェライト基板に形成した導線２と第２の磁性
体基板に形成した結晶化ガラス膜３とが接するように貼
り合わせ、所定の押圧を加えて固定する。これを電気炉
に入れ所定の温度、例えば500℃で加熱保持することに
より、第２の磁性体基板のＮiＺnフェライト基板４に形
成した結晶化ガラス膜３の結晶化ガラスが、第１の磁性
体基板のＮiＺnフェライト基板１と融着し、コイルパタ
ーンの溝６にＣuの導線２を形成した絶縁体である第１
の磁性体基板のＮiＺnフェライト基板１と、結晶化ガラ
ス膜３を形成した第２の磁性体基板のＮiＺnフェライト
基板４とが固定される。

【００２５】次に、比較例の平面インダクターとして従
来の図８に例示した平面インダクターを作成した。

【００２６】次に、本実施例１と比較例の各平面インダ
クターのインダクタンスＬと、品質係数値Ｑの特性の分
布図をそれぞれ図３(1)，(2)に示す。この図３から明ら
かなように、実施例１(実線図示)の平面インダクターの
インダクタンスＬ、および品質係数値Ｑのばらつきは比
較例(破線図示)に較べて非常に小さく、安定したインダ
クター特性が得られていることが判る。

【００２７】すなわち、第１の磁性体基板１と第２の磁
性体基板４との空隙にポリイミドフィルムと樹脂接着剤
とを用いた比較例の平面インダクターは、ポリイミドフ
ィルムと接着剤が樹脂であるために弾性率が高く、した
がって第１の磁性体基板と第２の磁性体基板との空隙の
間隔を精度良く、また再現性良く制御することが困難で
あるために、インダクタンスＬや品質係数値Ｑ等のイン
ダクターの特性が不安定であり、優れた特性を有する平
面インダクターを安定に、しかも量産性良く製造するこ
とはできないのである。

【００２８】一方、第１の磁性体基板と第２の磁性体基
板との空隙に樹脂を用いずに結晶化ガラス材を用いた本
実施例１の平面インダクターは、空隙の間隔を第２の磁
性体基板に形成する結晶化ガラス膜の厚さで制御できる
ために、第１の磁性体基板と第２の磁性体基板との空隙
の間隔を精度良く、また再現性良く、さらには任意の間
隔で制御することができるため、インダクタンスＬや品
質係数値Ｑ等のインダクターの特性が安定であり、優れ
た特性を有する平面インダクターを安定に、しかも量産
性良く製造することができるのである。

【００２９】平面インダクターを電子機器内に組み込む
場合、環境の変化に対してインダクタンスや品質係数値
等のインダクター特性が変化しない安定なインダクター
素子である必要がある。そこで、本実施例１と比較例の
各平面インダクターとの耐環境性について調べた。

【００３０】高温高湿の環境下に本実施例１と比較例の
平面インダクターを放置した場合のインダクタンスＬと
品質係数値Ｑの変化を調べた結果を、それぞれ図４
(1)，(2)に示す。高温高湿下で、比較例(破線図示)の平
面インダクターのインダクタンスＬと品質係数値Ｑが変
動しているのに対し、実施例１(実線図示)の平面インダ
クターのインダクタンスＬと品質係数値Ｑに変動は認め
られない。

【００３１】すなわち、本実施例１の平面インダクター
は耐環境性にも優れたインダクター素子であるといえ
る。実施例１と比較例の平面インダクターの高温高湿下
におけるインダクタンスＬと品質係数値Ｑの特性の差異
は、第１の磁性体基板と第２の磁性体基板との空隙の材
料の差異によるものと考えられる。すなわち、実施例１
の空隙材料である結晶化ガラス材は高温高湿下でも安定
な材料であるために、実施例１の平面インダクターは耐
環境性に優れているのである。

【００３２】一方、比較例で用いた空隙材料はポリイミ
ドフィルムと樹脂接着剤よりなり、これらの材料は高温
高湿下で膨潤するため、第１の磁性体基板と第２の磁性
体基板との空隙の間隔が変化し、それに応じてインダク
ター特性が変化するという耐環境性に対する問題があ
る。

【００３３】上記したように、本実施例１の平面インダ
クターは第１の磁性体基板と第２の磁性体基板との空隙
材料に結晶化ガラスを用いているので、空隙の間隔が変
化せずに安定であるために、インダクタンスや品質係数
値等のインダクター特性が安定であり、したがって量産
性に優れ、さらには耐環境性にも優れた平面インダクタ
ーである。

【００３４】以上の説明で本実施例１では、第２の磁性
体基板表面に結晶化ガラス膜３を形成したが結晶化ガラ
ス膜は第１の磁性体基板に形成しても何等問題はない。
その場合は、絶縁体である第１の磁性体基板の表面に形
成したコイルパターンの溝６にＣuの導線２を形成した
後に、コイルパターンを形成した方の面に、結晶化ガラ
ス膜を形成すればよい。

【００３５】また、本実施例１はガラス膜に結晶化ガラ
スを用いたが、ガラス膜は結晶化ガラスに限定するもの
ではなく、第１の磁性体と第２の磁性体とを貼り合わせ
固定する際の動作温度を、使用するガラス材に適した温
度に設定すればよいだけであり、通常のガラス材でも何
等問題はない。

【００３６】また、実施例１では、導線の形成にスパッ
タリング法を用いたが導線の形成はメッキ法，イオンプ
レーティング法や蒸着法でもよい。また、本実施例１で
は導線にＣuを用いたが、導線はＣu以外にもＡl，Ａg，
Ａu、あるいはこれらの合金など抵抗率の小さい物質で
あれば何等問題はない。

【００３７】さらに、本実施例１では磁性体基板に抵抗
率の大きいＮiＺnフェライトを用いたが、磁性体基板は
ＮiＺnフェライト以外でも、ダストコア等の抵抗率の大
きい磁性体であれば何等差し支えない。

【００３８】(実施例２)実施例１では第１の磁性体基板
と第２の磁性体基板との空隙のガラス膜を真空装置を用
いた成膜方法であるスパッタリング法により形成した
が、ガラス材に液体ガラスを用いれば、真空装置を用い
ることなくガラス膜を形成できるので、量産性が実施例
１と較べ更に向上する。

【００３９】なお、液体ガラスはガラス成分を溶剤に溶
かしたもので、液体ガラスを基板上に塗布した後に溶剤
を蒸発させることでガラス成分のみが残り、さらに所定
の温度での熱処理を施すことにより、ガラス膜を形成す
ることができる。

【００４０】ガラス膜の形成に液体ガラスを用いた実施
例２の平面インダクターは、次のようにして作成した。
図５を用いて平面インダクターの製造工程を説明する。

【００４１】図５の(a)ないし(d)までは実施例１(図２
の(a)ないし(d))と同様にして、絶縁体である第１の磁
性体基板のＮiＺnフェライト基板１の表面に形成したコ
イルパターンの溝６にＣuの導線２を形成する。

【００４２】次に、絶縁体である第２の磁性体基板のＮ
iＺnフェライト基板４の表面にガラス膜を形成する。ガ
ラス膜は第１の磁性体基板と第２の磁性体基板との空隙
になると同時に、接着剤としての役割もある。したがっ
て、ガラス膜の厚みは精度良く、また再現性良く制御さ
れなければならない。さらに、磁性体基板とガラス膜と
の付着強度も十分強いものでなければならない。したが
って、ガラス膜は膜の厚みを精度良く、再現性良く成膜
する必要がある。

【００４３】本実施例２では、ガラス膜の形成に図５
(e)に示すように、液体ガラス10を用いる。この液体ガ
ラス10の塗布は、ガラス膜の膜の厚みを精度良く、また
再現性良く制御できるスピンコート法により塗布した。
スピンコート法は液体状の塗布材料を被塗布基板上に滴
下した後に、被塗布基板を所定の回転数で回転すること
により均質で一様な膜を形成する塗布方法であり、膜の
厚みは回転数を制御することで調整する。

【００４４】まず、実施例１と同様に、絶縁体である第
２の磁性体基板のＮiＺnフェライト基板４は、ＮiＺnフ
ェライトのインゴットから切り出し薄板状に加工し、さ
らに基板表面を鏡面に加工する。この第２の磁性体基板
４をスピンコーターにセットする。この第２の磁性体基
板４上に、図５(e)で示したように、液体ガラス10を基
板全面にわたり滴下した後に、所定の回転数で液体ガラ
ス10を基板全面にわたり滴下した基板を回転して、基板
上に所定の厚さのガラス膜を形成する。ガラス膜を形成
した後に溶剤を蒸発させるために加熱保持し、図５(f)
で示したように、第２の磁性体基板４上に結晶化ガラス
膜３を定着させる。

【００４５】次に図５(g)に示したように、実施例１と
同様にコイルパターンの溝６にＣuの導線２を形成した
絶縁体である第１の磁性体基板のＮiＺnフェライト基板
１と、結晶化ガラス膜３を形成した第２の磁性体基板の
ＮiＺnフェライト基板４とを貼り合わせ固定する。

【００４６】コイルパターンの溝６にＣuの導線２を形
成した絶縁体である第１の磁性体基板のＮiＺnフェライ
ト基板１と、結晶化ガラス膜３を形成した第２の磁性体
基板のＮiＺnフェライト基板４とを、第１の磁性体基板
のＮiＺnフェライト基板１に形成した導線２と第２の磁
性体基板４に形成した結晶化ガラス膜３とが接するよう
に貼り合わせ、所定の押圧を加えて固定する。これを電
気炉に入れ所定の温度、例えば600℃で加熱保持するこ
とにより、第２の磁性体基板のＮiＺnフェライト基板４
に形成した結晶化ガラス膜３の結晶化ガラスが、第１の
磁性体基板のＮiＺnフェライト基板１と第２の磁性体基
板のＮiＺnフェライト基板４とに融着し、コイルパター
ンの溝６にＣuの導線２を形成した絶縁体である第１の
磁性体基板のＮiＺnフェライト基板１と、結晶化ガラス
膜３を形成した第２の磁性体基板のＮiＺnフェライト基
板４とが固定される。こうして、実施例２の平面インダ
クターを作成した。

【００４７】次に、本実施例２の平面インダクターのイ
ンダクタンスＬと品質係数値Ｑの特性の分布図をそれぞ
れ図６(1)，(2)に示す。本実施例２の平面インダクター
のインダクタンスＬおよび品質係数値Ｑのばらつきは、
実施例１の平面インダクターと同様に非常に小さく、安
定したインダクター特性が得られていることが判る。

【００４８】また、実施例１と同様に実施例２の平面イ
ンダクターの耐環境性について調べた。

【００４９】実施例１と同様に、高温高湿の環境下に本
実施例２の平面インダクターを放置した場合のインダク
タンスＬと品質係数値Ｑの変化を調べた結果をそれぞれ
図７(1)，(2)に示す。高温高湿下で、実施例２の平面イ
ンダクターのインダクタンスＬと品質係数値Ｑには実施
例１と同様に変動は認められない。すなわち、本実施例
２の平面インダクターは耐環境性にも優れたインダクタ
ー素子であるといえる。

【００５０】上記したように本実施例２の平面インダク
ターは、第１の磁性体基板と第２の磁性体基板との空隙
材料を液体ガラスの塗布により形成しているので、実施
例１のような真空装置を必要とせずに、大気において製
造ができるために製造が容易で量産性に優れており、ま
た空隙材料は実施例１と同様にガラス材を用いているた
めに品質が安定し、さらに耐環境性に優れた平面インダ
クターである。

【００５１】なお実施例２も実施例１と同様に、コイル
パターンの溝，ガラス材の形成は第１，第２の磁性体基
板に対して、反対に行ってもよいことは勿論である。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の平面イン
ダクターは、絶縁体である第１の磁性体基板と絶縁体で
ある第２の磁性体基板との接着剤にガラス材を用いたこ
とにより、周波数特性に優れたインダクタンスと高い品
質係数値を有し、しかも耐環境性に優れた平面インダク
ターを量産性良く安定に製造することができる。したが
って、小型，薄型化ができる平面インダクターをインダ
クター素子として実用でき、電子機器も小型軽量にする
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の平面インダクターの平
面図とその断面図である。

【図２】本発明の第１の実施例の平面インダクターの製
造方法を説明する工程図である。

【図３】本発明の第１の実施例と比較例の平面インダク
ターのインダクタンスと品質係数値の特性分布図であ
る。

【図４】本発明の第１の実施例と比較例の高温高湿下に
おける平面インダクターのインダクタンスと品質係数値
の特性分布図である。

【図５】本発明の第２の実施例の平面インダクターの製
造方法を説明する工程図である。

【図６】本発明の第２の実施例の平面インダクターのイ
ンダクタンスと品質係数値の特性分布図である。

【図７】本発明の第２の実施例の高温高湿下における平
面インダクターのインダクタンスと品質係数値の特性分
布図である。

【図８】従来例の平面インダクターの平面図とその断面
図である。

【符号の説明】

１…ＮiＺnフェライト基板(第１の磁性体基板)、 ２…
Ｃu導線、 ３…ガラス材(結晶化ガラス膜)、 ４…Ｎi
Ｚnフェライト基板(第２の磁性体基板)、 ５…電極、
６…コイルパターンの溝、 ７…Ｃu膜、 ８…ポリ
イミドフィルム、９…樹脂接着剤、 10…液体ガラス。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁体である第１または第２の磁性体基
   板のコイルパターンの溝に形成した導線を覆うようにし
   て貼り付け固定するための絶縁体である第２または第１
   の磁性体基板との接着剤にガラス材を用い接着してなる
   ことを特徴とする平面インダクター。
2. 【請求項２】 前記ガラス材は結晶化ガラスもしくは液
   体ガラスであることを特徴とする請求項１記載の平面イ
   ンダクター。
3. 【請求項３】 絶縁体である第１または第２の磁性体基
   板に導線を埋め込むためのコイルパターンの溝を形成し
   た後、導線を形成する導体膜の形成工程と、前記コイル
   パターンの溝以外に形成された導体膜の除去工程と、絶
   縁体である第２または第１の磁性体基板にガラス材を形
   成する工程と、前記絶縁体である第１または第２の磁性
   体基板に形成した導線と前記絶縁体である第２または第
   １の磁性体基板に形成したガラス材とを接するように貼
   り合わせ固定する工程とからなることを特徴とする平面
   インダクターの製造方法。
4. 【請求項４】 前記絶縁体である第２または第１の磁性
   体基板上に形成するガラス材のうち結晶化ガラスは真空
   装置を用いた成膜方法により、液体ガラスは塗布によ
   り、それぞれ形成することを特徴とする請求項３記載の
   平面インダクターの製造方法。