JP3844213B2 - 圧電振動片の製造方法、フォトマスク、圧電振動片および圧電デバイス - Google Patents

圧電振動片の製造方法、フォトマスク、圧電振動片および圧電デバイス Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧電振動片の製造方法、フォトマスク、圧電振動片および圧電デバイスに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電気回路において一定の周波数を得るため、図7に示すように、圧電振動片20をパッケージ5等に実装した圧電振動子1が広く利用されている。圧電振動片20は、水晶等の圧電材料からなる平板の両面に、励振電極26を形成したものである。なお、圧電材料の厚さが薄いほど、圧電振動片20の共振周波数が高くなる。そこで、平板の片面または両面に逆メサ部(凹部)24を形成し、その逆メサ部24の底面に励振電極26を形成した、逆メサ型圧電振動片20が開発されている。
【0003】
圧電振動片は、水晶等の圧電材料から切り出した圧電基板上において、複数個を同時に形成する。具体的には、まず圧電基板の表面全体に耐蝕膜を形成する。次に、耐蝕膜の表面全体にレジストを塗布する。そして、図8に示すフォトマスク190を用いてレジストを露光する。フォトマスク190には、形成すべき複数の圧電振動片のパターン192が遮光部として描画され、その周辺部195は透光部になっている。また、フォトマスク190には、形成された圧電振動片を支持するフレームのパターン194が描画され、圧電振動片のパターン192との間に支持部のパターン193が描画されている。
【0004】
このフォトマスク190を介してレジストを露光し、現像することにより、圧電振動片の形成領域にレジストが残り、その周辺部のレジストが除去される。そして、そのレジストをマスクとして耐蝕膜をエッチングすることにより、圧電振動片の形成領域に耐蝕膜が残り、その周辺部の耐蝕膜が除去されて、耐蝕膜がパターニングされる。そして、パターニングされた耐蝕膜をマスクとして圧電基板をエッチングすることにより、圧電振動片の外形が形成される。その後、励振電極等を形成した圧電振動片をフレームから分離すれば、圧電振動片が完成する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上述した方法により形成された圧電振動片の平面図を、図9(1)に示す。なお、同図(2)はA−A線における断面図であり、同図(3)はB−B線における断面図であり、同図(4)はC−C線における断面図である。圧電振動片120の外形は、圧電基板における圧電振動片の形成領域のX方向およびZ′方向周辺部をエッチングすることにより形成される。したがって、圧電振動片の角部120aには両方向のエッチングが重畳的に作用してオーバーエッチングされ、図9の各図に示すように面だれが生じる。なお、水晶等の圧電材料の異方性により、面だれは一定の方向に発生すると考えられる。そしてこの面だれにより、圧電振動片の外形形状に起因するスプリアス振動が発生するという問題がある。
【0006】
本発明は上記問題点に着目し、圧電振動片の外形形状に起因するスプリアス振動の発生を防止することが可能な、圧電振動片の製造方法、フォトマスクおよび圧電振動片の提供を目的とする。
【0007】
ところで、図7に示す圧電振動子1は、圧電振動片20をパッケージ5にマウントして製造する。ここで、上述した方法により圧電振動片20を形成した場合には、圧電振動片のマウント部20bに面だれが発生するので、パッケージ5との接着強度が低下し、また圧電振動子1のCI値が増加する。そこで、マウント部20bの面積を確保するため、圧電振動片20の外形を拡大する必要がある。しかしそれでは、圧電デバイス1の小型化の要請に応えることができないという問題がある。
【0008】
また、上述した方法により逆メサ型圧電振動片を形成した場合には、図9に示す逆メサ部124の外枠125に面だれが発生するので、外枠125の一部が細くなって強度が劣化する。そこで、逆メサ部124の大きさを維持したまま圧電振動片120の外形を拡大するか、または逆メサ部124の大きさを縮小して圧電振動片120の外形を維持するか、いずれかの方法で強度を確保する必要がある。しかし、前者の場合には圧電デバイスの小型化の要請に応えることができないという問題があり、後者の場合は圧電振動片のCI値や温度特性が悪化するという問題がある。
【0009】
本発明は上記問題点に着目し、圧電デバイスの小型化が可能な、圧電振動片の製造方法、フォトマスクおよび圧電振動片の提供を目的とする。
加えて本発明は、圧電振動片の外形形状に起因するスプリアス振動の発生を防止することが可能であり、また小型化が可能な、圧電デバイスの提供を目的とする。
【0010】
一方、圧電振動片の製造途中において、圧電振動片は支持部により圧電基板のフレームに連結され支持されている。なお、最終工程において、圧電振動片は支持部から折り取られて分離される。もっとも、製造途中に圧電振動片が外力を受けて、フレームから脱落する場合がある。そこで本発明は、圧電振動片の脱落を防止することが可能であり、最終的には圧電振動片を圧電基板から分離することが可能な、圧電振動片の製造方法およびフォトマスクの提供を目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係る圧電振動片の製造方法では、圧電基板における圧電振動片の形成領域に耐蝕膜を形成するとともに、前記圧電振動片の形成領域の角部の対頂角領域に、前記圧電振動片の角部におけるオーバーエッチング防止用の耐蝕膜を形成する工程と、前記耐蝕膜をマスクとして前記圧電基板をエッチングし、前記圧電振動片の外形を形成する工程と、を順次行う構成とした。
【0012】
この場合、圧電振動片の形成領域の角部の対頂角領域に形成した耐蝕膜により、圧電振動片の形成領域のX方向周辺部およびZ′方向周辺部が分断される。これにより、圧電振動片の形成領域の角部に対して、両方向におけるエッチングが重畳的に作用することがない。そのため、圧電振動片の角部がオーバーエッチングされることがなく、面だれも発生しない。したがって、圧電振動片の外形形状に起因するスプリアス振動の発生を防止することができる。また、面だれが発生しないので、圧電振動片の外形を拡大する必要はない。したがって、圧電デバイスを小型化することができる。
【0014】
また、本発明に係る圧電振動片の製造方法では、前記圧電振動片は、逆メサ型圧電振動片である構成とした。この場合、圧電振動片の角部に面だれが発生しないので、逆メサ部の外枠の強度確保のため、圧電振動片の外形を拡大する必要はない。したがって、圧電デバイスを小型化することができる。
【0015】
また、本発明に係る圧電振動片の製造方法では、前記オーバーエッチング防止用の耐蝕膜は、前記圧電振動片の形成領域の角部から、当該角部の周辺部に延長形成する構成とした。この場合、圧電振動片の製造途中において、圧電基板におけるオーバーエッチング防止用の耐蝕膜の形成部分により、圧電振動片とフレーム間および隣接する圧電振動片の隙間が小さくなり、圧電振動片の動く範囲が規制され、振幅が小さくなる。したがって、圧電振動片の脱落を防止することができる。
【0016】
また、本発明に係る圧電振動片の製造方法では、前記圧電振動片の形成領域の角部と、当該角部の周辺部との間における前記耐蝕膜の幅は、前記耐蝕膜をマスクとした前記圧電基板のエッチングにより、前記圧電基板における前記オーバーエッチング防止用の耐蝕膜の形成部分から、前記圧電振動片を分離可能な幅に形成する構成とした。これにより、エッチング終了後には圧電振動片を圧電基板から分離することができる。
【0017】
また、本発明に係る圧電振動片の製造方法では、前記圧電基板における前記圧電振動片の形成領域に加えて、形成された前記圧電振動片を支持するフレームの形成領域に耐蝕膜を形成するとともに、前記オーバーエッチング防止用の耐蝕膜を、前記フレームの形成領域および/または隣接する圧電振動片の形成領域の角部まで延長形成する構成とした。この場合、圧電振動片の製造途中において、フレームおよび/または隣接する圧電振動片により、圧電振動片の動く範囲を規制することができる。したがって、圧電振動片の脱落を防止することができる。
【0018】
また、本発明に係る圧電振動片の製造方法では、前記オーバーエッチング防止用の耐蝕膜と、前記フレームの形成領域に形成した前記耐蝕膜との連結部分の幅は、前記耐蝕膜をマスクとした前記圧電基板のエッチングにより、前記圧電基板における前記オーバーエッチング防止用の耐蝕膜の形成部分が、前記フレームから分離することのない幅に形成する構成とした。この場合、圧電振動片の製造途中において、圧電振動片の動く範囲を規制するとともに、フレームにより強固に圧電振動片を支持することができる。したがって、圧電振動片の脱落を防止することができる。
【0019】
一方、本発明に係るフォトマスクでは、フォトリソグラフィにより耐蝕膜をパターニングし、前記耐蝕膜をマスクに圧電基板をエッチングして、前記圧電基板上に圧電振動片を形成する際に、前記フォトリソグラフィに使用するため、形成すべき前記耐蝕膜に対応するパターンが描画されたフォトマスクであって、前記圧電振動片の外形パターンの角部の対頂角領域に、前記圧電振動片の角部におけるオーバーエッチング防止用のパターンを描画した構成とした。これにより、圧電振動片の外形形状に起因するスプリアス振動の発生を防止することができる。また、圧電デバイスを小型化することができる。
【0020】
また、本発明に係るフォトマスクでは、前記圧電振動片は、逆メサ型圧電振動片である構成とした。これにより、圧電デバイスを小型化することができる。
【0021】
また、本発明に係るフォトマスクでは、前記オーバーエッチング防止用のパターンは、前記圧電振動片の外形パターンの角部から、当該角部の周辺部に延長描画した構成とした。これにより、圧電振動片の脱落を防止することができる。
【0022】
また、本発明に係るフォトマスクでは、前記圧電振動片の外形パターンに加えて、形成された前記圧電振動片を支持するフレームのパターンを描画するとともに、前記オーバーエッチング防止用のパターンを、前記フレームのパターンおよび/または隣接する圧電振動片のパターンの角部まで延長描画した構成とした。これにより、圧電振動片の脱落を防止することができる。
【0023】
一方、本発明に係る圧電振動片では、前述した圧電振動片の製造方法を使用して製造した構成とした。これにより、圧電振動片の外形形状に起因するスプリアス振動の発生を防止することができる。また、圧電デバイスを小型化することができる。
【0024】
一方、本発明に係る圧電デバイスでは、前述した圧電振動片を使用して製造した構成とした。これにより、圧電振動片の外形形状に起因するスプリアス振動の発生を防止することが可能であり、また小型化が可能な、圧電デバイスを提供することができる。
【0025】
【発明の実施の形態】
本発明に係る圧電振動片の製造方法、フォトマスク、圧電振動片および圧電デバイスの好ましい実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明する。なお以下に記載するのは本発明の実施形態の一態様にすぎず、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0026】
図7に示す逆メサ型圧電振動片20は、水晶等の圧電材料から所定角度で切り出した平板の両面に、逆メサ部(凹部)24を形成したものである。なお、逆メサ部は片面のみに形成してもよい。また、逆メサ部24における圧電材料の厚さは、例えば10μm程度とし、その外枠25における圧電材料の厚さは、例えば100μm程度とする。そして、その逆メサ部24の底面中央部に、圧電材料を励振する励振電極26を形成する。励振電極26は、Au/Cr膜等の導電材料によって形成する。一方、外枠25の一部を拡大形成して、パッケージ5へのマウント部20bとする。そのマウント部の両面および側面には接続電極27を形成し、励振電極26との導通を確保する。これにより、外部から励振電極26への通電が可能となる。
【0027】
図2に本実施形態に係る圧電振動片の製造方法のフローチャートを示す。また、図3ないし図5に本実施形態に係る圧電振動片の製造方法の工程図を示す。なお、図3ないし図5の各図は、図7のF−F線に相当する部分における圧電基板の断面図である。以下には、水晶等の圧電材料から所定角度で切り出した圧電基板において、両面から逆メサ部を形成した複数個の逆メサ型圧電振動片を同時に形成する場合について説明する。なお、片面のみに逆メサ部を形成する場合についても、同様に行うことができる。
【0028】
まず、図3(1)に示すように、圧電基板の表面全体に耐蝕膜50を形成する(S60)。耐蝕膜50として、Au/Cr膜等をスパッタ法等により形成する。次に、耐蝕膜50をパターニングするため、フォトリソグラフィを行う(S62)。具体的には、まず耐蝕膜50の表面全体にレジスト52を塗布する。なお、以下には、露光された部分が現像により除去されるポジ型のレジストを使用する場合について述べる。次に、フォトマスクを介してレジスト52を露光する。
【0029】
一般にフォトマスクは、ガラス板等の表面にCr膜等によりパターンを描画したものであり、Cr膜等の形成部分が遮光部となり、非形成部分が透光部となる。なお、露光された部分以外の部分が現像により除去されるネガ型のレジストを使用する場合には、Cr膜等の形成部分と非形成部分とを逆転させて、遮光部と透光部とを逆転させる。また、縮小露光を行う場合には、実際に形成されるレジストのパターンを拡大してフォトマスクに描画する。
【0030】
図1は、本実施形態に係るフォトマスクの平面図である。フォトマスク90には、形成すべき複数の圧電振動片の外形パターン92が、Cr膜等により描画されている。したがって、圧電振動片の外形パターン92が遮光部となり、その周辺部95が透光部となっている。また、形成された圧電振動片を支持するフレームのパターン94がCr膜等により描画され、圧電振動片の外形パターン92との間に支持部のパターン93がCr膜等により描画されて、いずれも遮光部となっている。
【0031】
さらにフォトマスク90には、圧電振動片の外形パターン92の角部から、当該角部の対頂角領域に、オーバーエッチング防止用のパターン96が延長描画されている。なお、圧電振動片の外形パターン92の角部と、対頂角領域のパターン96との連結部分は、点接触の状態となっている。これにより、後述するように、圧電基板における前記対頂角領域から圧電振動片を分離することが可能となる。なお、圧電振動片の外形パターン92の角部と、対頂角領域のパターン96とが分離している場合にも、上記と同様に圧電振動片を分離することができる。もっとも、当該連結部分におけるパターンの幅を、後述する所定の幅に形成すれば、上記と同様に圧電振動片を分離することができる一方で、圧電振動片の製造途中において、圧電基板における前記対頂角領域により、圧電振動片の動く範囲を規制するとともに、圧電振動片を支持することが可能となり、圧電振動片の脱落を防止することができる。
【0032】
そして、対頂角領域のパターン96は、フレームのパターン94に延長描画され、また隣接する圧電振動片の外形パターン92bの角部にも延長描画されている。その結果、前記対頂角領域のパターン96は、フレームのパターン94から矩形パターンを突出させた形状となっている。
【0033】
なお、対頂角領域のパターン96の形状は、図1に示す矩形に限られず、図6に示すような様々な形状とすることができる。例えば、図6(1)では、対頂角領域のパターン96aは、フレームのパターン94まで延長描画されているが、隣接する圧電振動片の外形パターン92bの角部には延長描画されていない。また、図6(2)では、対頂角領域のパターン96bは、フレームのパターン94および隣接する圧電振動片の外形パターン92bの角部まで延長描画されているが、フレームのパターン94に対して点接触しているため、三角形パターンとなっている。また、図6(3)では、対頂角領域のパターン96cは、隣接する圧電振動片のパターンの角部まで延長描画されているが、フレームのパターン94には延長描画されていない。
【0034】
本実施形態では、図1に示すフォトマスク90を介してレジストを露光し、さらに現像する。これにより、図3(1)に示すように、圧電振動片の形成領域41にはレジスト52が残り、圧電振動片の形成領域の周辺部42におけるレジスト52は除去される。
【0035】
そして、残っているレジスト52をマスクとして、耐蝕膜のエッチングを行う(S64)。その後、レジスト52を除去すれば、図3(2)に示すように、耐蝕膜がパターニングされた状態となる。すなわち、圧電基板40における圧電振動片の形成領域41に耐蝕膜50が形成される。なお、圧電振動片を支持するフレームおよび支持部の形成領域にも耐蝕膜50が形成される。そして、圧電振動片の形成領域の角部から、当該角部の対頂角領域に耐蝕膜50が延長形成される。前記対頂角領域に延長形成された耐蝕膜50は、さらに前記フレームの形成領域、および隣接する圧電振動片の形成領域の角部まで延長形成される。
【0036】
次に、再びフォトリソグラフィを行って(S66)、図3(3)に示すように、レジスト53に対して圧電振動片の形成領域の周辺部42および逆メサ部44をパターニングする。そして、耐蝕膜50をマスクとして、圧電基板40のエッチングを行う(S68)。これにより、図4(1)に示すように、圧電基板40における圧電振動片の形成領域の周辺部42がエッチングされ、圧電振動片の形成領域41に圧電振動片の外形が形成される。なお、圧電基板のエッチングはウエットエッチングによって行う。エッチング液には、フッ酸もしくは酸性フッ化アンモニウムの水溶液、またはフッ酸とフッ化アンモニウムとを適当な比率で混合した液体を使用する。
【0037】
なお、圧電振動片の外形は、圧電振動片の形成領域のX方向およびZ′方向の周辺部において、圧電基板をエッチングすることにより形成される。ここで本実施形態では、前記対頂角領域に形成された耐蝕膜50により、X方向およびZ′方向の周辺部が分断され、両方向のエッチングが独立して行われる。したがって、圧電振動片の形成領域の角部には、両方向のエッチングが重畳的に作用することがなく、圧電振動片の角部はオーバーエッチングとならない。なお、前記対頂角領域に形成された耐蝕膜が、圧電振動片の形成領域に形成された耐蝕膜からわずかに分離している場合でも、X方向およびZ′方向の周辺部におけるエッチングは独立して行われる。
【0038】
一方、前記対頂角領域における耐蝕膜50は、圧電振動片の形成領域における耐蝕膜50と点接触しているが、ウエットエッチングはサイドエッチングを伴うので、圧電基板における前記対頂角領域から圧電振動片を分離することができる。そこで、エッチング時間からサイドエッチング量を算出した上で、エッチング終了の直前に前記対頂角領域から圧電振動片が分離可能となるように、圧電振動片の形成領域の角部と当該角部の対頂角領域との間における、耐蝕膜の幅を設定するのが望ましい。なお、図1に示すフォトマスクにおいても、圧電振動片の外形パターン92の角部と、前記対頂角領域のパターン96との連結部分の幅を、上記と同様に設定する。また、逆メサ型圧電振動片の場合には、後述する逆メサ部のエッチング終了の直前に、前記対頂角領域から圧電振動片が分離可能となるように設定するのが望ましい。これらにより、エッチング終了の直前まで、圧電基板における前記対頂角領域が、圧電振動片の角部を支持することができるので、製造工程の途中における圧電振動片の脱落を防止することができる。
【0039】
逆に、エッチング終了後においても、圧電基板における前記対頂角領域がフレームから分離しないように、前記対頂角領域における耐蝕膜とフレームの形成領域における耐蝕膜との連結部分の幅を設定するのが望ましい。なお、図1に示すフォトマスクにおいても、前記対頂角領域のパターン96と、前記フレームのパターン94との連結部分の幅を、上記と同様に設定する。これらにより、圧電基板のエッチング終了後においても、圧電基板における前記対頂角領域がフレームから分離することはない。したがって、圧電基板における前記対頂角領域が、圧電振動片の動く範囲を規制するとともに、圧電振動片の角部を強固に支持することができる。
【0040】
もっとも、圧電振動片は支持部によってもフレームに支持されるので、支持部近傍の角部では圧電振動片を強固に支持する必要はなく、オーバーエッチングの防止ができれば十分である。そこで、フォトマスクにおいて、前記支持部のパターンを配置した圧電振動片の外形パターンの一辺に対し、対向する一辺の両端の角部にのみ、図1に示す対頂角領域のパターン96を延長描画するとともに、支持部のパターンを配置した一辺の両端角部には、図6(2)または(3)に示す対頂角領域のパターンを延長描画してもよい。そして、このフォトマスクを使用して、圧電基板の表面に上記パターンの耐蝕膜を形成する。これにより、エッチング終了前には圧電振動片の脱落を防止することができるとともに、エッチング終了後には圧電振動片を容易に分離することができる。
【0041】
一方、図4(2)に示すように、レジスト53をマスクとして、耐蝕膜50のエッチングを行うことにより、耐蝕膜50に逆メサ部44をパターニングする(S70)。さらに、耐蝕膜50をマスクとして、圧電基板40のエッチングを行うことにより、圧電基板40に逆メサ部44を形成する(S72)。その後、レジスト53および耐蝕膜50を除去することにより(S74)、図4(3)に示すように、圧電振動片のブランクが完成する。
【0042】
次に、図5(1)に示すように、圧電基板40の表面全体に、電極材料被膜55を形成する(S76)。なお、電極材料被膜55として、Au/Cr膜等をスパッタ法等により形成する。さらに、フォトリソグラフィを行って、レジスト56に対して電極46をパターニングする(S78)。そして、レジスト56をマスクとして、電極材料被膜55のエッチングを行うことにより、電極46を形成する(S80)。その後、レジスト56を除去すれば、図5(2)に示す状態となる。最後に、フレームによる圧電振動片の支持部から圧電振動片を折り取って(S82)、圧電振動片が完成する。
【0043】
図7に本実施形態に係る圧電振動片を実装した圧電振動子の説明図を示す。同図(1)はE−E線における平面断面図であり、同図(2)はD−D線における側面断面図である。上記のように製造した圧電振動片20は、パッケージ5に実装することにより、圧電振動子1として使用することができる。パッケージ5はセラミックシート等を積層して形成する。また、キャビティ6の底面には電極9及び配線パターン(不図示)を形成して、パッケージ5の裏面に形成した外部端子(不図示)との導通を可能とする。そして、キャビティ6の内部に圧電振動片20を片持ち状態で実装する。具体的には、導電性接着剤2を塗布した電極9の上に、圧電振動片20の接続電極27を配置する。接続電極27は励振電極26と導通しているので、上記により、パッケージ5の裏面の外部端子から、圧電振動片20の励振電極26に対して通電可能となる。なお、パッケージ5の上部には蓋部材10を装着して、パッケージ5の内部を窒素雰囲気等に保持する。
【0044】
また、本実施形態に係る圧電振動片は、集積回路素子と組み合わせて発振回路を形成することにより、圧電発振器として使用することができる。例えば、図7に示す圧電振動子1と集積回路素子(不図示)とを、配線パターンを形成したモジュール基板上に実装することにより、圧電発振器モジュールを形成することができる。また、図7に示すパッケージ5の内部に、圧電振動片20とともに集積回路素子を実装することにより、圧電発振器パッケージを形成することができる。
【0045】
上述した本実施形態に係る圧電振動片の製造方法を使用して、圧電振動片を形成することにより、圧電振動片の外形形状に起因するスプリアス振動の発生を防止することができる。この点、従来の圧電振動片の製造方法では、圧電基板において圧電振動片の外形を形成する際に、圧電振動片の角部にX方向およびZ′方向のエッチングが重畳的に作用してオーバーエッチングされ、面だれが生じていた。そのため、圧電振動片の外形形状に起因するスプリアス振動が発生するという問題があった。
【0046】
しかし、本実施形態に係る圧電振動片の製造方法では、圧電基板における圧電振動片の形成領域に耐蝕膜を形成するとともに、圧電振動片の形成領域の角部から、圧電振動片の形成領域の周辺部に前記耐蝕膜を延長形成する構成とした。この場合、圧電振動片の形成領域の周辺部に延長形成した耐蝕膜により、圧電振動片の形成領域のX方向周辺部およびZ′方向周辺部が分断される。これにより、圧電振動片の形成領域の角部に対して、両方向におけるエッチングが重畳的に作用することがない。そのため、圧電振動片の角部がオーバーエッチングされることがなく、面だれも発生しない。したがって、圧電振動片の外形形状に起因するスプリアス振動の発生を防止することができる。
【0047】
なお、従来の圧電振動片の製造方法により、ATカット圧電振動片を製造した場合には、圧電振動片のマウント部分に面だれが発生するので、パッケージとの接着強度の低下や、圧電振動子のCI値の増加などが問題となる。そこで、マウント部分の面積を確保するため、圧電振動片の外形を拡大する必要があり、圧電デバイスの小型化の要請に応えることができないという問題があった。しかし、本実施形態に係る圧電振動片の製造方法によれば、上述したように面だれが発生しないので、圧電振動片の外形を拡大する必要はない。したがって、圧電デバイスを小型化することができる。
【0048】
また、従来の圧電振動片の製造方法により、逆メサ型圧電振動片を製造した場合には、逆メサ部の外枠に面だれが発生するので、外枠の一部が細くなって強度が劣化するという問題がある。そのため、逆メサ部の大きさを維持したまま圧電振動片の外形を拡大するか、または逆メサ部の大きさを縮小して圧電振動片の外形を維持するかの方法で強度を確保する必要がある。しかし、前者の場合には圧電デバイスの小型化の要請に応えることができないという問題があり、後者の場合は圧電振動片のCI値や温度特性が悪化するという問題があった。
【0049】
この点、本実施形態に係る圧電振動片の製造方法では、上述したように面だれが発生しないので、逆メサ型圧電振動片の強度が劣化することがない。したがって、圧電振動片の外形を拡大する必要はなく、圧電デバイスを小型化することができる。また、逆メサ部の外形を縮小する必要もなく、圧電振動片の特性が悪化することもない。
【0050】
【発明の効果】
圧電基板における圧電振動片の形成領域に耐蝕膜を形成するとともに、前記圧電振動片の形成領域の角部の周辺部に、前記圧電振動片の角部におけるオーバーエッチング防止用の耐蝕膜を形成する工程と、前記耐蝕膜をマスクとして前記圧電基板をエッチングし、前記圧電振動片の外形を形成する工程と、を順次行う構成としたので、圧電振動片の外形形状に起因するスプリアス振動の発生を防止することができる。また、圧電デバイスを小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施形態に係るフォトマスクの平面図である。
【図2】 実施形態に係る圧電振動片の製造方法のフローチャートである。
【図3】 実施形態に係る圧電振動片の製造方法の第1工程図である。
【図4】 実施形態に係る圧電振動片の製造方法の第2工程図である。
【図5】 実施形態に係る圧電振動片の製造方法の第3工程図である。
【図6】 実施形態に係るフォトマスクの変形例である。
【図7】 実施形態に係る圧電振動片を実装した圧電振動子の説明図であり、(1)はE−E線における平面断面図であり、(2)はD−D線における側面断面図である。
【図8】 従来技術に係るフォトマスクの平面図である。
【図9】 (1)は従来技術に係る圧電振動片の製造方法により形成された圧電振動片の平面図であり、(2)はA−A線における断面図であり、(3)はB−B線における断面図であり、(4)はC−C線における断面図である。
【符号の説明】
1………圧電振動子、2………導電性接着剤、5………パッケージ、6………キャビティ、9………電極、10………蓋部材、20………圧電振動片、24………逆メサ部、25………外枠、26………励振電極、27………接続電極、40………圧電基板、41………圧電振動片の形成領域、42………圧電振動片の形成領域の周辺部、44………逆メサ部、46………電極、50………耐蝕膜、52,53………レジスト、55………電極材料被膜、56………レジスト、90………フォトマスク、92,92b………圧電振動片のパターン、93………支持部、94………フレームのパターン、95………周辺部、96,96a,96b,96c………対頂角領域のパターン、190………フォトマスク、192………圧電振動片のパターン、194………周辺部。

Claims (12)

  1. 圧電基板における圧電振動片の形成領域に耐蝕膜を形成するとともに、前記圧電振動片の形成領域の角部の対頂角領域に、前記圧電振動片の角部におけるオーバーエッチング防止用の耐蝕膜を形成する工程と、前記耐蝕膜をマスクとして前記圧電基板をエッチングし、前記圧電振動片の外形を形成する工程と、を順次行うことを特徴とする圧電振動片の製造方法。
  2. 前記圧電振動片は、逆メサ型圧電振動片であることを特徴とする、請求項1に記載の圧電振動片の製造方法。
  3. 前記オーバーエッチング防止用の耐蝕膜は、前記圧電振動片の形成領域の角部から、当該角部の周辺部に延長形成することを特徴とする、請求項1または2に記載の圧電振動片の製造方法。
  4. 前記圧電振動片の形成領域の角部と、当該角部の周辺部との間における前記耐蝕膜の幅は、前記耐蝕膜をマスクとした前記圧電基板のエッチングにより、前記圧電基板における前記オーバーエッチング防止用の耐蝕膜の形成部分から、前記圧電振動片を分離可能な幅に形成することを特徴とする、請求項3に記載の圧電振動片の製造方法。
  5. 前記圧電基板における前記圧電振動片の形成領域に加えて、形成された前記圧電振動片を支持するフレームの形成領域に耐蝕膜を形成するとともに、前記オーバーエッチング防止用の耐蝕膜を、前記フレームの形成領域および/または隣接する圧電振動片の形成領域の角部まで延長形成することを特徴とする、請求項1ないし4のいずれかに記載の圧電振動片の製造方法。
  6. 前記オーバーエッチング防止用の耐蝕膜と、前記フレームの形成領域に形成した耐蝕膜との連結部分の幅は、前記耐蝕膜をマスクとした前記圧電基板のエッチングにより、前記圧電基板における前記オーバーエッチング防止用の耐蝕膜の形成部分が、前記フレームから分離することのない幅に形成することを特徴とする、請求項5に記載の圧電振動片の製造方法。
  7. フォトリソグラフィにより耐蝕膜をパターニングし、前記耐蝕膜をマスクに圧電基板をエッチングして、前記圧電基板上に圧電振動片を形成する際に、前記フォトリソグラフィに使用するため、形成すべき前記耐蝕膜に対応するパターンが描画されたフォトマスクであって、前記圧電振動片の外形パターンの角部の対頂角領域に、前記圧電振動片の角部におけるオーバーエッチング防止用のパターンを描画したことを特徴とするフォトマスク。
  8. 前記圧電振動片は、逆メサ型圧電振動片であることを特徴とする、請求項7に記載のフォトマスク。
  9. 前記オーバーエッチング防止用のパターンは、前記圧電振動片の外形パターンの角部から、当該角部の周辺部に延長描画したことを特徴とする、請求項7または8に記載のフォトマスク。
  10. 前記圧電振動片の外形パターンに加えて、形成された前記圧電振動片を支持するフレームのパターンを描画するとともに、前記オーバーエッチング防止用のパターンを、前記フレームのパターンおよび/または隣接する圧電振動片の外形パターンの角部まで延長描画したことを特徴とする、請求項7ないし9のいずれかに記載のフォトマスク。
  11. 請求項1ないし6のいずれかに記載の圧電振動片の製造方法を使用して製造したことを特徴とする圧電振動片。
  12. 請求項11に記載の圧電振動片を使用して製造したことを特徴とする圧電デバイス。
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