JP4016695B2 - 圧電振動デバイスの製造方法及びその製造方法により製造された圧電振動デバイス - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、音叉型水晶振動子や厚みすべり型水晶振動子等に代表される圧電振動デバイスの製造方法及びその製造方法により製造された圧電振動デバイスに係る。特に、圧電振動デバイスの生産性の向上を図るための対策に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、圧電振動デバイスの一種類として、小型化を図ることが容易な音叉型水晶振動子が知られている。この種の振動子は、例えば特開平１０−２９４６３１号公報に開示されているように、エッチング加工等により音叉型に形成された水晶ウェハに対してフォトリソグラフィー技術を利用して表面に所定の電極が形成されて成る音叉型水晶振動片を備えている。以下、この電極の形成工程について説明する。
【０００３】
図１は、一般的な音叉型水晶振動片１の正面図であって、電極形成部分に斜線を付している。図２はフォトリソグラフィー技術によって水晶ウェハ１Ａの表面に電極１３，１４を形成する工程を示す図であって、図１のII-II線に沿った断面部分を示している。
【０００４】
電極１３，１４の形成工程では、先ず、上記音叉型に形成された水晶ウェハ１Ａ（図２（ａ）参照）に対し、その全面にクロム及び金等の材料で成る電極膜１５を真空蒸着法等により形成する（図２（ｂ）参照）。その後、ポジティブタイプのフォトレジスト液より成るレジスト膜３によって水晶ウェハ１Ａの全面をコーティングする（図２（ｃ）参照）。このレジスト膜３に対して所定の露光、現像処理を行って、電極膜１５をエッチングすべき領域のレジスト膜３に開口部３１を形成する（図２（ｄ）参照）。そして、この開口部３１に露出した電極膜１５をエッチング処理して部分的に電極膜１５を除去した後に（図２（ｅ）参照）、上記レジスト膜３を除去する（図２（ｆ）参照）。これにより、水晶ウェハ１Ａの所定領域のみに電極１３，１４が形成され、音叉型水晶振動片１が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このようにして製造された音叉型水晶振動片１の電極形成領域としては、図１及び図２（ｆ）に示すように、水晶ウェハ１Ａの各エッジ部を介して隣り合う（直交する）面同士に亘って連続した領域となっている。これは、それぞれの脚部１１，（１２）における主面１１ａ，（１２ａ）の電極１３，（１４）と、他方の脚部１２，（１１）における側面１２ｂ，（１１ｂ）の電極１３，（１４）とを接続して互いに導通させるためである。このため、この種の圧電振動デバイスにあっては、各エッジ部での電極１３，１３、（１４，１４）の連続性を確保することは極めて重要である。
【０００６】
ところが、上述した電極の形成工程では以下に述べるような課題があった。図１２は、この課題を説明するための図２に相当する図である。一般に、図１２（ｃ）に示すように水晶ウェハ１Ａの全面をレジスト膜３によってコーティングする場合には、水晶ウェハ１Ａをレジスト液槽に浸漬したり、レジスト液を水晶ウェハ１Ａにスプレーにより塗布することが行われている。この場合、水晶ウェハ１Ａの各面に塗布されたレジスト液には表面張力が発生し、図１２（ｃ）に破線の矢印で示す方向にレジスト液が引き寄せられる。つまり、レジスト液はエッジ部から離れる方向に流動しやすいものである。このため、エッジ部ではレジスト液の塗布量が十分に得られず、場合によってはエッジ部周辺には全くレジスト液が存在しなくなってしまうといった状況が発生する。図１３は、この表面張力の影響によってエッジ部にレジスト液（図中の仮想線参照）が存在していない状態にある水晶ウェハ１Ａの正面図である。
【０００７】
このようにエッジ部周辺にレジスト液が存在しない状態で上記の露光、現像処理や電極膜１５のエッチング処理を行うと、図１２（ｅ），（ｆ）に示すように、上記開口部３１に露出した電極膜１５ばかりでなくエッジ部周辺の電極膜１５も除去され、このエッジ部での電極１３，１４の連続性を確保することができなくなってしまい、完成した水晶振動片１は不良品となる。
【０００８】
この不具合を解消するための手段として、水晶ウェハ１Ａに対するレジスト液の塗布量を多く設定することが考えられる。
【０００９】
しかし、この場合にあっても、上記表面張力の発生を避けることはできない。このため、エッジ部周辺にはある程度の膜厚のレジスト膜３を存在させることができたとしても、それ以外の部分ではレジスト膜３の膜厚が必要以上に大きくなってしまう。これでは、この膜厚の大きい部分に対する露光エネルギ量が不足し、露光、現像処理を十分に行うことができない。その結果、レジスト膜３を除去すべき領域（上記開口３１を形成すべき領域）において部分的にレジスト膜３が残ってしまい、電極膜１５の必要箇所のエッチングが行えなくなってしまう可能性がある。
【００１０】
また、このレジスト膜３の膜厚の大きい部分に対する露光量を大きく設定して不要なレジスト膜３が残らないようにすることも考えられるが、これでは、パターンニングの精度の悪化を招いてしまい、振動子の小型化を阻害する要因となってしまう。
【００１１】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、水晶ウェハ（圧電振動基板）の各面に塗布されたレジスト液に発生する表面張力による不具合を解消し、不良品の発生率を削減して圧電振動デバイスの生産性の向上を図ることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
−発明の概要−
上記の目的を達成するために、本発明は、圧電振動基板表面の主面とエッジ部の周辺を不連続面とすることにより、この部分で発生する表面張力を低減させ、エッジ部におけるレジスト液の塗布量を十分に確保できるようにしている。
【００１３】
−解決手段−
具体的には、圧電振動基板上のエッジ部を介して隣り合う面同士に亘って連続する電極をフォトリソグラフィー技術によって形成する圧電振動デバイスの製造方法を対象とする。この製造方法に対し、圧電振動基板にレジスト液を塗布する工程に先立って、上記互いに隣り合う面の少なくとも一方のエッジ部近傍位置に、レジスト液に生じる表面張力を低減する張力低減手段を形成する基板表面前処理工程を行う。そして、この基板表面前処理工程において、張力低減手段を、エッジ部近傍位置における圧電振動基板の表面を部分的に不連続面とする凹陥部として形成する。
【００１５】
この特定事項により、圧電振動基板上のエッジ部周辺における面の連続性がなくなり、圧電振動基板に塗布されたレジスト液に発生する表面張力は低減される。このため、エッジ部におけるレジスト液の塗布量を十分に得ることができて、電極の形成位置を正確に得ることができ、不良品の発生率を大幅に削減することができる。
【００１６】
基板表面前処理工程の実行タイミングとして具体的には以下のものが掲げられる。つまり、圧電振動基板をエッチング加工により所定形状に形成した後に、この圧電振動基板に電極を形成するものに対し、上記基板表面前処理工程を、この圧電振動基板のエッチング加工と同時に行って張力低減手段を形成するようにしている。例えば、圧電振動素板に対して所定形状（例えば音叉型水晶振動片にあっては音叉形状）のメタルパターンを成形する際、張力低減手段を形成すべき位置にレジストを設けないことにより、圧電振動素板のエッチング加工時、所定形状の圧電振動基板が形成されると同時にこの圧電振動基板の所定領域に張力低減手段が形成されることになる。このため、張力低減手段を形成するための特別な工程を必要とすることがなく、作業効率の向上を図ることができる。
【００１７】
更に、基板表面前処理工程における張力低減手段の形成位置は、フォトリソグラフィー工法において使用されるフォトレジスト液のタイプによって選択される。具体的に、ネガティブタイプのフォトレジスト液より成るレジスト膜を使用したフォトリソグラフィー工法によって電極を形成する場合、圧電振動基板上の電極非形成部に対応した位置に張力低減手段を形成することになる。
【００１８】
つまり、ネガティブタイプのフォトレジスト液より成るレジスト膜を使用する場合、電極材料が蒸着される前の圧電振動基板の表面にレジスト膜を塗布し、所定の露光箇所のみにレジスト膜を残し、その他の箇所に電極材料を蒸着することになる。このため、圧電振動基板上の電極非形成部に対応した位置に張力低減手段を形成しておき、電極材料の蒸着が不要な箇所においてレジスト膜を十分に確保し、必要以外の箇所に電極材料が蒸着されてしまうことを回避できるようにしておく。これはリフトオフ法によって不要な電極材料を除去する場合に特に有効であり、必要以外の箇所に電極材料が残ってしまって電極間がショート（特に、音叉型水晶振動片にあっては各脚部の基端接続部でショート）してしまうといった不具合を確実に回避することが可能になる。
【００１９】
また、上記各圧電振動デバイスの製造方法によって製造された圧電振動デバイスも本発明の技術的思想の範疇である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２１】
（第１実施形態）
先ず、第１実施形態について説明する。本実施形態では、音叉型水晶振動子に本発明を適用した場合について説明する。
【００２２】
図１は本形態に係る音叉型水晶振動子に備えられる音叉型水晶振動片１を示す図である。この音叉型水晶振動片１は、２本の脚部１１，１２を備えており、各脚部１１，１２に第１及び第２の励振電極１３，１４が形成されている。図１では、これら励振電極１３，１４の形成部分に斜線を付している。
【００２３】
第１の励振電極１３は、一方の脚部１１の表裏面（主面）１１ａと他方の脚部１２の側面１２ｂとに設けられ、それぞれが接続されている。同様に、第２の励振電極１４は、他方の脚部１２の表裏面（主面）１２ａと一方の脚部１１の側面１１ｂとに設けられ、それぞれが接続されている（各側面１１ｂ，１２ｂの電極については図示省略）。これら励振電極１３，１４は、クロム（Ｃｒ）及び金（Ａｕ）の金属蒸着によって形成された薄膜であって、その膜厚は例えば２０００Åに設定されている。尚、これら励振電極１３，１４の形成動作については後述する。
【００２４】
また、図示しないが、この音叉型水晶振動片１はベースに支持され、このベースの外周部に音叉型水晶振動片１を覆うようにキャップが取り付けられて音叉型水晶振動子が構成される。
【００２５】
本形態に係る音叉型水晶振動片１の特徴は、図３に示すように、水晶ウェハ１Ａの主面１１ａ，１２ａの表裏両側の所定領域に張力低減手段としてのピンホール２，２，…が形成されていることにある。具体的には、各脚部１１，１２の幅方向両側のエッジ部Ａ及び水晶ウェハ１Ａの基部１６の幅方向両側のエッジ部Ａに沿って多数のピンホール２，２，…が形成されている。図３（ｂ）は図３（ａ）のIII-III線に沿った断面図である。
【００２６】
このピンホール２，２，…を設けたことにより、各脚部１１，１２及び基部１６のエッジ部Ａにあっては、表裏の各面１１ａ，１２ａにおいて連続性がなくなり、水晶ウェハ１Ａに対する電極１３，１４の形成工程において、水晶ウェハ１Ａの表裏面１１ａ，１２ａに塗布されたレジスト液に発生する表面張力が低減されるようになっている。つまり、各エッジ部Ａにおけるレジスト液の塗布量を十分に確保することができるようになっている。
【００２７】
このピンホール２，２，…の形成動作（本発明でいう基板表面前処理工程）は、エッチング加工等により水晶素板を音叉型に形成する際に同時に行われる。つまり、水晶素板に対して音叉型のメタルパターンを成形する際、このピンホール２，２，…を形成すべき位置にレジストを設けないことにより、水晶素板のエッチング加工時に、音叉型の水晶ウェハ１Ａが形成されると同時にこの水晶ウェハ１Ａの所定領域にピンホール２，２，…が形成されることになる。
【００２８】
また、このピンホール２，２，…は、水晶素板をエッチング加工により音叉型に形成して水晶ウェハ１Ａを得た後、この水晶ウェハ１Ａの所定位置にレーザを照射することによって形成してもよい。
【００２９】
以下、上記ピンホール２，２，…を備えた水晶ウェハ１Ａに対する電極１３，１４の形成工程について図２（図１のII-II線に沿った断面部分を示す図）を用いて説明する。
【００３０】
先ず、従来の電極の形成工程と同様に、上記音叉型に形成された水晶ウェハ１Ａ（図２（ａ）参照）に対し、その全面にクロム及び金等の材料で成る電極膜１５を真空蒸着法等により形成する（図２（ｂ）参照）。その後、ポジティブタイプのフォトレジスト液より成るレジスト膜３によって水晶ウェハ１Ａの全面をコーティングする（図２（ｃ）参照）。このレジスト膜３によるコーティング作業は、水晶ウェハ１Ａをレジスト液槽に浸漬したり、レジスト液を水晶ウェハ１Ａにスプレーにより塗布することにより行われる。この場合、従来の水晶ウェハ１Ａでは主面１１ａ，１２ａに塗布されたレジスト液には表面張力が大きく発生し、エッジ部ではレジスト液の塗布量が十分に得られず、場合によってはエッジ部周辺には全くレジスト液が存在しなくなってしまう場合があった。これに対し、本形態のものでは、エッジ部Ａに上記ピンホール２，２，…（図２では図示省略）が形成されているため、水晶ウェハ１Ａの主面１１ａ，１２ａの連続性がなくなっており、水晶ウェハ１Ａの主面１１ａ，１２ａに塗布されたレジスト液に発生する表面張力は低減される。このため、エッジ部Ａにおけるレジスト液の塗布量を十分に得ることができている。
【００３１】
その後、このフォトレジスト液により形成されたレジスト膜３に対して所定の露光、現像処理を行って、電極膜１５をエッチングすべき領域のレジスト膜３に開口部３１を形成する（図２（ｄ）参照）。そして、この開口部３１に露出した電極膜１５をエッチング処理して部分的に電極膜１５を除去した後に（図２（ｅ）参照）、上記レジスト膜３を除去する（図２（ｆ）参照）。これにより、水晶ウェハ１Ａの所定領域のみに電極１３，１４が形成された音叉型水晶振動片１が得られる。
【００３２】
以上説明したように、本形態では、水晶ウェハ１Ａ上のエッジ部Ａ周辺にピンホール２，２，…を設けたことにより、その周辺部における主面１１ａ，１２ａの連続性がなくなり、水晶ウェハ１Ａに塗布されたレジスト液に発生する表面張力を低減できる。このため、エッジ部Ａにおけるレジスト液の塗布量を十分に得ることができて、電極１３，１４の形成位置を正確に得ることができ、不良品の発生率を大幅に削減することができる。
【００３３】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。本形態も音叉型水晶振動子に本発明を適用した場合について説明する。
【００３４】
図４（ａ）は本形態に係る音叉型水晶振動片１を示す図である。この図に示すように、本音叉型水晶振動片１では、各脚部１１，１２の基端接続部のエッジ部Ｂの円弧形状に沿うように３個のピンホール２，２，２が小間隙を存した位置に形成されている。図４（ｂ）は、このピンホール２の形成部分の断面図であって、図４（ａ）におけるIV-IV線に沿った断面図である。このように、表裏面１１ａ，１１ａで互いに対向する位置にピンホール２，２が形成されている。
【００３５】
このような位置にピンホール２，２，２を設けたことにより、各脚部１１，１２の基端接続部のエッジ部Ｂ周辺での面の連続性がなくなり、水晶ウェハ１Ａの主面１１ａ，１２ａに塗布されたレジスト液に発生する表面張力は低減される。このため、エッジ部Ｂにおけるレジスト液の塗布量を十分に得ることができる。特に、この各脚部１１，１２の基端接続部のエッジ部Ｂにピンホール２，２，２を設ける構成は、ネガティブタイプのフォトレジスト液より成るレジスト膜によって水晶ウェハ１Ａをレジストする場合に使用される。つまり、このエッジ部Ｂにおけるレジスト液の塗布量を十分に得ることによって、露光、現像処理に伴って形成されるレジスト（保護膜）を各脚部１１，１２の基端接続部で十分に確保し、この部分に不要な蒸着膜が付着しないようにすることができる。
【００３６】
仮に、上記表面張力の影響によって各脚部１１，１２の基端接続部においてレジスト膜が存在しない場合、電極の蒸着時、この部分にレジスト膜を存在させることができず、第１の励振電極１３と第２の励振電極１４とがショートした形状で形成されてしまう。本形態では、このような状況の発生を回避することができる。
【００３８】
（参考例１）
図５（ａ）は参考例１における水晶ウェハ１Ａの平面図である。この図５（ａ）に示すように、本参考例１の水晶ウェハ１Ａでは、上記第２実施形態のピンホールに代えて、エッジ部Ｂに開放する矩形状の複数（図５のものでは３個）の溝４，４，４が各脚部１１，１２の基端接続部のエッジ部Ｂに形成されている。図５（ｂ）は図５（ａ）のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。
【００３９】
−第２実施形態の変形例−
以下、第２実施形態に係る張力低減手段の変形例について説明する。
図６（ａ）は第１の変形例における水晶ウェハ１Ａの平面図である。この図６（ａ）に示すように、本変形例の水晶ウェハ１Ａでは、エッジ部Ｂに沿って延びる円弧形状の凹部５が各脚部１１，１２の基端接続部のエッジ部Ｂの近傍に形成されている。図６（ｂ）は図６（ａ）のVI-VI線に沿った断面図である。
【００４０】
図７は第２の変形例における水晶ウェハ１Ａの平面図である。この図７に示すように、本変形例の水晶ウェハ１Ａは、ピンホール２の形成位置を変更したものである。つまり、エッジ部Ｂに沿う円弧形状にピンホール２，２，…を千鳥配置したものである。
【００４１】
図８は第３の変形例における水晶ウェハ１Ａの平面図である。この図８に示すように、本変形例の水晶ウェハ１Ａは、上記図５で示した溝４，４，４と、図７で示した千鳥配置されたピンホール２，２，…とを併用したものである。
【００４２】
図９は第４の変形例における水晶ウェハ１Ａの平面図である。この図９に示すように、本変形例の水晶ウェハ１Ａは、上記図５で示した溝４，４，４と、図６で示した凹部５とを併用したものである。
【００４３】
以上のような図６〜図９に示す張力低減手段によっても、水晶ウェハ１Ａの主面１１ａ，１２ａの連続性をなくすことができ、水晶ウェハ１Ａの主面１１ａ，１２ａに塗布されたレジスト液に発生する表面張力を低減することができる。このため、エッジ部Ｂにおけるレジスト液の塗布量を十分に得ることができて、電極１３，１４の形成位置を正確に得ることができ、不良品の発生率を大幅に削減することができる。
【００４４】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態について説明する。本形態は厚みすべり型水晶振動子に本発明を適用した場合について説明する。
【００４５】
図１０（ａ）は本形態に係る水晶振動片８の平面図である。図１０（ｂ）は図１０（ａ）におけるX-X線に沿った断面図である。これら図に示すように、本形態の水晶振動片８は逆メサ構造のものであって、その表面側は、底面部８１、上面部８２、これら底面部８１と上面部８２との間に亘る壁部８３を備えている。
【００４６】
そして、本水晶振動片８にあっては上面部８２の内側縁部近傍位置に、その全周囲に亘ってピンホール２，２，…が形成されている。
【００４７】
このピンホール２，２，…を設けたことにより、上面部８２の内側縁部近傍にあっては、面の連続性がなくなり、塗布されたレジスト液に発生する表面張力が低減されるようになっている。その結果、壁部８３から上面部８２に亘って形成される電極を正確な位置に形成することができる。尚、このピンホール２，２，…は、必ずしも上面部８２の内側縁部近傍位置の全周囲に亘って形成する必要はない。例えば壁部８３から上面部８２に亘って引出電極が形成されるものにあってはその引出電極の形成領域のみにピンホール２，２，…を形成すればよい。
【００４８】
（参考例２）
次に、参考例２について説明する。
【００４９】
図１１（ａ）は本参考例２に係る水晶振動片の平面図である。図１１（ｂ）は図１１（ａ）におけるXI-XI線に沿った断面図である。これら図に示すように、本参考例２の水晶振動片８にあっては上面部８２の内側縁部に、壁部８３に向かって開放する溝４が形成されている。この溝４は平面視が三角形状のものである。本参考例２によっても、上面部８２の内側縁部近傍にあっては、面の連続性がなくなり、塗布されたレジスト液に発生する表面張力が低減され、その結果、壁部８３から上面部８２に亘って形成される電極を正確な位置に形成することができる。
【００５０】
−その他の実施形態−
上記第１実施形態では、水晶ウェハ１Ａの主面１１ａ，１２ａのみにピンホール２，２，…を形成していた。本発明はこれに限らず、水晶ウェハ１Ａの側面１１ｂ，１２ｂにピンホール２，２，…を形成してもよい。また、上記ピンホール２，２，…の大きさ及び深さは、水晶ウェハ１Ａの強度が大幅に低下したり電気的特性が劣化したりしない範囲内で大きく設定しておくことが好ましい。これは、水晶ウェハ１Ａに対するレジスト液の塗布量が多すぎた場合に、余分なレジスト液をピンホール２，２，…によって回収して、レジスト液に発生する表面張力を小さくするためである。
【００５１】
また、この第１実施形態の構成においても、上記第２実施形態の変形例（図８，図９）の場合と同様に複数種類の凹陥部を併用するようにしてもよい。
【００５２】
更に、第１実施形態にあっては、ポジティブタイプのフォトレジスト液を使用したフォトリソグラフィー工法によって電極を形成する場合であって、電極形成部に対応した位置に張力低減手段（ピンホール）を形成していた。本発明はこれに限らず、ポジティブタイプのフォトレジスト液を使用したフォトリソグラフィー工法によって電極を形成する場合であって、非電極形成部に対応した位置に張力低減手段を形成してもよい。これによれば電極形成部にはピンホール等の加工が行われないので、張力低減手段を形成したことによる悪影響が電極形成部に及ぶことがなくなる。
【００５３】
上記第２実施形態では、張力低減手段としてエッジ部Ｂの円弧形状に沿うように３個のピンホール２，２，２を形成していた。このピンホール２の形状及び個数はこれに限るものではない。
【００５４】
更に、第３実施形態の構成においても、上記第２実施形態の変形例（図６〜図９）の場合と同様に、溝を形成したり、千鳥配置したピンホールを形成したり、複数種類の凹陥部を併用するようにしてもよい。
【００５５】
また、本発明は、水晶振動子に限らず、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムなどを使用した圧電振動子や、その他種々の電子部品の製造に適用することも可能である。
【００５６】
【発明の効果】
以上のように、本発明では、圧電振動基板の表面を部分的に不連続面とすることにより、この部分で発生する表面張力を低減させ、エッジ部におけるレジスト液の塗布量を十分に確保できるようにしている。このため、エッジ部におけるレジスト液の塗布量を十分に得ることができて、電極の形成位置を正確に得ることができ、不良品の発生率を大幅に削減できて、圧電振動デバイスの生産性の向上を図ることができる。
【００５７】
また、基板表面前処理工程を、圧電振動基板のエッチング加工と同時に行うようにした場合には、張力低減手段を形成するための特別な工程を必要とすることがなく、作業効率の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】音叉型水晶振動片の正面図である。
【図２】水晶ウェハに対する電極の形成工程を示す図である。
【図３】（ａ）は第１実施形態に係る水晶ウェハを示す図であり、（ｂ）は（ａ）におけるIII-III線に沿った断面図である。
【図４】（ａ）は第２実施形態に係る音叉型水晶振動片を示す図であり、（ｂ）は（ａ）におけるIV-IV線に沿った断面図である。
【図５】参考例１における水晶ウェハを示す図である。
【図６】第２実施形態の第１変形例における水晶ウェハを示す図である。
【図７】第２実施形態の第２変形例における水晶ウェハを示す図である。
【図８】第２実施形態の第３変形例における水晶ウェハを示す図である。
【図９】第２実施形態の第４変形例における水晶ウェハを示す図である。
【図１０】（ａ）は第３実施形態に係る水晶振動片の平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるX-X線に沿った断面図である。
【図１１】（ａ）は参考例２に係る水晶振動片の平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるXI-XI線に沿った断面図である。
【図１２】従来例における図２相当図である。
【図１３】従来例における水晶ウェハ上のレジスト液の塗布状態を示す図である。
【符号の説明】
１，８ 水晶振動片
１Ａ 水晶ウェハ（圧電振動基板）
１１ａ，１２ａ 主面
１１ｂ，１２ｂ 側面
１３，１４ 励振電極
２ ピンホール（張力低減手段、凹陥部）
３ レジスト膜
５ 凹部（張力低減手段、凹陥部）
Ａ，Ｂ エッジ部

Claims (4)

1. 圧電振動基板上のエッジ部を介して隣り合う面同士に亘って連続する電極をフォトリソグラフィー技術によって形成する圧電振動デバイスの製造方法であって、
   上記圧電振動基板にレジスト液を塗布する工程に先立って、上記互いに隣り合う面の少なくとも一方のエッジ部近傍位置に、レジスト液に生じる表面張力を低減する張力低減手段を形成する基板表面前処理工程を行い、
   この基板表面前処理工程において、張力低減手段を、エッジ部近傍位置における圧電振動基板の表面を部分的に不連続面とする凹陥部として形成することを特徴とする圧電振動デバイスの製造方法。
2. 請求項１記載の圧電振動デバイスの製造方法において、
   圧電振動基板は、エッチング加工により所定形状に形成された後に電極が形成されるようになっており、
   基板表面前処理工程は、この圧電振動基板のエッチング加工と同時に行われて張力低減手段を形成することを特徴とする圧電振動デバイスの製造方法。
3. 請求項１または２記載の圧電振動デバイスの製造方法において、
   ネガティブタイプのフォトレジスト液より成るレジスト膜を使用したフォトリソグラフィー工法によって電極を形成する場合、圧電振動基板上の電極非形成部に対応した位置に張力低減手段を形成することを特徴とする圧電振動デバイスの製造方法。
4. 上記請求項１〜３のうち何れか一つに記載の圧電振動デバイスの製造方法によって製造された圧電振動デバイス。

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