JPH11163675A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JPH11163675A JPH11163675A JP33068297A JP33068297A JPH11163675A JP H11163675 A JPH11163675 A JP H11163675A JP 33068297 A JP33068297 A JP 33068297A JP 33068297 A JP33068297 A JP 33068297A JP H11163675 A JPH11163675 A JP H11163675A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflector
- saw
- electrode
- cut
- surface acoustic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＳＡＷ装置の反射器ギャップを、フォトマスク
の描画精度の限界よりも高い精度で形成する。 【解決手段】圧電基板上に、少なくとも一対のＩＤＴ電
極１と、該ＩＤＴ電極１の両端のＳＡＷ伝搬路上に設け
た反射器２，２とを有するＳＡＷ装置であって、前記反
射器２，２が、ＩＤＴ電極１との間隔が各々異なる複数
の領域Ａ，Ｂから成る。
の描画精度の限界よりも高い精度で形成する。 【解決手段】圧電基板上に、少なくとも一対のＩＤＴ電
極１と、該ＩＤＴ電極１の両端のＳＡＷ伝搬路上に設け
た反射器２，２とを有するＳＡＷ装置であって、前記反
射器２，２が、ＩＤＴ電極１との間隔が各々異なる複数
の領域Ａ，Ｂから成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車電話及び携
帯電話等の移動体無線機器等に内蔵される周波数帯域フ
ィルタとして用いられる弾性表面波装置に関する。
帯電話等の移動体無線機器等に内蔵される周波数帯域フ
ィルタとして用いられる弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の弾性表面波（Surface Acoustic W
ave で、以下、ＳＡＷと略す）フィルタＦの例を図７に
示す。同図は、移動体通信用のＧＨｚ帯域のラダー型
（梯子型）のＳＡＷフィルタＦで、２．５段π型と呼ば
れるものの回路図である。同図において、１１，１２は
直列ＳＡＷ共振子、１３〜１５は並列ＳＡＷ共振子、１
６は一対の櫛歯状電極であるＩＤＴ（Inter Digital Tr
ansducer）電極、１７，１７はＩＤＴ電極１６のＳＡＷ
伝搬路の両端に設けられＳＡＷを効率良く共振させるた
めの梯子型の反射器である。
ave で、以下、ＳＡＷと略す）フィルタＦの例を図７に
示す。同図は、移動体通信用のＧＨｚ帯域のラダー型
（梯子型）のＳＡＷフィルタＦで、２．５段π型と呼ば
れるものの回路図である。同図において、１１，１２は
直列ＳＡＷ共振子、１３〜１５は並列ＳＡＷ共振子、１
６は一対の櫛歯状電極であるＩＤＴ（Inter Digital Tr
ansducer）電極、１７，１７はＩＤＴ電極１６のＳＡＷ
伝搬路の両端に設けられＳＡＷを効率良く共振させるた
めの梯子型の反射器である。
【０００３】そして、ＳＡＷフィルタＦは、３６°Ｙカ
ット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 単結晶等の圧電基板の主面
上に形成されて成り、直列ＳＡＷ共振子１１，１２と並
列ＳＡＷ共振子１３〜１５を並列・直列交互に多段接続
した構成である。このように、ＳＡＷフィルタＦは一般
的に複数のＳＡＷ共振子を接続して構成される。尚、Ｉ
Ｎは高周波信号の入力端子、ＯＵＴは出力端子である。
ット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 単結晶等の圧電基板の主面
上に形成されて成り、直列ＳＡＷ共振子１１，１２と並
列ＳＡＷ共振子１３〜１５を並列・直列交互に多段接続
した構成である。このように、ＳＡＷフィルタＦは一般
的に複数のＳＡＷ共振子を接続して構成される。尚、Ｉ
Ｎは高周波信号の入力端子、ＯＵＴは出力端子である。
【０００４】また、図３はＳＡＷ共振子（ＳＡＷ装置）
Ｄ1 の基本構成を示す平面図である。尚、ＩＤＴ電極３
及び反射器４，４の電極指の本数は数１０〜数１００本
に及ぶため、その形状を簡略化して描いてある。
Ｄ1 の基本構成を示す平面図である。尚、ＩＤＴ電極３
及び反射器４，４の電極指の本数は数１０〜数１００本
に及ぶため、その形状を簡略化して描いてある。
【０００５】図６は、ＳＡＷ共振子Ｄ1 のＩＤＴ電極３
をインピーダンスアナライザ等に接続し、入力インピー
ダンス（Ｚin）の周波数特性を測定したグラフである。
同図において、横軸は周波数、縦軸はＺinの絶対値｜Ｚ
in｜である。また、ｆ1 は｜Ｚin｜が最小となる周波数
（共振点）であり、ｆ2 は｜Ｚin｜が最大となる周波数
（反共振点）である。
をインピーダンスアナライザ等に接続し、入力インピー
ダンス（Ｚin）の周波数特性を測定したグラフである。
同図において、横軸は周波数、縦軸はＺinの絶対値｜Ｚ
in｜である。また、ｆ1 は｜Ｚin｜が最小となる周波数
（共振点）であり、ｆ2 は｜Ｚin｜が最大となる周波数
（反共振点）である。
【０００６】前記共振点ｆ1 と反共振点ｆ2 の２つはＳ
ＡＷフィルタＦを構成する上で重要なものであり、共振
点ｆ1 と反共振点ｆ2 との周波数幅（Δｆ）が、ＳＡＷ
フィルタＦの通過帯域端部の減衰特性、例えば減衰の急
峻性を決定する。また、共振点ｆ1 と反共振点ｆ2 のＱ
（Ｑ：共振の尖鋭度）が通過帯域の損失や阻止帯域のレ
ベルに関係する。勿論、共振点ｆ1 と反共振点ｆ2 の周
辺には、スプリアス共振やリップル等が存在しない方が
よい。
ＡＷフィルタＦを構成する上で重要なものであり、共振
点ｆ1 と反共振点ｆ2 との周波数幅（Δｆ）が、ＳＡＷ
フィルタＦの通過帯域端部の減衰特性、例えば減衰の急
峻性を決定する。また、共振点ｆ1 と反共振点ｆ2 のＱ
（Ｑ：共振の尖鋭度）が通過帯域の損失や阻止帯域のレ
ベルに関係する。勿論、共振点ｆ1 と反共振点ｆ2 の周
辺には、スプリアス共振やリップル等が存在しない方が
よい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＳＡＷ
共振子Ｄ1 を設計に従って作製しても、共振点ｆ1 と反
共振点ｆ2 以外の好ましくないスプリアス共振が発生す
ることがある。図６のｆ3 が、そのようなスプリアス共
振の一例である。
共振子Ｄ1 を設計に従って作製しても、共振点ｆ1 と反
共振点ｆ2 以外の好ましくないスプリアス共振が発生す
ることがある。図６のｆ3 が、そのようなスプリアス共
振の一例である。
【０００８】このようなスプリアス共振ｆ3 が発生する
原因の一つとして、ＩＤＴ電極３と反射器２，２との間
のギャップ（以下、反射器ギャップという）が、精度良
く形成されていないことが挙げられる。ＩＤＴ電極３及
び反射器２，２は、フォトマスクを利用したフォトリソ
グラフィー法により圧電基板上に形成されるが、そのフ
ォトマスクの形状を精度良く作製する必要がある。
原因の一つとして、ＩＤＴ電極３と反射器２，２との間
のギャップ（以下、反射器ギャップという）が、精度良
く形成されていないことが挙げられる。ＩＤＴ電極３及
び反射器２，２は、フォトマスクを利用したフォトリソ
グラフィー法により圧電基板上に形成されるが、そのフ
ォトマスクの形状を精度良く作製する必要がある。
【０００９】次に、従来のフォトマスク、ＩＤＴ電極３
及び反射器２，２の作製方法について説明する。携帯電
話等の高周波帯用のＳＡＷフィルタでは、ＩＤＴ電極３
の電極指の線幅は、一般的に１μｍ程度の微細パターン
になる。一方、前記微細パターンを形成するためのフォ
トマスクの最小の描画モードは、一般的に０．１μｍ程
度である。即ち、電極指の線幅の微妙な差、例えば１．
０９５μｍと１．１４５μｍとの差０．０５μｍは、加
工精度の限界のためにフォトマスク上では実現すること
ができない。
及び反射器２，２の作製方法について説明する。携帯電
話等の高周波帯用のＳＡＷフィルタでは、ＩＤＴ電極３
の電極指の線幅は、一般的に１μｍ程度の微細パターン
になる。一方、前記微細パターンを形成するためのフォ
トマスクの最小の描画モードは、一般的に０．１μｍ程
度である。即ち、電極指の線幅の微妙な差、例えば１．
０９５μｍと１．１４５μｍとの差０．０５μｍは、加
工精度の限界のためにフォトマスク上では実現すること
ができない。
【００１０】そこで、従来、電極指の線幅の加工精度を
フォトマスクの加工精度の限界以上に高める方法とし
て、例えば以下の２つの方法があった。
フォトマスクの加工精度の限界以上に高める方法とし
て、例えば以下の２つの方法があった。
【００１１】（１）第１の方法はステッパーによる縮小
投影露光等の手段である。しかし、この方法には２つの
欠点がある。第１に、ステッパー装置等の高価な設備が
必要になる。第２に、一般的にステッパー装置等の縮小
投影率は１／５〜１／１０ぐらいが限界であるため、こ
のような高価な装置を使ったとしても、フォトマスクの
実効的な最小描画モードは０．１μｍから０．０１μｍ
〜０．０２μｍに改善するだけであり、誤差は根本的に
は無くならない。そのため、ステッパー等を使うと同時
に、別の手法の平均化処理が併用されるのが一般的であ
る。
投影露光等の手段である。しかし、この方法には２つの
欠点がある。第１に、ステッパー装置等の高価な設備が
必要になる。第２に、一般的にステッパー装置等の縮小
投影率は１／５〜１／１０ぐらいが限界であるため、こ
のような高価な装置を使ったとしても、フォトマスクの
実効的な最小描画モードは０．１μｍから０．０１μｍ
〜０．０２μｍに改善するだけであり、誤差は根本的に
は無くならない。そのため、ステッパー等を使うと同時
に、別の手法の平均化処理が併用されるのが一般的であ
る。
【００１２】（２）第２の方法の平均化処理は、目標と
する線幅（例えば１．０９５μｍ）を、一本々の電極指
で実現するのではなく、多数本（数１０〜数１００本）
の電極指の平均値で実現するものである。例えば１．０
９５μｍという線幅を実効的に実現するために、１．０
μｍの線幅と１．１μｍの２種類の線幅を組み合わせ
て、１．１μｍ，１．１μｍ，１．０μｍ，１．１μ
ｍ，１．１μｍ，１．０μｍ，１．１μｍ，１．０μ
ｍ，・・・というように、異なる線幅の電極指を混合し
て配置する。つまり、線幅の平均値でみた場合に、実効
的に（実質的に）１．０９５μｍになるようにするもの
である。
する線幅（例えば１．０９５μｍ）を、一本々の電極指
で実現するのではなく、多数本（数１０〜数１００本）
の電極指の平均値で実現するものである。例えば１．０
９５μｍという線幅を実効的に実現するために、１．０
μｍの線幅と１．１μｍの２種類の線幅を組み合わせ
て、１．１μｍ，１．１μｍ，１．０μｍ，１．１μ
ｍ，１．１μｍ，１．０μｍ，１．１μｍ，１．０μ
ｍ，・・・というように、異なる線幅の電極指を混合し
て配置する。つまり、線幅の平均値でみた場合に、実効
的に（実質的に）１．０９５μｍになるようにするもの
である。
【００１３】しかしながら、従来の平均化処理では以下
のような問題点があった。平均化処理の手法は、電極指
本数が数１０〜数１００本程度と多数あるものには適用
できるが、ＳＡＷ共振子の全ての構成パラメータに適用
することはできない。例えば、反射器ギャップは電極指
寸法にして一本分の幅で２箇所しか無いため平均化処理
が適用できなかった。
のような問題点があった。平均化処理の手法は、電極指
本数が数１０〜数１００本程度と多数あるものには適用
できるが、ＳＡＷ共振子の全ての構成パラメータに適用
することはできない。例えば、反射器ギャップは電極指
寸法にして一本分の幅で２箇所しか無いため平均化処理
が適用できなかった。
【００１４】また、ＳＡＷフィルタが使用される周波数
帯が低いうちは、反射器ギャップの加工精度は無視でき
た。しかしながら、ＳＡＷフィルタの使用周波数帯が高
周波化するに従って問題が大きくなりつつある。例え
ば、１．９ＧＨｚ帯のＳＡＷフィルタでは、電極指の線
幅は０．４〜０．５μｍ程度に微細になる。例えば、フ
ォトマスクの最小描画モードが０．１μｍで、０．４５
５μｍの反射器ギャップを実現しようとしても、実際に
は０．４μｍか０．５μｍのどちらかに丸め込まれて
（偏って）しまい、その場合寸法誤差は最大２５％にも
なる。
帯が低いうちは、反射器ギャップの加工精度は無視でき
た。しかしながら、ＳＡＷフィルタの使用周波数帯が高
周波化するに従って問題が大きくなりつつある。例え
ば、１．９ＧＨｚ帯のＳＡＷフィルタでは、電極指の線
幅は０．４〜０．５μｍ程度に微細になる。例えば、フ
ォトマスクの最小描画モードが０．１μｍで、０．４５
５μｍの反射器ギャップを実現しようとしても、実際に
は０．４μｍか０．５μｍのどちらかに丸め込まれて
（偏って）しまい、その場合寸法誤差は最大２５％にも
なる。
【００１５】図６のスプリアス共振ｆ3 が発生する原因
の一つとして、上記のように、反射器ギャップが適切な
値（λ／４程度）から大きくずれることがある。即ち、
反射器ギャップを最適な値にしたつもりでも、実際にフ
ォトマスク上では寸法が丸め込まれてしまい、意図した
寸法から数１０％もずれた不適切な寸法になることによ
って、スプリアス共振ｆ3 が発生する。
の一つとして、上記のように、反射器ギャップが適切な
値（λ／４程度）から大きくずれることがある。即ち、
反射器ギャップを最適な値にしたつもりでも、実際にフ
ォトマスク上では寸法が丸め込まれてしまい、意図した
寸法から数１０％もずれた不適切な寸法になることによ
って、スプリアス共振ｆ3 が発生する。
【００１６】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、ＳＡＷ装置の反射器ギャ
ップについて、フォトマスクの最小描画モードの限界を
超えて高精度に実効的な寸法で形成可能とし、その結果
不要なスプリアス共振の発生を防ぎ、またステッパー装
置等の高価な装置を必要とせず、低コストに製造できる
ようにすることにある。
れたものであり、その目的は、ＳＡＷ装置の反射器ギャ
ップについて、フォトマスクの最小描画モードの限界を
超えて高精度に実効的な寸法で形成可能とし、その結果
不要なスプリアス共振の発生を防ぎ、またステッパー装
置等の高価な装置を必要とせず、低コストに製造できる
ようにすることにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波装置
は、圧電基板上に、少なくとも一対の櫛歯状電極と、該
櫛歯状電極の両端の弾性表面波伝搬路上に設けた梯子型
の反射器とを有する弾性表面波装置であって、前記反射
器が、櫛歯状電極との間隔が各々異なる複数の領域から
成ることを特徴とし、これにより、フォトマスクの最小
描画モードの限界を超えて高精度に実効的な寸法でもっ
て、反射器ギャップを形成可能となり、その結果不要な
スプリアス共振の発生を防ぐことができる。
は、圧電基板上に、少なくとも一対の櫛歯状電極と、該
櫛歯状電極の両端の弾性表面波伝搬路上に設けた梯子型
の反射器とを有する弾性表面波装置であって、前記反射
器が、櫛歯状電極との間隔が各々異なる複数の領域から
成ることを特徴とし、これにより、フォトマスクの最小
描画モードの限界を超えて高精度に実効的な寸法でもっ
て、反射器ギャップを形成可能となり、その結果不要な
スプリアス共振の発生を防ぐことができる。
【００１８】本発明において、好ましくは、前記反射器
の全開口長をｗ、前記反射器のｎ（ｎは２以上の整数）
個の領域の各開口長をｗn 、前記各領域における反射器
と櫛歯状電極との間隔をＧn とした場合、前記反射器と
櫛歯状電極との実効的な間隔Ｇe を、Ｇe ＝Σ｛（ｗn
／ｗ）×Ｇn ｝で設定する。
の全開口長をｗ、前記反射器のｎ（ｎは２以上の整数）
個の領域の各開口長をｗn 、前記各領域における反射器
と櫛歯状電極との間隔をＧn とした場合、前記反射器と
櫛歯状電極との実効的な間隔Ｇe を、Ｇe ＝Σ｛（ｗn
／ｗ）×Ｇn ｝で設定する。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明のＳＡＷ装置について以下
に説明する。図１は、本発明によるＳＡＷ装置（ＳＡＷ
共振子）Ｄの基本構成の平面図である。同図において、
１は互いに噛み合うように形成された一対の櫛歯状電極
であるＩＤＴ電極、２，２はＩＤＴ電極１の両端のＳＡ
Ｗ伝搬路上に設けられた梯子型の反射器である。尚、Ｉ
Ｎは高周波信号の入力端子、ＯＵＴは出力端子であり、
またＩＤＴ電極１及び反射器２，２は、その電極指の本
数が数１０〜数１００本に及ぶため、その形状を簡略化
して描いてある。
に説明する。図１は、本発明によるＳＡＷ装置（ＳＡＷ
共振子）Ｄの基本構成の平面図である。同図において、
１は互いに噛み合うように形成された一対の櫛歯状電極
であるＩＤＴ電極、２，２はＩＤＴ電極１の両端のＳＡ
Ｗ伝搬路上に設けられた梯子型の反射器である。尚、Ｉ
Ｎは高周波信号の入力端子、ＯＵＴは出力端子であり、
またＩＤＴ電極１及び反射器２，２は、その電極指の本
数が数１０〜数１００本に及ぶため、その形状を簡略化
して描いてある。
【００２０】このＳＡＷ装置Ｄは、反射器２，２が、Ｉ
ＤＴ電極１との間隔（反射器ギャップ）が各々異なる複
数の領域Ａ，Ｂから構成される。２つの領域Ａ，Ｂは、
それぞれ反射器ギャップがＧ1 ，Ｇ2 、開口長がｗ1 、
ｗ2 、全開口長はｗ＝ｗ1 ＋ｗ2 である。このような構
成により、従来平均化処理を施すことのできなかった反
射器ギャップに対し、ＳＡＷの伝搬路方向に垂直な方向
において、反射器ギャップが異なる複数の領域を形成す
ることによって、平均化処理できるようにした。
ＤＴ電極１との間隔（反射器ギャップ）が各々異なる複
数の領域Ａ，Ｂから構成される。２つの領域Ａ，Ｂは、
それぞれ反射器ギャップがＧ1 ，Ｇ2 、開口長がｗ1 、
ｗ2 、全開口長はｗ＝ｗ1 ＋ｗ2 である。このような構
成により、従来平均化処理を施すことのできなかった反
射器ギャップに対し、ＳＡＷの伝搬路方向に垂直な方向
において、反射器ギャップが異なる複数の領域を形成す
ることによって、平均化処理できるようにした。
【００２１】また、好ましくは、反射器２，２の全開口
長をｗ、反射器２，２のｎ（ｎは２以上の整数）個の領
域の各開口長をｗn 、前記各領域における反射器２，２
とＩＤＴ電極１との間隔をＧn とした場合、前記反射器
２，２とＩＤＴ電極１との実効的な間隔Ｇe を、Ｇe ＝
Σ｛（ｗn ／ｗ）×Ｇn ｝で設定する。例えば、図１に
おいて、実効的な反射器ギャップＧe をＧe ＝１．０４
μｍとする場合、フォトマスクの描画精度の限界は０．
１μｍのオーダーであり、そのため１．１μｍと１．０
μｍの２種類の反射器ギャップで平均化処理する。この
場合、Ｇ1 ＝１．１μｍ，Ｇ2 ＝１．０μｍ、反射器
２，２の全開口長がｗ＝１００μｍであれば、ｗ1 ＝４
０μｍ，ｗ2 ＝６０μｍとすることにより、Ｇe ＝ｗ1
／ｗ×Ｇ1＋ｗ2 ／ｗ×Ｇ2 ＝４０／１００×１．１＋
６０／１００×１．０＝１．０４μｍとなる。
長をｗ、反射器２，２のｎ（ｎは２以上の整数）個の領
域の各開口長をｗn 、前記各領域における反射器２，２
とＩＤＴ電極１との間隔をＧn とした場合、前記反射器
２，２とＩＤＴ電極１との実効的な間隔Ｇe を、Ｇe ＝
Σ｛（ｗn ／ｗ）×Ｇn ｝で設定する。例えば、図１に
おいて、実効的な反射器ギャップＧe をＧe ＝１．０４
μｍとする場合、フォトマスクの描画精度の限界は０．
１μｍのオーダーであり、そのため１．１μｍと１．０
μｍの２種類の反射器ギャップで平均化処理する。この
場合、Ｇ1 ＝１．１μｍ，Ｇ2 ＝１．０μｍ、反射器
２，２の全開口長がｗ＝１００μｍであれば、ｗ1 ＝４
０μｍ，ｗ2 ＝６０μｍとすることにより、Ｇe ＝ｗ1
／ｗ×Ｇ1＋ｗ2 ／ｗ×Ｇ2 ＝４０／１００×１．１＋
６０／１００×１．０＝１．０４μｍとなる。
【００２２】本発明において、反射器２，２の領域の数
ｎは３個以上でも構わない。例えば、図２に示すよう
に、反射器２ａ，２ａが、ＩＤＴ電極１との間隔（反射
器ギャップ）が各々異なる３つの領域Ａ，Ｂ，Ｃから構
成される。３つの領域Ａ，Ｂ，Ｃは、それぞれ反射器ギ
ャップがＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 、開口長がｗ1 ，ｗ2 ，ｗ
3、全開口長はｗ＝ｗ1 ＋ｗ2 ＋ｗ3 である。
ｎは３個以上でも構わない。例えば、図２に示すよう
に、反射器２ａ，２ａが、ＩＤＴ電極１との間隔（反射
器ギャップ）が各々異なる３つの領域Ａ，Ｂ，Ｃから構
成される。３つの領域Ａ，Ｂ，Ｃは、それぞれ反射器ギ
ャップがＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 、開口長がｗ1 ，ｗ2 ，ｗ
3、全開口長はｗ＝ｗ1 ＋ｗ2 ＋ｗ3 である。
【００２３】また、Ｇe の設定は、フォトマスクの描画
精度の限界（例えば０．１μｍ）以下のオーダーで行う
ことができ、更にｎ，ｗn ，Ｇn を調整することにより
前記描画精度の２桁以下のオーダーで設定可能である。
精度の限界（例えば０．１μｍ）以下のオーダーで行う
ことができ、更にｎ，ｗn ，Ｇn を調整することにより
前記描画精度の２桁以下のオーダーで設定可能である。
【００２４】本発明において、ＳＡＷ装置ＤのＩＤＴ電
極１及び反射器２，２はＡｌあるいはＡｌ合金（Ａｌ−
Ｃｕ系，Ａｌ−Ｔｉ系等）からなり、特にＡｌが励振効
率が高く、材料コストが低いため好ましい。また、ＩＤ
Ｔ電極１及び反射器２，２は蒸着法、スパッタリング法
又はＣＶＤ法等の薄膜形成法により形成する。
極１及び反射器２，２はＡｌあるいはＡｌ合金（Ａｌ−
Ｃｕ系，Ａｌ−Ｔｉ系等）からなり、特にＡｌが励振効
率が高く、材料コストが低いため好ましい。また、ＩＤ
Ｔ電極１及び反射器２，２は蒸着法、スパッタリング法
又はＣＶＤ法等の薄膜形成法により形成する。
【００２５】そして、ＩＤＴ電極１の対数は５０〜２０
０程度、電極指の幅は０．１〜１０．０μｍ程度、電極
指の間隔は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指の開口幅
（交差幅）は１０〜１００μｍ程度、ＩＤＴ電極１の厚
みは０．２〜０．４μｍ程度とすることが、ＳＡＷ共振
子あるいはＳＡＷフィルタとしての所期の特性を得るう
えで好適である。また、ＩＤＴ電極１の電極指間に酸化
亜鉛，酸化アルミニウム等の圧電材料を成膜すれば、Ｓ
ＡＷの共振効率が向上し好適である。
０程度、電極指の幅は０．１〜１０．０μｍ程度、電極
指の間隔は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指の開口幅
（交差幅）は１０〜１００μｍ程度、ＩＤＴ電極１の厚
みは０．２〜０．４μｍ程度とすることが、ＳＡＷ共振
子あるいはＳＡＷフィルタとしての所期の特性を得るう
えで好適である。また、ＩＤＴ電極１の電極指間に酸化
亜鉛，酸化アルミニウム等の圧電材料を成膜すれば、Ｓ
ＡＷの共振効率が向上し好適である。
【００２６】ＳＡＷフィルタ用の圧電基板としては、３
６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 単結晶、６４°Ｙ
カット−Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ3 単結晶、４５°Ｘカット
−Ｚ伝搬のＬｉＢ4 Ｏ7 単結晶等が、電気機械結合係数
が大きく且つ群遅延時間温度係数が小さいため好まし
い。圧電基板の厚みは０．１〜０．５ｍｍ程度がよく、
０．１ｍｍ未満では圧電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超
では材料コストが大きくなる。
６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 単結晶、６４°Ｙ
カット−Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ3 単結晶、４５°Ｘカット
−Ｚ伝搬のＬｉＢ4 Ｏ7 単結晶等が、電気機械結合係数
が大きく且つ群遅延時間温度係数が小さいため好まし
い。圧電基板の厚みは０．１〜０．５ｍｍ程度がよく、
０．１ｍｍ未満では圧電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超
では材料コストが大きくなる。
【００２７】かくして、本発明は、フォトマスクの描画
精度の限界を超えて高精度に実効的な寸法でもって、反
射器ギャップを形成でき、その結果不要なスプリアス共
振の発生を防ぐという作用効果を有する。
精度の限界を超えて高精度に実効的な寸法でもって、反
射器ギャップを形成でき、その結果不要なスプリアス共
振の発生を防ぐという作用効果を有する。
【００２８】なお、本発明は上記の実施形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の変更は何等差し支えない。
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の変更は何等差し支えない。
【００２９】
【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。
【００３０】（実施例）図１のＳＡＷ装置Ｄを用いて、
図７のような２．５段π型のＳＡＷフィルタＦを以下の
ように構成した。
図７のような２．５段π型のＳＡＷフィルタＦを以下の
ように構成した。
【００３１】３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 単
結晶から成る圧電基板上に、Ａｌから成るＳＡＷフィル
タＦ用の回路パターンを形成することにより作製した。
結晶から成る圧電基板上に、Ａｌから成るＳＡＷフィル
タＦ用の回路パターンを形成することにより作製した。
【００３２】具体的には、紫外線（Ｄｅｅｐ ＵＶ）を
用いた密着露光機によるフォトリソグラフィー法によ
り、前記圧電基板用のウェハ上に、多数のＳＡＷフィル
タＦ用のレジストのネガパターンを形成した。次いで、
前記ネガパターン上に電子ビーム蒸着機でＡｌを成膜し
た。その後、レジスト剥離液中で不要なＡｌをリフトオ
フし、ＩＤＴ電極１等の微細な回路パターンを作製し
た。
用いた密着露光機によるフォトリソグラフィー法によ
り、前記圧電基板用のウェハ上に、多数のＳＡＷフィル
タＦ用のレジストのネガパターンを形成した。次いで、
前記ネガパターン上に電子ビーム蒸着機でＡｌを成膜し
た。その後、レジスト剥離液中で不要なＡｌをリフトオ
フし、ＩＤＴ電極１等の微細な回路パターンを作製し
た。
【００３３】その後、ウェハ全面に再度レジストを塗布
し、フォトリソグラフィー法によって、回路パターン上
に形成すべき絶縁膜用のネガパターンを作製した。その
後、スパッタリング法により絶縁膜としてのＳｉＯ2 膜
をウェハ全面に成摸した。次いで、レジスト剥離液中で
不要なＳｉＯ2 膜をリフトオフすることにより、ＳｉＯ
2 膜の形成を終了した。尚、ＳｉＯ2 膜はＩＤＴ電極１
等の回路パターンを保護すると同時に、電極指間が焦電
効果等によりショートするのを防ぐものである。
し、フォトリソグラフィー法によって、回路パターン上
に形成すべき絶縁膜用のネガパターンを作製した。その
後、スパッタリング法により絶縁膜としてのＳｉＯ2 膜
をウェハ全面に成摸した。次いで、レジスト剥離液中で
不要なＳｉＯ2 膜をリフトオフすることにより、ＳｉＯ
2 膜の形成を終了した。尚、ＳｉＯ2 膜はＩＤＴ電極１
等の回路パターンを保護すると同時に、電極指間が焦電
効果等によりショートするのを防ぐものである。
【００３４】次に、パターニングの終了したウェハを個
々のＳＡＷフィルタＦ毎にダイシング法でカットし、個
々のＳＡＷフィルタＦのチップをＳＭＤ（Surface Moun
tedDevice：表面実装素子）用のパッケージ内にエポキ
シ樹脂により接着し、載置固定した。
々のＳＡＷフィルタＦ毎にダイシング法でカットし、個
々のＳＡＷフィルタＦのチップをＳＭＤ（Surface Moun
tedDevice：表面実装素子）用のパッケージ内にエポキ
シ樹脂により接着し、載置固定した。
【００３５】このとき、ＳＡＷ装置Ｄについて、ＩＤＴ
電極１の対数は１００対、ＩＤＴ電極１の電極指の線幅
は平均１．０４μｍ、電極指の間隔は平均１．０４μ
ｍ、電極指の開口幅（交差幅）は８０μｍ、反射器２，
２の本数は各１００本であり、反射器ギャップは設計値
（目標値）で１．０４μｍとした。
電極１の対数は１００対、ＩＤＴ電極１の電極指の線幅
は平均１．０４μｍ、電極指の間隔は平均１．０４μ
ｍ、電極指の開口幅（交差幅）は８０μｍ、反射器２，
２の本数は各１００本であり、反射器ギャップは設計値
（目標値）で１．０４μｍとした。
【００３６】そして、上記本発明品と図３のような従来
品について、ＩＤＴ電極１をインピーダンスアナライザ
に接続し、入力インピーダンスの絶対値｜Ｚin｜及び入
力インピーダンスの位相の周波数特性を測定した結果
を、図４，図５のグラフに示す。図５は従来品であり、
反射器ギャップが１．０μｍとずれたため、共振点付近
に２つのスプリアス共振による大きなリップルが発生し
た。
品について、ＩＤＴ電極１をインピーダンスアナライザ
に接続し、入力インピーダンスの絶対値｜Ｚin｜及び入
力インピーダンスの位相の周波数特性を測定した結果
を、図４，図５のグラフに示す。図５は従来品であり、
反射器ギャップが１．０μｍとずれたため、共振点付近
に２つのスプリアス共振による大きなリップルが発生し
た。
【００３７】図４は本発明品であり、Ｇ1 ＝１．０μ
ｍ，Ｇ2 ＝１．１μｍ、反射器２，２の全開口長をｗ＝
８０μｍ、ｗ1 ＝４８μｍ，ｗ2 ＝３２μｍとすること
により、Ｇe ＝ｗ1 ／ｗ×Ｇ1 ＋ｗ2 ／ｗ×Ｇ2 ＝４８
／８０×１．０＋３２／８０×１．１＝１．０４μｍと
設定した。その結果、スプリアス共振の発生がなく良好
な周波数特性であった。
ｍ，Ｇ2 ＝１．１μｍ、反射器２，２の全開口長をｗ＝
８０μｍ、ｗ1 ＝４８μｍ，ｗ2 ＝３２μｍとすること
により、Ｇe ＝ｗ1 ／ｗ×Ｇ1 ＋ｗ2 ／ｗ×Ｇ2 ＝４８
／８０×１．０＋３２／８０×１．１＝１．０４μｍと
設定した。その結果、スプリアス共振の発生がなく良好
な周波数特性であった。
【００３８】そして、上記パッケージ内のＳＡＷフィル
タＦについて、３５μφ（直径３５μｍ）のＡｌワイヤ
ーを、パッケージの電極パッドとチップ上のＡｌ電極パ
ッドとを接続するように超音波ボンディングした後、パ
ッケージリッドを被せ接着し、ＳＡＷフィルタＦのパッ
ケージングを終了した。このＳＡＷフィルタＦは、通過
帯域内のリップルが小さく、平坦性が良好であるという
優れた特性を示した。
タＦについて、３５μφ（直径３５μｍ）のＡｌワイヤ
ーを、パッケージの電極パッドとチップ上のＡｌ電極パ
ッドとを接続するように超音波ボンディングした後、パ
ッケージリッドを被せ接着し、ＳＡＷフィルタＦのパッ
ケージングを終了した。このＳＡＷフィルタＦは、通過
帯域内のリップルが小さく、平坦性が良好であるという
優れた特性を示した。
【００３９】
【発明の効果】本発明は、反射器が、ＩＤＴ電極との間
隔が各々異なる複数の領域から成ることにより、反射器
ギャップについて、フォトマスクの描画精度の限界を超
えて高精度に実効的な寸法で形成でき、その結果不要な
スプリアス共振の発生を防ぐという効果を有する。反射
器ギャップを高精度に形成するためのステッパー装置等
の高価な装置を必要とせず、低コストに製造できるとい
う効果も有する。
隔が各々異なる複数の領域から成ることにより、反射器
ギャップについて、フォトマスクの描画精度の限界を超
えて高精度に実効的な寸法で形成でき、その結果不要な
スプリアス共振の発生を防ぐという効果を有する。反射
器ギャップを高精度に形成するためのステッパー装置等
の高価な装置を必要とせず、低コストに製造できるとい
う効果も有する。
【図１】本発明によるＳＡＷ装置Ｄの基本構成の平面図
である。
である。
【図２】本発明によるＳＡＷ装置Ｄａの基本構成の平面
図である。
図である。
【図３】従来のＳＡＷ装置Ｄ1 の基本構成の平面図であ
る。
る。
【図４】本発明のＳＡＷ装置Ｄについて、入力インピー
ダンスの絶対値｜Ｚin｜及び入力インピーダンスの位相
の周波数特性を測定したグラフである。
ダンスの絶対値｜Ｚin｜及び入力インピーダンスの位相
の周波数特性を測定したグラフである。
【図５】従来のＳＡＷ装置Ｄ1 について、｜Ｚin｜及び
入力インピーダンスの位相の周波数特性を測定したグラ
フである。
入力インピーダンスの位相の周波数特性を測定したグラ
フである。
【図６】従来のＳＡＷ装置において、スプリアス共振が
生じたときの｜Ｚin｜−周波数特性のグラフである。
生じたときの｜Ｚin｜−周波数特性のグラフである。
【図７】従来の２．５段π型のＳＡＷフィルタＦの回路
図である。
図である。
１：ＩＤＴ電極 ２：反射器
Claims (2)
- 【請求項１】圧電基板上に、少なくとも一対の櫛歯状電
極と、該櫛歯状電極の両端の弾性表面波伝搬路上に設け
た梯子型の反射器とを有する弾性表面波装置であって、
前記反射器が、櫛歯状電極との間隔が各々異なる複数の
領域から成ることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】前記反射器の全開口長をｗ、前記反射器の
ｎ（ｎは２以上の整数）個の領域の各開口長をｗn 、前
記各領域における反射器と櫛歯状電極との間隔をＧn と
した場合、前記反射器と櫛歯状電極との実効的な間隔Ｇ
e を、Ｇe ＝Σ｛（ｗn ／ｗ）×Ｇn ｝で設定したこと
を特徴とする弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33068297A JPH11163675A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33068297A JPH11163675A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163675A true JPH11163675A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18235407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33068297A Pending JPH11163675A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11163675A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6894588B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-05-17 | Epcos Ag | Resonator filter with improved adjacent channel selectivity |
-
1997
- 1997-12-01 JP JP33068297A patent/JPH11163675A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6894588B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-05-17 | Epcos Ag | Resonator filter with improved adjacent channel selectivity |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100346805B1 (ko) | 탄성표면파장치 | |
| JP3301399B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| US7135805B2 (en) | Surface acoustic wave transducer | |
| JPH10242799A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JPH08265088A (ja) | 表面波共振子フィルタ | |
| JP2001077662A (ja) | 表面波装置及び通信機装置 | |
| JPH07283682A (ja) | 弾性表面波共振子フィルタ | |
| JP2002176333A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JP2003188675A (ja) | 表面弾性波素子及びそれを備えたデュプレクサ | |
| JP2002135077A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| WO2000070758A1 (fr) | Dispositif d'onde acoustique de surface | |
| JPH11163664A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JP3106912B2 (ja) | 端面反射型表面波装置の製造方法 | |
| JP2001308675A (ja) | 表面波フィルタ及び共用器、通信機装置 | |
| JP2008035220A (ja) | 弾性表面波装置及び通信装置 | |
| US6452306B1 (en) | Surface acoustic wave device and piezoelectric substrate used therefor | |
| JP2001345675A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JP4183165B2 (ja) | 弾性表面波共振子及びこれを用いたラダー型弾性表面波フィルタ | |
| JPH09246911A (ja) | 共振器型弾性表面波フィルタ | |
| JPH11186867A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH10276062A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| JPH11163675A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH10335965A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JPH10303697A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JPWO2002056466A1 (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040419 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040518 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040720 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20041228 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050224 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Effective date: 20050302 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Effective date: 20050409 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 |