JPH10242800A - 弾性表面波装置及びその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置及びその製造方法Info
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- JPH10242800A JPH10242800A JP4679697A JP4679697A JPH10242800A JP H10242800 A JPH10242800 A JP H10242800A JP 4679697 A JP4679697 A JP 4679697A JP 4679697 A JP4679697 A JP 4679697A JP H10242800 A JPH10242800 A JP H10242800A
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- Japan
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- saw
- piezoelectric substrate
- acoustic wave
- surface acoustic
- pitch
- Prior art date
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＩＤＴ電極指のピッチの異なる複数種のＳＡＷ
素子を、フォトリソグラフィー工程を含む製法で作製す
る際に、各々の最適露光量を設定して同時露光し設計値
通りに作製可能とする。 【解決手段】ポジ型のレジスト膜を圧電基板３上に形成
する工程とフォトリソグラフィー工程とを含む製法によ
り、２種類のＳＡＷフィルタを同一の圧電基板３上に形
成する場合、圧電基板３上のＩＤＴ電極４以外の領域
に、フィトマスクのネガパターンに相当する複数の非形
成部７を持った露光部構成用被膜６を形成するに際し
て、電極指のピッチが大きいＳＡＷフィルタの周囲の非
形成部７の面積比率を、電極指のピッチが小さいＳＡＷ
フィルタの周囲の非形成部７の面積比率よりも大きくす
る。
素子を、フォトリソグラフィー工程を含む製法で作製す
る際に、各々の最適露光量を設定して同時露光し設計値
通りに作製可能とする。 【解決手段】ポジ型のレジスト膜を圧電基板３上に形成
する工程とフォトリソグラフィー工程とを含む製法によ
り、２種類のＳＡＷフィルタを同一の圧電基板３上に形
成する場合、圧電基板３上のＩＤＴ電極４以外の領域
に、フィトマスクのネガパターンに相当する複数の非形
成部７を持った露光部構成用被膜６を形成するに際し
て、電極指のピッチが大きいＳＡＷフィルタの周囲の非
形成部７の面積比率を、電極指のピッチが小さいＳＡＷ
フィルタの周囲の非形成部７の面積比率よりも大きくす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等の移動
体通信機器に用いられるデュアルモード弾性表面波フィ
ルタ等の弾性表面波装置に関するものである。
体通信機器に用いられるデュアルモード弾性表面波フィ
ルタ等の弾性表面波装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のデュアルモードの弾性表面波（Su
rface Acoustic Wave 、以下、ＳＡＷと略す）フィルタ
Ｓ1 は、図２に示すように、ＳＡＷ共振子１，２の各々
から成る２種類のＳＡＷフィルタが１個の圧電基板３上
に形成されて成る。２種類のＳＡＷフィルタの周囲に
は、各ＳＡＷ共振子１，２の結合用配線及び接地電極と
して、Ａｌ，Ａｕ等の金属又はＡｌ合金等から成る金属
膜６が形成されている。尚、図２において、共振子１，
２の構成は一部省略して描いた。
rface Acoustic Wave 、以下、ＳＡＷと略す）フィルタ
Ｓ1 は、図２に示すように、ＳＡＷ共振子１，２の各々
から成る２種類のＳＡＷフィルタが１個の圧電基板３上
に形成されて成る。２種類のＳＡＷフィルタの周囲に
は、各ＳＡＷ共振子１，２の結合用配線及び接地電極と
して、Ａｌ，Ａｕ等の金属又はＡｌ合金等から成る金属
膜６が形成されている。尚、図２において、共振子１，
２の構成は一部省略して描いた。
【０００３】前記ＳＡＷ共振子１，２の基本構成は、例
えば図３に示すように、櫛歯状電極（Inter Digital Tr
ansducer、以下、ＩＤＴ電極と略す）４及びＩＤＴ電極
４のＳＡＷ伝搬路の両端に設けられた反射器５から構成
される。ＳＡＷ共振子１，２は中心周波数がそれぞれ異
なるため、図３の（ａ），（ｂ）に示すように、ＩＤＴ
電極４の電極指の線幅４ａ及びピッチ（周期）４ｂが各
々異なっている。
えば図３に示すように、櫛歯状電極（Inter Digital Tr
ansducer、以下、ＩＤＴ電極と略す）４及びＩＤＴ電極
４のＳＡＷ伝搬路の両端に設けられた反射器５から構成
される。ＳＡＷ共振子１，２は中心周波数がそれぞれ異
なるため、図３の（ａ），（ｂ）に示すように、ＩＤＴ
電極４の電極指の線幅４ａ及びピッチ（周期）４ｂが各
々異なっている。
【０００４】例えば、ＳＡＷの伝搬速度が約４２００ｍ
／ｓの圧電基板３を使用し、中心周波数が約９００ＭＨ
ｚのＳＡＷ共振子１（図３の（ａ））と約１．９ＧＨｚ
のＳＡＷ共振子２（図３の（ｂ））とを形成する場合、
ＩＤＴ電極指の線幅４ａはそれぞれ約１μｍ，約０．５
μｍ、ピッチ４ｂは約２μｍ，約１μｍとなる。ただ
し、各々のＩＤＴ電極膜厚は約０．２μｍで、反射器５
の電極指の線幅及びピッチも同様に設定される。
／ｓの圧電基板３を使用し、中心周波数が約９００ＭＨ
ｚのＳＡＷ共振子１（図３の（ａ））と約１．９ＧＨｚ
のＳＡＷ共振子２（図３の（ｂ））とを形成する場合、
ＩＤＴ電極指の線幅４ａはそれぞれ約１μｍ，約０．５
μｍ、ピッチ４ｂは約２μｍ，約１μｍとなる。ただ
し、各々のＩＤＴ電極膜厚は約０．２μｍで、反射器５
の電極指の線幅及びピッチも同様に設定される。
【０００５】また、従来、移動体通信、特にセルラー電
話、デジタルコードレス電話等の携帯電話には、種々の
システムが用いられているが、昨今２種類のシステムに
対応する併用機の開発が活発になってきている。そし
て、中心周波数、通過帯域幅の異なる２つのシステムに
対応するために、２つのフィルタ特性を有するＳＡＷフ
ィルタ、すなわち上記のデュアルモードＳＡＷフィルタ
が不可欠となってきている。
話、デジタルコードレス電話等の携帯電話には、種々の
システムが用いられているが、昨今２種類のシステムに
対応する併用機の開発が活発になってきている。そし
て、中心周波数、通過帯域幅の異なる２つのシステムに
対応するために、２つのフィルタ特性を有するＳＡＷフ
ィルタ、すなわち上記のデュアルモードＳＡＷフィルタ
が不可欠となってきている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、ＩＤＴ
電極４及び反射器５の電極指の線幅及びピッチが異なる
２種類のＳＡＷ共振子１，２を、同一の圧電基板３上に
形成する場合に、両方のＳＡＷ共振子１，２を共に設計
値通りに形成できる最適条件を見出すのは困難である。
つまり、一方のＳＡＷ共振子の線幅に作製条件を合わせ
て、フォトリソグラフィー法等を適用して作製すると、
レジスト膜の露光時間，現像液，現像時間等の最適な作
製条件の違いにより、他方のＳＡＷ共振子の線幅が設計
値より太くなったり細くなったりする問題がある。ま
た、両方の中間の作製条件にするとどちらも設計値から
ずれてしまうという問題が生じる。
電極４及び反射器５の電極指の線幅及びピッチが異なる
２種類のＳＡＷ共振子１，２を、同一の圧電基板３上に
形成する場合に、両方のＳＡＷ共振子１，２を共に設計
値通りに形成できる最適条件を見出すのは困難である。
つまり、一方のＳＡＷ共振子の線幅に作製条件を合わせ
て、フォトリソグラフィー法等を適用して作製すると、
レジスト膜の露光時間，現像液，現像時間等の最適な作
製条件の違いにより、他方のＳＡＷ共振子の線幅が設計
値より太くなったり細くなったりする問題がある。ま
た、両方の中間の作製条件にするとどちらも設計値から
ずれてしまうという問題が生じる。
【０００７】また、一つの圧電基板ウエハ上にフォトリ
ソグラフィー法により複数のＳＡＷ装置用の電極パター
ンを形成する際に、真空蒸着法により形成された導電性
膜の膜厚が周辺部に行くにしたがって薄くなるのを補償
するために、圧電基板ウエハの中央部で露光量を多くし
たり現像量を多くして、電極の線幅Ｗと電極ピッチＰの
比Ｄ＝Ｗ／Ｐを変化させる方法が提案されている（特開
平４−３６５２１２号参照）。これは、膜厚が厚い部分
では共振周波数が小さくなるのを、Ｄを変化させること
により補償しようとするものであるが、一般的に電極の
線幅は０．５〜１μｍと微細で、フォトリソグラフィー
法による調整可能な最小線幅の精度が１μｍ程度である
ため、上記のような方法で精度良く線幅を調整するのは
実際上困難であった。
ソグラフィー法により複数のＳＡＷ装置用の電極パター
ンを形成する際に、真空蒸着法により形成された導電性
膜の膜厚が周辺部に行くにしたがって薄くなるのを補償
するために、圧電基板ウエハの中央部で露光量を多くし
たり現像量を多くして、電極の線幅Ｗと電極ピッチＰの
比Ｄ＝Ｗ／Ｐを変化させる方法が提案されている（特開
平４−３６５２１２号参照）。これは、膜厚が厚い部分
では共振周波数が小さくなるのを、Ｄを変化させること
により補償しようとするものであるが、一般的に電極の
線幅は０．５〜１μｍと微細で、フォトリソグラフィー
法による調整可能な最小線幅の精度が１μｍ程度である
ため、上記のような方法で精度良く線幅を調整するのは
実際上困難であった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による弾性表面波
装置は、一対の櫛歯状電極を有し、前記櫛歯状電極の少
なくとも電極指のピッチがそれぞれ異なった複数種の弾
性表面波素子を同一の圧電基板上に設けて成る弾性表面
波装置であって、前記圧電基板上の櫛歯状電極以外の領
域に複数の非形成部を分布させた露光部構成用被膜が形
成されており、前記非形成部と露光部構成用被膜部との
面積比率を（非形成部の面積）／（非形成部の面積＋露
光部構成用被膜部の面積）×１００とした場合、ピッチ
が大きい電極指をもった弾性表面波素子の周囲に設けた
露光部構成用被膜部での前記面積比率を、ピッチが小さ
い電極指をもった弾性表面波素子の周囲に設けた露光部
構成用被膜部での前記面積比率より大きくしたことを特
徴とする。
装置は、一対の櫛歯状電極を有し、前記櫛歯状電極の少
なくとも電極指のピッチがそれぞれ異なった複数種の弾
性表面波素子を同一の圧電基板上に設けて成る弾性表面
波装置であって、前記圧電基板上の櫛歯状電極以外の領
域に複数の非形成部を分布させた露光部構成用被膜が形
成されており、前記非形成部と露光部構成用被膜部との
面積比率を（非形成部の面積）／（非形成部の面積＋露
光部構成用被膜部の面積）×１００とした場合、ピッチ
が大きい電極指をもった弾性表面波素子の周囲に設けた
露光部構成用被膜部での前記面積比率を、ピッチが小さ
い電極指をもった弾性表面波素子の周囲に設けた露光部
構成用被膜部での前記面積比率より大きくしたことを特
徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明を図１により説明する。図
１はＳＡＷ装置Ｓの平面図であり、ＳＡＷ共振子１，２
をそれぞれ複数個づつ接続した２種類のＳＡＷフィルタ
（ＳＡＷ素子）を、同一の圧電基板３上に形成したもの
である。尚、同図において図２と同じ箇所には同一の符
号を付し、共振子１，２の構成は一部省略している。
１はＳＡＷ装置Ｓの平面図であり、ＳＡＷ共振子１，２
をそれぞれ複数個づつ接続した２種類のＳＡＷフィルタ
（ＳＡＷ素子）を、同一の圧電基板３上に形成したもの
である。尚、同図において図２と同じ箇所には同一の符
号を付し、共振子１，２の構成は一部省略している。
【００１０】前記２種類のＳＡＷフィルタは、ＩＤＴ電
極の電極指のピッチ（周期）及び線幅がそれぞれ異って
おり、反射器を有する場合は反射器も同様に電極指のピ
ッチ及び線幅がそれぞれ異なる。各々のＳＡＷフィルタ
の周囲には、Ａｌ，Ａｕ等の金属、ＡｌにＣｕ，Ｔｉ，
Ｃｒ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｓｉ等を添加した合金、金属
酸化物、樹脂、導電性樹脂、ガラスフリット等から成る
露光部構成用被膜（以下、被膜と略す）６が形成されて
いるが、フィルタ特性への影響を抑制、防止する点、及
びＩＤＴ電極と同時に形成できる点からして、前記金
属，合金から成る金属膜とするのが好適である。ＳＡＷ
フィルタ及び被膜６は、ポジ型（露光により溶けるタイ
プ）のレジスト膜を圧電基板上に形成する工程、フォト
リソグラフィー工程、真空蒸着法，スパッタリング法，
ＣＶＤ法，塗布法等による薄膜形成工程、及びエッチン
グ法，リフトオフ法等による不要レジスト膜除去工程を
含む製法により製造される。
極の電極指のピッチ（周期）及び線幅がそれぞれ異って
おり、反射器を有する場合は反射器も同様に電極指のピ
ッチ及び線幅がそれぞれ異なる。各々のＳＡＷフィルタ
の周囲には、Ａｌ，Ａｕ等の金属、ＡｌにＣｕ，Ｔｉ，
Ｃｒ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｓｉ等を添加した合金、金属
酸化物、樹脂、導電性樹脂、ガラスフリット等から成る
露光部構成用被膜（以下、被膜と略す）６が形成されて
いるが、フィルタ特性への影響を抑制、防止する点、及
びＩＤＴ電極と同時に形成できる点からして、前記金
属，合金から成る金属膜とするのが好適である。ＳＡＷ
フィルタ及び被膜６は、ポジ型（露光により溶けるタイ
プ）のレジスト膜を圧電基板上に形成する工程、フォト
リソグラフィー工程、真空蒸着法，スパッタリング法，
ＣＶＤ法，塗布法等による薄膜形成工程、及びエッチン
グ法，リフトオフ法等による不要レジスト膜除去工程を
含む製法により製造される。
【００１１】そして、被膜６には、フォトマスクの非露
光部である陰影部（ネガパターン）に相当する非形成部
（開口部）７が分布しており、ＳＡＷフィルタの種類に
よって、非形成部７と被膜６部との面積比率（開口率）
Ｒ＝Ｓ２×１００／（Ｓ１＋Ｓ２）％（Ｓ１：被膜６部
の面積、Ｓ２：非形成部７の面積）を変化させている。
例えば、圧電基板３が３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴ
ａＯ3 の場合、ピッチが１．０μｍ（線幅０．５μｍ）
のＳＡＷフィルタはＲ＝３８％、ピッチが２．０μｍ
（線幅１μｍ）のＳＡＷフィルタはＲ＝６４％とする。
つまり、ピッチが小さいＳＡＷフィルタの方は相対的に
露光量が大きく、ピッチが大きいＳＡＷフィルタの方は
相対的に露光量が小さくなる。
光部である陰影部（ネガパターン）に相当する非形成部
（開口部）７が分布しており、ＳＡＷフィルタの種類に
よって、非形成部７と被膜６部との面積比率（開口率）
Ｒ＝Ｓ２×１００／（Ｓ１＋Ｓ２）％（Ｓ１：被膜６部
の面積、Ｓ２：非形成部７の面積）を変化させている。
例えば、圧電基板３が３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴ
ａＯ3 の場合、ピッチが１．０μｍ（線幅０．５μｍ）
のＳＡＷフィルタはＲ＝３８％、ピッチが２．０μｍ
（線幅１μｍ）のＳＡＷフィルタはＲ＝６４％とする。
つまり、ピッチが小さいＳＡＷフィルタの方は相対的に
露光量が大きく、ピッチが大きいＳＡＷフィルタの方は
相対的に露光量が小さくなる。
【００１２】従って、本発明において、ＩＤＴ電極及び
反射器の電極指のピッチが露光量に主に影響を与えてお
り、少なくとも前記ピッチが異なる複数種のＳＡＷ素子
を形成する場合に、本発明を適用する。また、ピッチの
他に電極指の線幅、電極指の長さ、電極指の本数、電極
指の開口幅（交差幅）、ＳＡＷ共振子自体の数等も、露
光量に多少の影響を与えるため、ピッチと共にこれらの
パラメータを変化させる場合にももちろん本発明は適用
できる。
反射器の電極指のピッチが露光量に主に影響を与えてお
り、少なくとも前記ピッチが異なる複数種のＳＡＷ素子
を形成する場合に、本発明を適用する。また、ピッチの
他に電極指の線幅、電極指の長さ、電極指の本数、電極
指の開口幅（交差幅）、ＳＡＷ共振子自体の数等も、露
光量に多少の影響を与えるため、ピッチと共にこれらの
パラメータを変化させる場合にももちろん本発明は適用
できる。
【００１３】本発明の被膜６における面積比率Ｒは、各
ＳＡＷフィルタ毎にそれを減少又は増加させることによ
り、フォトリソグラフィー工程で同時に露光する際に露
光量を大きくしたり又は小さくして、ＳＡＷフィルタ毎
の最適露光量を設定可能とするという作用効果を有す
る。つまり、従来、一回の露光で同一圧電基板上にピッ
チの異なるＳＡＷフィルタを形成することは、各ＳＡＷ
フィルタ毎の最適露光量が異なるため不可能であったの
を、前記面積比率Ｒ％を調整すること、すなわちフォト
マスクの面積比率１００−Ｒ％（ポジ型のレジスト膜の
場合）又はＲ％（ネガ型のレジスト膜の場合）を調整す
ることにより、各ＳＡＷフィルタ毎の最適露光量を設定
して同時露光できる。この場合、フォトマスクの面積比
率が大きい方が露光量が大きい。
ＳＡＷフィルタ毎にそれを減少又は増加させることによ
り、フォトリソグラフィー工程で同時に露光する際に露
光量を大きくしたり又は小さくして、ＳＡＷフィルタ毎
の最適露光量を設定可能とするという作用効果を有す
る。つまり、従来、一回の露光で同一圧電基板上にピッ
チの異なるＳＡＷフィルタを形成することは、各ＳＡＷ
フィルタ毎の最適露光量が異なるため不可能であったの
を、前記面積比率Ｒ％を調整すること、すなわちフォト
マスクの面積比率１００−Ｒ％（ポジ型のレジスト膜の
場合）又はＲ％（ネガ型のレジスト膜の場合）を調整す
ることにより、各ＳＡＷフィルタ毎の最適露光量を設定
して同時露光できる。この場合、フォトマスクの面積比
率が大きい方が露光量が大きい。
【００１４】従って、ポジ型のレジスト膜の場合には、
最適露光量が大きい（ピッチが小さい）ＳＡＷフィルタ
に対しては面積比率Ｒを相対的に小さくし、最適露光量
が小さい（ピッチが大きい）ＳＡＷフィルタに対しては
面積比率Ｒを相対的に大きくする。これは、ピッチが小
さくなりパターンが細かくなると露光時の紫外線の回折
作用が大きくなり、回折作用によりパターン化に必要な
露光エネルギーが分散されるため、細線化パターンの方
が露光量が大きくなるものと推定されることによる。ま
た、ネガ型のレジスト膜を使用する場合にはポジ型の場
合と逆にすればよく、最適露光量が大きい（ピッチが小
さい）ＳＡＷフィルタに対しては面積比率Ｒを相対的に
大きくし、最適露光量が小さい（ピッチが大きい）ＳＡ
Ｗフィルタに対しては面積比率Ｒを相対的に小さくす
る。また、前記ポジ型のレジスト膜はネガ型に比較して
露光に対する解像度が高いため、より微細なパターンを
形成することができる。
最適露光量が大きい（ピッチが小さい）ＳＡＷフィルタ
に対しては面積比率Ｒを相対的に小さくし、最適露光量
が小さい（ピッチが大きい）ＳＡＷフィルタに対しては
面積比率Ｒを相対的に大きくする。これは、ピッチが小
さくなりパターンが細かくなると露光時の紫外線の回折
作用が大きくなり、回折作用によりパターン化に必要な
露光エネルギーが分散されるため、細線化パターンの方
が露光量が大きくなるものと推定されることによる。ま
た、ネガ型のレジスト膜を使用する場合にはポジ型の場
合と逆にすればよく、最適露光量が大きい（ピッチが小
さい）ＳＡＷフィルタに対しては面積比率Ｒを相対的に
大きくし、最適露光量が小さい（ピッチが大きい）ＳＡ
Ｗフィルタに対しては面積比率Ｒを相対的に小さくす
る。また、前記ポジ型のレジスト膜はネガ型に比較して
露光に対する解像度が高いため、より微細なパターンを
形成することができる。
【００１５】本発明において、ＳＡＷ装置は、所望の特
性を得るために、ＩＤＴ電極を直列接続、並列接続、従
続接続等の方式で接続して構成してもよい。そして、Ｉ
ＤＴ電極の対数は５０〜２００程度、ＩＤＴ電極の電極
指のピッチは０．２〜２０．０μｍ程度、ＩＤＴ電極の
電極指の線幅は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指の間
隔は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指の交差幅は１０
〜１００μｍ程度、ＩＤＴ電極の厚みは０．２〜０．４
μｍ程度とすることが、ＳＡＷ共振子あるいはＳＡＷフ
ィルタとしての所期の特性を得るうえで好適である。ま
た、ＩＤＴ電極のＳＡＷの伝搬路の両端に、ＳＡＷを反
射し効率よく共振させるための反射器を設けてもよく、
更には、電極指間に酸化亜鉛，酸化アルミニウム等の圧
電材料を成膜すれば、ＳＡＷの共振効率が向上し好適で
ある。
性を得るために、ＩＤＴ電極を直列接続、並列接続、従
続接続等の方式で接続して構成してもよい。そして、Ｉ
ＤＴ電極の対数は５０〜２００程度、ＩＤＴ電極の電極
指のピッチは０．２〜２０．０μｍ程度、ＩＤＴ電極の
電極指の線幅は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指の間
隔は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指の交差幅は１０
〜１００μｍ程度、ＩＤＴ電極の厚みは０．２〜０．４
μｍ程度とすることが、ＳＡＷ共振子あるいはＳＡＷフ
ィルタとしての所期の特性を得るうえで好適である。ま
た、ＩＤＴ電極のＳＡＷの伝搬路の両端に、ＳＡＷを反
射し効率よく共振させるための反射器を設けてもよく、
更には、電極指間に酸化亜鉛，酸化アルミニウム等の圧
電材料を成膜すれば、ＳＡＷの共振効率が向上し好適で
ある。
【００１６】ＳＡＷ装置用の圧電基板としては、３６°
Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶，６４°Ｙカット
−Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ3 結晶，４５°Ｘカット−Ｚ伝搬
のＬｉＢ4 Ｏ7 結晶等が、電気機械結合係数が大きく且
つ群遅延時間温度係数が小さいため好ましい。圧電基板
の厚みは０．３〜０．５ｍｍ程度がよく、０．３ｍｍ未
満では圧電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超では材料コス
トが大きくなる。
Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶，６４°Ｙカット
−Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ3 結晶，４５°Ｘカット−Ｚ伝搬
のＬｉＢ4 Ｏ7 結晶等が、電気機械結合係数が大きく且
つ群遅延時間温度係数が小さいため好ましい。圧電基板
の厚みは０．３〜０．５ｍｍ程度がよく、０．３ｍｍ未
満では圧電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超では材料コス
トが大きくなる。
【００１７】かくして、本発明は、少なくともＩＤＴ電
極指のピッチの異なる複数種のＳＡＷ素子を、フォトリ
ソグラフィー工程を含む製法により作製する際に各々の
最適露光量を設定して同時に露光でき、その結果、露光
工程を簡略化して、各々の共振周波数等の特性が所望の
値となるように設計値通りに作製できるという作用効果
を有する。
極指のピッチの異なる複数種のＳＡＷ素子を、フォトリ
ソグラフィー工程を含む製法により作製する際に各々の
最適露光量を設定して同時に露光でき、その結果、露光
工程を簡略化して、各々の共振周波数等の特性が所望の
値となるように設計値通りに作製できるという作用効果
を有する。
【００１８】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
【００１９】
【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。圧電基板
として３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 を用い、
図１のように、前記圧電基板の同一の主面に各々ＳＡＷ
共振子１あるいはＳＡＷ共振子２から成る２種類のＳＡ
Ｗフィルタを、ポジ型のレジスト膜を形成する工程、フ
ォトリソグラフィー工程、真空蒸着法による薄膜形成工
程、リフトオフ法による不要レジスト膜除去工程とによ
って作製した。
として３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 を用い、
図１のように、前記圧電基板の同一の主面に各々ＳＡＷ
共振子１あるいはＳＡＷ共振子２から成る２種類のＳＡ
Ｗフィルタを、ポジ型のレジスト膜を形成する工程、フ
ォトリソグラフィー工程、真空蒸着法による薄膜形成工
程、リフトオフ法による不要レジスト膜除去工程とによ
って作製した。
【００２０】具体的には、以下のようにして作製した。
まず、洗浄した圧電基板３にポジ型のレジストを約０．
５μｍの膜厚で塗布し、９０°Ｃで乾燥させる。次に、
フォトマスクを用いて波長約２２５ｎｍで２５．２ｍＷ
／ｃｍ2 の紫外光により密着露光を行い、１１０°Ｃで
乾燥させ、現像液に浸漬して現像を９０秒間行い、純水
でリンスする。被膜（Ａｌ膜）６部の面積をＳｌ、方形
状の非形成部７の面積をＳ２として、面積比率Ｒ＝Ｓ２
×１００／（Ｓ１＋Ｓ２）％は、電極指のピッチ約２．
０μｍ（線幅約１．０μｍ）のＳＡＷ共振子１から成る
ＳＡＷフィルタの周囲ではＲ＝６４％で、ピッチ約１．
０μｍ（線幅約０．５μｍ）のＳＡＷ共振子２から成る
ＳＡＷフィルタの周囲ではＲ＝３８％であった。この場
合、密着露光時の露光時間は約１．５秒で、線幅約１．
０μｍのＳＡＷ共振子１から成るＳＡＷフィルタに対す
る露光量は約３７．８Ｊ／ｃｍ2 で、線幅約０．５μｍ
のＳＡＷ共振子２から成るＳＡＷフィルタに対する露光
量は約１５４．２Ｊ／ｃｍ2 であった。
まず、洗浄した圧電基板３にポジ型のレジストを約０．
５μｍの膜厚で塗布し、９０°Ｃで乾燥させる。次に、
フォトマスクを用いて波長約２２５ｎｍで２５．２ｍＷ
／ｃｍ2 の紫外光により密着露光を行い、１１０°Ｃで
乾燥させ、現像液に浸漬して現像を９０秒間行い、純水
でリンスする。被膜（Ａｌ膜）６部の面積をＳｌ、方形
状の非形成部７の面積をＳ２として、面積比率Ｒ＝Ｓ２
×１００／（Ｓ１＋Ｓ２）％は、電極指のピッチ約２．
０μｍ（線幅約１．０μｍ）のＳＡＷ共振子１から成る
ＳＡＷフィルタの周囲ではＲ＝６４％で、ピッチ約１．
０μｍ（線幅約０．５μｍ）のＳＡＷ共振子２から成る
ＳＡＷフィルタの周囲ではＲ＝３８％であった。この場
合、密着露光時の露光時間は約１．５秒で、線幅約１．
０μｍのＳＡＷ共振子１から成るＳＡＷフィルタに対す
る露光量は約３７．８Ｊ／ｃｍ2 で、線幅約０．５μｍ
のＳＡＷ共振子２から成るＳＡＷフィルタに対する露光
量は約１５４．２Ｊ／ｃｍ2 であった。
【００２１】そして、ＩＤＴ電極，反射器及び被膜６用
のＡｌを真空蒸着法により形成し、レジスト剥離液によ
りレジストとＡｌの不要部をリフトオフする。このよう
にして、電極指のピッチ約２．０μｍ（線幅約１．０μ
ｍ）のＳＡＷ共振子１から成るＳＡＷフィルタと、ピッ
チ約１．０μｍ（線幅約０．５μｍ）のＳＡＷ共振子２
から成るＳＡＷフィルタとが、約±５％の線幅精度で作
製された。尚、非形成部７はフォトマスクのネガパター
ンにより形成され、レジストとＡｌの不要部をリフトオ
フする際に、同時に形成されるようにしている。
のＡｌを真空蒸着法により形成し、レジスト剥離液によ
りレジストとＡｌの不要部をリフトオフする。このよう
にして、電極指のピッチ約２．０μｍ（線幅約１．０μ
ｍ）のＳＡＷ共振子１から成るＳＡＷフィルタと、ピッ
チ約１．０μｍ（線幅約０．５μｍ）のＳＡＷ共振子２
から成るＳＡＷフィルタとが、約±５％の線幅精度で作
製された。尚、非形成部７はフォトマスクのネガパター
ンにより形成され、レジストとＡｌの不要部をリフトオ
フする際に、同時に形成されるようにしている。
【００２２】また、線幅Ｌと電極指間隔Ｓとの比率Ｈ＝
Ｌ／（Ｌ＋Ｓ）の値は、設計ではＳＡＷ共振子１，２共
にＨ＝０．５０であるが、上記のように構成することに
より、従来、一方のＳＡＷ共振子をＨ＝０．５０にする
と他方が０．３以下又は０．７以上になっていたもの
が、本実施例ではＳＡＷ共振子１，２共にＨ＝０．５０
±０．０２５になった。
Ｌ／（Ｌ＋Ｓ）の値は、設計ではＳＡＷ共振子１，２共
にＨ＝０．５０であるが、上記のように構成することに
より、従来、一方のＳＡＷ共振子をＨ＝０．５０にする
と他方が０．３以下又は０．７以上になっていたもの
が、本実施例ではＳＡＷ共振子１，２共にＨ＝０．５０
±０．０２５になった。
【００２３】本実施例では、２種類のＳＡＷフィルタを
形成する場合について説明したが、同一の圧電基板上に
３種類以上のＳＡＷフィルタを形成する場合も、同様に
本発明を適用できる。
形成する場合について説明したが、同一の圧電基板上に
３種類以上のＳＡＷフィルタを形成する場合も、同様に
本発明を適用できる。
【００２４】
【発明の効果】本発明は、ピッチが大きい電極指をもっ
た弾性表面波素子の周囲に設けた被膜部での面積比率
を、ピッチが小さい電極指をもった弾性表面波素子の周
囲に設けた被膜部での面積比率より大きくすることによ
り、少なくともＩＤＴ電極指のピッチの異なる複数種の
ＳＡＷ素子を、フォトリソグラフィー工程を含む製法に
より作製する際に、各々の最適露光量を設定して同時に
露光でき、その結果、露光工程を簡略化して、各々の共
振周波数等の特性が所望の値となるように設計値通りに
作製できるという効果を有する。
た弾性表面波素子の周囲に設けた被膜部での面積比率
を、ピッチが小さい電極指をもった弾性表面波素子の周
囲に設けた被膜部での面積比率より大きくすることによ
り、少なくともＩＤＴ電極指のピッチの異なる複数種の
ＳＡＷ素子を、フォトリソグラフィー工程を含む製法に
より作製する際に、各々の最適露光量を設定して同時に
露光でき、その結果、露光工程を簡略化して、各々の共
振周波数等の特性が所望の値となるように設計値通りに
作製できるという効果を有する。
【図１】本発明のＳＡＷ装置Ｓの平面図である。
【図２】従来のＳＡＷ装置Ｓ1 の平面図である。
【図３】（ａ）は電極指のピッチが２．０μｍのＩＤＴ
電極及び反射器から成るＳＡＷ共振子の平面図、（ｂ）
は電極指のピッチが１．０μｍのＩＤＴ電極及び反射器
から成るＳＡＷ共振子の平面図である。
電極及び反射器から成るＳＡＷ共振子の平面図、（ｂ）
は電極指のピッチが１．０μｍのＩＤＴ電極及び反射器
から成るＳＡＷ共振子の平面図である。
１：ＳＡＷ共振子 ２：ＳＡＷ共振子 ３：圧電基板 ４：ＩＤＴ電極 ４ａ：電極指の線幅 ４ｂ：電極指のピッチ ５：反射器 ６：露光部構成用被膜 ７：非形成部
Claims (1)
- 【請求項１】一対の櫛歯状電極を有し、前記櫛歯状電極
の少なくとも電極指のピッチがそれぞれ異なった複数種
の弾性表面波素子を同一の圧電基板上に設けて成る弾性
表面波装置であって、前記圧電基板上の櫛歯状電極以外
の領域に複数の非形成部を分布させた露光部構成用被膜
が形成されており、前記非形成部と露光部構成用被膜部
との面積比率を（非形成部の面積）／（非形成部の面積
＋露光部構成用被膜部の面積）×１００とした場合、ピ
ッチが大きい電極指をもった弾性表面波素子の周囲に設
けた露光部構成用被膜部での前記面積比率を、ピッチが
小さい電極指をもった弾性表面波素子の周囲に設けた露
光部構成用被膜部での前記面積比率より大きくしたこと
を特徴とする弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4679697A JPH10242800A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4679697A JPH10242800A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242800A true JPH10242800A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12757306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4679697A Pending JPH10242800A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242800A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7479845B2 (en) | 1998-06-09 | 2009-01-20 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Branching filter package |
| JP2010041096A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Fujitsu Ltd | 弾性波デバイス |
-
1997
- 1997-02-28 JP JP4679697A patent/JPH10242800A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7479845B2 (en) | 1998-06-09 | 2009-01-20 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Branching filter package |
| US7602263B2 (en) | 1998-06-09 | 2009-10-13 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Branching filter package |
| US7679472B2 (en) | 1998-06-09 | 2010-03-16 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Branching filter package |
| US7859362B2 (en) | 1998-06-09 | 2010-12-28 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Branching filter package |
| US7893794B2 (en) | 1998-06-09 | 2011-02-22 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Branching filter package |
| JP2010041096A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Fujitsu Ltd | 弾性波デバイス |
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