JP3195106B2

JP3195106B2 - 平面型磁気素子の製造方法

Info

Publication number: JP3195106B2
Application number: JP04300893A
Authority: JP
Inventors: 徹彦溝口; 厚仁澤邊; ひろみ福家; 敏郎佐藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1992-03-04
Filing date: 1993-03-03
Publication date: 2001-08-06
Anticipated expiration: 2016-08-06
Also published as: JPH0613256A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は超小型薄型の平面インダ
クタ、平面トランスなどの平面型磁気素子の製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、各種電子機器の小型化が盛んに進
められ、これに伴って機器全体に占める電源の容積比率
は増大する傾向にある。これは、各種の回路がＬＳＩ化
される一方で、電源部に必須の回路要素であるインダク
タンスやトランスなどのインダクタンス素子の小型軽量
化が遅れているためである。

【０００３】そこで、これらインダクタンス素子を平面
型にして小型化するための種々の試みがなされている。
例えば、平面インダクタとしては、ポリイミドなどの絶
縁基板上に導体膜を形成した後、湿式エッチング法でパ
ターニングして形成されたスパイラル平面コイル上に絶
縁層を載せ、さらにこれらの両面をフェライト板やアモ
ルファス合金箔などの磁性体で挟んだ構造のものが知ら
れている。同様に、平面型トランスとしては、絶縁層を
介して１次側のスパイラルコイルと２次側のスパイラル
コイルとを形成し、これらの両面を絶縁層で挟み、さら
にこれらの両面を磁性体で挟んだ構造のものが知られて
いる。

【０００４】また、半導体装置の製造に用いられるのと
同様な薄膜プロセスのみを用いて平面型磁気素子を製造
しようとする試みもある。例えば、平面インダクタは以
下のようにして製造される。Ｓｉ基板表面に、下地絶縁
膜、磁性膜、および層間絶縁膜を順次成膜する。この層
間絶縁膜上に導体膜を形成した後、例えばフォトリソグ
ラフィーにより平面コイルを形成する。平面コイルの線
間を埋め上面を覆う層間絶縁膜、および磁性膜を順次成
膜する。さらに、磁性膜の加工、磁界中熱処理、特性評
価を行った後、ダイシングする。

【０００５】また、平面トランスは以下のようにして製
造される。Ｓｉ基板表面に、下地絶縁膜、磁性膜、およ
び層間絶縁膜を順次成膜する。この層間絶縁膜上に導体
膜を形成した後、例えばフォトリソグラフィーにより１
次側の平面コイルを形成する。１次側の平面コイルの線
間を埋め上面を覆う層間絶縁膜を成膜する。この層間絶
縁膜上に導体膜を形成した後、例えばフォトリソグラフ
ィーにより２次側の平面コイルを形成する。２次側の平
面コイルの線間を埋め上面を覆う層間絶縁膜、および磁
性膜を順次成膜する。さらに、磁性膜の加工、磁界中熱
処理、特性評価を行った後、ダイシングする。しかし、
従来の方法には以下に示すように多くの欠点があるた
め、平面型磁気素子の製造は実用化されていない。

【０００６】第１に、薄膜プロセスを用いた平面型磁気
素子の製造では、薄膜の積層に伴う温度履歴により発生
する応力を緩和する技術、およびコイルの線間の絶縁を
確保できる絶縁物埋め込み技術などが確立されていな
い。このため、製造されるインダクタンス素子の歩留ま
りが低下し、製品コストの上昇を招く。また、このよう
な方法で製造された平面型磁気素子では、内部に応力が
残留しているため、いわゆる逆磁歪効果によって磁気異
方性分散が発生する。この結果、高周波損失が増加し、
インダクタンス素子としての品質係数Ｑが小さくなり、
実用に供することができなくなる。

【０００７】第２に、ポリイミドなどの絶縁基板上で導
体膜をパターニングして形成した平面コイルと、アモル
ファス合金箔やフェライト板などの磁性膜を用いる方法
では、厚みの減少およびサイズの微細化に限界があり、
コイルの線間の間隔を小さくできないためにインダクタ
ンスが劣化し、Ｑ値が小さくなるという欠点がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
方法で製造された平面型磁気素子は、小型化に必須の動
作周波数の高周波化に対応できないという問題があっ
た。本発明は、コストパフォーマンスに優れた超小型薄
型の平面型磁気素子を簡便に製造できる方法を提供する
ことを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の平面型磁気素子
の製造方法は、第１の基板上のチップとして区画される
領域にそれぞれ平面コイルを形成する工程と、第２の基
板上に磁性膜を形成し、かつ前記第１の基板上に形成さ
れる平面コイルの端子に対応してスルーホールを形成す
る工程と、前記第１の基板上の平面コイルと前記第２の
基板上の磁性膜とを互いに面するように配置し絶縁膜を
介して互いに密着させる工程と、前記第１および第２の
基板をダイシングしてチップ状の平面型磁気素子を形成
する工程とを具備したことを特徴とする。

【００１０】本発明において、平面コイルのパターンと
しては、スパイラルパターン、ミアンダーパターンな
ど、各種のパターンが利用可能である。ただし、インダ
クタンスを向上させるには、スパイラルパターンが最も
適している。

【００１１】これらの平面コイルは、以下のような方法
により形成できる。（１）基板上に薄膜プロセスにより
導体膜を形成し、微細加工技術によりパターニングして
形成する。なお、平面コイルの両面が磁性膜で挟まれた
素子を製造する場合には、平面コイルを形成する側の基
板上に磁性膜および絶縁膜を形成した後、前記と同様に
平面コイルを形成してもよい。（２）ポリイミドなどの
絶縁基板上に導体膜を形成した後、湿式エッチング法で
パターニングして形成する。（３）銅箔と絶縁層とを重
ね合わせ、ロール状に巻いた後、スライスする。

【００１２】また、平面コイルの数は用途に応じて様々
に選択できる。複数の平面コイルを用いる場合、これら
の配置関係は、特に限定されない。例えば、全ての平面
コイルを積層する、一部の平面コイルを積層し残りの平
面コイルを横並びに配置する、全ての平面コイルを横並
びに配置する、など随意に選択できる。複数の平面コイ
ルを用いる場合には、上記製法のうち１種または２種以
上を用いて作製する。

【００１３】本発明においては、平面コイルと別に、基
板上に磁性膜を形成する。基板は、用途に応じて、多結
晶絶縁基板、単結晶絶縁基板、ガラスなどのアモルファ
ス材料、Ａｌ₂Ｏ₃やＡｌＮなどのセラミックス材料な
どが選択される。具体的には、ＳｉやＧａＡｓなどの半
導体用基板、ＳｉＯ₂やＭｇＯなどの酸化物基板などが
用いられる。磁性膜は、用途に応じて、高周波での磁性
体損失の少ないアモルファス合金膜、飽和磁化の大きい
Ｆｅ系磁性膜、２種以上の磁性膜を積層した多層膜、磁
性膜と絶縁膜とを積層した多層膜、３Ｔに近い磁化を有
するＦｅ₈Ｎエピタキシャル膜、磁化は小さいが高周波
特性に優れた酸化物磁性膜（フェライト膜など）などが
用いられる。

【００１４】これらの磁性膜は、そのまま利用してもよ
いし、熱処理により保磁力を低減してもよい。また、以
下に示すような各種の方法で、磁気異方性を制御しても
よい。（１）基板材料として単結晶材料を用い、基板と
のエピタキシャル成長を利用して単結晶磁性膜を形成
し、磁性膜に結晶磁気異方性を付与する。（２）基板上
にアモルファス合金膜を形成し、磁界中アニールによる
誘導磁気異方性を導入する。（３）磁性膜にエネルギー
ビームを（例えばレーザなどのフォトンビームあるいは
イオンビームなどの粒子ビーム）照射することにより、
磁性膜に磁気異方性を導入する。

【００１５】本発明においては、このようにして磁性膜
が形成された基板を、平面コイルに磁性膜側を対向させ
て、前述した平面コイルの少なくとも一方の面（両面で
もよい）に密着させることにより、平面型磁気素子を製
造する。

【００１６】また、平面トランスを製造する場合には、
基板上に形成された磁性膜の上に絶縁膜を介して平面コ
イルを形成し、この基板を平面コイルと密着させること
もできる。

【００１７】なお、これら両者の間は原則的に絶縁す
る。絶縁層としては、厚さ数μｍの極薄ポリイミドフィ
ルム、平面コイル上または磁性膜上に薄膜プロセスによ
り形成された厚さ１μｍ程度の絶縁膜、液状レジストを
塗布した後ベーキングして固化させたもの、熱圧着のた
めの熱可塑性樹脂などを用いることができる。以下、本
発明の方法の例を図面を参照してより詳細に説明する。
図１は、一方のシリコン基板上に平面コイルを、他方の
基板上に磁性膜を形成し、両者を密着させる方法を説明
するものである。

【００１８】まず、第１のＳｉ基板１０１上に熱酸化膜
（図示せず）、磁性膜１０２、および層間絶縁膜（図示
せず）を順次成膜する。この層間絶縁膜上に、導体膜を
形成した後、フォトリソグラフィーにより平面コイル１
０３を形成する。さらに、平面コイルの線間を埋め、そ
の上面を覆う層間絶縁膜（図示せず）を成膜する。この
層間絶縁膜に平面コイルの端子を取り出すためのコンタ
クトホールを形成する。コンタクトホールに電極金属を
埋め込み、必要に応じて配線を形成する。

【００１９】一方、第２のシリコン基板１１１上に熱酸
化膜（図示せず）を成膜する。第１の基板上に形成され
た平面コイルの端子位置に対応するように、スルーホー
ル１１２を形成する。スルーホール１１２に電極金属を
埋め込み、平坦化する。スクライブライン１１３を形成
する。この基板１１１の裏面側に磁性膜１１４を成膜す
る。これらの工程において適宜、絶縁膜の平坦化、磁界
中での磁性膜の熱処理などを行う。

【００２０】このようにして得られた２つのシリコン基
板１０１、１１１を位置合わせして貼り合わせ、ダイシ
ングして平面インダクタを製造する。さらに、特性評価
を行う。なお、第１または第２のシリコン基板には、予
め能動素子を形成しておいてもよい。

【００２１】図２は、シリコン基板の代わりに、有機材
料系基板を用いた例を示すものである。まず、第１の有
機材料系基板１２１上に、図１の場合と同様に、磁性膜
１２２、層間絶縁膜、平面コイル１２３を形成する。さ
らに、平面コイルの線間を埋め、その上面を覆う層間絶
縁膜を成膜する。この層間絶縁膜に平面コイルの端子を
取り出すためのコンタクトホールを形成する。コンタク
トホールに電極金属を埋め込み、必要に応じて配線を形
成する。一方、第２の有機材料系基板１３１上に磁性膜
１３２を成膜する。スルーホール１３３を打ち抜いて、
電極金属を埋め込み、平坦化する。磁性膜１３２が形成
された面の裏面側にスクライブライン１３４を形成す
る。これら２つの基板１２１、１３１を位置合わせして
貼り合わせ、ダイシングして平面インダクタを製造す
る。

【００２２】図３は、絶縁テープを用いた例を示すもの
である。まず、図１と同様に、Ｓｉ基板１０１上に熱酸
化膜、磁性膜１０２、および層間絶縁膜を順次成膜す
る。この層間絶縁膜上に、導体膜を形成した後、フォト
リソグラフィーにより平面コイル１０３を形成する。さ
らに、平面コイルの線間を埋め、その上面を覆う層間絶
縁膜を成膜する。この層間絶縁膜に平面コイルの端子を
取り出すためのコンタクトホールを形成する。コンタク
トホールに電極金属を埋め込み、必要に応じて配線を形
成する。一方、端子穴が設けられた絶縁テープ１４１上
に磁性膜（図示せず）を形成し、テープを所定長さに切
断する。この磁性膜が形成された絶縁テープ１４１を、
Ｓｉ基板１０１上の平面コイル１０３上に接着した後、
ダイシングする。

【００２３】なお、図１のような方法で平面トランスを
製造する場合、端子を取り出すためのスルーホールの形
成方法について、図４を参照して説明する。なお、この
図では、一部の絶縁膜を図示していない。第１のＳｉ基
板１０１上に熱酸化膜、磁性膜１０２、および層間絶縁
膜を順次成膜する。この層間絶縁膜上に、１次側の平面
コイル１０３を形成する。さらに、平面コイル１０３と
接続する電極１０４を形成する。一方、第２のシリコン
基板１１１上に熱酸化膜を成膜し、スルーホール１１２
を形成する。この基板１１１上に磁性膜１１４を成膜
し、さらに層間絶縁膜を介して２次側の平面コイル１１
５および電極１１６を形成する。さらに、層間絶縁膜１
１７を形成する。このようにして得られた２つのシリコ
ン基板１０１、１１１を位置合わせして貼り合わせる。
さらに、第２のシリコン基板１１１上の電極１１６に対
応する位置にスルーホール１１８を形成する。

【００２４】本発明において、平面コイルと磁性膜との
相対的な配置関係は特に限定されない。ただし、平面コ
イルにより発生する磁束と、磁性膜の磁化の方向とがほ
ぼ直交するように配置し、磁化過程において磁化のロー
テーションだけを利用するようにすれば、インダクタン
ス素子としての特性、特に高周波特性を向上できるので
好ましい。

【００２５】本発明の方法を用いれば、薄膜プロセスを
用いた場合でも、平面コイルと磁性膜とを別々の基板上
に形成するので、個々の基板上に積層される薄膜の数が
従来よりも少なくなる。このため、薄膜の積層に伴って
発生する応力を低減することでき、製造後に残留する内
部応力も低減するため、逆磁歪効果による磁気異方性の
分散も発生しにくくなる。このため、製造されるインダ
クタンス素子の歩留まりが向上する。また、高周波損失
を低減でき、インダクタンス素子としての品質係数Ｑを
向上できる。

【００２６】さらに、本発明の方法により、インダクタ
ンス素子と能動素子とを１チップ化して、マイクロ電源
などに応用することができる。図５に、本発明の方法に
より製造されたＤＣ−ＤＣコンバータを有する安定化電
源回路の回路図を示す。この回路は、制御ＩＣ２０１に
よってパワーＭＯＳトランジスタ２０２のオン時間を制
御して、入力直流電源の出力を高周波に変換し、これを
インダクタンス２０３、ダイオード２０４、コンデンサ
２０５からなる整流平滑回路で直流に戻して安定化する
ものである。図５の破線で囲まれた部分が１チップとし
て形成され、図５の一点鎖線で囲まれた部分が１パッケ
ージとして形成されている。

【００２７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。実施例１

【００２８】図６（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１１上
に熱酸化膜１２を形成した。その上に、スパッタ法によ
り厚さ１０μｍのＡｌ膜１３を形成した。図６（ｂ）に
示すように、このＡｌ膜１３を微細加工技術を用いて加
工することにより、１ユニットが幅１０μｍ、ギャップ
５μｍ、ターン数３０、外形５ｍｍ角の方形スパイラル
コイル１４からなるパターンを形成した。図６（ｃ）に
示すように、導体間ギャップにポリイミド１５を埋め込
み、熱硬化させた。図６（ｄ）に示すように、Ｓｉ基板
１１の裏面をスライシング加工して、その厚みを１０μ
ｍまで減少させた。その後、１ユニットごとに切断し、
５ｍｍ角、厚さ１４μｍのスパイラルコイル付きＳｉ基
板を形成した。

【００２９】図７（ａ）に示すように、別の基板として
表面が（１００）面である単結晶ＭｇＯ基板２１を用
い、その上にイオンビームスパッタ法により磁性膜とし
て厚さ１μｍのＦｅ膜２２を形成した。その上にスパッ
タ法により厚さ１μｍのＳｉＯ₂膜２３を形成した。磁
性膜と基板との方位関係は、Ｆｅ（１００）がＭｇＯ
（１００）に平行、Ｆｅ＜１００＞がＭｇＯ＜１１０＞
に平行であった。このことから、Ｆｅ膜２２がＭｇＯ基
板２１上にエピタキシャル成長していることがわかっ
た。また、Ｆｅ膜２２の磁気特性は、飽和磁化２１ｋ
Ｇ、保磁力１．０Ｏｅであった。これを結晶の＜１００
＞に平行な直線上でカットし、外形が５．５ｍｍ角の正
方形状磁性膜を形成した。図７（ｂ）に示すように、平
面コイル付きＳｉ基板１１の上下を、２枚の磁性膜付き
ＭｇＯ基板２２で挟んで密着し、平面インダクタを作製
した。

【００３０】図８に示すように、Ｆｅの磁化容易軸は＜
１００＞であるため、本実施例におけるコイルと磁性膜
との配置では、スパイラルコイル１４から発生する磁束
は磁性膜２２の困難軸方向に向いているため、磁化過程
はいわゆる磁化のローテションのみで行われることにな
る。本実施例の平面インダクタについて、インダクタン
スおよびＱの周波数特性を図９に、インダクタンスの出
力電流依存性（直流重畳特性）を図１０に示す。実施例２

【００３１】図１１（ａ）に示すように、ポリイミドフ
ィルム３１上にＣｕフォイルを張り付け、湿式エッチン
グ法により、ライン／スペース＝２００μｍ／５０μ
ｍ、外形が７ｍｍ角のミアンダーコイル３２を形成し
た。

【００３２】図１１（ｂ）に示すように、別の基板とし
てガラス基板４１を用い、その上にスパッタ法により厚
さ２μｍのアモルファスＣｏＺｒＮｂ膜４２を形成し
た。これを８ｍｍ角に切断し、４５０℃で２０分間、１
ｋＯｅの磁界中アニールすることにより、磁界印加方向
に１０Ｏｅの磁気異方性を付与した。

【００３３】図１１（ｃ）に示すように、コイル付きポ
リイミドフィルム３１と磁性膜付きガラス基板４１と
を、コイルにより発生する磁束と磁気異方性の方向とが
直交するように配置してポリイミドフィルム４３を挟ん
で接着させ、平面インダクタを作製した。本実施例の平
面インダクタについて、インダクタンスの周波数特性を
図１２に示す。実施例３

【００３４】図１３（ａ）に示すように、Ｓｉ基板５１
上に真空蒸着法により厚み１μｍの単結晶ＭｇＯ膜５２
を形成した。ＭｇＯの表面の面方位は（１００）であっ
た。その上にイオンビーム法により、厚み２μｍの単結
晶Ｆｅ膜５３を形成した。その上にスパッタ法によりＳ
ｉＯ₂膜５４を形成した。さらに、その上にスパッタ法
によりＡｌ膜を形成した。このＡｌ膜を微細加工技術を
用いてパターニングし、スパイラルコイル５５を形成し
た。

【００３５】図１３（ｂ）に示すように、別の基板とし
て単結晶ＭｇＯ基板６１を用い、その上にスパッタ法に
より単結晶Ｆｅ膜６２を形成した。さらに、その上にス
パッタ法によりＭｇＯ膜６３を形成した。図１３（ｃ）
に示すように、実施例１と同様の方位関係で、コイル付
きＳｉ基板５１と磁性膜付きＭｇＯ基板６１とを密着
し、平面インダクタを作製した。本実施例の平面インダ
クタについて、インダクタンスの周波数特性を図１４に
示す。

【００３６】さらに、本発明を用いることにより、例え
ば図１５に示すような平面トランス、または図１５に示
すような平面インダクタと平面トランスとの複合素子、
など多様な平面インダクタンス素子を簡便かつ低コスト
で製造できる。

【００３７】図１５の平面トランスは、２つのＡｌＮ基
板７１上に、それぞれＣｏＺｒＮｂ／ＳｉＯ₂多層膜７
２、ＳｉＯ₂膜７３、およびＣｕコイル７４（それぞれ
の基板上での巻数が異なる）を形成したものを、ポリイ
ミドフィルム７５を挟んで接着させたものである。

【００３８】図１６の複合素子では、２つのＡｌ₂Ｏ₃
基板８１上に、それぞれフェライト膜８２、ＳｉＯ₂膜
８３を形成したものが用いられている。一方の基板に
は、ＳｉＯ₂膜８３上にさらにＡｌコイル８７が一部形
成されている。これらの間に、種々の素子を構成する部
材が挟まれている。例えば、Ｓｉ基板８６上にＳｉＯ₂
膜８５を介して形成されたＡｌコイル８４が挟まれてい
る。また、３層のＣｕスライスコイル８８を、各コイル
の間にポリイミドフィルム８９を介在させて積層したも
のが挟まれている。さらに、基板の一部上に形成された
Ａｌコイル８７に対応する部分に、Ｃｕスライスコイル
８８およびポリイミドフィルム８９が挟まれている。

【００３９】

【発明の効果】以上詳述したように本発明の方法を用い
れば、高効率・大容量で超小型薄型の平面型磁気素子を
簡便にかつ低コストで製造でき、携帯用途を中心とする
電子機器の小型軽量化に大きく貢献できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明により、一方のシリコン基板上に平面コ
イルを形成し、他方のシリコン基板上に磁性膜を形成し
て、両者を貼り合わせて平面インダクタを製造する方法
を説明する図。

【図２】本発明により、一方の有機材料系基板上に平面
コイルを形成し、他方の有機材料系基板上に磁性膜を形
成して、両者を貼り合わせて平面インダクタを製造する
方法を説明する図。

【図３】本発明により、シリコン基板上に平面コイルを
形成し、絶縁テープ上に磁性膜を形成して、両者を貼り
合わせて平面インダクタを製造する方法を説明する図。

【図４】本発明により、平面トランスを製造する方法を
説明する図。

【図５】ＤＣ−ＤＣコンバータを示す回路図。

【図６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例１における
スパイラルコイル付き基板の製造工程を示す断面図。

【図７】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施例１にお
ける磁性膜付き基板および平面インダクタの製造工程を
示す断面図。

【図８】本発明の実施例１の平面インダクタについて、
コイルにより発生する磁束と磁性体の磁化容易軸との方
位関係を示す説明図。

【図９】本発明の実施例１の平面インダクタについて、
インダクタンスおよびＱの周波数特性を示す特性図。

【図１０】本発明の実施例１の平面インダクタについ
て、インダクタンスの出力電流依存性（直流重畳特性）
を示す特性図。

【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施例２におけ
る平面インダクタの製造工程を示す断面図。

【図１２】本発明の実施例２の平面インダクタについ
て、インダクタンスの周波数特性を示す特性図。

【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施例３におけ
る平面インダクタの製造工程を示す断面図。

【図１４】本発明の実施例３の平面インダクタについ
て、インダクタンスの周波数特性を示す特性図。

【図１５】本発明の他の実施例における平面トランスの
断面図。

【図１６】本発明のさらに他の実施例における平面イン
ダクタと平面トランスとの複合素子の断面図である。

【符号の説明】

１１…Ｓｉ基板、１２…熱酸化膜、１３…Ａｌ膜、１４
…スパイラルコイル、１５…ポリイミド、２１…ＭｇＯ
基板、２２…Ｆｅ膜、２３…ＳｉＯ₂膜、３１…ポリイ
ミドフィルム、３２…ミアンダーコイル、４１…ガラス
基板、４２…ＣｏＺｒＮｂ膜、４３…ポリイミドフィル
ム、５１…Ｓｉ基板、５２…ＭｇＯ膜、５３…Ｆｅ膜、
５４…ＳｉＯ₂膜、６１…ＭｇＯ基板、６２…Ｆｅ膜、
６３…ＭｇＯ膜、７１…ＡｌＮ基板、７２…ＣｏＺｒＮ
ｂ／ＳｉＯ₂多層膜、７３…ＳｉＯ₂膜、７４…Ｃｕコ
イル、７５…ポリイミドフィルム、８１…Ａｌ₂Ｏ₃基
板、８２…フェライト膜、８３…ＳｉＯ₂膜、８４…Ａ
ｌコイル、８５…ＳｉＯ₂膜、８６…ＳｉＯ₂基板、８
７…Ａｌコイル、８８…Ｃｕスライスコイル、８９…ポ
リイミドフィルム、１０１…第１のＳｉ基板、１０２…
磁性膜、１０３…平面コイル、１０４…電極、１１１…
第２のＳｉ基板、１１２…スルーホール、１１３…スク
ライブライン、１１４…磁性膜、１１５…２次側の平面
コイル、１１６…電極、１１７…層間絶縁膜、１１８…
スルーホール、１２１…第１の有機材料系基板、１２２
…磁性膜、１２３…平面コイル、１３１…第２の有機材
料系基板、１３２…磁性膜、１３３…スルーホール、１
３４…スクライブライン、１４１…絶縁テープ、２０１
…制御ＩＣ、２０２…パワーＭＯＳトランジスタ、２０
３…インダクタンス、２０４…ダイオード、２０５…コ
ンデンサ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐藤敏郎神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地株式会社東芝研究開発センター内 (56)参考文献特開平２−121310（ＪＰ，Ａ) 特開昭49−41849（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01F 17/00 - 17/08 H01F 41/00 - 41/10

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の基板上のチップとして区画される
領域にそれぞれ平面コイルを形成する工程と、第２の基
板上に磁性膜を形成し、かつ前記第１の基板上に形成さ
れる平面コイルの端子に対応してスルーホールを形成す
る工程と、前記第１の基板上の平面コイルと前記第２の
基板上の磁性膜とを互いに面するように配置し絶縁膜を
介して互いに密着させる工程と、前記第１および第２の
基板をダイシングしてチップ状の平面型磁気素子を形成
する工程とを具備したことを特徴とする平面型磁気素子
の製造方法。
【請求項２】前記磁性膜が形成される第２の基板とし
て単結晶基板を用い、前記磁性膜に結晶磁気異方性を導
入することを特徴とする請求項１記載の平面型磁気素子
の製造方法。