JPH0722242A - 平面インダクターおよびその製造方法 - Google Patents
平面インダクターおよびその製造方法Info
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- JPH0722242A JPH0722242A JP16686893A JP16686893A JPH0722242A JP H0722242 A JPH0722242 A JP H0722242A JP 16686893 A JP16686893 A JP 16686893A JP 16686893 A JP16686893 A JP 16686893A JP H0722242 A JPH0722242 A JP H0722242A
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 コイル形状の導線を磁性体で被覆した平面イ
ンダクターを量産性良く実現すること。 【構成】 第１の磁性体基板(ＮiＺnフェライト基板１)
上に磁気空隙(Ａl2Ｏ3膜)を形成した後にコイル形状導
線３を形成し、コイル形状導線を覆うように第２の磁性
体(ＮiＺnフェライト層４)を形成する。
ンダクターを量産性良く実現すること。 【構成】 第１の磁性体基板(ＮiＺnフェライト基板１)
上に磁気空隙(Ａl2Ｏ3膜)を形成した後にコイル形状導
線３を形成し、コイル形状導線を覆うように第２の磁性
体(ＮiＺnフェライト層４)を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、周波数特性に優れ高い
品質係数を有した平面インダクターおよびその製造方法
に関するものである。
品質係数を有した平面インダクターおよびその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化の急速な進展に伴い、
電子部品の小型化，集積化が要求されてきている。イン
ダクター素子も、ノイズフィルターや発信回路として数
多く用いられており、小型高周波数化の検討が進められ
ている。近年、インダクター素子として平面インダクタ
ーの検討がなされている。従来のインダクター素子は、
磁性体あるいは空芯にコイルを巻き付けた構造となって
いるが、これを平面化すなわち薄型化しようとする試み
である。
電子部品の小型化，集積化が要求されてきている。イン
ダクター素子も、ノイズフィルターや発信回路として数
多く用いられており、小型高周波数化の検討が進められ
ている。近年、インダクター素子として平面インダクタ
ーの検討がなされている。従来のインダクター素子は、
磁性体あるいは空芯にコイルを巻き付けた構造となって
いるが、これを平面化すなわち薄型化しようとする試み
である。
【０００３】しかしながら、従来の平面インダクター
は、図６に示すような形状が一般的で、薄板化が可能で
あり小型集積化に適した構造となっているが、これらの
平面インダクターでは絶縁体である磁性基板上に導線を
形成するための溝を形成しなければならず、量産性上の
問題があった。なお、溝を形成するのは、コイル形状の
導線を磁性体で効率良く覆うために溝を形成するのであ
る。コイル形状の導線を磁性体で効率良く覆う方法に
は、例えば特開昭63−283004号公報に示されているよう
に、コイル形状のパターンをメッキ法によるフェライト
磁性体で覆う方法が示されている。この方法ではコイル
形状の導線は効率良く覆うことができるのであるが、イ
ンダクター特性を制御するための空隙を形成できず、イ
ンダクター特性を向上させることができない。
は、図６に示すような形状が一般的で、薄板化が可能で
あり小型集積化に適した構造となっているが、これらの
平面インダクターでは絶縁体である磁性基板上に導線を
形成するための溝を形成しなければならず、量産性上の
問題があった。なお、溝を形成するのは、コイル形状の
導線を磁性体で効率良く覆うために溝を形成するのであ
る。コイル形状の導線を磁性体で効率良く覆う方法に
は、例えば特開昭63−283004号公報に示されているよう
に、コイル形状のパターンをメッキ法によるフェライト
磁性体で覆う方法が示されている。この方法ではコイル
形状の導線は効率良く覆うことができるのであるが、イ
ンダクター特性を制御するための空隙を形成できず、イ
ンダクター特性を向上させることができない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法は、上記に
も述べたように量産性の問題があり、またインダクター
特性を向上させることができないという問題があった。
本発明はこれらの問題を解決するものであり、コイル形
状の導線を磁性体で効率良く覆い、インダクター特性を
制御する空隙を容易に形成でき、さらに量産性にも優れ
る平面インダクターを提供することを目的とするもので
ある。
も述べたように量産性の問題があり、またインダクター
特性を向上させることができないという問題があった。
本発明はこれらの問題を解決するものであり、コイル形
状の導線を磁性体で効率良く覆い、インダクター特性を
制御する空隙を容易に形成でき、さらに量産性にも優れ
る平面インダクターを提供することを目的とするもので
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、第１の磁性体基板上に絶縁体よりなる非
磁性膜を形成した後にコイル形状よりなる導線を形成
し、この導線を覆うように絶縁体よりなる第２の磁性体
を形成するものである。
成するために、第１の磁性体基板上に絶縁体よりなる非
磁性膜を形成した後にコイル形状よりなる導線を形成
し、この導線を覆うように絶縁体よりなる第２の磁性体
を形成するものである。
【０００６】
【作用】したがって、本発明によればインダクタンスと
品質係数のインダクター特性に優れた平面インダクター
を量産性良く製造することができる。
品質係数のインダクター特性に優れた平面インダクター
を量産性良く製造することができる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例の平面インダクターの
製造方法について示す。図１に本発明の一実施例の平面
インダクターの平面構造および断面構造の概略を示す。
平面インダクターは第１の磁性体のＮiＺnフェライト基
板１、空隙のためのＡl2Ｏ3膜２、コイル形状の導線
３、第２の磁性体のＮiＺnフェライト層４および電極５
よりなる。
製造方法について示す。図１に本発明の一実施例の平面
インダクターの平面構造および断面構造の概略を示す。
平面インダクターは第１の磁性体のＮiＺnフェライト基
板１、空隙のためのＡl2Ｏ3膜２、コイル形状の導線
３、第２の磁性体のＮiＺnフェライト層４および電極５
よりなる。
【０００８】本発明の一実施例の平面インダクターは、
以下のようにして作成した。図２(a)に示すように、第
１の磁性体のＮiＺnフェライト基板１の表面に絶縁体か
らなる非磁性体であるＡl2Ｏ3膜２を形成する。Ａl2Ｏ3
膜２は第１の磁性体と第２の磁性体との空隙になる。し
たがって、Ａl2Ｏ3膜の膜の厚みは精度良く、また再現
性良く制御されなければならない。膜の厚みを精度良
く、また再現性良く制御される成膜方法には、スパッタ
リング法，イオンプレーティング法，ＣＶＤ法等の真空
装置を用いた方法やスピンコート法等がある。いずれの
方法を用いてＡl2Ｏ3膜を形成しても何ら問題はない
が、本実施例ではスパッタリング法によりＡl2Ｏ3膜２
を形成した。次に、図２(b)に示すように、Ａl2Ｏ3膜２
を形成した磁性体基板上にコイル形状導線３を形成す
る。本実施例では導線Ｃuをメッキ法により形成した。
まず、Ａl2Ｏ3膜２上に電極膜としてのＣuをスパッタリ
ング法により形成した。Ａl2Ｏ3膜とＣu膜との付着強度
を強めるためにＡl2Ｏ3膜とＣu膜との間にＴi膜等を形
成することもある。Ｃu膜の表面にフォトリソグラフィ
ーによりコイル形状のパターンを形成した後に、電解メ
ッキによりＣu膜コイル形状のパターンに形成する。Ｃu
の電解メッキ後、コイル形状のパターンを形成していた
フォトレジストを除去した後に、フォトレジストの下部
のＣu電極膜をエッチングにより除去して、コイル形状
導線３が形成される。次に、図２(c)に示すように、コ
イル形状導線３を覆うように第２の磁性体を形成する。
本実施例では、ＮiＺnフェライトの微粒子からなるペー
ストをコイル形状導線３を覆うように均一に塗布した後
に、電気炉で焼成して第２の磁性体であるＮiＺnフェラ
イト層４を形成した。こうして、実施例の平面インダク
ターを作成した。
以下のようにして作成した。図２(a)に示すように、第
１の磁性体のＮiＺnフェライト基板１の表面に絶縁体か
らなる非磁性体であるＡl2Ｏ3膜２を形成する。Ａl2Ｏ3
膜２は第１の磁性体と第２の磁性体との空隙になる。し
たがって、Ａl2Ｏ3膜の膜の厚みは精度良く、また再現
性良く制御されなければならない。膜の厚みを精度良
く、また再現性良く制御される成膜方法には、スパッタ
リング法，イオンプレーティング法，ＣＶＤ法等の真空
装置を用いた方法やスピンコート法等がある。いずれの
方法を用いてＡl2Ｏ3膜を形成しても何ら問題はない
が、本実施例ではスパッタリング法によりＡl2Ｏ3膜２
を形成した。次に、図２(b)に示すように、Ａl2Ｏ3膜２
を形成した磁性体基板上にコイル形状導線３を形成す
る。本実施例では導線Ｃuをメッキ法により形成した。
まず、Ａl2Ｏ3膜２上に電極膜としてのＣuをスパッタリ
ング法により形成した。Ａl2Ｏ3膜とＣu膜との付着強度
を強めるためにＡl2Ｏ3膜とＣu膜との間にＴi膜等を形
成することもある。Ｃu膜の表面にフォトリソグラフィ
ーによりコイル形状のパターンを形成した後に、電解メ
ッキによりＣu膜コイル形状のパターンに形成する。Ｃu
の電解メッキ後、コイル形状のパターンを形成していた
フォトレジストを除去した後に、フォトレジストの下部
のＣu電極膜をエッチングにより除去して、コイル形状
導線３が形成される。次に、図２(c)に示すように、コ
イル形状導線３を覆うように第２の磁性体を形成する。
本実施例では、ＮiＺnフェライトの微粒子からなるペー
ストをコイル形状導線３を覆うように均一に塗布した後
に、電気炉で焼成して第２の磁性体であるＮiＺnフェラ
イト層４を形成した。こうして、実施例の平面インダク
ターを作成した。
【０００９】次に、図３に示すような比較例の平面イン
ダクターを以下のようにして作成した。実施例と同じ第
１の磁性体のＮiＺnフェライト基板上に、実施例と同様
にしてコイル形状導線３を形成する。ＮiＺnフェライト
基板は絶縁体であるために、ＮiＺnフェライト基板上に
直接コイルを形成しても問題はない。コイル形状導線３
は実施例と同様にして形成した。次に、空隙のためのＡ
l2Ｏ3膜２を形成する。実施例では第１の磁性体１上に
Ａl2Ｏ3膜２を形成したが、比較例ではコイル形状導線
３を形成した後にＡl2Ｏ3膜２を形成した。実施例と同
様にして、実施例と同じ膜厚のＡl2Ｏ3膜２をスパッタ
リング法により形成した。次に第２の磁性体を形成す
る。実施例と同様にして、フェライトの微粒子からなる
ペーストを空隙のためのＡl2Ｏ3膜２を覆うように均一
に塗布した後に、電気炉で焼成して第２の磁性体である
ＮiＺnフェライト層４を形成した。こうして、比較例の
平面インダクターを作成した。
ダクターを以下のようにして作成した。実施例と同じ第
１の磁性体のＮiＺnフェライト基板上に、実施例と同様
にしてコイル形状導線３を形成する。ＮiＺnフェライト
基板は絶縁体であるために、ＮiＺnフェライト基板上に
直接コイルを形成しても問題はない。コイル形状導線３
は実施例と同様にして形成した。次に、空隙のためのＡ
l2Ｏ3膜２を形成する。実施例では第１の磁性体１上に
Ａl2Ｏ3膜２を形成したが、比較例ではコイル形状導線
３を形成した後にＡl2Ｏ3膜２を形成した。実施例と同
様にして、実施例と同じ膜厚のＡl2Ｏ3膜２をスパッタ
リング法により形成した。次に第２の磁性体を形成す
る。実施例と同様にして、フェライトの微粒子からなる
ペーストを空隙のためのＡl2Ｏ3膜２を覆うように均一
に塗布した後に、電気炉で焼成して第２の磁性体である
ＮiＺnフェライト層４を形成した。こうして、比較例の
平面インダクターを作成した。
【００１０】次に、実施例と比較例の平面インダクター
の電気特性を調べた。図４に結果を示す。比較例のイン
ダクタンスは実施例のインダクタンスと比較して非常に
小さい。また、実施例と比較例との平面インダクターの
インダクタンスの特性ばらつきを調べた。図５に結果を
示す。実施例の特性ばらつきは、比較例の特性ばらつき
と比較して非常に小さくなっている。上記したように、
実施例の平面インダクターでは優れたインダクタンス特
性と、安定したインダクタンス特性が得られる。
の電気特性を調べた。図４に結果を示す。比較例のイン
ダクタンスは実施例のインダクタンスと比較して非常に
小さい。また、実施例と比較例との平面インダクターの
インダクタンスの特性ばらつきを調べた。図５に結果を
示す。実施例の特性ばらつきは、比較例の特性ばらつき
と比較して非常に小さくなっている。上記したように、
実施例の平面インダクターでは優れたインダクタンス特
性と、安定したインダクタンス特性が得られる。
【００１１】本実施例の平面インダクターは、インダク
ターの特性であるインダクタンスや品質係数を制御する
ための磁気空隙は、第１の磁性体と第２の磁性体との間
に形成すればよく、したがって磁気空隙はコイル形状導
線の上部もしくは下部にあればよいのであるが、実施例
で示したように、磁気空隙をコイル形状導線を形成する
前に形成するので、したがって平坦な面上に磁気空隙層
を形成するので均一な磁気空隙を容易に形成でき、した
がって平面インダクター特性が安定したものとなるので
ある。また、コイル形状導線は、磁性体で直接覆われた
構造となり、すなわちコイル形状導線は、量産性上問題
となるコイル形状の溝を形成することなく磁性体に効率
良く覆われた構造となり、したがって優れたインダクタ
ー特性の平面インダクターを量産性良く製造することが
できるのである。このように、本実施例の平面インダク
ターはインダクター特性に優れ、安定した特性で、しか
も量産性に優れているのである。
ターの特性であるインダクタンスや品質係数を制御する
ための磁気空隙は、第１の磁性体と第２の磁性体との間
に形成すればよく、したがって磁気空隙はコイル形状導
線の上部もしくは下部にあればよいのであるが、実施例
で示したように、磁気空隙をコイル形状導線を形成する
前に形成するので、したがって平坦な面上に磁気空隙層
を形成するので均一な磁気空隙を容易に形成でき、した
がって平面インダクター特性が安定したものとなるので
ある。また、コイル形状導線は、磁性体で直接覆われた
構造となり、すなわちコイル形状導線は、量産性上問題
となるコイル形状の溝を形成することなく磁性体に効率
良く覆われた構造となり、したがって優れたインダクタ
ー特性の平面インダクターを量産性良く製造することが
できるのである。このように、本実施例の平面インダク
ターはインダクター特性に優れ、安定した特性で、しか
も量産性に優れているのである。
【００１２】一方、比較例は、磁気空隙をコイル形状導
線を形成した後に形成するために、すなわち、実施例の
ように平坦な面上に磁気空隙を形成するのではなく凹凸
のある面上に磁気空隙を形成することとなり、磁気空隙
がコイル形状導線の壁側にも形成されることになり、ま
た均質な磁気空隙が形成されない。コイル形状導線の側
壁に形成される空隙のために、コイル形状導線は直接磁
性体で覆われなく、したがってインダクタンス特性の劣
化やインダクタンス特性のばらつきが大となるのであ
る。
線を形成した後に形成するために、すなわち、実施例の
ように平坦な面上に磁気空隙を形成するのではなく凹凸
のある面上に磁気空隙を形成することとなり、磁気空隙
がコイル形状導線の壁側にも形成されることになり、ま
た均質な磁気空隙が形成されない。コイル形状導線の側
壁に形成される空隙のために、コイル形状導線は直接磁
性体で覆われなく、したがってインダクタンス特性の劣
化やインダクタンス特性のばらつきが大となるのであ
る。
【００１３】このように、磁気空隙をコイル形状の導線
を形成する前に形成することが、優れたインダクタンス
特性と安定した特性とを得るために非常に重要なのであ
る。また、本実施例では導線の形成にスパッタリング法
を用いたが、導線の形成はメッキ法，イオンプレーティ
ング法や蒸着法でも構わない。また、本実施例では導線
にＣuを用いたが、導線はＣu以外にもＡl，Ａg，Ａuあ
るいはこれらの合金など抵抗率の小さい物質であれば何
ら問題はない。また、本実施例では絶縁体からなる非磁
性体にＡl2Ｏ3を用いたが、Ａl2Ｏ3以外にもＡlＮ，Ｓi
Ｎ等でも構わない。
を形成する前に形成することが、優れたインダクタンス
特性と安定した特性とを得るために非常に重要なのであ
る。また、本実施例では導線の形成にスパッタリング法
を用いたが、導線の形成はメッキ法，イオンプレーティ
ング法や蒸着法でも構わない。また、本実施例では導線
にＣuを用いたが、導線はＣu以外にもＡl，Ａg，Ａuあ
るいはこれらの合金など抵抗率の小さい物質であれば何
ら問題はない。また、本実施例では絶縁体からなる非磁
性体にＡl2Ｏ3を用いたが、Ａl2Ｏ3以外にもＡlＮ，Ｓi
Ｎ等でも構わない。
【００１４】
【発明の効果】上記実施例から明らかなように、本発明
の平面インダクターは、第１の磁性体基板上に絶縁体よ
りなる非磁性層を形成した後に、コイル形状よりなる導
線を形成し、この導線を覆うように絶縁体よりなる磁性
体を形成してなる平面インダクターであるから、周波数
特性に優れたインダクタンスと高い品質係数を有する平
面インダクターを量産性良く安定に製造することができ
る。したがって、小型，薄型化ができる平面インダクタ
ーをインダクター素子として実用化でき、電子機器も小
型軽量にすることができるという効果を有する。
の平面インダクターは、第１の磁性体基板上に絶縁体よ
りなる非磁性層を形成した後に、コイル形状よりなる導
線を形成し、この導線を覆うように絶縁体よりなる磁性
体を形成してなる平面インダクターであるから、周波数
特性に優れたインダクタンスと高い品質係数を有する平
面インダクターを量産性良く安定に製造することができ
る。したがって、小型，薄型化ができる平面インダクタ
ーをインダクター素子として実用化でき、電子機器も小
型軽量にすることができるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の平面インダクターの平面構
造および断面構造の概略図である。
造および断面構造の概略図である。
【図２】本発明の一実施例の平面インダクターの製造方
法の説明図である。
法の説明図である。
【図３】比較例の平面インダクターの平面構造および断
面構造の概略図である。
面構造の概略図である。
【図４】本発明の一実施例と比較例の平面インダクター
の特性図である。
の特性図である。
【図５】本発明の一実施例と比較例の平面インダクター
の特性図である。
の特性図である。
【図６】従来例の平面インダクターの平面構造および断
面構造の概略図である。
面構造の概略図である。
１，６…ＮiＺnフェライト基板、 ２…Ａl2Ｏ3膜、
３…コイル形状導線、４…ＮiＺnフェライト層、 ５…
電極。
３…コイル形状導線、４…ＮiＺnフェライト層、 ５…
電極。
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の磁性体基板上の絶縁体からなる非
磁性膜上に形成したコイル形状の導線を絶縁体である第
２の磁性体で被覆してなることを特徴とする平面インダ
クター。 - 【請求項２】 第１の磁性体基板上に絶縁体からなる非
磁性膜を形成した後に、前記絶縁体からなる非磁性膜上
にコイル形状の導線を形成し、前記コイル形状からなる
導線を絶縁体である第２の磁性体で被覆して製造するこ
とを特徴とする平面インダクターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16686893A JPH0722242A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 平面インダクターおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16686893A JPH0722242A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 平面インダクターおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722242A true JPH0722242A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15839129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16686893A Pending JPH0722242A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 平面インダクターおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722242A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7145427B2 (en) | 2003-07-28 | 2006-12-05 | Tdk Corporation | Coil component and method of manufacturing the same |
-
1993
- 1993-07-06 JP JP16686893A patent/JPH0722242A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7145427B2 (en) | 2003-07-28 | 2006-12-05 | Tdk Corporation | Coil component and method of manufacturing the same |
| US7905008B2 (en) | 2003-07-28 | 2011-03-15 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a coil component |
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