JPS62109212A - 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法Info
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- JPS62109212A JPS62109212A JP24821185A JP24821185A JPS62109212A JP S62109212 A JPS62109212 A JP S62109212A JP 24821185 A JP24821185 A JP 24821185A JP 24821185 A JP24821185 A JP 24821185A JP S62109212 A JPS62109212 A JP S62109212A
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- thin film
- magnetic
- insulating
- magnetic head
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/312—Details for reducing flux leakage between the electrical coil layers and the magnetic cores or poles or between the magnetic cores or poles
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
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- G—PHYSICS
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- G11B5/3109—Details
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はフロッピーディスク装置、ＰＣＭ録音機、ビデ
オテープレコーダーなどの各種磁気記録再生装置に利用
できる薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関するもの
である。
オテープレコーダーなどの各種磁気記録再生装置に利用
できる薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関するもの
である。
従来の技術
薄膜磁気ヘッドは半導体の製法である薄膜形成技術やエ
ツチング技術を駆使し高精度な磁気ヘッドを実現したも
のである。従来、磁気へノドはフェライト、センダスト
等の磁性材料を研削加工。
ツチング技術を駆使し高精度な磁気ヘッドを実現したも
のである。従来、磁気へノドはフェライト、センダスト
等の磁性材料を研削加工。
ラッピング等の機械加工によってコアを製作し、このコ
アに巻線を施して製作していた。そのため高精度化、量
産化に限界があり、近年は薄膜磁気ヘッドに関心が集ま
り一部量産も始まっている。
アに巻線を施して製作していた。そのため高精度化、量
産化に限界があり、近年は薄膜磁気ヘッドに関心が集ま
り一部量産も始まっている。
薄膜磁気へ、ドは、薄膜形成技術、エツチング技術を用
いて製作するため磁気ヘッドの小型化、高精度化が容易
でありさらに磁芯が薄膜で形成されるため、 （１）高周波での透磁率の劣化が少ない。
いて製作するため磁気ヘッドの小型化、高精度化が容易
でありさらに磁芯が薄膜で形成されるため、 （１）高周波での透磁率の劣化が少ない。
（２）記録に寄与するヘッド磁界が急峻であり高分解能
な記録ができる。
な記録ができる。
（３） マルチトラックにした場合隣接トラックとの
対向面積が非常に少ないので各ヘッド間のクロストーク
がほとんど問題にならない。
対向面積が非常に少ないので各ヘッド間のクロストーク
がほとんど問題にならない。
などの特徴がある。
以下て従来の薄膜磁気ヘッドの構成について第２図およ
び第３図に基づいて説明する。磁芯となる磁性薄膜１ａ
、１ｂ、巻線となる導電性薄膜２ａ。
び第３図に基づいて説明する。磁芯となる磁性薄膜１ａ
、１ｂ、巻線となる導電性薄膜２ａ。
２ｂ、磁気的ギャップとなるギャップ材３ａ、３ｂ、導
電性薄膜２ａ、２ｂと磁性薄膜１ａ、１ｂの電気的絶縁
材となる絶縁薄膜４ａ、４ｂ、磁性薄膜１ａ、１ｂを記
録媒体ｓａ、ｅｓｂの摺動による摩耗から保護する保護
薄膜６ａ 、６ｂをスパッタ。
電性薄膜２ａ、２ｂと磁性薄膜１ａ、１ｂの電気的絶縁
材となる絶縁薄膜４ａ、４ｂ、磁性薄膜１ａ、１ｂを記
録媒体ｓａ、ｅｓｂの摺動による摩耗から保護する保護
薄膜６ａ 、６ｂをスパッタ。
電着等の方法で付着しエツチングにて所定の形状に加工
している。薄膜磁気へ、ドは従来の磁気ヘッドに比べて
面積的にも体積的にも非常に微細化されており磁性薄膜
１ａ 、１ｂには飽和磁束密度や透磁率の高い材料例え
ばＦ ｅ −Ｎ ｉ合金、Ｆｅ−Ａｆｌ、−３ｔ合金等
の金属磁性材料が多く用いられる。
している。薄膜磁気へ、ドは従来の磁気ヘッドに比べて
面積的にも体積的にも非常に微細化されており磁性薄膜
１ａ 、１ｂには飽和磁束密度や透磁率の高い材料例え
ばＦ ｅ −Ｎ ｉ合金、Ｆｅ−Ａｆｌ、−３ｔ合金等
の金属磁性材料が多く用いられる。
導電性薄膜２ａ、２ｂは微細化を考慮して比抵抗の小さ
いＣｕ、Ａｆｉ等の材料が用いられ、絶縁薄膜４ａ、４
ｂはフォトレジスト、ギャップ材３ａ。
いＣｕ、Ａｆｉ等の材料が用いられ、絶縁薄膜４ａ、４
ｂはフォトレジスト、ギャップ材３ａ。
３ｂおよび保護薄膜ｅａ、ｅｂは耐摩耗材料であるＡｌ
ｌ Ｏ５１０２等が用いられる。
ｌ Ｏ５１０２等が用いられる。
２３’
薄膜磁気ヘッドは記録媒体ｓａ、ｓｂ摺動による摩耗を
考慮して耐摩耗性材料の基板７ａ、７ｂ上に形成する。
考慮して耐摩耗性材料の基板７ａ、７ｂ上に形成する。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら第２図のように絶縁薄膜４ａを有機絶縁材
料で形成するとアペックス角度θが小さくなりギャップ
の内側を通る漏れ磁束φ１が増え記録効率が低下する。
料で形成するとアペックス角度θが小さくなりギャップ
の内側を通る漏れ磁束φ１が増え記録効率が低下する。
又第３図のように絶縁薄膜４ｂを無機絶縁薄膜で形成す
ると導電性薄膜２ｂによる段差が上部磁性薄膜１ｂに発
生して磁気特性の劣化となり薄膜磁気へノドの出力低下
環の問題があった。
ると導電性薄膜２ｂによる段差が上部磁性薄膜１ｂに発
生して磁気特性の劣化となり薄膜磁気へノドの出力低下
環の問題があった。
問題点を解決するだめの手段
本発明は上記問題を解決するため絶縁薄膜を二層以上に
し、第１絶縁薄膜を無機絶縁材料で第１絶縁薄膜以降に
形成する絶縁薄膜を有機絶縁材料で形成したものである
。
し、第１絶縁薄膜を無機絶縁材料で第１絶縁薄膜以降に
形成する絶縁薄膜を有機絶縁材料で形成したものである
。
作 用
本発明は上述の構成によりギャップの内側を通る漏れ磁
束を減らすと共に磁性薄膜の磁気特性の劣化を防ぎ高出
力な薄膜磁気ヘッドを得ることを目的としている。
束を減らすと共に磁性薄膜の磁気特性の劣化を防ぎ高出
力な薄膜磁気ヘッドを得ることを目的としている。
実施例
第１図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの断面図で
ある。以下第１図に基づいて本発明の一実施例における
薄膜磁気ヘッドの構造および製造方法について説明する
。セラミ、りやＳｉＯ２等の基板１１上に蒸着、スパッ
タ等の方法を用いてＦ ｅ−３１−Ａｌ１合金、Ｎｉ−
Ｆｅ合金等を３〜１０μｍ程度付着しエツチング、リフ
トオフ等の方法で下部磁性薄膜１２を形成する。さらに
第１絶縁薄膜１３を５ＩＯ２等の無機絶縁材料で３〜５
μｍ程度形成しイオンエツチング等のアペックス角度θ
′が大きくなる加工法で所定の形状に加工しその上にヘ
ッドギャップとなる５ｉｏ２．、Ａｐ２０３等のギャッ
プ材１４をスパッタ等により０．６μｍ程度形成する。
ある。以下第１図に基づいて本発明の一実施例における
薄膜磁気ヘッドの構造および製造方法について説明する
。セラミ、りやＳｉＯ２等の基板１１上に蒸着、スパッ
タ等の方法を用いてＦ ｅ−３１−Ａｌ１合金、Ｎｉ−
Ｆｅ合金等を３〜１０μｍ程度付着しエツチング、リフ
トオフ等の方法で下部磁性薄膜１２を形成する。さらに
第１絶縁薄膜１３を５ＩＯ２等の無機絶縁材料で３〜５
μｍ程度形成しイオンエツチング等のアペックス角度θ
′が大きくなる加工法で所定の形状に加工しその上にヘ
ッドギャップとなる５ｉｏ２．、Ａｐ２０３等のギャッ
プ材１４をスパッタ等により０．６μｍ程度形成する。
さらにギャップ材１４上に巻線となるＣｕ。
Ａ２等の導電材料を蒸着、電着の方法で付着し、エツチ
ング、す７トオフ等により所定の導電性薄膜１６を形成
し導電性薄膜１５と上部磁性薄膜１６とを電気的に絶縁
するだめ第２絶縁薄膜１７を７オトレジスト等の有機絶
縁材料で２〜５７１ｍ程度形成する。導電性薄膜１５は
小面積にて多巻線を考えて二層、四層と有機絶縁材料で
形成した絶縁薄膜１７を介して重ねる場合が多く現在２
０〜３Ｑタ一ン程度まで実現している。
ング、す７トオフ等により所定の導電性薄膜１６を形成
し導電性薄膜１５と上部磁性薄膜１６とを電気的に絶縁
するだめ第２絶縁薄膜１７を７オトレジスト等の有機絶
縁材料で２〜５７１ｍ程度形成する。導電性薄膜１５は
小面積にて多巻線を考えて二層、四層と有機絶縁材料で
形成した絶縁薄膜１７を介して重ねる場合が多く現在２
０〜３Ｑタ一ン程度まで実現している。
さらに第２絶縁薄膜１７上に下部磁性薄膜１２と後部で
直接、前部でギャップ材１４を介して磁気的に結合する
様に上部磁性薄膜１６をＦｅ−Ｎｉ合金、アモルファス
合金等の金属磁性材料で形成しエツチング、す７トオフ
等で形状を製作する。
直接、前部でギャップ材１４を介して磁気的に結合する
様に上部磁性薄膜１６をＦｅ−Ｎｉ合金、アモルファス
合金等の金属磁性材料で形成しエツチング、す７トオフ
等で形状を製作する。
下部磁性薄膜１２および上部磁性薄膜１６を記録媒体１
８の摺動による摩耗から守るためＡｌ１２０３゜５１０
２等による保護薄膜１９を２ｏ〜３０μｍ付着し、さら
に薄膜形成によりできた１５μｍ程度の凹凸をなくすた
めラッピングやプラズマ加工により保護薄膜１９を平坦
化し記録媒体１８との摺動の安定化および薄膜部の保護
のため、樹脂やガラス等の接着剤２ｏを用いてセラミッ
ク等のカバー材２１を接着している。
８の摺動による摩耗から守るためＡｌ１２０３゜５１０
２等による保護薄膜１９を２ｏ〜３０μｍ付着し、さら
に薄膜形成によりできた１５μｍ程度の凹凸をなくすた
めラッピングやプラズマ加工により保護薄膜１９を平坦
化し記録媒体１８との摺動の安定化および薄膜部の保護
のため、樹脂やガラス等の接着剤２ｏを用いてセラミッ
ク等のカバー材２１を接着している。
以上の様な構成の薄膜磁気ヘッドは、磁性薄膜１２．１
６と略直角な面３ｏをラッピング等で鏡面に仕上げて記
録媒体１８と当接する面とする。
６と略直角な面３ｏをラッピング等で鏡面に仕上げて記
録媒体１８と当接する面とする。
矢印は記録媒体１８の移動方向である。この結果導電性
薄膜１６に電流を流すことにより誘導される磁束は上部
磁性薄膜１６より記録媒体１８を通って下部磁性薄膜１
２と導かれ上部磁性薄膜１６へと戻る。
薄膜１６に電流を流すことにより誘導される磁束は上部
磁性薄膜１６より記録媒体１８を通って下部磁性薄膜１
２と導かれ上部磁性薄膜１６へと戻る。
薄膜磁気へ、ドのアペックス角度θ′ を決定する第１
絶縁薄膜１３に無機絶縁材料を用いてイオンエツチング
等で加工しアペックス角度θ′ を４５度程度に形成し
ギャップの内側を通る漏れ磁束φ２が減少させる。又第
２絶縁薄膜１７を有機絶縁材料で形成することにより上
部磁性薄膜１６を平坦化でき磁気特性の劣化のない薄膜
磁気へ、ドが得られる。
絶縁薄膜１３に無機絶縁材料を用いてイオンエツチング
等で加工しアペックス角度θ′ を４５度程度に形成し
ギャップの内側を通る漏れ磁束φ２が減少させる。又第
２絶縁薄膜１７を有機絶縁材料で形成することにより上
部磁性薄膜１６を平坦化でき磁気特性の劣化のない薄膜
磁気へ、ドが得られる。
発明の効果
本発明の薄膜磁気ヘッドは第１絶縁薄膜に無機絶縁材料
、第１絶縁薄膜以降に形成する絶縁薄膜を有機絶縁材料
で形成することによりアペックス角度を大きく（たとえ
ば４６度程度に）コントロールし、かつ上部磁性薄膜の
平坦化による磁気特性の向上を計り高出力な薄膜磁気ヘ
ッドが得られ実用的効果は大きい。
、第１絶縁薄膜以降に形成する絶縁薄膜を有機絶縁材料
で形成することによりアペックス角度を大きく（たとえ
ば４６度程度に）コントロールし、かつ上部磁性薄膜の
平坦化による磁気特性の向上を計り高出力な薄膜磁気ヘ
ッドが得られ実用的効果は大きい。
第１図は本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの断
面図、第２図および第３図は従来の薄膜磁気ヘッドの断
面図である。 １ａ、Ｉｂ、１２．１６・＝−・磁性薄膜、２ａ。 ２ｂ、１５・・・・・導電性薄膜、３ａ、３ｂ、１４・
・・・・・ギャップ材、４ａ 、４ｂ 、１３．１７・
・・・・・絶縁薄膜、θ、θ′・・・・・アペックス角
度、φ１．φ２・・・・・・磁束。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名＋１
−−−、ｌ［、、隊 １２−−４＊や４枝薄Ｉ（ １１−−−２１蝕坊痺膜 １４−−−千゛Ｔヮブぶ？ イ７−−°す２ｒ色倉）ｋう引月灸 イＢ−−−Ｓｌ鵞劫Ｃ〉畦イネ、 Ｉ９−・−１を謹、８榎 ２Ｑ−−・葎馬列 ２１−一一カノ＼ニー」ｒコＥ ｊｏ−弓に椋峰体シ亥力 ９′−？１°・・電角蔓 ψ２− う偽八搗東
面図、第２図および第３図は従来の薄膜磁気ヘッドの断
面図である。 １ａ、Ｉｂ、１２．１６・＝−・磁性薄膜、２ａ。 ２ｂ、１５・・・・・導電性薄膜、３ａ、３ｂ、１４・
・・・・・ギャップ材、４ａ 、４ｂ 、１３．１７・
・・・・・絶縁薄膜、θ、θ′・・・・・アペックス角
度、φ１．φ２・・・・・・磁束。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名＋１
−−−、ｌ［、、隊 １２−−４＊や４枝薄Ｉ（ １１−−−２１蝕坊痺膜 １４−−−千゛Ｔヮブぶ？ イ７−−°す２ｒ色倉）ｋう引月灸 イＢ−−−Ｓｌ鵞劫Ｃ〉畦イネ、 Ｉ９−・−１を謹、８榎 ２Ｑ−−・葎馬列 ２１−一一カノ＼ニー」ｒコＥ ｊｏ−弓に椋峰体シ亥力 ９′−？１°・・電角蔓 ψ２− う偽八搗東
Claims (4)
- （１）下部磁性薄膜と上部磁性薄膜の間に二層以上の絶
縁薄膜を有し上記下部磁性薄膜上に形成する第１絶縁薄
膜を無機絶縁薄膜で、さらにギャップ材を介して前記第
１絶縁薄膜上に形成する絶縁薄膜を有機絶縁薄膜で形成
した薄膜磁気ヘッド。 - （２）第１絶縁膜をＳｉＯ＿２で、前記第１絶縁薄膜上
に形成する絶縁薄膜をフォトレジストでそれぞれ形成し
た特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。 - （３）基板上に下部磁性薄膜を形成し、前記下部磁性薄
膜上に第１絶縁薄膜を無機絶縁薄膜で形成し、化学エッ
チング、イオンエッチングによりアペックス角度が大き
くなるように加工したのち、前記第１絶縁薄膜上にギャ
ップ材を介して導電性薄膜にて巻線を形成し、さらに前
記導電性薄膜上に有機絶縁薄膜で第２絶縁薄膜を形成し
た後、後部で前記下部磁性薄膜と前部で前記ギャップ材
を介して前記下部磁性薄膜と磁気的に結合する様に上部
磁性薄膜を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
製造方法。 - （４）第１絶縁薄膜をＳｉＯ＿２で第２絶縁薄膜をフォ
トレジストで形成した特許請求の範囲第３項記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24821185A JPS62109212A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24821185A JPS62109212A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62109212A true JPS62109212A (ja) | 1987-05-20 |
Family
ID=17174835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24821185A Pending JPS62109212A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62109212A (ja) |
-
1985
- 1985-11-06 JP JP24821185A patent/JPS62109212A/ja active Pending
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