JP2001518702A - 磁気回路の作動周波数を増大する方法及びその磁気回路 - Google Patents
磁気回路の作動周波数を増大する方法及びその磁気回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気回路の作動周波数を高める方法を提供することである。
【解決手段】 磁気回路の少なくとも一部に、該磁気回路の中線（６２，７４）に対して垂直なギャップ（３２，５２）を形成することを含むことを特徴とする磁気回路の作動周波数を増大するを特徴とする。
Description
【０００１】
本発明は、磁気回路の作動周波数を向上するための方法及びその磁気回路に関
するものである。 本発明は、磁気要素、特に誘導要素（典型的にはインダクタ、単層あるいは多
層のいずれか、同じチップに集積された基本要素のネットワークの一部の）の製
造、あるいは、変圧器、磁場センサー、あるいは、磁場、磁性記録ヘッド等に関
連した質を測定する装置の製造する。
するものである。 本発明は、磁気要素、特に誘導要素（典型的にはインダクタ、単層あるいは多
層のいずれか、同じチップに集積された基本要素のネットワークの一部の）の製
造、あるいは、変圧器、磁場センサー、あるいは、磁場、磁性記録ヘッド等に関
連した質を測定する装置の製造する。
【０００２】
誘導要素（インダクタ、変圧器、磁気ヘッドなど）においては、高透磁率磁気
回路によって磁束をある方向に向けることは有利である。なぜなら、これが、所
定のサイズのパフォーマンスの向上、あるいは所定のパフォーマンスに対するサ
イズの減少のいずれかを可能にするからである。
回路によって磁束をある方向に向けることは有利である。なぜなら、これが、所
定のサイズのパフォーマンスの向上、あるいは所定のパフォーマンスに対するサ
イズの減少のいずれかを可能にするからである。
【０００３】 巨視的な無線周波数要素において、磁気回路は一般に固体フェライトから成り
、一方、集積要素においては、フェロ磁性合金（通常、Fe-Ni）と絶縁材料の薄 膜の積層が非常に頻繁に使用される。このような集積回路の開発が多くの研究室
での積極的な研究を通して現在進行中である。
、一方、集積要素においては、フェロ磁性合金（通常、Fe-Ni）と絶縁材料の薄 膜の積層が非常に頻繁に使用される。このような集積回路の開発が多くの研究室
での積極的な研究を通して現在進行中である。
【０００４】 このような要素の小型化によって、特に伝播及び誘導電流現象を低減すること
によって作動周波数を増大することが可能になる。
によって作動周波数を増大することが可能になる。
【０００５】 薄膜型の絶縁体／合金複合体のパフォーマンスはフェライト要素のパフォーマ
ンスよりはるかに高く、無線周波数を十分超えた周波数での作動を考えることが
できるようになる。にもかかわらず、これらの材料は、基礎的な現象あるいは使
用される技術のいずれかに関係した固有の限界を有する。技術に関連した２つの
制限する現象は、スキン効果と寸法依存の共鳴である。いずれも、複合体の有効
透磁率を低減する効果及びその周波数応答を変更する効果を有する。
ンスよりはるかに高く、無線周波数を十分超えた周波数での作動を考えることが
できるようになる。にもかかわらず、これらの材料は、基礎的な現象あるいは使
用される技術のいずれかに関係した固有の限界を有する。技術に関連した２つの
制限する現象は、スキン効果と寸法依存の共鳴である。いずれも、複合体の有効
透磁率を低減する効果及びその周波数応答を変更する効果を有する。
【０００６】 最初の効果は、従来されてきたように、スキン深さよりはるかに小さいかある
いは同じオーダーのサイズを有する、積層した磁性層の厚さを選択することによ
って回避する（あるいは限定される）ことができる。例として、Fe-Ni合金の場 合、スキン厚さは１GHzで0.2μｍである。
いは同じオーダーのサイズを有する、積層した磁性層の厚さを選択することによ
って回避する（あるいは限定される）ことができる。例として、Fe-Ni合金の場 合、スキン厚さは１GHzで0.2μｍである。
【０００７】 寸法依存の共鳴（dimension resonance）に関係した第二の効果は、複合体内 の層に平行な方向への電磁波の伝搬に関連したものである。ある場合には、（パ
ッキングファクター（packing factor）に損害を与える）磁性層間の絶縁層を十
分な厚さに維持することによって、また、別の場合には、磁気回路あるいは磁気
コアの幅寸法を制限することによって、この第二の効果を制限することができる
。
ッキングファクター（packing factor）に損害を与える）磁性層間の絶縁層を十
分な厚さに維持することによって、また、別の場合には、磁気回路あるいは磁気
コアの幅寸法を制限することによって、この第二の効果を制限することができる
。
【０００８】 そのため、１GHzの周波数に対しては、Fe-Ni磁気回路あるいは磁性コアの幅は
、集積とちょうど両立し得る条件として、700μｍよりはるかに小さくあるべき である。
、集積とちょうど両立し得る条件として、700μｍよりはるかに小さくあるべき である。
【０００９】 技術に関係しないものでかつより根本的な他の制限は、磁気回転共鳴（gyroma
gneticresonance）の現象である。この共鳴周波数は、周知のように、使用可能 な周波数範囲における上限となるものである。この共鳴周波数以下の周波数では
、相対透磁率は実用的には一定であり、かつその静的な値（static value）に等
しい。所定の組成の合金において、簡単な熱処理によって透磁率及び共鳴周波数
を変えることが可能であることは周知である。そのため、地磁気共鳴による制限
は周波数だけでは表せない。所定の組成の合金に対する積μ2・ｆr 2 （ここで 、μ2及びｆrはそれぞれ透磁率の静的な値、地磁気共鳴周波数である）が、堆積
後の処理を通してμ2及びｆrを同時に変更するときには一定であることを示すこ
とができる。この積は、組成にだけ依存する材料に対する標準感度となる。この
積が実用上合金の自発的磁性にだけ依存することを示すことができる。Fe-Ni合 金に対しては： μ2・ｆr 2＝1300 GHz2 である。 占積率ηの複合体に対しては、単純に： μ2・ｆr 2＝η・1300 GHz2 である。 このような関係の存在は、μ2とｆrを独立に変更できないことを示している。
gneticresonance）の現象である。この共鳴周波数は、周知のように、使用可能 な周波数範囲における上限となるものである。この共鳴周波数以下の周波数では
、相対透磁率は実用的には一定であり、かつその静的な値（static value）に等
しい。所定の組成の合金において、簡単な熱処理によって透磁率及び共鳴周波数
を変えることが可能であることは周知である。そのため、地磁気共鳴による制限
は周波数だけでは表せない。所定の組成の合金に対する積μ2・ｆr 2 （ここで 、μ2及びｆrはそれぞれ透磁率の静的な値、地磁気共鳴周波数である）が、堆積
後の処理を通してμ2及びｆrを同時に変更するときには一定であることを示すこ
とができる。この積は、組成にだけ依存する材料に対する標準感度となる。この
積が実用上合金の自発的磁性にだけ依存することを示すことができる。Fe-Ni合 金に対しては： μ2・ｆr 2＝1300 GHz2 である。 占積率ηの複合体に対しては、単純に： μ2・ｆr 2＝η・1300 GHz2 である。 このような関係の存在は、μ2とｆrを独立に変更できないことを示している。
【００１０】 特に、非常に高めの周波数での作動には透磁率の減少が必要となる。
【００１１】 所定の作動周波数に対しては、一般に、共鳴周波数がｆより十分高い値である
ように材料に条件を設ける試みがなされた。これは、材料が念頭にある応用に適
用可能であることを仮定している。しかし、この技術は欠点がある：素子の製造
工程の互換性が保証されていなく、どんな場合においても、得られる変動は小さ
いままであることである。
ように材料に条件を設ける試みがなされた。これは、材料が念頭にある応用に適
用可能であることを仮定している。しかし、この技術は欠点がある：素子の製造
工程の互換性が保証されていなく、どんな場合においても、得られる変動は小さ
いままであることである。
【００１２】 本発明の目的は、これらの欠点を克服することである。
【００１３】
本発明は、磁気回路の作動周波数を増大することを含んでいる。磁気回路の作
動周波数の向上は、高めの周波数レベルに引き上げるまで少なくとも最も限定的
な現象を意味する。この現象には、特に地磁気共鳴、スキン効果、寸法依存共鳴
等である。
動周波数の向上は、高めの周波数レベルに引き上げるまで少なくとも最も限定的
な現象を意味する。この現象には、特に地磁気共鳴、スキン効果、寸法依存共鳴
等である。
【００１４】 このため、本発明では、回路に場の方向に対して垂直な、すなわち、回路の中
線（median line）に対して垂直なギャップを導入する。このギャップは、材料 において高めの有効な反磁場を形成する。透磁率は、回路全体の形状あるいは磁
性材料を変更することなく低下させられる。例えば、（既に少なくとも一つの空
気ギャップがある）磁性記録ヘッドの場合には、ギャップは、磁性材料の周波数
許容範囲（frequency tolerance）を拡大するため、回路の残部に付加すること ができる。中線の磁束に対して（従って、場の方向における磁気回路の中線に対
して）垂直なギャップが大きいほど、反磁場は大きくなり、かつ回路の透磁率は
低下する。これによって、同程度に周波数許容範囲が改善される。磁気回路カッ
トオフ周波数が一組の仕様に適用可能であり、所定の材料を用いてこの周波数範
囲に対して最良の可能な透磁率を得られる。
線（median line）に対して垂直なギャップを導入する。このギャップは、材料 において高めの有効な反磁場を形成する。透磁率は、回路全体の形状あるいは磁
性材料を変更することなく低下させられる。例えば、（既に少なくとも一つの空
気ギャップがある）磁性記録ヘッドの場合には、ギャップは、磁性材料の周波数
許容範囲（frequency tolerance）を拡大するため、回路の残部に付加すること ができる。中線の磁束に対して（従って、場の方向における磁気回路の中線に対
して）垂直なギャップが大きいほど、反磁場は大きくなり、かつ回路の透磁率は
低下する。これによって、同程度に周波数許容範囲が改善される。磁気回路カッ
トオフ周波数が一組の仕様に適用可能であり、所定の材料を用いてこの周波数範
囲に対して最良の可能な透磁率を得られる。
【００１５】 磁性要素において、損失を最小にするために、磁気回路の透磁率をを最大にす
る試みが時々行われていることを強調することができる。そのため、先に指摘し
た、透磁率と共鳴周波数の積が所定の材料に対して一定であるという関係によっ
て、材料の有効透磁率が高いほど、地磁気共鳴周波数が低くなる；これが、要素
の作動周波数範囲を制限する。この制限は、（特に携帯電話に対して有効な）集
積ＨＦインダクタ、ＨＦ変圧器、ＨＦ磁気記録ヘッド等のような高周波数応用に
対して障害となりうる。
る試みが時々行われていることを強調することができる。そのため、先に指摘し
た、透磁率と共鳴周波数の積が所定の材料に対して一定であるという関係によっ
て、材料の有効透磁率が高いほど、地磁気共鳴周波数が低くなる；これが、要素
の作動周波数範囲を制限する。この制限は、（特に携帯電話に対して有効な）集
積ＨＦインダクタ、ＨＦ変圧器、ＨＦ磁気記録ヘッド等のような高周波数応用に
対して障害となりうる。
【００１６】 本発明は、逆に透磁率の低下を提唱することによってこれらの傾向に反対の方
向を指向するものである。
向を指向するものである。
【００１７】 詳細には、本発明の目的は、磁気回路の作動周波数を高める方法を提供するこ
とである。この方法とは、この回路の少なくとも一部に、磁気回路の中線に対し
て垂直なギャップを形成することを含むことを特徴とするものである。
とである。この方法とは、この回路の少なくとも一部に、磁気回路の中線に対し
て垂直なギャップを形成することを含むことを特徴とするものである。
【００１８】 製造における有利な方法の一つは、ギャップは平行面に形成することである。
【００１９】 製造における有利な方法の一つは、あるピッチである幅を伴って等間隔のギャ
ップを形成することである。
ップを形成することである。
【００２０】 本発明の目的は、磁気回路の少なくとも一部に、磁気回路の中線に対して垂直
でかつ平行面に配置したギャップを形成されたことを特徴とする磁気回路を提供
することでもある。
でかつ平行面に配置したギャップを形成されたことを特徴とする磁気回路を提供
することでもある。
【００２１】 有利な変形例において、これらのギャップは等間隔に配置される。
【００２２】 本発明は、多くの利点を有する： ａ）本発明は、同時に最良の可能な透磁率を維持しながら、コアあるいは磁気回
路の作動周波数範囲と構成要素の作動周波数範囲とを調整する手段を提供する。
実際、同じ磁性材料を用いながら、特に地磁気共鳴周波数と他の特性周波数とが
構成要素の仕様に合致するように、このギャップに対してギャップサイズと間隔
とを選択することが可能である。磁性材料あるいは所望の各周波数範囲に対する
磁気回路の形状のいずれかを変える代わりに、各ペア（材料、回路形状）に対し
て広範囲の可能周波数を有すること可能である。 ｂ）本発明は、回路製造プロセスと十分に互換性がある。 ｃ）本発明は、磁気回路の要素の巨視的な形状を変えない。 ｄ）本発明は、異なる作動周波数を有する要素を作るために同じ磁性材料を用い
る手段を提供する。
路の作動周波数範囲と構成要素の作動周波数範囲とを調整する手段を提供する。
実際、同じ磁性材料を用いながら、特に地磁気共鳴周波数と他の特性周波数とが
構成要素の仕様に合致するように、このギャップに対してギャップサイズと間隔
とを選択することが可能である。磁性材料あるいは所望の各周波数範囲に対する
磁気回路の形状のいずれかを変える代わりに、各ペア（材料、回路形状）に対し
て広範囲の可能周波数を有すること可能である。 ｂ）本発明は、回路製造プロセスと十分に互換性がある。 ｃ）本発明は、磁気回路の要素の巨視的な形状を変えない。 ｄ）本発明は、異なる作動周波数を有する要素を作るために同じ磁性材料を用い
る手段を提供する。
【００２３】 固有透磁率μ（静的な値μs）の材料から成り、かつ、間隔（ｐ）を有する磁 気回路の中線の方向に作った幅（ｅ）のギャップだけの一定間隔で分離した磁性
層を製造することは、有効透磁率μe（静的な値μes）から成る材料の層を人工 的に製造することと等しい。ここでは、以下のような式が成り立つ： １／μes＝（１／μs）＋（ｅ／ｐ）
層を製造することは、有効透磁率μe（静的な値μes）から成る材料の層を人工 的に製造することと等しい。ここでは、以下のような式が成り立つ： １／μes＝（１／μs）＋（ｅ／ｐ）
【００２４】 （ｅ／ｐ）が増加するときは、１／μesが増加し、それに対応してμesが減少
する。μesの減少は、以下の関係に従って、共鳴周波数の相関的増大を伴う： μes・ｆr 2 ＝Ｃ ここで、Ｃは定数である。
する。μesの減少は、以下の関係に従って、共鳴周波数の相関的増大を伴う： μes・ｆr 2 ＝Ｃ ここで、Ｃは定数である。
【００２５】 所望の周波数ｆrに対して、材料の定数Ｃ及びμsを知ると、得るべき透磁率μ es を計算すること、及び、１／μes＝（１／μs）＋（ｅ／ｐ）を満足する幅− ピッチのペア（ｅ／ｐ）を見つけることが可能である。対応する寸法及び間隔を
有するギャップをを備えた回路は、ｆrに達する周波数許容範囲を有する。
有するギャップをを備えた回路は、ｆrに達する周波数許容範囲を有する。
【００２６】 先の方程式は、実際にはかなり近似的であり、それ自体が磁場領域としてやや
精密さに欠く透磁率の概念にアプローチするものである。より高い精密さを得る
ために、考慮される各磁性材料に対して、変更可能な寸法と間隔を有するギャッ
プを備えた実験的素子を作って磁気回路の周波数許容範囲を測定し、最終的な最
適構成を採用することも可能である。
精密さに欠く透磁率の概念にアプローチするものである。より高い精密さを得る
ために、考慮される各磁性材料に対して、変更可能な寸法と間隔を有するギャッ
プを備えた実験的素子を作って磁気回路の周波数許容範囲を測定し、最終的な最
適構成を採用することも可能である。
【００２７】
本発明は、多層の回路とともに単層の回路に適用される。図１は、例えば、鉄
−ニッケルと窒化シリコンとの複合体に対するｅ／ｐに対するカットオフ周波数
ｆcの変化を示している。この場合、透磁率μsと周波数ｆrとを関連づける関係 が、μs・ｆr2 ＝1300 (GHz)2 である。
−ニッケルと窒化シリコンとの複合体に対するｅ／ｐに対するカットオフ周波数
ｆcの変化を示している。この場合、透磁率μsと周波数ｆrとを関連づける関係 が、μs・ｆr2 ＝1300 (GHz)2 である。
【００２８】 ギャップがないときは、周波数ｆrはギガヘルツよりわずかに低く、かつ、幅 がピッチの10分の1のオーダー（＝１０-1）のギャップに対しては略10GHzまで上
昇する。
昇する。
【００２９】 もっと大まかに言うと、等間隔ギャップの、スキン効果と寸法依存共鳴とに関
係した他の２つの特性周波数についての影響を評価することも可能である。その
ため、等間隔のギャップを有して、磁気回路の長さ方向全体にわたって規則的に
ギャップが配置しているどんな形状の磁気回路においても、方程式１／μes＝（
１／μs）＋（ｅ／ｐ）によって定義した有効透磁率が局所的な側面を持つと考 える ことができる。スキン効果と寸法依存共鳴とによって考慮された２つの制限周波
数に対して、それぞれ、 √μs／μes、及びμs／μesを乗じる。
係した他の２つの特性周波数についての影響を評価することも可能である。その
ため、等間隔のギャップを有して、磁気回路の長さ方向全体にわたって規則的に
ギャップが配置しているどんな形状の磁気回路においても、方程式１／μes＝（
１／μs）＋（ｅ／ｐ）によって定義した有効透磁率が局所的な側面を持つと考 える ことができる。スキン効果と寸法依存共鳴とによって考慮された２つの制限周波
数に対して、それぞれ、 √μs／μes、及びμs／μesを乗じる。
【００３０】 これら全てを考慮すると、多層材料（薄層状の）材料に対して、溝が層全体に
わたって形成されることを仮定している。
わたって形成されることを仮定している。
【００３１】 図２（ａ）から図２（ｅ）までは、基板に埋め込む磁性層の形成工程の５段階
を示している。この例では、磁性層は、仏国特許第2 745 111号公開公報に記載 したような垂直埋め込みコイル型の磁性ヘッドに属する磁気回路の一部である。
さらに、この磁性層は多層であり、これらの図において様々な層の厚さは同じス
ケールではない。
を示している。この例では、磁性層は、仏国特許第2 745 111号公開公報に記載 したような垂直埋め込みコイル型の磁性ヘッドに属する磁気回路の一部である。
さらに、この磁性層は多層であり、これらの図において様々な層の厚さは同じス
ケールではない。
【００３２】 この工程では、例えばシリコンから成る基板（図２）を使って始める。この基
板上に、数μｍの絶縁材料、例えば、シリカから成る厚い層１２を堆積する。次
に、この層１２を等間隔の開口を有するマスクによって食刻する。それによって
、壁１６によって分離されたピット４が得られた（図２（ｂ））。この壁の厚さ
が、この後に形成されるギャップの幅ｅを決め、かつ、その間隔がそのギャップ
のピッチｐを決める。
板上に、数μｍの絶縁材料、例えば、シリカから成る厚い層１２を堆積する。次
に、この層１２を等間隔の開口を有するマスクによって食刻する。それによって
、壁１６によって分離されたピット４が得られた（図２（ｂ））。この壁の厚さ
が、この後に形成されるギャップの幅ｅを決め、かつ、その間隔がそのギャップ
のピッチｐを決める。
【００３３】 次に、例えば、Fe-Niを用いてスパッタリングすることによってアンダーコー ト２０を全面に堆積し（図２（ｃ））、次に、樹脂マスク２２を形成して、ギャ
ップによって分離された磁性層を形成する予定の領域を清掃する。
ップによって分離された磁性層を形成する予定の領域を清掃する。
【００３４】 次に、例えば、アンダーコート２０にFe-Niを電界成長させることによって磁 性層２４を堆積する（図２（ｄ））。次に、樹脂を鈍くし（dull)、必要なら全 面をアニールし、絶縁材料２６，例えばSi3N4を堆積する。
【００３５】 この形成方法の例では、アンダーコート２０を堆積し、マスキングし、磁性材
料２４を堆積し、樹脂を鈍くし、絶縁層２６を堆積する処理は何度も繰り返され
、非磁性層により分離された磁性層の積層から成る磁気回路を得る。ここで、第
２の磁性層は、絶縁層により被覆される必要はない。
料２４を堆積し、樹脂を鈍くし、絶縁層２６を堆積する処理は何度も繰り返され
、非磁性層により分離された磁性層の積層から成る磁気回路を得る。ここで、第
２の磁性層は、絶縁層により被覆される必要はない。
【００３６】 形成された積層は、次に機械研磨あるいは機械化学研磨によって平坦化する（
図２（ｅ））。そして、ギャップ３２によって互いに分離された一組の磁性スラ
ブ３０を得る。
図２（ｅ））。そして、ギャップ３２によって互いに分離された一組の磁性スラ
ブ３０を得る。
【００３７】 単層磁気回路の場合には、第１の磁性層２４をアンダーコート２０上に、例え
ば電解的に、ピットを充填する高さまで成長させる。鈍くした後、図２（ｅ）で
示したように平坦化を実施する。
ば電解的に、ピットを充填する高さまで成長させる。鈍くした後、図２（ｅ）で
示したように平坦化を実施する。
【００３８】 図３（ａ）から図３（ｃ）は、本発明に含まれた工程を行う他の方法を図示す
るものである。図３（ａ）では、（例えばシリコンから成る）基板４０を使って
始め、この基板上に（例えば、SiO2から成る）絶縁層４２を堆積する。次に、磁
性層４４と絶縁層４６の交互積層を形成する（図３（ｂ））。磁性層はスパッタ
リングによって堆積することができる。絶縁層はSi3N4から成るようにでき、ス パッタリングによって堆積することができる。次に、樹脂マスク４８を開口５０
とともに形成する。
るものである。図３（ａ）では、（例えばシリコンから成る）基板４０を使って
始め、この基板上に（例えば、SiO2から成る）絶縁層４２を堆積する。次に、磁
性層４４と絶縁層４６の交互積層を形成する（図３（ｂ））。磁性層はスパッタ
リングによって堆積することができる。絶縁層はSi3N4から成るようにでき、ス パッタリングによって堆積することができる。次に、樹脂マスク４８を開口５０
とともに形成する。
【００３９】 最後に、食刻処理によって（図３（ｃ））、ギャップ５２を多層積層で形成す
る。
る。
【００４０】 前の場合のように、単層磁性材料を生成するために、この製造の変形例を用い
ることができる。
ることができる。
【００４１】 図４は、本発明により定義される磁気回路の例を示している。これには、中線
６２が円であるトロイド６０を含んでいる。この回路は、この中線に対して垂直
なギャップ６４を有する。このギャップの面は、電流が回路内を流れるときには
、360°回転する。巻線６６も示している。
６２が円であるトロイド６０を含んでいる。この回路は、この中線に対して垂直
なギャップ６４を有する。このギャップの面は、電流が回路内を流れるときには
、360°回転する。巻線６６も示している。
【００４２】 図５は、磁気回路の他の例であり、磁性ピックアップヘッドに対応する。この
回路７０は、エアーギャップ７２を形成するように、丸い背面部と内側に曲がっ
た２つのサイド枝部とを示している。中線７４は、背面部ではほぼ環状であり、
両サイドで内側に曲がっている。ギャップ７６は、この中線に垂直である。回路
は導電性巻線７８を伴って完成し、磁性的な形でデータを運ぶ磁性表面８０に対
向して配置している。
回路７０は、エアーギャップ７２を形成するように、丸い背面部と内側に曲がっ
た２つのサイド枝部とを示している。中線７４は、背面部ではほぼ環状であり、
両サイドで内側に曲がっている。ギャップ７６は、この中線に垂直である。回路
は導電性巻線７８を伴って完成し、磁性的な形でデータを運ぶ磁性表面８０に対
向して配置している。
【００４３】 これらの例を通して、ギャップは回路全体にわたって同じ方向を向いている必
要がないことを理解することができる。この方向は、ある点とある点で異なって
いてもよい。この方向は、回路の中線、従って、回路によってある方向へ向けら
れた磁束の方向に依存する。
要がないことを理解することができる。この方向は、ある点とある点で異なって
いてもよい。この方向は、回路の中線、従って、回路によってある方向へ向けら
れた磁束の方向に依存する。
【図１】 ギャップのピッチ（ｐ）に対する幅（ｅ）の比（ｅ／Ｐ）に対 する地磁気共鳴周波数ｆrの変化を示している。
【図２】 （ａ）本発明の第一の実施形態に対する磁気回路の製造段階の 一部を示す図である。（ｂ）（ａ）に示した段階の次の段階を示す図である。（
ｃ）（ｂ）に示した段階の次の段階を示す図である。（ｄ）（ｃ）に示した段階
の次の段階を示す図である。（ｅ）（ｄ）に示した段階の次の段階を示す図であ
る。
ｃ）（ｂ）に示した段階の次の段階を示す図である。（ｄ）（ｃ）に示した段階
の次の段階を示す図である。（ｅ）（ｄ）に示した段階の次の段階を示す図であ
る。
【図３】 （ａ）本発明の第二の実施形態に対する磁気回路の製造段階の 一部を示す図である。（ｂ）に示した段階の次の段階を示す図である。（ｃ）に
示した段階の次の段階を示す図である。
示した段階の次の段階を示す図である。
【図４】 本発明による磁気回路の例であって、トロイド形状のものを示 す図である。
【図５】 本発明による磁気回路の他の例であって、磁気ピックアップヘ ッドに適用されるものを示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E049 AA07 AA09 AC05 BA11 BA30 CB02 5E062 DD01 5E070 AA01 AA19 AB01 AB07 BA20 BB01
Claims (7)
- 【請求項１】 磁気回路の少なくとも一部に、該磁気回路の中線（６２， ７４）に対して垂直なギャップ（３２，５２）を形成することを含むことを特徴
とする磁気回路の作動周波数を増大する方法。 - 【請求項２】 前記ギャップが平行面に形成されている請求項１に記載の 磁気回路の作動周波数を増大する方法。
- 【請求項３】 前記ギャップ（３２，５２）が、所定のピッチ（ｐ）と所 定の幅（ｅ）とを有する規則的な間隔で形成されている請求項１に記載の磁気回
路の作動周波数を増大する方法。 - 【請求項４】 磁気回路の少なくとも一部に、該磁気回路（６０，７０） の中線（６２，７４）に対して垂直なギャップ（３２，５２）を有することを特
徴とする磁気回路。 - 【請求項５】 前記ギャップ３２，５２）が、規則的な間隔で形成されて いる請求項４に記載の磁気回路。
- 【請求項６】 前記ギャップを有する回路の一部が、磁性材料の単層によ って形成されている請求項４または請求項５に記載の磁気回路。
- 【請求項７】 前記ギャップを有する回路の一部が、磁性層（４４）と絶 縁層（４６）との交互の積層によって形成されている請求項４または請求項５に
記載の磁気回路。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR97/12080 | 1997-09-29 | ||
| FR9712080A FR2769122B1 (fr) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | Procede pour augmenter la frequence de fonctionnement d'un circuit magnetique et circuit magnetique correspondant |
| PCT/FR1998/002069 WO1999017319A1 (fr) | 1997-09-29 | 1998-09-28 | Procede pour augmenter la frequence de fonctionnement d'un circuit magnetique et circuit magnetique correspondant |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001518702A true JP2001518702A (ja) | 2001-10-16 |
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|---|---|---|---|
| JP2000514294A Pending JP2001518702A (ja) | 1997-09-29 | 1998-09-28 | 磁気回路の作動周波数を増大する方法及びその磁気回路 |
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| WO (1) | WO1999017319A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002050520A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-02-15 | Memscap | マイクロインダクタあるいはマイクロトランスタイプのマイクロ要素 |
| JP2002158112A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-05-31 | Memscap | 微小インダクタや微小変圧器といったタイプの微小素子 |
| JP2010182875A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | コモンモードチョークコイルおよびノイズフィルタ |
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| US7782659B2 (en) * | 2007-05-10 | 2010-08-24 | Macronix International Co., Ltd. | Magnetic memory and memory cell thereof and method of manufacturing the memory cell |
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| FR2450462A1 (fr) * | 1979-02-27 | 1980-09-26 | Thomson Csf | Magnetometre a ondes magnetostatiques |
| FR2620853B1 (fr) * | 1987-09-18 | 1989-12-01 | Commissariat Energie Atomique | Materiau magnetique composite et son procede de fabrication |
| US5070317A (en) * | 1989-01-17 | 1991-12-03 | Bhagat Jayant K | Miniature inductor for integrated circuits and devices |
| JPH03238804A (ja) * | 1990-02-15 | 1991-10-24 | Nec Corp | マイクロ波用インダクタンス素子 |
| US5165162A (en) * | 1990-12-24 | 1992-11-24 | General Electric Company | Method for making a segmented toroidal inductor |
| JPH04359518A (ja) * | 1991-06-06 | 1992-12-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0562123A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 複合型磁気ヘツドの製造方法 |
| US5376912A (en) * | 1992-03-12 | 1994-12-27 | Casagrande; Serge | Combined transformer and inductor |
| FR2724482B1 (fr) * | 1994-09-13 | 1996-12-06 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique a magnetoresistance multicouche longitudinale sous-jacente |
| JP3346124B2 (ja) * | 1994-10-04 | 2002-11-18 | 松下電器産業株式会社 | 転写導体の製造方法およびグリーンシート積層体の製造方法 |
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| JPH0974016A (ja) * | 1995-09-05 | 1997-03-18 | Res Inst Electric Magnetic Alloys | 高周波低損失磁性薄膜 |
| US6030877A (en) * | 1997-10-06 | 2000-02-29 | Industrial Technology Research Institute | Electroless gold plating method for forming inductor structures |
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-
1997
- 1997-09-29 FR FR9712080A patent/FR2769122B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-09-22 US US09/508,692 patent/US6940383B2/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-09-28 DE DE69828073T patent/DE69828073T2/de not_active Expired - Lifetime
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- 1998-09-28 EP EP98945384A patent/EP1019927B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-28 JP JP2000514294A patent/JP2001518702A/ja active Pending
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