JPS6038891B2 - 超小型水晶振動子の製造方法 - Google Patents
超小型水晶振動子の製造方法Info
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- JPS6038891B2 JPS6038891B2 JP11198677A JP11198677A JPS6038891B2 JP S6038891 B2 JPS6038891 B2 JP S6038891B2 JP 11198677 A JP11198677 A JP 11198677A JP 11198677 A JP11198677 A JP 11198677A JP S6038891 B2 JPS6038891 B2 JP S6038891B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/21—Crystal tuning forks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は超小型音叉水晶振動子、特にフオトリソグラフ
ィ技術からなる平面、側面電極を有する超小型音叉水晶
振動子の製造方法に関するものである。
ィ技術からなる平面、側面電極を有する超小型音叉水晶
振動子の製造方法に関するものである。
近年、腕時計の電子化も急速に発達し、各ェレメントの
小型化、ローコスト化、多機能化、等の点では諸々の開
発がなされている。
小型化、ローコスト化、多機能化、等の点では諸々の開
発がなされている。
特に水晶振動子に於いては、特開昭48−3575に見
られるように、従来の機械加工技術からフオトリソグラ
フィ技術を利用した半導体的思考への技術革新がなされ
ている。しかしながら生産技術的見地からはそれらの方
向性が将来的に有利に導くと考えられるものの、特性面
からは従来の機械加工により製造される振動子に比べ劣
っている現状である。しかるにそれにても従来の十50
×カットの平面、側面電極を有する屈曲音叉振動子より
も、クリスタルインピーダンスが高いこと、Co/C,
が大きくトリマコンデンサーの容量変化に対する振動子
周波数変化は小さいなどの欠点を有している。基本的に
有効な圧電効果を得ようとすれば、側面部への電極形成
が必要となり、平面処理法がフオトリソグラフィ技術に
有利と判断すれば、特性的に劣化する。従来これらの製
造技術の考え方は平面処理でなければフオトリソグラフ
ィ技術の応用は困難とされて来た。本発明はX藤のまわ
りにoo〜1oo、Y′軸のまわりに70o〜90o回
転した薄板水晶振動子の利点とされるクリスタルインピ
ーダンスが低い、温度−共振周波数特性の変曲点位置が
高い等の長所を生かしかつ、フオトリソグラフィ技術に
より小型化、薄型化、ローコスト化に対応出来る製造プ
ロセスを提供したことにある。第1図、第2図、第3図
は従来の十5o×カット屈曲音叉水晶振動子の枝部の断
面図である。第1図に於いて音叉型水晶振動子はワイヤ
ーソー等の機械加工法により叉部のスリットは加工され
、平面部電極2、側面部電極3は金属マスクを使用し真
空蒸着筆により形成されていた。矢印のごとく電界が印
加された時、電気軸X方向の成分が水晶に歪みを発生さ
せて、片枝を中心にして左右に伸び、縮みを起こし、交
流電圧を加えることにより、両枝の屈曲振動を利用して
いた。しかるに超小型化に対してこれらの有効な圧電効
果の利用は製造上困難な状況となった。即ち機械的加工
法により超小型化が困難、電極付けに於いても金属マス
ク法に於いては不可能な内容である。これらの対策とし
て特開昭50−11393に見られる様に第2図のごと
く十50×カットにて、音叉形状を形成し、従来の側面
部電極は平面部の両端に電極6を形成し、中央都電極5
と両端電極6との間に矢印のごとく電界を印加させ、伸
び縮みを起こさせたものである。これらの方法によれば
フオトリソグラフィ技術の応用は容易であることがわか
る。しかるに従来の側面、平面電極と同一レベルの特性
は得られず、クリスタルインピーダンスも50〜100
KQと高いこと、また真空度に対するクリスタルインピ
ーダンスの変化が激しく封止方法が難しいこと、Co/
C,が高くトリマビリティーも狭い幅となるなどの欠点
を有し、時計に要求される低消費電力化についても有効
でない。本発明は第3図及び第4図のごとく、十50×
カットにて、水晶7を薄くし、平面都電極8と、側面部
のみに電極9を形成し矢印のごとく電界を印加させて、
第1図の様に従来の屈曲音叉水晶振動子と特性的に同一
にし、かつ、フオトリソグラフィ技術を容易に応用でき
るプロセスを提供したことにある。本発明を第5図の音
叉の両枝断面により工程別に順次説明する。〔工程A〕 十50×カット水晶基板11を50〜200ミクロンと
薄く両面研摩の工程。
られるように、従来の機械加工技術からフオトリソグラ
フィ技術を利用した半導体的思考への技術革新がなされ
ている。しかしながら生産技術的見地からはそれらの方
向性が将来的に有利に導くと考えられるものの、特性面
からは従来の機械加工により製造される振動子に比べ劣
っている現状である。しかるにそれにても従来の十50
×カットの平面、側面電極を有する屈曲音叉振動子より
も、クリスタルインピーダンスが高いこと、Co/C,
が大きくトリマコンデンサーの容量変化に対する振動子
周波数変化は小さいなどの欠点を有している。基本的に
有効な圧電効果を得ようとすれば、側面部への電極形成
が必要となり、平面処理法がフオトリソグラフィ技術に
有利と判断すれば、特性的に劣化する。従来これらの製
造技術の考え方は平面処理でなければフオトリソグラフ
ィ技術の応用は困難とされて来た。本発明はX藤のまわ
りにoo〜1oo、Y′軸のまわりに70o〜90o回
転した薄板水晶振動子の利点とされるクリスタルインピ
ーダンスが低い、温度−共振周波数特性の変曲点位置が
高い等の長所を生かしかつ、フオトリソグラフィ技術に
より小型化、薄型化、ローコスト化に対応出来る製造プ
ロセスを提供したことにある。第1図、第2図、第3図
は従来の十5o×カット屈曲音叉水晶振動子の枝部の断
面図である。第1図に於いて音叉型水晶振動子はワイヤ
ーソー等の機械加工法により叉部のスリットは加工され
、平面部電極2、側面部電極3は金属マスクを使用し真
空蒸着筆により形成されていた。矢印のごとく電界が印
加された時、電気軸X方向の成分が水晶に歪みを発生さ
せて、片枝を中心にして左右に伸び、縮みを起こし、交
流電圧を加えることにより、両枝の屈曲振動を利用して
いた。しかるに超小型化に対してこれらの有効な圧電効
果の利用は製造上困難な状況となった。即ち機械的加工
法により超小型化が困難、電極付けに於いても金属マス
ク法に於いては不可能な内容である。これらの対策とし
て特開昭50−11393に見られる様に第2図のごと
く十50×カットにて、音叉形状を形成し、従来の側面
部電極は平面部の両端に電極6を形成し、中央都電極5
と両端電極6との間に矢印のごとく電界を印加させ、伸
び縮みを起こさせたものである。これらの方法によれば
フオトリソグラフィ技術の応用は容易であることがわか
る。しかるに従来の側面、平面電極と同一レベルの特性
は得られず、クリスタルインピーダンスも50〜100
KQと高いこと、また真空度に対するクリスタルインピ
ーダンスの変化が激しく封止方法が難しいこと、Co/
C,が高くトリマビリティーも狭い幅となるなどの欠点
を有し、時計に要求される低消費電力化についても有効
でない。本発明は第3図及び第4図のごとく、十50×
カットにて、水晶7を薄くし、平面都電極8と、側面部
のみに電極9を形成し矢印のごとく電界を印加させて、
第1図の様に従来の屈曲音叉水晶振動子と特性的に同一
にし、かつ、フオトリソグラフィ技術を容易に応用でき
るプロセスを提供したことにある。本発明を第5図の音
叉の両枝断面により工程別に順次説明する。〔工程A〕 十50×カット水晶基板11を50〜200ミクロンと
薄く両面研摩の工程。
(工程B〕
水晶基板11を音叉形状にエッチング加工する際の耐フ
ッ酸性マスクと平面都電極を兼ねた金属薄膜12を例え
ばCr−Au等により真空蒸着、スパッタリングにより
両面コ−トする工程。
ッ酸性マスクと平面都電極を兼ねた金属薄膜12を例え
ばCr−Au等により真空蒸着、スパッタリングにより
両面コ−トする工程。
ネガ型フオトレジスト〔例えば環化ゴムとビスアジドを
混合したもので商品名米国コダック社のKMR−747
、752〕等を使用し平面部電極パターン13を両面に
、両面投影露光法により形成する工程。
混合したもので商品名米国コダック社のKMR−747
、752〕等を使用し平面部電極パターン13を両面に
、両面投影露光法により形成する工程。
工程Cにおけるネガ型フオトレジスト上にナフトキノン
ジアジドとノボラック樹脂を混合したポジ型フオトレジ
スト〔商品名、米国、シトップレィ社、位−1350、
国産、東京応化、OFPRシリーズ等〕を用い両面投影
露光法により、音叉14のパターニング工程。
ジアジドとノボラック樹脂を混合したポジ型フオトレジ
スト〔商品名、米国、シトップレィ社、位−1350、
国産、東京応化、OFPRシリーズ等〕を用い両面投影
露光法により、音叉14のパターニング工程。
音叉のフオトレジストパターン14をマスクにした金属
薄膜12のエッチングと、水晶基板11のエッチング工
程。
薄膜12のエッチングと、水晶基板11のエッチング工
程。
側面部電極膜15の形成を目的とした例えば、Ni−C
r−Pd等を夏空蒸着により形成する工程、このとき同
時に平面部にも薄膜15は形成されるがポジ型フオトレ
ジスト14が保護膜となり、金属薄膜12と金属薄膜1
5は結合しないことである。
r−Pd等を夏空蒸着により形成する工程、このとき同
時に平面部にも薄膜15は形成されるがポジ型フオトレ
ジスト14が保護膜となり、金属薄膜12と金属薄膜1
5は結合しないことである。
工程Fの際に平面部に形成された金属薄膜15と下地の
フオトレジスト14の除去工程。
フオトレジスト14の除去工程。
このときの除去法を第6図により説明すれば、P部を拡
大して見ると、ポジ型フオトレジスト14は両面投影露
光法を使用している為に、投影法の欠点であるレンズの
関係でUVランプのスペクトルはg線のみであるため、
光分解を生じさせる為には長時間(19抄〜20秒)の
露光時間を要し、ハレーションが発生してポジ型特有の
サブストレート部が狭くなる断面形状が得られるもので
ある。
大して見ると、ポジ型フオトレジスト14は両面投影露
光法を使用している為に、投影法の欠点であるレンズの
関係でUVランプのスペクトルはg線のみであるため、
光分解を生じさせる為には長時間(19抄〜20秒)の
露光時間を要し、ハレーションが発生してポジ型特有の
サブストレート部が狭くなる断面形状が得られるもので
ある。
この断面の形状は金属薄膜12と接する付近が狭くなる
為に、金属薄膜15を形成させてもその部分には入らな
いのである。また金属薄膜15を1000〜2000A
形成させると基本的に薄膜15内にはピンホールも存在
するわけで、この2点を併用して、フオトレジスト14
と金属薄膜15を完全ストリップすることが出来る。〔
工程H〕 工程Gでストリツプしたポジ型フオトレジスト14の下
のネガ型フオトレジスト13は完全に安定しており、レ
ジスト13をマスクにして金属薄膜12をエッチングす
るものでこのとき、側面い極用金属薄膜15はエッチャ
ントに犯されない。
為に、金属薄膜15を形成させてもその部分には入らな
いのである。また金属薄膜15を1000〜2000A
形成させると基本的に薄膜15内にはピンホールも存在
するわけで、この2点を併用して、フオトレジスト14
と金属薄膜15を完全ストリップすることが出来る。〔
工程H〕 工程Gでストリツプしたポジ型フオトレジスト14の下
のネガ型フオトレジスト13は完全に安定しており、レ
ジスト13をマスクにして金属薄膜12をエッチングす
るものでこのとき、側面い極用金属薄膜15はエッチャ
ントに犯されない。
〔工程1〕ネガ型フオトレジストのストリップ工程。
以上の工程により薄く研摩された水晶基板11にも側面
電極15のみを形成することが可能である;−本発明を
プロセス化出釆た点として、ネガ型とポジ型の同時形成
、ポジ型フオトレジストを平面部の保護膜として用いて
、側面電極形成時に平面部への付着を防いだことを特徴
としている。
電極15のみを形成することが可能である;−本発明を
プロセス化出釆た点として、ネガ型とポジ型の同時形成
、ポジ型フオトレジストを平面部の保護膜として用いて
、側面電極形成時に平面部への付着を防いだことを特徴
としている。
本発明により製造された十50×カットの側面及び平面
電極を有する構造の薄板音叉水晶振動子は、クリスタル
インピーダンスに於いて、20〜30KOと低く、C,
に於いては、1.5xlo−3PFと従来品に比べ1ケ
タ大きいこと、また従来真空度変化に対するクリスタル
インピーダンスの変化量が第7図に示す如く従来のは曲
線aであったが本発明のは曲線bのごとく少くなってい
る。本発明により得られた音叉水晶振動子はフオトリソ
グラフィ技術を用いることで超4・型化が容易であるこ
と、大量生産性を有すること、超小型化による特性劣化
が少し、こと、低消費電力化の対策となることなどによ
り、本発明による十5o ×カットの屈曲音叉水晶振動
子への効果は大である。本発明は音叉形状にこだわらず
。棒状にも適応出来ること、また他の圧電材料への側面
電極形成法としても有効である。
電極を有する構造の薄板音叉水晶振動子は、クリスタル
インピーダンスに於いて、20〜30KOと低く、C,
に於いては、1.5xlo−3PFと従来品に比べ1ケ
タ大きいこと、また従来真空度変化に対するクリスタル
インピーダンスの変化量が第7図に示す如く従来のは曲
線aであったが本発明のは曲線bのごとく少くなってい
る。本発明により得られた音叉水晶振動子はフオトリソ
グラフィ技術を用いることで超4・型化が容易であるこ
と、大量生産性を有すること、超小型化による特性劣化
が少し、こと、低消費電力化の対策となることなどによ
り、本発明による十5o ×カットの屈曲音叉水晶振動
子への効果は大である。本発明は音叉形状にこだわらず
。棒状にも適応出来ること、また他の圧電材料への側面
電極形成法としても有効である。
第1図は従来の機械加工による十50×カットの音叉水
晶振動子の枝部断面図。 第2図は十5o×カットを用いた平面電極配置の音叉水
晶振動子の枝部断面図。第3図は本発明を用いた十5o
×カットの側面及び平面を有する構造の音叉水晶振動
子の枝部断面図。第4図は本発明を用いた音叉水晶振動
子の斜視図。第5図は本発明の水晶振動子製造法を工程
別に表記したもので各工程図は音叉水晶振動子の両枝部
断面図。第6図は本発明の工程FのP部拡大断面図。第
7図は本発明の効果を表わすもので、真空度−クリスタ
ルインピーダンスの関係図であるol,4,7,H……
水晶、2,5,8,12…・・・平面電極膜、3,9,
15・・・・・・側面電極膜、6・・・・・・平面の平
面電極膜、8a・・・・・・電極結合線、10・・・・
・・周波数調整用厚膜及び薄膜、13・・・・・・ネガ
型フオトレジスト、14・・…・ポジ型フオトレジスト
。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図
晶振動子の枝部断面図。 第2図は十5o×カットを用いた平面電極配置の音叉水
晶振動子の枝部断面図。第3図は本発明を用いた十5o
×カットの側面及び平面を有する構造の音叉水晶振動
子の枝部断面図。第4図は本発明を用いた音叉水晶振動
子の斜視図。第5図は本発明の水晶振動子製造法を工程
別に表記したもので各工程図は音叉水晶振動子の両枝部
断面図。第6図は本発明の工程FのP部拡大断面図。第
7図は本発明の効果を表わすもので、真空度−クリスタ
ルインピーダンスの関係図であるol,4,7,H……
水晶、2,5,8,12…・・・平面電極膜、3,9,
15・・・・・・側面電極膜、6・・・・・・平面の平
面電極膜、8a・・・・・・電極結合線、10・・・・
・・周波数調整用厚膜及び薄膜、13・・・・・・ネガ
型フオトレジスト、14・・…・ポジ型フオトレジスト
。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図
Claims (1)
- 1 水晶基板の研摩工程、該基板上への薄膜形成工程、
ネガ型フオトレジストによる電極パターニング工程、ポ
ジ型フオトレジストによる音叉外形パターニング工程、
及び薄膜エツチング工程、該音叉パターンをマスクにし
た水晶基板のエツチング工程、側面部電極薄膜形成工程
、平面部ポジ型フオトレジストと該レジスト上に付着し
た側面用薄膜の除去工程、上記ネガ型フオトレジストを
マスクにした平面部電極膜のエツチング工程からなるこ
とを特徴とした超小型水晶振動子の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11198677A JPS6038891B2 (ja) | 1977-09-17 | 1977-09-17 | 超小型水晶振動子の製造方法 |
GB19770/78A GB1600706A (en) | 1977-09-17 | 1978-05-16 | Subminiature quartz crystal vibrator and method for manufacturing the same |
US05/925,936 US4253036A (en) | 1977-09-17 | 1978-07-19 | Subminiature tuning fork quartz crystal vibrator with nicrome and palladium electrode layers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11198677A JPS6038891B2 (ja) | 1977-09-17 | 1977-09-17 | 超小型水晶振動子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5445590A JPS5445590A (en) | 1979-04-10 |
JPS6038891B2 true JPS6038891B2 (ja) | 1985-09-03 |
Family
ID=14575075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11198677A Expired JPS6038891B2 (ja) | 1977-09-17 | 1977-09-17 | 超小型水晶振動子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6038891B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0291092U (ja) * | 1988-12-30 | 1990-07-19 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5736019U (ja) * | 1980-08-05 | 1982-02-25 | ||
JP4895716B2 (ja) * | 2006-08-10 | 2012-03-14 | シチズンホールディングス株式会社 | 圧電デバイスの製造方法 |
JP6856020B2 (ja) | 2015-06-17 | 2021-04-07 | 株式会社ニコン | 配線パターンの製造方法、トランジスタの製造方法、及び転写用部材 |
-
1977
- 1977-09-17 JP JP11198677A patent/JPS6038891B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0291092U (ja) * | 1988-12-30 | 1990-07-19 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5445590A (en) | 1979-04-10 |
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