JP3163797B2 - 磁気共振装置及びその製造方法 - Google Patents
磁気共振装置及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＹＩＧ（イットリウム
・鉄・ガーネット）を共振体として用いた磁気共振装置
及びその製造方法に関する。
・鉄・ガーネット）を共振体として用いた磁気共振装置
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９によって、従来の可変周波数薄膜Ｙ
ＩＧを共振体として用いた磁気共振装置の１つであるト
ラッキング・バンドパス・フィルターの１例について説
明する。図示のとおり、従来の磁気共振装置にあって
は、バイアス磁界印加用のヨークが、Ｉ型ヨーク１０と
Ｅ型ヨーク９で構成され、Ｅ型ヨーク９の中央突出部と
Ｉ型ヨーク１０の間の磁気ギャップ内に、アルミナ等の
誘電体基板３、ＧＧＧ（ガリウム・ガドリニウム・ガー
ネット）基板５および薄膜ＹＩＧ素子４から成る共振体
が配設された構造になっている。なお、アルミナ基板３
にはストリップラインが形成されているが簡略化のため
図では省略してある。
ＩＧを共振体として用いた磁気共振装置の１つであるト
ラッキング・バンドパス・フィルターの１例について説
明する。図示のとおり、従来の磁気共振装置にあって
は、バイアス磁界印加用のヨークが、Ｉ型ヨーク１０と
Ｅ型ヨーク９で構成され、Ｅ型ヨーク９の中央突出部と
Ｉ型ヨーク１０の間の磁気ギャップ内に、アルミナ等の
誘電体基板３、ＧＧＧ（ガリウム・ガドリニウム・ガー
ネット）基板５および薄膜ＹＩＧ素子４から成る共振体
が配設された構造になっている。なお、アルミナ基板３
にはストリップラインが形成されているが簡略化のため
図では省略してある。
【０００３】共振体の共振周波数を変えるには、励磁コ
イル６に所要の電流を流してＹＩＧ素子４に与えられる
外部磁界を変えることによって行われる。
イル６に所要の電流を流してＹＩＧ素子４に与えられる
外部磁界を変えることによって行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような構造の磁気
共振装置においては、誘電体基板３、薄膜ＹＩＧ素子４
およびＧＧＧ基板５から成る薄膜磁気共振子をヨーク９
とヨーク１０の間の空隙部に挿入する構造になっている
ために、その空隙長を短くすることができなかった。そ
のため、余分な空隙により損失する分も含めた大きな磁
界を作る必要があった。
共振装置においては、誘電体基板３、薄膜ＹＩＧ素子４
およびＧＧＧ基板５から成る薄膜磁気共振子をヨーク９
とヨーク１０の間の空隙部に挿入する構造になっている
ために、その空隙長を短くすることができなかった。そ
のため、余分な空隙により損失する分も含めた大きな磁
界を作る必要があった。
【０００５】従って、従来の磁気共振装置にあっては、
ヨーク材の限定磁界発生用電力の増大や、ヨークの大型
化等の問題があった。
ヨーク材の限定磁界発生用電力の増大や、ヨークの大型
化等の問題があった。
【０００６】本発明は、かかる点に鑑み、この磁気共振
装置を小型化、低消費電力化することを目的とする。
装置を小型化、低消費電力化することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明磁気共振装置は、
例えば図１に示す如く、磁性基板２と、この磁性基板２
上に配設された薄膜ＹＩＧ素子４と、この磁性基板２を
介してこの薄膜ＹＩＧ素子４に磁界を与える磁気ヨーク
１と、この磁気ヨーク１を励起するための励磁コイル６
を含み、この磁気ヨーク１が磁性薄膜で形成され、この
励磁コイル６が金属薄膜で形成される。
例えば図１に示す如く、磁性基板２と、この磁性基板２
上に配設された薄膜ＹＩＧ素子４と、この磁性基板２を
介してこの薄膜ＹＩＧ素子４に磁界を与える磁気ヨーク
１と、この磁気ヨーク１を励起するための励磁コイル６
を含み、この磁気ヨーク１が磁性薄膜で形成され、この
励磁コイル６が金属薄膜で形成される。
【０００８】また本発明の磁気共振装置は上述において
例えば図７、図８に示す如く、この磁気ヨーク１が薄膜
ＹＩＧ素子４の面内方向に磁界を与えるように形成され
る。
例えば図７、図８に示す如く、この磁気ヨーク１が薄膜
ＹＩＧ素子４の面内方向に磁界を与えるように形成され
る。
【０００９】本発明の磁気共振装置の製造方法は例えば
図３、図４に示す如く非磁性基板、又は磁性基板上に誘
電体薄膜を形成して成る基板上に金属薄膜励磁コイル６
を形成し、薄膜ＹＩＧ素子４とＧＧＧ基板５から成る薄
膜磁気共振子を接着した後に薄膜形成技術によって薄膜
ヨーク１が形成される。
図３、図４に示す如く非磁性基板、又は磁性基板上に誘
電体薄膜を形成して成る基板上に金属薄膜励磁コイル６
を形成し、薄膜ＹＩＧ素子４とＧＧＧ基板５から成る薄
膜磁気共振子を接着した後に薄膜形成技術によって薄膜
ヨーク１が形成される。
【００１０】
【作用】本発明によれば、基板を除いて他の構成要素を
全て薄膜で形成しているので装置の小型化がはかれる。
特に磁気ヨークを薄膜で作成したことにより、ヨークの
体積を大巾に削減することができる。又、磁気ヨークの
空隙を必要最小限（概ね薄膜磁気共振子の厚み程度）ま
で狭くできるため、磁界の発生効率が向上し、磁界発生
のための消費電力を大巾に低減することができる。又、
本発明によれば、基板の上に薄膜形成技術によって作成
できるので、従来の半導体素子の製造技術や設備を使う
ことができるので、新たな設備投資を必要としない。本
発明の磁気共振装置の製造方法によれば、基板以外は薄
膜形成技術によって作成されるので、組み立て、調整の
工程が省略できるので低コスト化、大量生産が可能であ
る。
全て薄膜で形成しているので装置の小型化がはかれる。
特に磁気ヨークを薄膜で作成したことにより、ヨークの
体積を大巾に削減することができる。又、磁気ヨークの
空隙を必要最小限（概ね薄膜磁気共振子の厚み程度）ま
で狭くできるため、磁界の発生効率が向上し、磁界発生
のための消費電力を大巾に低減することができる。又、
本発明によれば、基板の上に薄膜形成技術によって作成
できるので、従来の半導体素子の製造技術や設備を使う
ことができるので、新たな設備投資を必要としない。本
発明の磁気共振装置の製造方法によれば、基板以外は薄
膜形成技術によって作成されるので、組み立て、調整の
工程が省略できるので低コスト化、大量生産が可能であ
る。
【００１１】
【実施例】本発明の１実施例について、図３、図４の製
造工程とともに説明する。
造工程とともに説明する。
【００１２】まず、図３のＡに示す如く、下部磁気ヨー
クの働きをする磁性基板２を用意する。この磁性基板の
材料は例えばフェライトが用いられる。
クの働きをする磁性基板２を用意する。この磁性基板の
材料は例えばフェライトが用いられる。
【００１３】次に同図Ｂに示す如く、磁性基板２上に、
アルミナ、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 等の誘電体薄膜３を、ス
パッタリング、蒸着、ＣＶＤ、ＥＣＲ（エレクトロン・
サイクロトロン・レゾナンス）、イオンビームスパッタ
等の蒸着法を用いて、作成する。この誘電体薄膜３の膜
厚は、およそ１０００μｍ以下で、必要とするデバイス
特性に応じ、又、その薄膜の誘電率を考慮して決定され
る。この薄膜３は、磁性体基板２とその上に形成される
励磁コイルとの絶縁も兼ねる。
アルミナ、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 等の誘電体薄膜３を、ス
パッタリング、蒸着、ＣＶＤ、ＥＣＲ（エレクトロン・
サイクロトロン・レゾナンス）、イオンビームスパッタ
等の蒸着法を用いて、作成する。この誘電体薄膜３の膜
厚は、およそ１０００μｍ以下で、必要とするデバイス
特性に応じ、又、その薄膜の誘電率を考慮して決定され
る。この薄膜３は、磁性体基板２とその上に形成される
励磁コイルとの絶縁も兼ねる。
【００１４】次に同図Ｃに示す如く、誘電体薄膜３の上
に励磁コイルとなるＣｕ，Ａｌ等の導体膜を作成する。
この時の材質は、必要に応じてＴｉ／Ｃｕ／Ｔｉ，Ｃｒ
／Ａｌ／Ｃｒ等の様に他の金属と組み合わせて、多層構
造としても良い。この時の膜厚はおよそ１〜５０μ程度
である。
に励磁コイルとなるＣｕ，Ａｌ等の導体膜を作成する。
この時の材質は、必要に応じてＴｉ／Ｃｕ／Ｔｉ，Ｃｒ
／Ａｌ／Ｃｒ等の様に他の金属と組み合わせて、多層構
造としても良い。この時の膜厚はおよそ１〜５０μ程度
である。
【００１５】次に同図Ｄに示す如く、フォトリソグラフ
ィー技術を用いて励磁用コイルのパターンを形成し、イ
オンビームエッチング、Ｒ．Ｉ．Ｅ（リアクティブ・イ
オン・エッチング）、湿式エッチング等により、励磁コ
イル６を作成する。図では、簡単のため、一層コイルと
したが、上に重ねて多層コイルとして巻数を増やすこと
も可能である。
ィー技術を用いて励磁用コイルのパターンを形成し、イ
オンビームエッチング、Ｒ．Ｉ．Ｅ（リアクティブ・イ
オン・エッチング）、湿式エッチング等により、励磁コ
イル６を作成する。図では、簡単のため、一層コイルと
したが、上に重ねて多層コイルとして巻数を増やすこと
も可能である。
【００１６】次に同図Ｅに示す如く、上記Ｄで作成され
た基板の上に薄膜ＹＩＧ素子４とＧＧＧ基板５で成る薄
膜磁気共振子をガラス等の無機、もしくは、樹脂等の有
機接着材で接着する。ここで、薄膜ＹＩＧ素子４は、Ｇ
ＧＧ基板５上にＬＰ（リキッドフェイズエピタキシャ
ル）法や蒸着等により作成された薄膜ＹＩＧで成り、所
定の寸法に加工されたものが用いられる。
た基板の上に薄膜ＹＩＧ素子４とＧＧＧ基板５で成る薄
膜磁気共振子をガラス等の無機、もしくは、樹脂等の有
機接着材で接着する。ここで、薄膜ＹＩＧ素子４は、Ｇ
ＧＧ基板５上にＬＰ（リキッドフェイズエピタキシャ
ル）法や蒸着等により作成された薄膜ＹＩＧで成り、所
定の寸法に加工されたものが用いられる。
【００１７】次に図４のＦに示す如く、絶縁膜７を作成
する。この絶縁膜７は励磁コイルと上部ヨークとの間の
絶縁をするためのものであって、ＳｉＯ2 ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 等の酸化物絶縁膜をスパッタリング、
蒸着等の蒸着法で作成しても良いし、絶縁用のレジスト
等を塗布してもよい。
する。この絶縁膜７は励磁コイルと上部ヨークとの間の
絶縁をするためのものであって、ＳｉＯ2 ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 等の酸化物絶縁膜をスパッタリング、
蒸着等の蒸着法で作成しても良いし、絶縁用のレジスト
等を塗布してもよい。
【００１８】次に同図Ｇに示す如く、薄膜磁気共振子
（薄膜ＹＩＧ素子４とＧＧＧ基板５で成る）を間に挟
み、上部ヨークと、下部ヨークである磁性基板２を磁気
的に接続するためのコンタクトホールを作成する。この
コンタクトホールはフォトリソグラフィー技術を用いて
パターニングした後、イオンビームエッチング、Ｒ．
Ｉ．Ｅ、湿式エッチング等で作成される。この際、薄膜
ＹＩＧ素子４の上面に薄い絶縁膜を残す。
（薄膜ＹＩＧ素子４とＧＧＧ基板５で成る）を間に挟
み、上部ヨークと、下部ヨークである磁性基板２を磁気
的に接続するためのコンタクトホールを作成する。この
コンタクトホールはフォトリソグラフィー技術を用いて
パターニングした後、イオンビームエッチング、Ｒ．
Ｉ．Ｅ、湿式エッチング等で作成される。この際、薄膜
ＹＩＧ素子４の上面に薄い絶縁膜を残す。
【００１９】次に上部ヨークを作成する。作成の仕方
は、まずヨークとなる材料、例えばセンダストＦｅＡｌ
Ｓｉをスパッタリング、蒸着等の蒸着法で基板全面に膜
状に作成する。膜厚は数１０μ程度である。次いで余分
な部分をフォトリソグラフィー技術を用いてパターニン
グした後、イオンビームエッチング、Ｒ．Ｉ．Ｅ、湿式
エッチング等で除去することにより、図３のＨに示す如
く形成する。ヨークの材料は、Ｆｅ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ａｌ
−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ等のＦｅ系磁性体、Ｃ
ｏ−Ｔａ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ等のＣｏ系の磁性体
から成る。もちろん、フェライト等の酸化物磁性体でも
さしつかえない。
は、まずヨークとなる材料、例えばセンダストＦｅＡｌ
Ｓｉをスパッタリング、蒸着等の蒸着法で基板全面に膜
状に作成する。膜厚は数１０μ程度である。次いで余分
な部分をフォトリソグラフィー技術を用いてパターニン
グした後、イオンビームエッチング、Ｒ．Ｉ．Ｅ、湿式
エッチング等で除去することにより、図３のＨに示す如
く形成する。ヨークの材料は、Ｆｅ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ａｌ
−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ等のＦｅ系磁性体、Ｃ
ｏ−Ｔａ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ等のＣｏ系の磁性体
から成る。もちろん、フェライト等の酸化物磁性体でも
さしつかえない。
【００２０】最後に、耐環境性向上のために、Ｓｉ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 等の高硬度、高耐湿、高信
頼性の酸化物保護薄膜８を形成して、前記図１に示すよ
うな磁気共振器ができあがる。
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 等の高硬度、高耐湿、高信
頼性の酸化物保護薄膜８を形成して、前記図１に示すよ
うな磁気共振器ができあがる。
【００２１】図１においては、誘電体薄膜３の上、又
は、誘電体薄膜３と磁性基板２の間、又は誘電体薄膜３
に挟まれた状態でストリップラインが形成されるが、図
が複雑になるため省略してある。
は、誘電体薄膜３と磁性基板２の間、又は誘電体薄膜３
に挟まれた状態でストリップラインが形成されるが、図
が複雑になるため省略してある。
【００２２】図２は、上記１実施例の磁気共振装置の概
略を示す平面図である。図示の如く、本実施例の磁気共
振装置は、下部ヨークを構成する磁性基板２と上部ヨー
クを構成する薄膜ヨーク１と、励磁コイル６を備えてい
る。上記図３、図４による本発明の１実施例の磁気共振
装置の製造方法の説明では、磁気共振装置１個（１チッ
プ）について説明したが、実際には、図５に示す如く、
１つの基板上に多数のチップが形成される。基板の大き
さは、直径２〜１０インチ程度であるが、それ以上大き
くてもさしつかえない。又、形は円形にかぎらず矩形で
あっても問題はない。基板は大きい程、１チップ当りの
コストを低減できる可能性がある。こうして作られた多
数のチップは図５に点線で示すように、所定の寸法にカ
ットされる。なお、本発明による薄膜を用いた磁気共振
装置の製造方法は上記の例に限ることなく、本発明の趣
旨を逸脱しない範囲で多数の手法が考えられる。
略を示す平面図である。図示の如く、本実施例の磁気共
振装置は、下部ヨークを構成する磁性基板２と上部ヨー
クを構成する薄膜ヨーク１と、励磁コイル６を備えてい
る。上記図３、図４による本発明の１実施例の磁気共振
装置の製造方法の説明では、磁気共振装置１個（１チッ
プ）について説明したが、実際には、図５に示す如く、
１つの基板上に多数のチップが形成される。基板の大き
さは、直径２〜１０インチ程度であるが、それ以上大き
くてもさしつかえない。又、形は円形にかぎらず矩形で
あっても問題はない。基板は大きい程、１チップ当りの
コストを低減できる可能性がある。こうして作られた多
数のチップは図５に点線で示すように、所定の寸法にカ
ットされる。なお、本発明による薄膜を用いた磁気共振
装置の製造方法は上記の例に限ることなく、本発明の趣
旨を逸脱しない範囲で多数の手法が考えられる。
【００２３】次に、図６、図７及び図８によって、本発
明の他の実施例の説明をする。図６は、本実施例の磁気
共振装置の概略を示す平面図である。図示の如く、本実
施例では、薄膜ヨーク１が略リング状に形成され、その
磁路内の磁気ギャップに薄膜ＹＩＧ素子が配設され、薄
膜ＹＩＧ素子に面内方向バイアス磁界が印加されるよう
になっている。ヨーク１には励磁コイル６が巻かれてい
る。
明の他の実施例の説明をする。図６は、本実施例の磁気
共振装置の概略を示す平面図である。図示の如く、本実
施例では、薄膜ヨーク１が略リング状に形成され、その
磁路内の磁気ギャップに薄膜ＹＩＧ素子が配設され、薄
膜ＹＩＧ素子に面内方向バイアス磁界が印加されるよう
になっている。ヨーク１には励磁コイル６が巻かれてい
る。
【００２４】本実施例の磁気共振装置の構造を図７及び
図８を参照して詳細に説明する。図７は図６のＸ−Ｘ′
線に添った断面図であり、図８は図６のＹ−Ｙ′線に添
った断面図である。図示の如く、この実施例によれば、
ガラスやセラミック等の非磁性基板２の上に、ＧＧＧ基
板５とその上に形成された薄膜ＹＩＧ素子４から成る薄
膜磁気共振子を接着し、その表面を誘電体薄膜３で覆
い、図８に示すように、ＹＩＧ素子の側面方向から磁界
が印加されるような腕部と、図７に示すように、励磁コ
イル６が巻かれた部分を有する薄膜ヨーク１が形成され
ている。薄膜誘電体３、励磁コイル６、薄膜ヨーク１は
絶縁膜７で覆われ、さらに全体が保護膜８で覆われてい
る。なお、誘電体膜上、又は誘電体に挟まれた状態、又
は誘電体とＹＩＧ素子の間、又はＧＧＧ基板と基板２の
間にストリップラインが形成されるが図では、簡略化の
ため省略されている。この構成によれば、磁界印加用ヨ
ークが１つの薄膜ヨークで構成されており、従ってコン
タクト部が少なくなるので磁界発生の効率が向上する。
図８を参照して詳細に説明する。図７は図６のＸ−Ｘ′
線に添った断面図であり、図８は図６のＹ−Ｙ′線に添
った断面図である。図示の如く、この実施例によれば、
ガラスやセラミック等の非磁性基板２の上に、ＧＧＧ基
板５とその上に形成された薄膜ＹＩＧ素子４から成る薄
膜磁気共振子を接着し、その表面を誘電体薄膜３で覆
い、図８に示すように、ＹＩＧ素子の側面方向から磁界
が印加されるような腕部と、図７に示すように、励磁コ
イル６が巻かれた部分を有する薄膜ヨーク１が形成され
ている。薄膜誘電体３、励磁コイル６、薄膜ヨーク１は
絶縁膜７で覆われ、さらに全体が保護膜８で覆われてい
る。なお、誘電体膜上、又は誘電体に挟まれた状態、又
は誘電体とＹＩＧ素子の間、又はＧＧＧ基板と基板２の
間にストリップラインが形成されるが図では、簡略化の
ため省略されている。この構成によれば、磁界印加用ヨ
ークが１つの薄膜ヨークで構成されており、従ってコン
タクト部が少なくなるので磁界発生の効率が向上する。
【００２５】また、薄膜ＹＩＧの面内に磁界を印加する
方式になっているために、薄膜ＹＩＧ内の反磁界がほと
んど０となり、従って、印加磁界を大巾に低減すること
が可能である。これにより、磁界印加用の消費電力の大
巾な低減がはかれ、励磁コイルの巻き数の削減による工
数の低減、チップを更に小型化できる等の多くの効果が
ある。以上、本発明の磁気共振装置及びその製造方法に
ついて実施例の説明をしてきたが、本発明はこれらの実
施例に例示した構成や、薄膜の作成法に限定されること
なく、他に種々考えられる。本発明の最大の特徴は、基
板以外に研削、研磨、成形、プレス等により作成される
所謂バルク材を用いないことにある。
方式になっているために、薄膜ＹＩＧ内の反磁界がほと
んど０となり、従って、印加磁界を大巾に低減すること
が可能である。これにより、磁界印加用の消費電力の大
巾な低減がはかれ、励磁コイルの巻き数の削減による工
数の低減、チップを更に小型化できる等の多くの効果が
ある。以上、本発明の磁気共振装置及びその製造方法に
ついて実施例の説明をしてきたが、本発明はこれらの実
施例に例示した構成や、薄膜の作成法に限定されること
なく、他に種々考えられる。本発明の最大の特徴は、基
板以外に研削、研磨、成形、プレス等により作成される
所謂バルク材を用いないことにある。
【００２６】
【発明の効果】本発明の磁気共振装置は基板を除く全て
の構成要素を薄膜で作成しているので、磁気ヨークの空
隙を必要最小限（概ね薄膜磁気共振子の厚さ程度）まで
狭くできるから、磁界の発生効率が向上し、従って、磁
界発生の為の消費電力を大巾に低減することができる。
の構成要素を薄膜で作成しているので、磁気ヨークの空
隙を必要最小限（概ね薄膜磁気共振子の厚さ程度）まで
狭くできるから、磁界の発生効率が向上し、従って、磁
界発生の為の消費電力を大巾に低減することができる。
【００２７】特に、ヨークを薄膜で作成することにより
ヨークの体積を大巾に削減することができる。薄膜作成
に際しては、従来の半導体素子の製造技術や設備を流用
することができるので本発明の実施にあたり、新たな設
備投資を必要としない。
ヨークの体積を大巾に削減することができる。薄膜作成
に際しては、従来の半導体素子の製造技術や設備を流用
することができるので本発明の実施にあたり、新たな設
備投資を必要としない。
【００２８】上述のように半導体の製造方法を使用でき
ることに加えて、薄膜形成法で全体を１つに構成できる
ので組み立てや調整の工程が省略できるという効果があ
る。
ることに加えて、薄膜形成法で全体を１つに構成できる
ので組み立てや調整の工程が省略できるという効果があ
る。
【図１】本発明による磁気共振装置の１実施例を示す
（図２Ａ−Ａ′に沿った）断面図である。
（図２Ａ−Ａ′に沿った）断面図である。
【図２】本発明磁気共振装置の１実施例の概略平面図で
ある。
ある。
【図３】本発明磁気共振装置の１実施例の製造工程を示
す図である。
す図である。
【図４】本発明磁気共振装置の１実施例の製造工程を示
す図である。
す図である。
【図５】本発明磁気共振装置の１実施例の製造工程を示
す図である。
す図である。
【図６】本発明磁気共振装置の他の実施例の概略平面図
である。
である。
【図７】本発明磁気共振装置の他の実施例の断面図であ
る。
る。
【図８】本発明磁気共振装置の他の実施例の断面図であ
る。
る。
【図９】従来の磁気共振装置の断面図である。
１ 薄膜ヨーク ２ 基板 ３ 薄膜誘電体 ４ 薄膜ＹＩＧ素子 ５ ＧＧＧ基板 ６ 励磁コイル ７ 絶縁膜 ８ 保護膜 ９ Ｅ型ヨーク １０ Ｉ型ヨーク
Claims (4)
- 【請求項１】 磁性基板と、該磁性基板上に配設された
薄膜磁気共振子と、前記磁性基板を介して前記薄膜磁気
共振子に磁界を与える磁気ヨークと、該磁気ヨークを励
起するための励磁コイルを含む磁気共振装置において、 前記磁気ヨークが磁性薄膜で形成され、前記励磁コイル
が金属薄膜で形成されていることを特徴とする磁気共振
装置。 - 【請求項２】 非磁性基板と、該非磁性基板上に配設さ
れた薄膜磁気共振子と、該薄膜磁気共振子に磁界を与え
る磁気ヨークと、該磁気ヨークを励起するための励磁コ
イルを含む磁気共振装置であって、 前記励磁コイルが金属薄膜で形成され、 前記磁気ヨークが磁性薄膜から成り前記薄膜磁気共振子
の面内方向に磁界を与えるように形成されていることを
特徴とする磁気共振装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の磁気共振装置にお
いて、前記薄膜磁気共振子が基板とその上に形成された
ＹＩＧ薄膜で形成されたことを特徴とする磁気共振装
置。 - 【請求項４】 非磁性基板、又は磁性基板上に誘電体薄
膜を形成して成る基板上に、 金属薄膜励磁コイルを形成すると共に、薄膜磁気共振子
を接着し、 しかる後に、薄膜ヨークを形成することを特徴とする磁
気共振装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29288292A JP3163797B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 磁気共振装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29288292A JP3163797B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 磁気共振装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151167A JPH06151167A (ja) | 1994-05-31 |
| JP3163797B2 true JP3163797B2 (ja) | 2001-05-08 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29288292A Expired - Fee Related JP3163797B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 磁気共振装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3163797B2 (ja) |
-
1992
- 1992-10-30 JP JP29288292A patent/JP3163797B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06151167A (ja) | 1994-05-31 |
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