JPS61236207A - 弾性表面波共振子の製造方法 - Google Patents
弾性表面波共振子の製造方法Info
- Publication number
- JPS61236207A JPS61236207A JP7638585A JP7638585A JPS61236207A JP S61236207 A JPS61236207 A JP S61236207A JP 7638585 A JP7638585 A JP 7638585A JP 7638585 A JP7638585 A JP 7638585A JP S61236207 A JPS61236207 A JP S61236207A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- layer
- film layer
- frequency
- surface acoustic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は弾性表面波共振子の製造方法に係り詳しくは２
層の°薄膜層を用い周波数の微調整が可能な弾性表面波
共振子の製造方法に関する。
層の°薄膜層を用い周波数の微調整が可能な弾性表面波
共振子の製造方法に関する。
弾性表面波共振子の製造法としては、通常圧電性基板に
Ｍ薄膜を形成しホトリソグラフィ技術を用いて電極パタ
ーンを作成する方法が用いられており、所望の周波数特
性を得る為に電極パターンを高精度で作成することが重
要である。
Ｍ薄膜を形成しホトリソグラフィ技術を用いて電極パタ
ーンを作成する方法が用いられており、所望の周波数特
性を得る為に電極パターンを高精度で作成することが重
要である。
しかし、高周波、高Ｑの弾性表面波共振子においては、
膜厚、線巾等の精度が厳しく要求精度を満足することが
困難になる。例えば、１μｍ線巾の電極パターンの作成
において、０．１μｍ程度の寸法精度が現在の限界であ
る。この為、素子の製造において、その製造歩留りを改
善する手段として周波数を微調整することが行われてお
り、従来、第６図に示すように電気的に短絡されたグレ
ーティング反射器の金属ス） ＩＪツブ電極をレーザー
加工機により電気的に開放して周波数の微調整を行う方
法が知られている。（特開昭５２−１０５７５２公報、
特開昭５６−１２２２１７公報）この時、レーザー加工
機によりトリミングした反射器の本数と中心周波数変化
Δ’／ｆｏは第７図のような関係にあり、同図に従って
トリミングすることで所定の周波数微調整を行っている
。この技術は個々の素子について最適な調整が可能であ
るが、処理に時間がかかり処理数が制限される。また、
Ｌ ｉ Ａ’ ｈ Ｏ＠等の電気機械結合係数が大きな
基板材料において有効な方法であるが、水晶等の電気機
械結合係数の小さな材料では効果が小さい等の問題があ
った。
膜厚、線巾等の精度が厳しく要求精度を満足することが
困難になる。例えば、１μｍ線巾の電極パターンの作成
において、０．１μｍ程度の寸法精度が現在の限界であ
る。この為、素子の製造において、その製造歩留りを改
善する手段として周波数を微調整することが行われてお
り、従来、第６図に示すように電気的に短絡されたグレ
ーティング反射器の金属ス） ＩＪツブ電極をレーザー
加工機により電気的に開放して周波数の微調整を行う方
法が知られている。（特開昭５２−１０５７５２公報、
特開昭５６−１２２２１７公報）この時、レーザー加工
機によりトリミングした反射器の本数と中心周波数変化
Δ’／ｆｏは第７図のような関係にあり、同図に従って
トリミングすることで所定の周波数微調整を行っている
。この技術は個々の素子について最適な調整が可能であ
るが、処理に時間がかかり処理数が制限される。また、
Ｌ ｉ Ａ’ ｈ Ｏ＠等の電気機械結合係数が大きな
基板材料において有効な方法であるが、水晶等の電気機
械結合係数の小さな材料では効果が小さい等の問題があ
った。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を解決し、
簡便かつ効果的な周波数の微調整が可能な弾性表面波共
振子の製造方法を提供することにある。
簡便かつ効果的な周波数の微調整が可能な弾性表面波共
振子の製造方法を提供することにある。
本発明の弾性表面波共振子の製造方法は、グレーティン
グ反射器の膜厚段差を調整することＫよって周波数の微
調整を行う工程を有し、膜厚段差を調整する手段として
腐食能の異なる２層の薄膜層でグレーティング反射器を
形成し各層の腐食除去量を適宜調整する方法を用いるこ
とを特徴としている。
グ反射器の膜厚段差を調整することＫよって周波数の微
調整を行う工程を有し、膜厚段差を調整する手段として
腐食能の異なる２層の薄膜層でグレーティング反射器を
形成し各層の腐食除去量を適宜調整する方法を用いるこ
とを特徴としている。
以下図面を用いて説明すると、第１図に示すように、ま
ず圧電性基板上に第１の薄膜層を形成し、すだれ状電極
形成予定部の薄膜層を除去する。次に、第２の薄膜層を
Ｍ等の電気伝導性材料により形成しホトリソグラフィ技
術を用いて、すだれ状電極及びグレーティング反射器を
作成する。この時、グレーティング反射器は第１の薄膜
層の上に第２の薄膜層によって形成されており、すだれ
状電極は第２の薄膜層によってのみ形成されている。こ
のような構造とする理由は、すだれ状電極部に第１の薄
膜層が存在することによって生ずる不要な反射波及び弾
性表面波の励振効率の低下を妨止する為である。
ず圧電性基板上に第１の薄膜層を形成し、すだれ状電極
形成予定部の薄膜層を除去する。次に、第２の薄膜層を
Ｍ等の電気伝導性材料により形成しホトリソグラフィ技
術を用いて、すだれ状電極及びグレーティング反射器を
作成する。この時、グレーティング反射器は第１の薄膜
層の上に第２の薄膜層によって形成されており、すだれ
状電極は第２の薄膜層によってのみ形成されている。こ
のような構造とする理由は、すだれ状電極部に第１の薄
膜層が存在することによって生ずる不要な反射波及び弾
性表面波の励振効率の低下を妨止する為である。
この状態で周波数の検査を行い、必要な時に次の周波数
の微調整の工程を行う。弾性表面波共振子の中心周波数
は膜厚段差に依存して変化し電極の形成周期（ピッチ）
が同一であっても段差が大きい程低下する。したがって
、所望の周波数に対して素子の周波数が高い場合は段差
を増し、逆に周波数が低い場合は段差を低減することＫ
より周波数の調整が可能である。このような膜厚段差の
増減による周波数の微調整を実現する為、本発明におい
て腐食能の異なる２層の薄膜層を用いているのである。
の微調整の工程を行う。弾性表面波共振子の中心周波数
は膜厚段差に依存して変化し電極の形成周期（ピッチ）
が同一であっても段差が大きい程低下する。したがって
、所望の周波数に対して素子の周波数が高い場合は段差
を増し、逆に周波数が低い場合は段差を低減することＫ
より周波数の調整が可能である。このような膜厚段差の
増減による周波数の微調整を実現する為、本発明におい
て腐食能の異なる２層の薄膜層を用いているのである。
第２図に本発明の弾性表面波共振子の構造を平面図で示
す。
す。
すだれ状電極２とグレーティング反射器３１．３２は第
２の薄膜層より形成されており、グレーティング反射器
の下層には第１の薄膜層が形成されている。段差を増す
場合は、第１の薄膜層の腐食能が高くかつ第２の薄膜層
に対する腐食能が低い腐食物質を用いて、第２の薄膜層
をマスクとして第１の薄膜層を適宜腐食除去する。逆に
段差を低減する場合は、第２の薄膜層の腐食能が高くか
つ第１の薄膜層の腐食能が低い腐食物質を用いて、第２
の薄膜層のみ適宜腐食除去するのである。このような調
整工程によって、ウェハ単位で効率的に処理が可能であ
り、かつ水晶等の電極機械結合係数の小さい基板材料に
おいても有効な周波数の微調整が可能である。
２の薄膜層より形成されており、グレーティング反射器
の下層には第１の薄膜層が形成されている。段差を増す
場合は、第１の薄膜層の腐食能が高くかつ第２の薄膜層
に対する腐食能が低い腐食物質を用いて、第２の薄膜層
をマスクとして第１の薄膜層を適宜腐食除去する。逆に
段差を低減する場合は、第２の薄膜層の腐食能が高くか
つ第１の薄膜層の腐食能が低い腐食物質を用いて、第２
の薄膜層のみ適宜腐食除去するのである。このような調
整工程によって、ウェハ単位で効率的に処理が可能であ
り、かつ水晶等の電極機械結合係数の小さい基板材料に
おいても有効な周波数の微調整が可能である。
本発明の実施例を第３図〜第５図を用いて説明する。第
５図は膜厚と中心周波数変化ΔＶｆ０の関係を示してお
り、横軸は中心周波数における波長で規格化した膜厚段
差ｔ／λ０である。また第４図は本発明の製造工程を説
明する弾性表面波共振子の断面図である。
５図は膜厚と中心周波数変化ΔＶｆ０の関係を示してお
り、横軸は中心周波数における波長で規格化した膜厚段
差ｔ／λ０である。また第４図は本発明の製造工程を説
明する弾性表面波共振子の断面図である。
本発明において、圧電性基板１はｓｒカット水晶基板で
あり、第１の薄膜層５及び第２の薄膜層６にはそれぞれ
Ｓｉ及びＭを用いている。各工程を図面に従って説明す
ると、（Ａ） ｔず、水晶基板上にＳｉ層を約７００１
形成した後不要なＳｉ層を腐食除去する。（Ｂ）Ａ１層
を１０００．；形成する。
あり、第１の薄膜層５及び第２の薄膜層６にはそれぞれ
Ｓｉ及びＭを用いている。各工程を図面に従って説明す
ると、（Ａ） ｔず、水晶基板上にＳｉ層を約７００１
形成した後不要なＳｉ層を腐食除去する。（Ｂ）Ａ１層
を１０００．；形成する。
（Ｃ）Ａ１の腐食能が高く、かつＳｉに対する腐食能が
低い腐食物質を用いホトリソグラフィ技術により、すだ
れ状電極及びグレーティング反射器を形成する。ここで
、周波数の検査を行い調整の必要なものについては第３
図に示した膜厚段差と周波数変化の関係に従ってＳｉ層
又はＭ層を所定量腐食除去する工程を行い、第４図（Ｄ
）あるいは（Ｅ）に示すように膜厚段差を調整し、周波
数の微調整を行うのである。本発明の実施例において、
中心周波数７００ＭＨｚの弾性表面波共振子を作成した
ところ、膜厚段差に対する周波数変化は約５００ＫＨｚ
／ １ｏｏＪ！であり、本発明の製造方法を適用する
ことで、簡便に周波数の微調整を行うことが可能になっ
た。
低い腐食物質を用いホトリソグラフィ技術により、すだ
れ状電極及びグレーティング反射器を形成する。ここで
、周波数の検査を行い調整の必要なものについては第３
図に示した膜厚段差と周波数変化の関係に従ってＳｉ層
又はＭ層を所定量腐食除去する工程を行い、第４図（Ｄ
）あるいは（Ｅ）に示すように膜厚段差を調整し、周波
数の微調整を行うのである。本発明の実施例において、
中心周波数７００ＭＨｚの弾性表面波共振子を作成した
ところ、膜厚段差に対する周波数変化は約５００ＫＨｚ
／ １ｏｏＪ！であり、本発明の製造方法を適用する
ことで、簡便に周波数の微調整を行うことが可能になっ
た。
また、他の実施例として第５図（，４）、（Ｊ）に示す
ようにグレーティング反射器の一部を腐食除去すること
で、さらに細かな周波数の調整が可能である。なお、本
実施例においてはＭ及び別を薄膜層に用いたが、本発明
はこれに限定されることなく、Ａμ、Ｔｉ、Ｃ丁、Ｓｉ
Ｏ２等極々の材料が可能であることは明白である。
ようにグレーティング反射器の一部を腐食除去すること
で、さらに細かな周波数の調整が可能である。なお、本
実施例においてはＭ及び別を薄膜層に用いたが、本発明
はこれに限定されることなく、Ａμ、Ｔｉ、Ｃ丁、Ｓｉ
Ｏ２等極々の材料が可能であることは明白である。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、レー
ザー加工機等の特別な装置を使用せずに基板単位で一括
処理が出来る為、製造工程において有利な周波数の微調
整方法であり、加えて水晶基板等の基板材料においても
有効な周波数の微調整が可能であり、弾性表面波共振子
の良品歩留りの向上を図ることが可能である。
ザー加工機等の特別な装置を使用せずに基板単位で一括
処理が出来る為、製造工程において有利な周波数の微調
整方法であり、加えて水晶基板等の基板材料においても
有効な周波数の微調整が可能であり、弾性表面波共振子
の良品歩留りの向上を図ることが可能である。
第１図は本発明の製造方法による弾性表面波共振子の構
造を示す断面図、第２図は本発明の製造方法による弾性
表面波共振子の構造を示す平面図、第３図は膜厚段差と
周波数変化の関係を示す図、第４図は本発明の弾性表面
波共振子の製造工程を示す図、第５図は本発明の他の実
施例を示す図、第６図は従来の周波数微調整法を示す弾
性表面波共振子の平面図、第７図はト’Ｉ ミンクした
反射器の本数と周波数変化Δ’／ｆ。 の関係を示す図である。 １・・・・・・・・・・・・・・−・圧電性基板２・・
・・・・・・・・・・・・−・・すだれ状電極 −３，
３１，５２・・・グレーティング反射器４１．４２・・
・・・・・・・電気的に開放された反射器５、５１ 、
５２・・・第１の薄膜層 ・τ。 ｔ、。 ６・・・・・・・・・・・・・・・・・・第２の薄膜層
〈″・ −；１
造を示す断面図、第２図は本発明の製造方法による弾性
表面波共振子の構造を示す平面図、第３図は膜厚段差と
周波数変化の関係を示す図、第４図は本発明の弾性表面
波共振子の製造工程を示す図、第５図は本発明の他の実
施例を示す図、第６図は従来の周波数微調整法を示す弾
性表面波共振子の平面図、第７図はト’Ｉ ミンクした
反射器の本数と周波数変化Δ’／ｆ。 の関係を示す図である。 １・・・・・・・・・・・・・・−・圧電性基板２・・
・・・・・・・・・・・・−・・すだれ状電極 −３，
３１，５２・・・グレーティング反射器４１．４２・・
・・・・・・・電気的に開放された反射器５、５１ 、
５２・・・第１の薄膜層 ・τ。 ｔ、。 ６・・・・・・・・・・・・・・・・・・第２の薄膜層
〈″・ −；１
Claims (1)
- 圧電性基板上にすだれ状電極とグレーティング反射器
を設けた構造を有する弾性表面波共振子の製造方法にお
いて、圧電性基板上に第１の薄膜層を形成し、不要な薄
膜層を除去した後前記第１の薄膜層と腐食能の異なる第
２の薄膜層を形成し、ついで第１の薄膜層を残して第２
の薄膜層にすだれ状電極及びグレーティング反射器を形
成する工程と、第１の薄膜層または第２の薄膜層を適宜
腐食除去（エッチング）する工程を行うことにより、グ
レーティング反射器における膜厚段差が所望の値となる
よう形成することを特徴とする弾性表面波共振子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7638585A JPS61236207A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 弾性表面波共振子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7638585A JPS61236207A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 弾性表面波共振子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61236207A true JPS61236207A (ja) | 1986-10-21 |
Family
ID=13603865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7638585A Pending JPS61236207A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 弾性表面波共振子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61236207A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0316409A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
| JPH0555618U (ja) * | 1991-12-19 | 1993-07-23 | 日本無線株式会社 | 弾性表面波装置 |
-
1985
- 1985-04-12 JP JP7638585A patent/JPS61236207A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0316409A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
| JPH0555618U (ja) * | 1991-12-19 | 1993-07-23 | 日本無線株式会社 | 弾性表面波装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7485238B2 (en) | Etching method, etched product formed by the same, and piezoelectric vibration device, method for producing the same | |
| US5894647A (en) | Method for fabricating piezoelectric resonators and product | |
| US8093787B2 (en) | Tuning-fork-type piezoelectric vibrating piece with root portions having tapered surfaces in the thickness direction | |
| EP0797300B1 (en) | Piezoelectric vibrator and manufacturing method thereof | |
| US4253036A (en) | Subminiature tuning fork quartz crystal vibrator with nicrome and palladium electrode layers | |
| JPS61236207A (ja) | 弾性表面波共振子の製造方法 | |
| US7253706B2 (en) | Method for manufacturing surface acoustic wave element, as well as surface acoustic wave element manufactured by the same method | |
| JP3140767B2 (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
| US4232109A (en) | Method for manufacturing subminiature quartz crystal vibrator | |
| JP2995550B2 (ja) | 水晶振動片の製造方法 | |
| JPH04294622A (ja) | 圧電素子の製造方法 | |
| JPS6038891B2 (ja) | 超小型水晶振動子の製造方法 | |
| JPH05251976A (ja) | 弾性表面波素子の電極製造方法 | |
| JP3140759B2 (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
| JP2003017983A (ja) | 弾性波装置用ウエハ及びそれを用いた弾性波装置 | |
| JPS6127929B2 (ja) | ||
| JPH04130810A (ja) | Ａｔカット水晶振動片の製造方法 | |
| JP2000040931A (ja) | 圧電共振子、圧電共振子の製造方法および圧電共振子の周波数調整方法 | |
| JPH0864931A (ja) | 電子部品の微細電極形成方法 | |
| JPH11163662A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JP2004357121A (ja) | 圧電振動片の形成方法およびその方法を用いて製造した圧電デバイス | |
| JPH06164286A (ja) | 弾性表面波共振子の製造方法 | |
| JP2000201041A (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
| JPS6322084B2 (ja) | ||
| JP2006333334A (ja) | 弾性表面波素子形成用フォトマスクおよび弾性表面波素子の製造方法並びに弾性表面波素子 |