JPH0722241A - 平面インダクターとその製造方法 - Google Patents
平面インダクターとその製造方法Info
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- JPH0722241A JPH0722241A JP16555793A JP16555793A JPH0722241A JP H0722241 A JPH0722241 A JP H0722241A JP 16555793 A JP16555793 A JP 16555793A JP 16555793 A JP16555793 A JP 16555793A JP H0722241 A JPH0722241 A JP H0722241A
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- planar inductor
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- coil
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 周波数特性の向上および良品率，量産品質の
優れた平面インダクターおよびその製造方法を提供す
る。 【構成】 コイル溝５に導体２を形成した絶縁体である
磁性体基板１を、絶縁体である磁性体基板３で覆うよう
に貼り付け固定した構成とし、前記コイル溝５の断面形
状が逆三角形もしくは逆台形である。このコイル溝の形
状により周波数特性に優れたインダクタンスと、高い品
質係数を有するインダクタンス素子を量産性良く製造で
きる。
優れた平面インダクターおよびその製造方法を提供す
る。 【構成】 コイル溝５に導体２を形成した絶縁体である
磁性体基板１を、絶縁体である磁性体基板３で覆うよう
に貼り付け固定した構成とし、前記コイル溝５の断面形
状が逆三角形もしくは逆台形である。このコイル溝の形
状により周波数特性に優れたインダクタンスと、高い品
質係数を有するインダクタンス素子を量産性良く製造で
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は周波数特性に優れ、高い
品質係数を有した平面インダクターとその製造方法に関
するものである。
品質係数を有した平面インダクターとその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化の急速な進展に伴い、
使用される電子部品の小型化，集積化が要求されてきて
いる。インダクター素子も、ノイズフィルターや発信回
路として数多く用いられており、小型高周波数化の検討
が進められている。近年、インダクター素子として平面
インダクターの検討がなされている。従来のインダクタ
ー素子は、磁性体、あるいは空芯にコイルを巻き付けた
構造となっているが、これを平面化、すなわち薄型化し
ようとするものである。
使用される電子部品の小型化，集積化が要求されてきて
いる。インダクター素子も、ノイズフィルターや発信回
路として数多く用いられており、小型高周波数化の検討
が進められている。近年、インダクター素子として平面
インダクターの検討がなされている。従来のインダクタ
ー素子は、磁性体、あるいは空芯にコイルを巻き付けた
構造となっているが、これを平面化、すなわち薄型化し
ようとするものである。
【０００３】図７は従来の平面インダクターの構造図を
示し、(a)は平面図、(b)は(a)のＡ−Ａ′断面図であ
る。
示し、(a)は平面図、(b)は(a)のＡ−Ａ′断面図であ
る。
【０００４】この平面インダクターは、絶縁体である第
１の磁性体基板１，導電体よりなる導体２，絶縁体であ
る第２の磁性体基板３および電極４よりなる。前記導体
２は絶縁体である第１と第２の磁性体基板１と３との間
に形成されていて薄板化が可能であり、小型集積化に適
した構造となっている。しかし、図７(a)，(b)に示す平
面インダクターでは、絶縁体である第１と第２の磁性体
基板１，３間に空隙を有し、周波数の増加によるインダ
クタンスの急速な劣化や品質係数Ｑ値も小さいという問
題点を有し、実用レベルには達していなかった。そのた
め、周波数の増加によるインダクタンスの急速な劣化や
品質係数Ｑ値も小さいという問題点を解決する図８に示
すような平面インダクターが考案され、製品化されてい
る。
１の磁性体基板１，導電体よりなる導体２，絶縁体であ
る第２の磁性体基板３および電極４よりなる。前記導体
２は絶縁体である第１と第２の磁性体基板１と３との間
に形成されていて薄板化が可能であり、小型集積化に適
した構造となっている。しかし、図７(a)，(b)に示す平
面インダクターでは、絶縁体である第１と第２の磁性体
基板１，３間に空隙を有し、周波数の増加によるインダ
クタンスの急速な劣化や品質係数Ｑ値も小さいという問
題点を有し、実用レベルには達していなかった。そのた
め、周波数の増加によるインダクタンスの急速な劣化や
品質係数Ｑ値も小さいという問題点を解決する図８に示
すような平面インダクターが考案され、製品化されてい
る。
【０００５】図８は従来の他の平面インダクターの構造
図を示し、(a)は平面図、(b)は(a)のＡ−Ａ′断面図で
ある。
図を示し、(a)は平面図、(b)は(a)のＡ−Ａ′断面図で
ある。
【０００６】この平面インダクターの導体２は絶縁体で
ある第１の磁性体基板１に形成したコイル溝５を有し、
導体２を形成した絶縁体である第１の磁性体基板１の表
面に、絶縁体である第２の磁性体基板３を絶縁体である
第１の磁性体基板１に形成したコイル溝５を覆うように
貼り付け固定した構造となっている。
ある第１の磁性体基板１に形成したコイル溝５を有し、
導体２を形成した絶縁体である第１の磁性体基板１の表
面に、絶縁体である第２の磁性体基板３を絶縁体である
第１の磁性体基板１に形成したコイル溝５を覆うように
貼り付け固定した構造となっている。
【０００７】この図８に示す平面インダクターの製造方
法を図９に示す。
法を図９に示す。
【０００８】図９(a)，(b)に示すように、鏡面に加工し
たＮi−Ｚnフェライト(第１の磁性体基板１)の表面にフ
ォトレジストを10μmの厚さにスピンコートにより均一
に塗布する。仮加熱を行ってフォトレジストを固着した
後に、コイルパターンを転写する。図９(c)，(d)に示す
ように、コイルパターンが転写されたフォトレジストを
有するＮi−Ｚnフェライト(第１の磁性体基板１)をイオ
ンミーリング装置にセットして、Ｎi−Ｚnフェライト
(第１の磁性体基板１)のフォトレジスト表面にイオンを
照射することにより、基板表面のエッチングを行う。Ｎ
i−Ｚnフェライト(第１の磁性体基板１)の表面にコイル
溝５が形成される。次に導体２を形成する。
たＮi−Ｚnフェライト(第１の磁性体基板１)の表面にフ
ォトレジストを10μmの厚さにスピンコートにより均一
に塗布する。仮加熱を行ってフォトレジストを固着した
後に、コイルパターンを転写する。図９(c)，(d)に示す
ように、コイルパターンが転写されたフォトレジストを
有するＮi−Ｚnフェライト(第１の磁性体基板１)をイオ
ンミーリング装置にセットして、Ｎi−Ｚnフェライト
(第１の磁性体基板１)のフォトレジスト表面にイオンを
照射することにより、基板表面のエッチングを行う。Ｎ
i−Ｚnフェライト(第１の磁性体基板１)の表面にコイル
溝５が形成される。次に導体２を形成する。
【０００９】図９(e)に示したように、コイル溝５が形
成されたＮi−Ｚnフェライト(第１の磁性体基板１)の表
面に導体７をスパッタリング法により成膜した後に、表
面をラップしてコイル溝５以外の部分に付着した余分な
導体を除去し、図９(f)に示したように平面インダクタ
ーのコイル溝５だけに導体２を残す。この導体２を形成
したＮi−Ｚnフェライト(第１の磁性体基板１)の表面に
Ｎi−Ｚnフェライトのインゴットから切り出し薄板状に
加工し、さらに基板表面を鏡面にしたＮi−Ｚnフェライ
ト(第２の磁性体基板３)を突合せ、コイル溝５の導体を
覆うように樹脂接着剤で固定して図９(g)で示したよう
に平面インダクターを得る。
成されたＮi−Ｚnフェライト(第１の磁性体基板１)の表
面に導体７をスパッタリング法により成膜した後に、表
面をラップしてコイル溝５以外の部分に付着した余分な
導体を除去し、図９(f)に示したように平面インダクタ
ーのコイル溝５だけに導体２を残す。この導体２を形成
したＮi−Ｚnフェライト(第１の磁性体基板１)の表面に
Ｎi−Ｚnフェライトのインゴットから切り出し薄板状に
加工し、さらに基板表面を鏡面にしたＮi−Ｚnフェライ
ト(第２の磁性体基板３)を突合せ、コイル溝５の導体を
覆うように樹脂接着剤で固定して図９(g)で示したよう
に平面インダクターを得る。
【００１０】なお、上記のＮi−Ｚnフェライトは抵抗率
が高く絶縁体であるために、基板に絶縁体を用いること
なく直接導体を形成することができる。また、基板はＮ
i−Ｚnフェライトのインゴットから切り出したものであ
り、その磁気特性は基板全体にわたり均一である。
が高く絶縁体であるために、基板に絶縁体を用いること
なく直接導体を形成することができる。また、基板はＮ
i−Ｚnフェライトのインゴットから切り出したものであ
り、その磁気特性は基板全体にわたり均一である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図８に示す従来の平面
インダクターのコイル溝５の凹形断面形状では、導体の
成膜時に溝底部エッジに導体が成膜されない欠陥が残存
する。そのため、周波数の増加によるインダクタンスの
低下が起こる。さらに品質係数Ｑ値も低い。また、導体
成膜時のシャドーイングの影響によりコイル溝５内の導
体に亀裂が生じる。そのため、図９(d)に示す表面ラッ
プの際に、導体内の亀裂部分に沿って導体が脱落を起こ
す不良が発生するという問題を有していた。
インダクターのコイル溝５の凹形断面形状では、導体の
成膜時に溝底部エッジに導体が成膜されない欠陥が残存
する。そのため、周波数の増加によるインダクタンスの
低下が起こる。さらに品質係数Ｑ値も低い。また、導体
成膜時のシャドーイングの影響によりコイル溝５内の導
体に亀裂が生じる。そのため、図９(d)に示す表面ラッ
プの際に、導体内の亀裂部分に沿って導体が脱落を起こ
す不良が発生するという問題を有していた。
【００１２】本発明は、上記問題を解決するための構造
を有しており、導体成膜時にコイル溝５内の欠陥や亀裂
が生じないことで周波数の増加によるインダクタンスの
劣化や品質係数Ｑが高い平面インダクターおよびその製
造方法を提供することを目的とする。
を有しており、導体成膜時にコイル溝５内の欠陥や亀裂
が生じないことで周波数の増加によるインダクタンスの
劣化や品質係数Ｑが高い平面インダクターおよびその製
造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の平面インダクターは、所定形状のコイルパ
ターンでコイル溝が形成され、前記コイル溝に導体膜が
形成された後に表面が平坦化されて、当該コイル溝にの
み導体を形成してなる絶縁体である第１の磁性体基板
と、前記第１の磁性体基板の導体を覆うように接着し固
定した絶縁体である第２の磁性体基板とからなり、前記
絶縁体である第１の磁性体基板に形成したコイル溝の断
面形状が、逆三角形または逆台形であることを特徴とす
る。
め、本発明の平面インダクターは、所定形状のコイルパ
ターンでコイル溝が形成され、前記コイル溝に導体膜が
形成された後に表面が平坦化されて、当該コイル溝にの
み導体を形成してなる絶縁体である第１の磁性体基板
と、前記第１の磁性体基板の導体を覆うように接着し固
定した絶縁体である第２の磁性体基板とからなり、前記
絶縁体である第１の磁性体基板に形成したコイル溝の断
面形状が、逆三角形または逆台形であることを特徴とす
る。
【００１４】また、本発明の平面インダクターの製造方
法は、絶縁体である第１の磁性体基板に所定形状のコイ
ルパターンでコイル溝を形成し、前記第１の磁性体基板
上に導体膜を成膜した後、前記第１の磁性体基板の表面
をラップ加工して平坦化し、コイル溝以外の部分に付着
した部分の導体を除去し、コイル溝にのみ導体を形成
し、前記導体を覆うように磁性体である第２の磁性体基
板で接着し固定して成形する。そして、前記絶縁体であ
る第１の磁性体基板に形成するコイル溝のコイルパター
ンが、フォトリソグラフィによってなされ、前記コイル
パターンであるフォトレジストの形状が三角波状もしく
は矩形波状に成形して製作することを特徴とする。
法は、絶縁体である第１の磁性体基板に所定形状のコイ
ルパターンでコイル溝を形成し、前記第１の磁性体基板
上に導体膜を成膜した後、前記第１の磁性体基板の表面
をラップ加工して平坦化し、コイル溝以外の部分に付着
した部分の導体を除去し、コイル溝にのみ導体を形成
し、前記導体を覆うように磁性体である第２の磁性体基
板で接着し固定して成形する。そして、前記絶縁体であ
る第１の磁性体基板に形成するコイル溝のコイルパター
ンが、フォトリソグラフィによってなされ、前記コイル
パターンであるフォトレジストの形状が三角波状もしく
は矩形波状に成形して製作することを特徴とする。
【００１５】
【作用】本発明によれば、コイル溝の断面形状が逆三角
形または逆台形であることで、コイル溝に導体を成膜す
る際にシャドーイングの影響がないため、コイル溝内に
欠陥を生じない。さらに、コイル内に亀裂が生じないた
め、導体をコイル溝内に埋め込む際にも亀裂に沿って導
体が脱落することがないことで、製作上、不良が発生し
にくい。また、絶縁体である第１の磁性体基板に埋め込
まれた導体内に欠陥や亀裂がないことで、周波数特性に
優れたインダクタンスＬと高い品質係数Ｑを有する平面
インダクターを量産性良く製造することができる。
形または逆台形であることで、コイル溝に導体を成膜す
る際にシャドーイングの影響がないため、コイル溝内に
欠陥を生じない。さらに、コイル内に亀裂が生じないた
め、導体をコイル溝内に埋め込む際にも亀裂に沿って導
体が脱落することがないことで、製作上、不良が発生し
にくい。また、絶縁体である第１の磁性体基板に埋め込
まれた導体内に欠陥や亀裂がないことで、周波数特性に
優れたインダクタンスＬと高い品質係数Ｑを有する平面
インダクターを量産性良く製造することができる。
【００１６】
【実施例】図１は本発明の一実施例における平面インダ
クターの構造図を示し、同図(a)は平面図、(b)および
(c)は(a)のＡ−Ａ′断面図の各例を示し、(b)はコイル
溝５の断面形状が逆三角形、(c)はコイル溝５の断面形
状が逆台形の場合である。
クターの構造図を示し、同図(a)は平面図、(b)および
(c)は(a)のＡ−Ａ′断面図の各例を示し、(b)はコイル
溝５の断面形状が逆三角形、(c)はコイル溝５の断面形
状が逆台形の場合である。
【００１７】平面インダクターの構造は、図１に示すよ
うに、絶縁体である第１の磁性体基板１，導電体よりな
る導体２，絶縁体である第２の磁性体基板３および電極
４よりなる。導体２は絶縁体である第１の磁性体基板１
に形成した断面形状が逆三角形(b)または逆台形(c)のコ
イル溝５に形成し、導体２を形成した絶縁体である第１
の磁性体基板１の表面に、絶縁体である第２の磁性体基
板３を絶縁体である第１の磁性体基板１に形成したコイ
ル溝５を覆うように貼り付け固定したものとなってい
る。
うに、絶縁体である第１の磁性体基板１，導電体よりな
る導体２，絶縁体である第２の磁性体基板３および電極
４よりなる。導体２は絶縁体である第１の磁性体基板１
に形成した断面形状が逆三角形(b)または逆台形(c)のコ
イル溝５に形成し、導体２を形成した絶縁体である第１
の磁性体基板１の表面に、絶縁体である第２の磁性体基
板３を絶縁体である第１の磁性体基板１に形成したコイ
ル溝５を覆うように貼り付け固定したものとなってい
る。
【００１８】本発明の平面インダクターの製造方法を、
図２(a)から(g)および図３(a)から(g)に基づき説明す
る。磁性体基板には、Ｎi−Ｚnフェライトのインゴット
から切り出し薄板状に加工したＮi−Ｚnフェライト(第
１の磁性体基板１)を用いた。Ｎi−Ｚnフェライトは抵
抗率が高く絶縁体であるために、基板に絶縁体を用いる
ことなく直接導体を形成することができる。また、基板
はＮi−Ｚnフェライトのインゴットから切り出したもの
であり、その磁気特性は基板全体にわたり均質である。
図２(a)から(g)および図３(a)から(g)に基づき説明す
る。磁性体基板には、Ｎi−Ｚnフェライトのインゴット
から切り出し薄板状に加工したＮi−Ｚnフェライト(第
１の磁性体基板１)を用いた。Ｎi−Ｚnフェライトは抵
抗率が高く絶縁体であるために、基板に絶縁体を用いる
ことなく直接導体を形成することができる。また、基板
はＮi−Ｚnフェライトのインゴットから切り出したもの
であり、その磁気特性は基板全体にわたり均質である。
【００１９】絶縁体である第１の磁性体基板１(以下、
Ｎi−Ｚnフェライト基板１という)の表面に、図２(d)，
図３(d)に示したような導体を埋め込むためのコイル溝
５を形成する。コイル溝５の形状は図１の(b)および(c)
に示した通りである。
Ｎi−Ｚnフェライト基板１という)の表面に、図２(d)，
図３(d)に示したような導体を埋め込むためのコイル溝
５を形成する。コイル溝５の形状は図１の(b)および(c)
に示した通りである。
【００２０】図２(a)，(b)および図３(a)，(b)に示すよ
うに、鏡面に加工したＮi−Ｚnフェライト基板１の表面
に、フォトレジスト６を10μmの厚さにスピンコートに
より均一に塗布する。次に、図２(c)，(d)および図３
(c)，(d)に示すように、仮加熱を行ってフォトレジスト
６を固着した後に露光する。露光時のフォトマスクとＮ
i−Ｚnフェライト基板１の距離および現像時間により、
成形されるコイルパターンが三角波状もしくは矩形波状
となり転写される。このコイルパターンが転写されたフ
ォトレジスト６を有するＮi−Ｚnフェライト基板１をイ
オンミーリング装置にセットして、Ｎi−Ｚnフェライト
基板１のフォトレジスト表面にイオンを照射することに
より、表面のエッチングを行う。Ｎi−Ｚnフェライト基
板１の表面にコイル溝５が形成される。
うに、鏡面に加工したＮi−Ｚnフェライト基板１の表面
に、フォトレジスト６を10μmの厚さにスピンコートに
より均一に塗布する。次に、図２(c)，(d)および図３
(c)，(d)に示すように、仮加熱を行ってフォトレジスト
６を固着した後に露光する。露光時のフォトマスクとＮ
i−Ｚnフェライト基板１の距離および現像時間により、
成形されるコイルパターンが三角波状もしくは矩形波状
となり転写される。このコイルパターンが転写されたフ
ォトレジスト６を有するＮi−Ｚnフェライト基板１をイ
オンミーリング装置にセットして、Ｎi−Ｚnフェライト
基板１のフォトレジスト表面にイオンを照射することに
より、表面のエッチングを行う。Ｎi−Ｚnフェライト基
板１の表面にコイル溝５が形成される。
【００２１】次に導体２を形成する。図２(e)，図３(e)
に示したように、コイル溝５が形成されたＮi−Ｚnフェ
ライト基板１の表面に導体をスパッタリング法により導
体スパッタ膜７を成膜した後に、表面をラップしてコイ
ル溝５以外の部分に付着した余分な導体を除去し、図２
(f)，図３(f)に示したように平面インダクターのコイル
溝５だけに導体２を残す。この導体２を形成したＮi−
Ｚnフェライト基板１の表面に、Ｎi−Ｚnフェライトの
インゴットから切り出し薄板状に加工し、さらに基板表
面を鏡面にした第２の磁性体基板３(以下、Ｎi−Ｚnフ
ェライト基板３という)を突合せ、コイル溝５の導体２
を覆うように樹脂接着剤で固定して図２(g)，図３(g)で
示したように平面インダクターを作成した。
に示したように、コイル溝５が形成されたＮi−Ｚnフェ
ライト基板１の表面に導体をスパッタリング法により導
体スパッタ膜７を成膜した後に、表面をラップしてコイ
ル溝５以外の部分に付着した余分な導体を除去し、図２
(f)，図３(f)に示したように平面インダクターのコイル
溝５だけに導体２を残す。この導体２を形成したＮi−
Ｚnフェライト基板１の表面に、Ｎi−Ｚnフェライトの
インゴットから切り出し薄板状に加工し、さらに基板表
面を鏡面にした第２の磁性体基板３(以下、Ｎi−Ｚnフ
ェライト基板３という)を突合せ、コイル溝５の導体２
を覆うように樹脂接着剤で固定して図２(g)，図３(g)で
示したように平面インダクターを作成した。
【００２２】次に、本発明と従来の各平面インダクター
によるインダクタンスＬの周波数特性図を図４(a)に、
品質係数Ｑの周波数特性図を図４(b)にそれぞれ示す。
本発明(実線図示)の平面インダクターのインダクタンス
Ｌの周波数特性は、従来(破線図示)の平面インダクター
のインダクタンスＬの周波数特性に比べ、高周波帯域ま
で劣化しなことが明らかである。また、周波数特性と同
様に、本発明の平面インダクターの品質係数Ｑの値が従
来の平面インダクターの品質係数Ｑの値に比べ、高い値
を示していることが分かる。
によるインダクタンスＬの周波数特性図を図４(a)に、
品質係数Ｑの周波数特性図を図４(b)にそれぞれ示す。
本発明(実線図示)の平面インダクターのインダクタンス
Ｌの周波数特性は、従来(破線図示)の平面インダクター
のインダクタンスＬの周波数特性に比べ、高周波帯域ま
で劣化しなことが明らかである。また、周波数特性と同
様に、本発明の平面インダクターの品質係数Ｑの値が従
来の平面インダクターの品質係数Ｑの値に比べ、高い値
を示していることが分かる。
【００２３】さらに、本発明と従来の平面インダクター
の良品率の比較を図５に示す。本発明の平面インダクタ
ーの良品率が従来の平面インダクターの良品率より、か
なり高い良品率を示している。本発明の場合、コイル溝
５の導体２に欠陥や亀裂が生じることがないため、コイ
ル溝５内に導体２を埋め込む際にラッピングを行っても
導体２の脱落がない。しかし、従来の平面インダクター
では、導体成膜時のシャドーイングのため導体内に亀裂
や欠陥があることで、ラッピングの際に亀裂や欠陥に沿
って導体の脱落が起き不良が発生する。
の良品率の比較を図５に示す。本発明の平面インダクタ
ーの良品率が従来の平面インダクターの良品率より、か
なり高い良品率を示している。本発明の場合、コイル溝
５の導体２に欠陥や亀裂が生じることがないため、コイ
ル溝５内に導体２を埋め込む際にラッピングを行っても
導体２の脱落がない。しかし、従来の平面インダクター
では、導体成膜時のシャドーイングのため導体内に亀裂
や欠陥があることで、ラッピングの際に亀裂や欠陥に沿
って導体の脱落が起き不良が発生する。
【００２４】なお、本実施例では導体２の形成にスパッ
タリング法を用いたが、導体２の形成はメッキ法，イオ
ンプレーティング法や蒸着法でも構わない。また、本実
施例では導体２にＣuを用いたが、導体２はＣu以外にも
Ａl，Ａgあるいはこれらの合金など、抵抗率の小さい金
属であれば何ら問題はない。
タリング法を用いたが、導体２の形成はメッキ法，イオ
ンプレーティング法や蒸着法でも構わない。また、本実
施例では導体２にＣuを用いたが、導体２はＣu以外にも
Ａl，Ａgあるいはこれらの合金など、抵抗率の小さい金
属であれば何ら問題はない。
【００２５】さらに、本実施例では第１，第２の磁性体
基板１，２に抵抗率の大きいＮi−Ｚiフェライトを用い
たが、第１，第２の磁性体基板１，２はＮi−Ｚiフェラ
イト以外でも、ダストコア等の抵抗率の大きい磁性体で
あれば何ら構わない。
基板１，２に抵抗率の大きいＮi−Ｚiフェライトを用い
たが、第１，第２の磁性体基板１，２はＮi−Ｚiフェラ
イト以外でも、ダストコア等の抵抗率の大きい磁性体で
あれば何ら構わない。
【００２６】また、マスクパターンが転写されたフォト
レジストを有するＮi−Ｚiフェライト基板１をイオンミ
ーリング法により基板表面に照射し、基板表面のエッチ
ングを行うことで、平面インダクターのコイル溝５を形
成したのであるが、イオンミーリング法は、エッチング
形状および寸法は精度良く作成することができるのであ
るが、エッチングレートが遅いという問題がある。そこ
で、ブラスターを用いて基板表面のエッチングを行い、
平面インダクターのコイル溝５を形成した。
レジストを有するＮi−Ｚiフェライト基板１をイオンミ
ーリング法により基板表面に照射し、基板表面のエッチ
ングを行うことで、平面インダクターのコイル溝５を形
成したのであるが、イオンミーリング法は、エッチング
形状および寸法は精度良く作成することができるのであ
るが、エッチングレートが遅いという問題がある。そこ
で、ブラスターを用いて基板表面のエッチングを行い、
平面インダクターのコイル溝５を形成した。
【００２７】ブラスターは、微小な研磨剤を被加工物に
吹き付けることでエッチングを行う方法であり、イオン
ミーリング法と比べて、効率良くコイル溝５の加工がで
きる。ブラスターを用いて基板表面のエッチングを行
い、平面インダクターのコイル溝５を形成したＮi−Ｚi
フェライト基板１に本実施例と同様にＣu導体を形成し
て平面インダクターを作成した。このときの平面インダ
クターのインダクタンスＬと周波数特性図を図６(a)
に、品質係数Ｑと周波数特性図を図６(b)に示す。平面
インダクターのインダクタンスの周波数特性は、前記実
施例のイオンミーリングを用いて作成した平面インダク
ターのインダクタンスの周波数特性と同様に、格段に延
びていることが分かる。また、本実施例の平面インダク
ターは、前記実施例の平面インダクターと同様に高い品
質係数を有していることが分かる。
吹き付けることでエッチングを行う方法であり、イオン
ミーリング法と比べて、効率良くコイル溝５の加工がで
きる。ブラスターを用いて基板表面のエッチングを行
い、平面インダクターのコイル溝５を形成したＮi−Ｚi
フェライト基板１に本実施例と同様にＣu導体を形成し
て平面インダクターを作成した。このときの平面インダ
クターのインダクタンスＬと周波数特性図を図６(a)
に、品質係数Ｑと周波数特性図を図６(b)に示す。平面
インダクターのインダクタンスの周波数特性は、前記実
施例のイオンミーリングを用いて作成した平面インダク
ターのインダクタンスの周波数特性と同様に、格段に延
びていることが分かる。また、本実施例の平面インダク
ターは、前記実施例の平面インダクターと同様に高い品
質係数を有していることが分かる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、絶縁体
である磁性体基板で、絶縁体である磁性体基板のコイル
溝に形成した導体を覆うように貼り付け固定した平面イ
ンダクターであり、コイル溝に埋め込まれた導体の断面
形状が逆三角形または逆台形であることにより、導体成
膜時に導体内に欠陥がないことで導体の脱落による加工
不良が発生しない。さらに、製作された平面インダクタ
ーの導体内に欠陥がないことで周波数特性に優れたイン
ダクタンスＬと、高い品質係数Ｑを有するインダクタン
ス素子を量産性良く製造することができる。したがっ
て、小型，薄型化ができる平面インダクターをインダク
ター素子として実用化でき、電子機器よりも小型軽量と
なる。
である磁性体基板で、絶縁体である磁性体基板のコイル
溝に形成した導体を覆うように貼り付け固定した平面イ
ンダクターであり、コイル溝に埋め込まれた導体の断面
形状が逆三角形または逆台形であることにより、導体成
膜時に導体内に欠陥がないことで導体の脱落による加工
不良が発生しない。さらに、製作された平面インダクタ
ーの導体内に欠陥がないことで周波数特性に優れたイン
ダクタンスＬと、高い品質係数Ｑを有するインダクタン
ス素子を量産性良く製造することができる。したがっ
て、小型，薄型化ができる平面インダクターをインダク
ター素子として実用化でき、電子機器よりも小型軽量と
なる。
【図１】本発明の一実施例における平面インダクターの
構造図を示し、(a)は平面図、(b)および(c)は(a)のＡ−
Ａ′断面図の各例を示す。
構造図を示し、(a)は平面図、(b)および(c)は(a)のＡ−
Ａ′断面図の各例を示す。
【図２】図１の平面インダクターの導体の断面が逆三角
形構造の製造方法の説明図である。
形構造の製造方法の説明図である。
【図３】図１の平面インダクターの導体の断面が逆台形
構造の製造方法の説明図である。
構造の製造方法の説明図である。
【図４】本発明と従来の平面インダクターによるインダ
クタンスＬの周波数特性図(a)および品質係数Ｑの周波
数特性図(b)である。
クタンスＬの周波数特性図(a)および品質係数Ｑの周波
数特性図(b)である。
【図５】本発明と従来の平面インダクターの加工完成品
での良品率の比較を示す図である。
での良品率の比較を示す図である。
【図６】本発明の他の実施例と従来の平面インダクター
によるインダクタンスＬと周波数特性図(a)と品質係数
Ｑの周波数特性図(b)である。
によるインダクタンスＬと周波数特性図(a)と品質係数
Ｑの周波数特性図(b)である。
【図７】従来の平面インダクターの構造図を示し、(a)
は平面図、(b)は(a)のＡ−Ａ′断面図である。
は平面図、(b)は(a)のＡ−Ａ′断面図である。
【図８】従来の他の平面インダクターの構造図を示し、
(a)は平面図、(b)は(a)のＡ−Ａ′断面図である。
(a)は平面図、(b)は(a)のＡ−Ａ′断面図である。
【図９】図８の平面インダクターの製造方法の説明図で
ある。
ある。
１…第１の磁性体基板(Ｎi−Ｚnフェライト基板)、 ２
…導体、 ３…第２の磁性体基板(Ｎi−Ｚnフェライト
基板)、 ４…電極、 ５…コイル溝、 ６…フォトレ
ジスト、 ７…導体スパッタ膜。
…導体、 ３…第２の磁性体基板(Ｎi−Ｚnフェライト
基板)、 ４…電極、 ５…コイル溝、 ６…フォトレ
ジスト、 ７…導体スパッタ膜。
Claims (6)
- 【請求項１】 所定形状のコイルパターンでコイル溝が
形成され、前記コイル溝に導体膜が形成された後に表面
が平坦化されて、当該コイル溝にのみ導体を形成してな
る絶縁体である第１の磁性体基板と、前記第１の磁性体
基板の導体を覆うように接着し固定した絶縁体である第
２の磁性体基板とからなることを特徴とする平面インダ
クター。 - 【請求項２】 前記絶縁体である第１の磁性体基板に形
成したコイル溝の断面形状が、逆三角形または逆台形で
あることを特徴とする請求項１記載の平面インダクタ
ー。 - 【請求項３】 前記絶縁体である第１の磁性体基板に所
定形状のコイルパターンでコイル溝を形成し、前記第１
の磁性体基板上に導体膜を成膜した後、前記第１の磁性
体基板の表面をラップ加工して平坦化し、コイル溝以外
の部分に付着した部分の導体を除去し、コイル溝にのみ
導体を形成し、前記導体を覆うように絶縁体である第２
の磁性体基板で接着し固定して成形したことを特徴とす
る平面インダクターの製造方法。 - 【請求項４】 前記絶縁体である第１の磁性体基板に形
成するコイル溝のコイルパターンが、フォトリソグラフ
ィによってなされ、前記コイルパターンであるフォトレ
ジストの形状が三角波状もしくは矩形波状に成形して製
作することを特徴とする請求項３記載の平面インダクタ
ーの製造方法。 - 【請求項５】 前記コイル溝をイオンミーリングによっ
て成形することを特徴とする請求項３記載の平面インダ
クターの製造方法。 - 【請求項６】 前記コイル溝をブラスターによって成形
することを特徴とする請求項３記載の平面インダクター
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16555793A JPH0722241A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 平面インダクターとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16555793A JPH0722241A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 平面インダクターとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722241A true JPH0722241A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15814630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16555793A Pending JPH0722241A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 平面インダクターとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722241A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005010899A1 (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-03 | Tdk Corporation | コイル部品及びその製造方法 |
| US7135952B2 (en) | 2002-09-16 | 2006-11-14 | Multi-Fineline Electronix, Inc. | Electronic transformer/inductor devices and methods for making same |
| US7178220B2 (en) | 2000-05-19 | 2007-02-20 | Multi-Fineline Electronix, Inc. | Method of making slotted core inductors and transformers |
| US7271697B2 (en) | 2004-12-07 | 2007-09-18 | Multi-Fineline Electronix | Miniature circuitry and inductive components and methods for manufacturing same |
| US7436282B2 (en) | 2004-12-07 | 2008-10-14 | Multi-Fineline Electronix, Inc. | Miniature circuitry and inductive components and methods for manufacturing same |
| JP2009049335A (ja) * | 2007-08-23 | 2009-03-05 | Sony Corp | インダクタおよびインダクタの製造方法 |
| US7645941B2 (en) | 2006-05-02 | 2010-01-12 | Multi-Fineline Electronix, Inc. | Shielded flexible circuits and methods for manufacturing same |
| US8284010B2 (en) | 2009-08-31 | 2012-10-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Inductor and DC-DC converter |
| CN106488654A (zh) * | 2015-08-27 | 2017-03-08 | 全亿大科技（佛山）有限公司 | 线圈载板的制造方法 |
| WO2019031220A1 (ja) * | 2017-08-07 | 2019-02-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | コモンモードノイズフィルタ |
-
1993
- 1993-07-05 JP JP16555793A patent/JPH0722241A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7178220B2 (en) | 2000-05-19 | 2007-02-20 | Multi-Fineline Electronix, Inc. | Method of making slotted core inductors and transformers |
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| US7696852B1 (en) | 2002-09-16 | 2010-04-13 | Multi-Fineline Electronix, Inc. | Electronic transformer/inductor devices and methods for making same |
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| US7656263B2 (en) | 2004-12-07 | 2010-02-02 | Multi-Fineline Electronix, Inc. | Miniature circuitry and inductive components and methods for manufacturing same |
| US7690110B2 (en) | 2004-12-07 | 2010-04-06 | Multi-Fineline Electronix, Inc. | Methods for manufacturing miniature circuitry and inductive components |
| US7271697B2 (en) | 2004-12-07 | 2007-09-18 | Multi-Fineline Electronix | Miniature circuitry and inductive components and methods for manufacturing same |
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| WO2019031220A1 (ja) * | 2017-08-07 | 2019-02-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | コモンモードノイズフィルタ |
| JPWO2019031220A1 (ja) * | 2017-08-07 | 2020-06-25 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | コモンモードノイズフィルタ |
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