JP2000201041A - 弾性表面波素子の製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子の製造方法Info
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- JP2000201041A JP2000201041A JP11001326A JP132699A JP2000201041A JP 2000201041 A JP2000201041 A JP 2000201041A JP 11001326 A JP11001326 A JP 11001326A JP 132699 A JP132699 A JP 132699A JP 2000201041 A JP2000201041 A JP 2000201041A
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- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 周波数調整が容易で、製造工程が簡単であ
り、設備も特別に必要とせず正確な周波数調整が可能な
弾性表面波素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 誘電体の基板１２の表面に互いに対向し
て形成された櫛形電極１４と、この櫛形電極１４の側方
に各々設けられた反射器からなる共振器パターン１８を
有する。各共振器パターン１８の周波数を調整する際
に、まず共振器パターン１８の表面にフォトレジスト２
０を塗布する。この後、基板１２の裏面側から紫外光を
照射し、フォトレジスト２０を感光させる。フォトレジ
スト２０は、その目的により、ネガまたはポジを使い分
ける。フォトレジスト２０が感光した後、フォトレジス
ト２０の不用部分を洗浄し、所定の位置にフォトレジス
ト２０が付着した状態で、エッチング液に弾性表面波素
子１０を浸す。
り、設備も特別に必要とせず正確な周波数調整が可能な
弾性表面波素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 誘電体の基板１２の表面に互いに対向し
て形成された櫛形電極１４と、この櫛形電極１４の側方
に各々設けられた反射器からなる共振器パターン１８を
有する。各共振器パターン１８の周波数を調整する際
に、まず共振器パターン１８の表面にフォトレジスト２
０を塗布する。この後、基板１２の裏面側から紫外光を
照射し、フォトレジスト２０を感光させる。フォトレジ
スト２０は、その目的により、ネガまたはポジを使い分
ける。フォトレジスト２０が感光した後、フォトレジス
ト２０の不用部分を洗浄し、所定の位置にフォトレジス
ト２０が付着した状態で、エッチング液に弾性表面波素
子１０を浸す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、特定の周波数帯
域の電磁波を抽出する周波数フィルタであって、弾性表
面波を利用した弾性表面波素子の製造方法に関する。
域の電磁波を抽出する周波数フィルタであって、弾性表
面波を利用した弾性表面波素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、弾性表面波素子の製造方法は、櫛
形電極やその両側方に設けられた２つの反射器からなる
共振器パターンをエッチングにより形成し、さらに周波
数調整する際にも、図３に示すように電極部分２をエッ
チング液４に漬してその間隔を変えて周波数調整してい
た。
形電極やその両側方に設けられた２つの反射器からなる
共振器パターンをエッチングにより形成し、さらに周波
数調整する際にも、図３に示すように電極部分２をエッ
チング液４に漬してその間隔を変えて周波数調整してい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の周波
数調整方法の場合、図３（Ｃ）に示すように、エッチン
グ液４により、電極部分２の表面および端面の両方が侵
されて、電極部分２の厚みおよび幅の両方が小さくなっ
ていくものであった。従って、正確な周波数調整が難し
く、微妙な調整には利用できないものであった。これ
は、電極部分２の幅が変わると、容量やインピーダンス
が変化し、厚さが変わると周波数のみが変化するので、
この両方が変わる場合それらの制御が難しいからであ
る。
数調整方法の場合、図３（Ｃ）に示すように、エッチン
グ液４により、電極部分２の表面および端面の両方が侵
されて、電極部分２の厚みおよび幅の両方が小さくなっ
ていくものであった。従って、正確な周波数調整が難し
く、微妙な調整には利用できないものであった。これ
は、電極部分２の幅が変わると、容量やインピーダンス
が変化し、厚さが変わると周波数のみが変化するので、
この両方が変わる場合それらの制御が難しいからであ
る。
【０００４】また、弾性表面波素子の周波数調整を行う
方法として、基板上に誘電体膜を付着する方法や、電極
を陽極酸化する方法もある。さらに、基板をエッチング
する方法や、素子表面にＳｉＯ2の超薄膜を形成し、エ
キシマレーザ等の紫外光によりＳｉＯ2膜を硬化させる
方法、また、ＹＡＧレーザにより反射器を切断して周波
数調整する方法などがあった。しかしながら、これらの
方法は、いずれも専用の設備を必要とし、それらに用い
る装置も高価で複雑なものであり、製造工程も増加し複
雑であった。
方法として、基板上に誘電体膜を付着する方法や、電極
を陽極酸化する方法もある。さらに、基板をエッチング
する方法や、素子表面にＳｉＯ2の超薄膜を形成し、エ
キシマレーザ等の紫外光によりＳｉＯ2膜を硬化させる
方法、また、ＹＡＧレーザにより反射器を切断して周波
数調整する方法などがあった。しかしながら、これらの
方法は、いずれも専用の設備を必要とし、それらに用い
る装置も高価で複雑なものであり、製造工程も増加し複
雑であった。
【０００５】この発明は上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、周波数調整が容易で、製造工程が簡単
であり、設備も特別に必要とせず正確な周波数調整が可
能な弾性表面波素子の製造方法を提供することを目的と
する。
れたものであり、周波数調整が容易で、製造工程が簡単
であり、設備も特別に必要とせず正確な周波数調整が可
能な弾性表面波素子の製造方法を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の弾性表面波素
子は、誘電体の基板表面に互いに対向して形成された櫛
形電極と、この櫛形電極の側方に各々設けられた反射器
からなる共振器パターンを有し、この各共振器パターン
の周波数を調整する際に、まず共振器パターンの表面に
フォトレジストを塗布する。この後、基板の裏面側から
紫外光を照射し、フォトレジストを感光させる。このと
き、フォトレジストは、その目的により、ネガまたはポ
ジを使い分ける。フォトレジストが感光した後、フォト
レジストの不用部分を洗浄し、所定の位置にフォトレジ
ストが付着した状態でエッチング液にこの弾性表面波素
子を浸す。
子は、誘電体の基板表面に互いに対向して形成された櫛
形電極と、この櫛形電極の側方に各々設けられた反射器
からなる共振器パターンを有し、この各共振器パターン
の周波数を調整する際に、まず共振器パターンの表面に
フォトレジストを塗布する。この後、基板の裏面側から
紫外光を照射し、フォトレジストを感光させる。このと
き、フォトレジストは、その目的により、ネガまたはポ
ジを使い分ける。フォトレジストが感光した後、フォト
レジストの不用部分を洗浄し、所定の位置にフォトレジ
ストが付着した状態でエッチング液にこの弾性表面波素
子を浸す。
【０００７】これにより、フォトレジストがネガの場
合、裏面から照射したした紫外光が共振器パターンで遮
光され、共振器パターン以外の部分は基板を通してフォ
トレジストが感光し、この共振器パターン以外の部分の
フォトレジストが残った状態で、エッチングを行うこと
となる。これにより、共振器パターンの端面にはフォト
レジストが接触しエッチングされにくく、共振器パター
ン表面のみエッチングすることができる。逆に、フォト
レジストがポジの場合、共振器パターン表面にフォトレ
ジストが残り、共振器パターンの端面が露出するので、
エッチングにより共振器パターンの幅のみを変化させる
ことができる。
合、裏面から照射したした紫外光が共振器パターンで遮
光され、共振器パターン以外の部分は基板を通してフォ
トレジストが感光し、この共振器パターン以外の部分の
フォトレジストが残った状態で、エッチングを行うこと
となる。これにより、共振器パターンの端面にはフォト
レジストが接触しエッチングされにくく、共振器パター
ン表面のみエッチングすることができる。逆に、フォト
レジストがポジの場合、共振器パターン表面にフォトレ
ジストが残り、共振器パターンの端面が露出するので、
エッチングにより共振器パターンの幅のみを変化させる
ことができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面に基づいて説明する。図１はこの発明の一実施形
態の弾性表面波素子１０を示し、水晶やリチウムタンタ
レート等の圧電性を有した基板１２の表面に、アルミニ
ウムまたはアルミニウム合金等の金属薄膜により櫛形電
極１４が各々交互に対向して設けられている。この櫛形
電極１４の両側方には、等ピッチにアルミニウムまたは
アルミニウム合金等の金属薄膜による格子状のパターン
に形成された図示しない反射器が各々設けられている。
そして櫛形電極１４と一対の反射器により１組の共振器
パターン１８を形成している。
て図面に基づいて説明する。図１はこの発明の一実施形
態の弾性表面波素子１０を示し、水晶やリチウムタンタ
レート等の圧電性を有した基板１２の表面に、アルミニ
ウムまたはアルミニウム合金等の金属薄膜により櫛形電
極１４が各々交互に対向して設けられている。この櫛形
電極１４の両側方には、等ピッチにアルミニウムまたは
アルミニウム合金等の金属薄膜による格子状のパターン
に形成された図示しない反射器が各々設けられている。
そして櫛形電極１４と一対の反射器により１組の共振器
パターン１８を形成している。
【０００９】次にこの弾性表面波素子１０の製造方法
は、図１（Ａ）に示すように、圧電性を有した基板１２
の表面に上記金属薄膜を形成し、この薄膜上にフォトレ
ジストを塗布した後、所望の共振器パターン形状のフォ
トマスクを介して露光し、現像して共振器パターン１８
を形成するためのレジストパターンを設ける。そして、
ドライエッチング等により、櫛形電極１４と一対の反射
器からなる共振器パターン１８を形成する。
は、図１（Ａ）に示すように、圧電性を有した基板１２
の表面に上記金属薄膜を形成し、この薄膜上にフォトレ
ジストを塗布した後、所望の共振器パターン形状のフォ
トマスクを介して露光し、現像して共振器パターン１８
を形成するためのレジストパターンを設ける。そして、
ドライエッチング等により、櫛形電極１４と一対の反射
器からなる共振器パターン１８を形成する。
【００１０】次にこの弾性表面波素子１０の周波数調整
を行うには、図１（Ｂ）に示すように、まず共振器パタ
ーン１８の表面にフォトレジスト２０を塗布する。この
後、図１（Ｃ）に示すように、基板１２の裏面側から紫
外光を照射し、フォトレジスト２０を感光させる。この
ときのフォトレジスト２０は、ネガ型のものである。フ
ォトレジスト２０が感光した後、フォトレジスト２０の
不用部分を洗浄し、図１（Ｄ）に示すように、電極１４
間にフォトレジスト２０が付着した状態でエッチング液
にこの弾性表面波素子を浸す。
を行うには、図１（Ｂ）に示すように、まず共振器パタ
ーン１８の表面にフォトレジスト２０を塗布する。この
後、図１（Ｃ）に示すように、基板１２の裏面側から紫
外光を照射し、フォトレジスト２０を感光させる。この
ときのフォトレジスト２０は、ネガ型のものである。フ
ォトレジスト２０が感光した後、フォトレジスト２０の
不用部分を洗浄し、図１（Ｄ）に示すように、電極１４
間にフォトレジスト２０が付着した状態でエッチング液
にこの弾性表面波素子を浸す。
【００１１】これにより、フォトレジスト２０がネガの
場合、裏面から照射した紫外光が電極１４部分では遮光
され、電極１４以外の部分は基板１２を通してフォトレ
ジスト２０を感光させる。そして、電極１４以外の部分
のフォトレジスト２０が残った状態で、エッチングを行
うことにより、図１（Ｅ）に示すように、電極１４の端
面にはフォトレジストが接触しエッチングされにくく、
電極１４の表面のみエッチングされ、厚さを調整するこ
とができる。
場合、裏面から照射した紫外光が電極１４部分では遮光
され、電極１４以外の部分は基板１２を通してフォトレ
ジスト２０を感光させる。そして、電極１４以外の部分
のフォトレジスト２０が残った状態で、エッチングを行
うことにより、図１（Ｅ）に示すように、電極１４の端
面にはフォトレジストが接触しエッチングされにくく、
電極１４の表面のみエッチングされ、厚さを調整するこ
とができる。
【００１２】この実施形態の弾性表面波素子１０によれ
ば、既存のエッチング設備をそのまま用いて、簡単に電
極部分の厚みのみを調整することができ、フォトマスク
が不用でありコストもかからず、正確な周波数調整が可
能となる。
ば、既存のエッチング設備をそのまま用いて、簡単に電
極部分の厚みのみを調整することができ、フォトマスク
が不用でありコストもかからず、正確な周波数調整が可
能となる。
【００１３】次にこの発明の弾性表面波素子の第二実施
形態について図２を基にして説明する。ここで、上記実
施形態と同様の構成は、同一の符号を付して説明を省略
する。この実施形態の弾性表面波素子の製造方法は、フ
ォトレジストをポジ型にしたものである。これにより、
図２（Ｄ）に示すように、電極１４の表面にのみフォト
レジスト２０が残り、これをエッチング液に浸すと、図
２（Ｅ）に示すように、電極１４の幅のみをエチングで
削るすることができる。
形態について図２を基にして説明する。ここで、上記実
施形態と同様の構成は、同一の符号を付して説明を省略
する。この実施形態の弾性表面波素子の製造方法は、フ
ォトレジストをポジ型にしたものである。これにより、
図２（Ｄ）に示すように、電極１４の表面にのみフォト
レジスト２０が残り、これをエッチング液に浸すと、図
２（Ｅ）に示すように、電極１４の幅のみをエチングで
削るすることができる。
【００１４】なお、この発明の弾性表面波素子の製造方
法は、上記実施形態に限定されるものではなく、周波数
調整する際のエッチング方法は、適宜設定可能であり、
ドライエッチングを利用することも可能である。
法は、上記実施形態に限定されるものではなく、周波数
調整する際のエッチング方法は、適宜設定可能であり、
ドライエッチングを利用することも可能である。
【００１５】
【発明の効果】この発明の弾性表面波素子の製造方法
は、フォトレジストの選択によって共振器パターンの幅
や厚みを選択的にエッチングにより調整可能であり、既
存の設備等を利用して間単に正確な周波数調整が可能と
なる。
は、フォトレジストの選択によって共振器パターンの幅
や厚みを選択的にエッチングにより調整可能であり、既
存の設備等を利用して間単に正確な周波数調整が可能と
なる。
【図１】この発明の第一実施形態の弾性表面波素子の調
整工程を示す概略図である。
整工程を示す概略図である。
【図２】この発明の第二実施形態の弾性表面波素子の調
整工程を示す概略図である。
整工程を示す概略図である。
【図３】従来の弾性表面波素子のエッチング工程を示す
概略図である。
概略図である。
１０ 弾性表面波素子 １２ 基板 １４ 櫛形電極 １８ 共振器パターン ２０ フォトレジスト
Claims (3)
- 【請求項１】 誘電体の基板表面に設けられ互いに対向
した櫛形電極と、この櫛形電極の側方に各々設けられた
反射器からなる共振器パターンを有し、この各共振器パ
ターンの周波数を調整する際に、まず共振器パターンの
表面にフォトレジストを塗布し、基板の裏面側から光を
照射してフォトレジストを感光させ、このフォトレジス
トが感光した後、フォトレジストの不用部分を洗浄し、
所定の位置にフォトレジストが付着した状態で上記共振
器パターンをエッチングする弾性表面波素子の製造方
法。 - 【請求項２】 上記フォトレジストは、上記基板裏面か
らの光により感光し、上記共振器パターン以外の部分が
残った状態でエッチングを行う請求項１記載の弾性表面
波素子の製造方法。 - 【請求項３】 上記フォトレジストは、上記基板裏面か
らの光により感光し、上記共振器パターン上の部分が残
った状態でエッチングを行う請求項１記載の弾性表面波
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11001326A JP2000201041A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11001326A JP2000201041A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000201041A true JP2000201041A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11498383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11001326A Pending JP2000201041A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000201041A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010187057A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Denso Corp | 弾性表面波素子、その製造方法およびその共振周波数調整方法 |
| US10992281B2 (en) | 2018-05-17 | 2021-04-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator and method of manufacturing the same |
-
1999
- 1999-01-06 JP JP11001326A patent/JP2000201041A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010187057A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Denso Corp | 弾性表面波素子、その製造方法およびその共振周波数調整方法 |
| US8253302B2 (en) | 2009-02-10 | 2012-08-28 | Denso Corporation | Surface acoustic wave element, method of producing the same, and method of changing resonation frequency of the same |
| US10992281B2 (en) | 2018-05-17 | 2021-04-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator and method of manufacturing the same |
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