CN115603694B

CN115603694B - Tc-saw器件、用于制作tc-saw器件的方法

Info

Publication number: CN115603694B
Application number: CN202211602698.5A
Authority: CN
Inventors: 请求不公布姓名
Original assignee: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd
Current assignee: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd
Priority date: 2022-12-14
Filing date: 2022-12-14
Publication date: 2023-04-07
Anticipated expiration: 2042-12-14
Also published as: CN115603694A; WO2024125585A1

Abstract

本申请涉及TC‑SAW滤波器技术领域，公开一种TC‑SAW器件，包括：第一叉指引出部；第二叉指引出部；多个第一叉指电极，呈平行间隔设置，每个所述第一叉指电极的一端与所述第一叉指引出部相连接，另一端边缘区域形成与所述第二叉指引出部相对设置的叉指电极末端；多个第二叉指电极，与所述多个第一叉指电极呈交叉平行设置，每个所述第二叉指电极的一端与所述第二叉指引出部相连接，另一端的边缘区域形成与所述第一叉指引出部相对设置的叉指电极末端；凸起结构，一体成型地设置于每个所述叉指电极末端，并且所述凸起结构分别与所述第二叉指电极和所述第一叉指电极在垂直方向上呈对齐设置。本申请还公开一种用于制作TC‑SAW器件的方法。

Description

TC-SAW器件、用于制作TC-SAW器件的方法

技术领域

本申请涉及TC-SAW滤波器技术领域，例如涉及一种TC-SAW器件、用于制作TC-SAW器件的方法。

背景技术

在TC-SAW（Temperature Compensated-Surface Acoustic Wave，温度补偿型声表面波滤波器）器件结构中，通常需要在叉指电极的两端叠加一小块金属块（通常称为HammerHead）而形成凸起形状，以抑制杂波保证优良的滤波器性能，当凸起金属块边缘和叉指电极末端边缘完全垂直对齐时，其抑制杂波的效果最佳。该凸起金属块，是在制作完成叉指电极之后通过Lift-off工艺附加在叉指电极末端的，即它和叉指电极并非是一体的材料，而是两个独立的材料层次。其中，Lift-off工艺，是指在晶圆上做光刻工艺（涂布光刻胶、曝光、显影）而获得暴露出叉指电极末端的开窗，然后蒸镀金属、剥离光刻胶和附在光刻胶上的金属而留下沉积在叉指电极末端的金属，从而获得叉指末端的凸起金属块结构。

然而，光刻工艺存在和叉指电极层对位的偏差，光刻工艺本身开窗线宽也有一定的差异性，如此就会造成凸起金属块并不能完全和叉指电极末端边缘垂直对齐，这样就会带来对杂波抑制的效果差异，影响滤波器性能和滤波器的个体一致性。

发明内容

为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。

本发明实施例提供一种TC-SAW器件、用于制作TC-SAW器件的方法，以使末端凸起和叉指电极完全垂直对齐，提高对杂波的抑制效果，保证滤波器性能和滤波器的个体一致性。

在一些实施例中，所述TC-SAW器件，包括：第一叉指引出部；第二叉指引出部；多个第一叉指电极，呈平行间隔设置，每个所述第一叉指电极的一端与所述第一叉指引出部相连接，另一端边缘区域形成与所述第二叉指引出部相对设置的叉指电极末端；多个第二叉指电极，与所述多个第一叉指电极呈交叉平行设置，每个所述第二叉指电极的一端与所述第二叉指引出部相连接，另一端的边缘区域形成与所述第一叉指引出部相对设置的叉指电极末端；凸起结构，一体成型地设置于每个所述叉指电极末端，并且所述凸起结构分别与所述第二叉指电极和所述第一叉指电极在垂直方向上呈对齐设置。

在一些实施例中，在所述第一叉指电极的边缘区域与所述第一叉指引出部之间，以及在所述第二叉指电极的边缘区域与所述第二叉指引出部之间，分别形成有叉指电极中心部；所述凸起结构的厚度大于所述叉指电极中心部的厚度，并且所述凸起结构与所述叉指电极中心部之间呈无界面设置。

在一些实施例中，所述TC-SAW器件，还包括：第一PAD金属层，通过第一叉指通孔与所述第一叉指引出部相连接；第二PAD金属层，通过第二叉指通孔与所述第二叉指引出部相连接。

在一些实施例中，所述TC-SAW器件，还包括：温度补偿层，覆盖在第一叉指电极、第二叉指电极、第一叉指引出部和第二叉指引出部的表面。

在一些实施例中，所述第一叉指通孔，通过刻蚀所述温度补偿层，在其底部暴露出所述第一叉指引出部的表面；所述第二叉指通孔，通过刻蚀所述温度补偿层，在其底部暴露出所述第二叉指引出部的表面。

在一些实施例中，所述TC-SAW器件，还包括：钝化层，覆盖在所述温度补偿层、第一PAD金属层和第二PAD金属层的表面；衬底，设置于所述第一叉指引出部和第二叉指引出部压的底部，包括压电材料、铌酸锂或钽酸锂。

在一些实施例中，所述TC-SAW器件，还包括：第一PAD接触窗，通过刻蚀所述钝化层形成，在其底部暴露出所述第一PAD金属层；第二PAD接触窗，通过刻蚀所述钝化层形成，在其底部暴露出所述第二PAD金属层。

在一些实施例中，用于制作上述的TC-SAW器件的方法，包括：

获取衬底，所述衬底包括压电材料、铌酸锂或钽酸锂；

使用Lift-off工艺，在所述衬底上形成第一叉指电极和第二叉指电极；

涂布光刻胶，使其完全覆盖所述第一叉指电极、第二叉指电极和衬底；

设置曝光的聚焦位置和景深以进行光刻曝光，使得垂直方向上的部分光刻胶被曝光；

刻蚀掉部分第一叉指电极的叉指电极中心部和部分第二叉指电极的叉指电极中心部，保留厚度均匀且符合目标厚度要求的第一叉指电极和第二叉指电极；

去除光刻胶，形成完整的叉指电极末端的凸起结构。

在一些实施例中，在去除光刻胶，形成完整的叉指电极末端的凸起结构之后，还包括：

淀积温度补偿层，并化学机械平坦化，以使所述温度补偿层覆盖所述衬底、第一叉指电极和第二叉指电极的表面；

刻蚀温度补偿层，暴露出第一叉指电极引出部和第二叉指电极引出部，形成第一叉指通孔和第二叉指通孔；

形成第一PAD金属层和第二PAD金属层，通过第一叉指通孔连接第一指电极引出部，通过第二叉指通孔连接第二叉指电极引出部；

淀积钝化层，以保护所述第一PAD金属层和第二PAD金属层并作为滤波器频率调整层；

刻蚀钝化层，形成对外电气连接的第一PAD接触窗和第二PAD接触窗。

在一些实施例中，所述第一叉指电极和第二叉指电极为Ti、Cr、Ag、Cu、Mo、Pt、W或Al材料；或者，为Ti、Cr、Ag、Cu、Mo、Pt、W或Al中的两者或两者以上材料的组合叠层；所述温度补偿层的材料为SiO2单层；或者为SiN、AlN、非晶硅或GaN材料与SiO2的组合叠层；所述第一PAD金属层和第二PAD金属层的材料为Ti、Cr、Al、Cu、Ni、Ag或Au材料；或者，为Ti、Cr、Al、Cu、Ni、Ag或Au中的两者或两者以上材料的组合叠层；所述钝化层的材料为SiN、AlN、非晶硅或GaN材料；或者，为SiN、AlN、非晶硅或GaN材料中的两者或两者以上材料的组合叠层。

本发明实施例提供一种TC-SAW器件、用于制作TC-SAW器件的方法，可以实现以下技术效果：

本申请通过在第一叉指电极的叉指电极末端和第的叉指电极的叉指电极末端，形成凸起结构，即叉指电极末端的凸起结构和叉指电极本身为一体的材料层，并不存在彼此的界面，并且凸起结构分别与第二叉指电极和第一叉指电极在垂直方向上呈对齐设置，从而避免了光刻工艺与叉指电极对位的偏差，增强了对杂波抑制的效果差异，进而提高了滤波器性能和滤波器的个体一致性。

以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：

图1是相关技术中的一种TC-SAW器件的平面示意图；

图2是本发明实施例提供的一种理想状态下的图1切面α-α’的叉指末端凸起金属块和叉指电极的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的一种偏差状态下的图1切面α-α’的叉指末端凸起金属块和叉指电极的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的一种偏差状态下的图1切面α-α’的叉指末端凸起金属块和叉指电极的结构示意图；

图5是本发明实施例提供的一个偏差状态下的图1切面α-α’的叉指末端凸起金属块和叉指电极的结构示意图；

图6是本发明实施例提供的一个理想状态下的图1切面β-β’的叉指末端凸起金属块和叉指电极的结构示意图；

图7是本发明实施例提供的一个偏差状态下的图1切面β-β’的叉指末端凸起金属块和叉指电极的结构示意图；

图8是本发明实施例提供的一种TC-SAW器件的结构示意图；

图9是本发明实施例提供的一种TC-SAW器件以图8的Ⅰ-Ⅰ’为切面的结构示意图；

图10是本发明实施例提供的一种TC-SAW器件以图8的Ⅱ-Ⅱ’为切面的结构示意图；

图11是本发明实施例提供的一种用于制作TC-SAW器件的方法示意图；

图12是本发明实施例提供的另一种用于制作TC-SAW器件的方法示意图；

图13是本发明实施例提供的另一种用于制作TC-SAW器件的方法示意图；

图14是本发明实施例提供的另一种用于制作TC-SAW器件的方法示意图；

图15是本发明实施例提供的另一种用于制作TC-SAW器件的方法示意图；

图16是本发明实施例提供的另一种用于制作TC-SAW器件的方法示意图；

图17是本发明实施例提供的另一种用于制作TC-SAW器件的方法示意图；

图18是本发明实施例提供的另一种用于制作TC-SAW器件的方法示意图；

图19是本发明实施例提供的另一种用于制作TC-SAW器件的方法示意图；

图20是本发明实施例提供的另一种用于制作TC-SAW器件的方法示意图；

图21是本发明实施例提供的另一种完成整个制造工艺后的TC-SAW器件以图8的Ⅰ-Ⅰ’为切面的结构示意图；

图22是本发明实施例提供的一种完成整个制造工艺后的TC-SAW器件以图8的Ⅱ-Ⅱ’为切面的结构示意图。

附图标记：

1：第一叉指引出部；2：第二叉指引出部；3：第一叉指电极；4：第二叉指电极；5：叉指电极末端；6：凸起结构；7：叉指电极中心部；8：第一PAD金属层；9：第二PAD金属层；10：第一叉指通孔；11：第二叉指通孔；12：温度补偿层；13：钝化层；14：衬底；15：第一PAD接触窗；16：第二PAD接触窗。

具体实施方式

为了能够更加详尽地了解本发明实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本发明实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本发明实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，一个或多个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。

本发明实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明实施例的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

本发明实施例中，术语“上”、“下”、“内”、“中”、“外”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本发明实施例及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本发明实施例中的具体含义。

另外，术语“设置”、“连接”、“固定”应做广义理解。例如，“连接”可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明实施例中的具体含义。

除非另有说明，术语“多个”表示两个或两个以上。

本发明实施例中，字符“/”表示前后对象是一种“或”的关系。例如，A/B表示：A或B。

术语“和/或”是一种描述对象的关联关系，表示可以存在三种关系。例如，A和/或B，表示：A或B，或，A和B这三种关系。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明实施例中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在一些实施例中，SAW（Surface Acoustic Wave，声表面波滤波器）是一种滤波器，其结构是通过在衬底上形成的压电材料薄膜或规则的梳状电极激发表面声波。

在一些实施例中，温度补偿型声表面波滤波器（Temperature compensated SAW，TC-SAW）通过在其IDT上覆着温度补偿层，对常规SAW滤波器进行技术改进，使得器件的频率温度系数降至0到-25ppm/℃，较常规SAW的温度特性（通常约为-45〜-60ppm/℃）有了显著提升。

在相关技术中，图1所示出了TC-SAW器件的叉指电极和叉指电极末端的凸起结构的平面示意图，本申请以切面α-α’和β-β’说明叉指电极末端的凸起结构和叉指电极在垂直方向上不完全对齐的情形：

对于切面α-α’：

结合图2所示，在理想状态下，叉指末端凸起金属块和叉指电极完全垂直对齐；

结合图3所示，叉指电极末端的凸起金属块和叉指电极在垂直方向上没有对齐，偏向一边；

结合图4所示，叉指电极末端的凸起金属块宽度太小，比叉指电极宽度窄；

结合图5所示，叉指电极末端的凸起金属块线宽太大，比叉指电极宽。

对于切面β-β’：

结合图6所示，在理想状态下，叉指末端的凸起金属块和叉指电极完全垂直对齐；

结合图7所示，叉指电极末端5的凸起金属块和叉指电极在垂直方向上没有对齐，偏向一边。

为了解决上述技术问题，结合图8所示，本公开实施例提供一种TC-SAW器件，包括：

第一叉指引出部1；

第二叉指引出部2；

多个第一叉指电极3，呈平行间隔设置，每个所述第一叉指电极3的一端与所述第一叉指引出部1相连接，另一端边缘区域形成与所述第二叉指引出部2相对设置的叉指电极末端5；

多个第二叉指电极4，与所述多个第一叉指电极3呈交叉平行设置，每个所述第二叉指电极4的一端与所述第二叉指引出部2相连接，另一端的边缘区域形成与所述第一叉指引出部1相对设置的叉指电极末端5；

凸起结构6（Hammer Head），一体成型地设置于每个所述叉指电极末端5，并且所述凸起结构6分别与所述第二叉指电极4和所述第一叉指电极3在垂直方向上呈对齐设置。

采用本公开实施例提供的TC-SAW器件，通过在第一叉指电极3的叉指电极末端5和第的叉指电极的叉指电极末端5，形成凸起结构6，即叉指电极末端5的凸起结构6和叉指电极本身为一体的材料层，并不存在彼此的界面，并且凸起结构6分别与第二叉指电极4和第一叉指电极3在垂直方向上呈对齐设置，从而避免了光刻工艺与叉指电极对位的偏差，增强了对杂波抑制的效果差异，进而提高了滤波器性能和滤波器的个体一致性。

可选地，第一叉指电极3和第二叉指电极4的材料是金属，可以是Ti、Cr、Ag、Cu、Mo、Pt、W、Al等材料或者其中的两者或两者以上的组合叠层。

在一些实施例中，结合图9所示，在所述第一叉指电极3的边缘区域与所述第一叉指引出部1之间，以及在所述第二叉指电极4的边缘区域与所述第二叉指引出部2之间，分别形成有叉指电极中心部7；

所述凸起结构6的厚度大于所述叉指电极中心部7的厚度，并且所述凸起结构6与所述叉指电极中心部7之间呈无界面设置。

这样，通过使用精确回刻蚀的方法，减少了凸起结构6蒸镀和Lift-off工艺，部分刻蚀叉指电极中心部7分，使得叉指电极的末端部分较中心部分厚，从而形成凸起结构6，即末端凸起结构6和叉指电极本身为一体的材料层，并不存在彼此的界面，且末端凸起和叉指电极呈完全垂直对齐。

在一些实施例中，结合图10所示，TC-SAW器件，还包括：

第一PAD金属层8，通过第一叉指通孔10与所述第一叉指引出部1相连接；

第二PAD金属层9，通过第二叉指通孔11与所述第二叉指引出部2相连接；

温度补偿层12，覆盖在第一叉指电极3、第二叉指电极4、第一叉指引出部1和第二叉指引出部2的表面；

其中，第一叉指通孔10，通过刻蚀所述温度补偿层12，在其底部暴露出所述第一叉指引出部1的表面；第二叉指通孔11，通过刻蚀所述温度补偿层12，在其底部暴露出所述第二叉指引出部2的表面。

在一些实施例中，结合图10所示，TC-SAW器件，还包括：

钝化层13，覆盖在所述温度补偿层12、第一PAD金属层8和第二PAD金属层9的表面；

衬底14，设置于所述第一叉指引出部1和第二叉指引出部2压的底部，包括压电材料、铌酸锂或钽酸锂；

第一PAD接触窗15，通过刻蚀所述钝化层13形成，在其底部暴露出所述第一PAD金属层8；

第二PAD接触窗16，通过刻蚀所述钝化层13形成，在其底部暴露出所述第二PAD金属层9。

结合图11至图22所示，本公开实施例提供一种用于制作上述的TC-SAW器件的方法，包括：

步骤S301，获取衬底，所述衬底包括压电材料、铌酸锂或钽酸锂。

步骤S302，使用Lift-off工艺，在所述衬底上形成第一叉指电极和第二叉指电极。

步骤S303，涂布光刻胶，使其完全覆盖所述第一叉指电极、第二叉指电极和衬底。

步骤S304，设置曝光的聚焦位置和景深以进行光刻曝光，使得垂直方向上的部分光刻胶被曝光。

步骤S305，刻蚀掉部分第一叉指电极的叉指电极中心部和部分第二叉指电极的叉指电极中心部，保留厚度均匀且符合目标厚度要求的第一叉指电极和第二叉指电极。

步骤S306，去除光刻胶，形成完整的叉指电极末端的凸起结构。

步骤S307，淀积温度补偿层，并化学机械平坦化，以使所述温度补偿层覆盖所述衬底、第一叉指电极和第二叉指电极的表面。

步骤S308，刻蚀温度补偿层，暴露出第一叉指电极引出部和第二叉指电极引出部，形成第一叉指通孔和第二叉指通孔。

步骤S309，形成第一PAD金属层和第二PAD金属层，通过第一叉指通孔连接第一指电极引出部，通过第二叉指通孔连接第二叉指电极引出部。

步骤S310，淀积钝化层，以保护所述第一PAD金属层和第二PAD金属层并作为滤波器频率调整层。

步骤S311，刻蚀钝化层，形成对外电气连接的第一PAD接触窗和第二PAD接触窗。

采用本公开实施例提供的用于制作TC-SAW器件的方法，为保证回刻蚀的精确性和工艺效率，在凸起结构（Hammer Head）光刻时使用半曝光工艺，如此刻蚀叉指电极的叉指电极中心部的金属时剩余的PR会保护衬底表面不被刻蚀，然后自对准下使用精确离子束刻蚀（IBE，Ion Beam Etching）等方法精确刻蚀掉叉指电极多余部分，从而保留厚度均匀且符合目标厚度要求的叉指电极，同时又不刻蚀损伤到衬底保证谐振器/滤波器性能。

可选地，在步骤S303的光刻曝光过程中，精确设置曝光的聚焦位置和景深，使得垂直方向上部分光刻胶被曝光（如此，后续显影工艺后，底层的光刻胶仍然保留，叉指电极表面被暴露而衬底表面仍然被光刻胶覆盖；曝光使用Mask掩膜，叉指电极边缘部分（即HammerHead部分）不被光刻胶不被曝光，从而光刻胶得以在显影后保留。

可选地，在步骤S304中，使用精确离子束等方法精确刻蚀掉叉指电极中心部的一部分，从而保留厚度均匀且符合目标厚度要求的叉指电极，形成叉指电极的末端突起，衬底因为仍然有光刻胶的保护而不会在刻蚀时被损伤。这样，如此形成的末端凸起是和叉指电极一体材料的，彼此没有界面，且凸起在水平和垂直方向上的位置都是自对准叉指电极的。

可选地，在步骤S307中，温度补偿层覆盖衬底表面和叉指电极表面；温度补偿层材料可以是SiO2单层，或SiN、AlN、非晶硅、GaN等材料薄层叠加厚层SiO2，其中SiN、AlN、非晶硅、GaN等材料薄层可作为暴露在外的叉指电极的保护层，防止淀积SiO2时叉指电极金属产生氧化。

可选地，在步骤S309中，形成第一PAD金属层和第二PAD金属层，通过第一和第二叉指通孔连接第一和第二叉指电极引出部，可使用Lift-off工艺，金属材料可以是常见的Ti、Cr、Al、Cu、Ni、Ag或Au等材料或者它们的组合叠层。

可选地，在步骤S310中，钝化层材料可以是SiN、AlN、非晶硅或GaN等绝缘材料或者它们的组合叠层。

以上描述和附图充分地示出了本发明的实施例，以使本领域的技术人员能够实践它们。其他实施例可以包括结构的、逻辑的、电气的、过程的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求，否则单独的部件和功能是可选的，并且操作的顺序可以变化。一些实施例的部分和特征可以被包括在或替换其他实施例的部分和特征。而且，本申请中使用的用词仅用于描述实施例并且不用于限制权利要求。如在实施例以及权利要求的描述中使用的，除非上下文清楚地表明，否则单数形式的“一个”（a）、“一个”（an）和“所述”（the）旨在同样包括复数形式。类似地，如在本申请中所使用的术语“和/或”是指包含一个或一个以上相关联的列出的任何以及所有可能的组合。另外，当用于本申请中时，术语“包括”（comprise）及其变型“包括”（comprises）和/或包括（comprising）等指陈述的特征、整体、步骤、操作、元素，和/或组件的存在，但不排除一个或一个以上其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或这些的分组的存在或添加。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个…”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法或者设备中还存在另外的相同要素。本文中，每个实施例重点说明的可以是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分可以互相参见。对于实施例公开的方法、产品等而言，如果其与实施例公开的方法部分相对应，那么相关之处可以参见方法部分的描述。

Claims

1.一种TC-SAW器件，其特征在于，包括：

第一叉指引出部；

第二叉指引出部；

多个第一叉指电极，呈平行间隔设置，每个所述第一叉指电极的一端与所述第一叉指引出部相连接，另一端边缘区域形成与所述第二叉指引出部相对设置的叉指电极末端；

多个第二叉指电极，与所述多个第一叉指电极呈交叉平行设置，每个所述第二叉指电极的一端与所述第二叉指引出部相连接，另一端的边缘区域形成与所述第一叉指引出部相对设置的叉指电极末端；

凸起结构，一体成型地设置于每个所述叉指电极末端，并且所述凸起结构分别与所述第二叉指电极和所述第一叉指电极在垂直方向上呈对齐设置；

其中，所述凸起结构的厚度大于所述叉指电极中心部的厚度，并且所述凸起结构与所述叉指电极中心部之间呈无界面设置；

其中，还包括：

温度补偿层，覆盖在第一叉指电极、第二叉指电极、第一叉指引出部和第二叉指引出部的表面；

第一叉指通孔，通过刻蚀所述温度补偿层，在其底部暴露出所述第一叉指引出部的表面；

第二叉指通孔，通过刻蚀所述温度补偿层，在其底部暴露出所述第二叉指引出部的表面。

2.根据权利要求1所述的TC-SAW器件，其特征在于，在所述第一叉指电极的边缘区域与所述第一叉指引出部之间，以及在所述第二叉指电极的边缘区域与所述第二叉指引出部之间，分别形成有叉指电极中心部。

3.根据权利要求1所述的TC-SAW器件，其特征在于，还包括：

第一PAD金属层，通过第一叉指通孔与所述第一叉指引出部相连接；

第二PAD金属层，通过第二叉指通孔与所述第二叉指引出部相连接。

4.根据权利要求3所述的TC-SAW器件，其特征在于，还包括：

钝化层，覆盖在所述温度补偿层、第一PAD金属层和第二PAD金属层的表面；

衬底，设置于所述第一叉指引出部和第二叉指引出部压的底部，包括压电材料、铌酸锂或钽酸锂。

5.根据权利要求4所述的TC-SAW器件，其特征在于，还包括：

第一PAD接触窗，通过刻蚀所述钝化层形成，在其底部暴露出所述第一PAD金属层；

第二PAD接触窗，通过刻蚀所述钝化层形成，在其底部暴露出所述第二PAD金属层。

6.一种用于制作如权利要求1至5任一项所述的TC-SAW器件的方法，其特征在于，所述方法包括：

获取衬底，所述衬底包括压电材料、铌酸锂或钽酸锂；

去除光刻胶，形成完整的叉指电极末端的凸起结构；

其中，凸起结构，一体成型地设置于每个所述叉指电极末端，并且所述凸起结构分别与所述第二叉指电极和所述第一叉指电极在垂直方向上呈对齐设置；

其中，还包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在去除光刻胶，形成完整的叉指电极末端的凸起结构之后，还包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一叉指电极和第二叉指电极为Ti、Cr、Ag、Cu、Mo、Pt、W或Al材料；或者，为Ti、Cr、Ag、Cu、Mo、Pt、W或Al中的两者或两者以上材料的组合叠层；

所述温度补偿层的材料为SiO2单层；或者为SiN、AlN、非晶硅或GaN材料与SiO2的组合叠层；

所述第一PAD金属层和第二PAD金属层的材料为Ti、Cr、Al、Cu、Ni、Ag或Au材料；或者，为Ti、Cr、Al、Cu、Ni、Ag或Au中的两者或两者以上材料的组合叠层；

所述钝化层的材料为SiN、AlN、非晶硅或GaN材料；或者，为SiN、AlN、非晶硅或GaN材料中的两者或两者以上材料的组合叠层。