CN107112968B - 弹性波装置的制造方法以及弹性波装置 - Google Patents

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Abstract

弹性波装置的制造方法具有如下工序：在形成第1抗蚀剂的图案的压电基板上依次层叠导电材料所构成的多个膜；从层叠多个膜的压电基板除去第1抗蚀剂；在除去第1抗蚀剂的压电基板涂布第2抗蚀剂，对第2抗蚀剂进行曝光以及显影，由此形成以第2抗蚀剂保护第1区域的保护层；在第1区域被保护层保护的状态下对第2导电材料进行蚀刻。

Description

弹性波装置的制造方法以及弹性波装置
技术领域
本发明涉及在同一压电基板至少具有谐振频率和膜厚不同的2个以上的IDT电极的弹性波装置。
背景技术
过去，作为制造在同一压电基板至少具有2个以上谐振频率和膜厚不同的IDT电极的弹性波装置的方法，在不同工序中制作各个IDT。
但若在不同工序中制作各个IDT，则由于各个IDT的线宽的偏差方式不同，因此难以在之后进行频率调整。
为此，例如如专利文献1公开的弹性波滤波器的制造方法那样，在堆叠了全部构成IDT的金属膜后，削除蚀刻中不需要的电极层，一并进行蚀刻，由此防止各个IDT的线宽的偏差方式不同。
具体地，在将构成IDT电极的金属膜全部成膜后，进行用于决定IDT的膜厚的蚀刻，之后通过光刻法形成抗蚀剂图案，然后进行用于决定IDT的线宽的蚀刻。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2010-81211号公报
发明内容
发明要解决的课题
但在专利文献1公开的弹性波滤波器的制造方法中，由于在将构成IDT电极的金属膜全部成膜后通过光刻法进行曝光以及显影，来形成IDT电极图案形成用抗蚀剂(resist)，因此之后需要用于决定IDT电极的线宽的蚀刻，但由此，决定IDT电极的线宽的工序成为抗蚀剂形成工序和蚀刻工序这2个工序，IDT电极的线宽的偏差变大。
为此，本发明的目的在于，提供弹性波装置的制造方法、弹性波装置，在用光刻法形成抗蚀剂图案后，将构成IDT电极的包含有耐蚀刻性的材料的2种以上的金属膜的全部层成膜，之后对没有耐蚀刻性的层进行蚀刻，由此在同一压电基板形成至少2个以上的膜厚的IDT电极，在这样的弹性波装置中抑制各IDT电极的线宽的偏差。
用于解决课题的手段
本发明的弹性波滤波器的制造方法具有如下工序：在压电基板的所述主面涂布第1抗蚀剂，对第1抗蚀剂进行曝光以及显影，由此形成第1抗蚀剂的图案，该图案在形成第1梳型电极的主面的第1区域与第1梳型电极的形状对应，在形成第2梳型电极的主面的第2区域与第2梳型电极的形状对应；在形成第1抗蚀剂的图案的压电基板上依次层叠导电材料所构成的多个膜；从层叠多个膜的压电基板除去第1抗蚀剂；在除去第1抗蚀剂的压电基板涂布第2抗蚀剂，对第2抗蚀剂进行曝光以及显影，由此形成以第2抗蚀剂保护的第1区域的保护层；和在第1区域被保护层保护的状态下对第2导电材料进行蚀刻。
弹性波装置例如是滤波器、双工器、三工器或多工器。
在该制造方法中，第1以及第2梳型电极的线宽无蚀刻工序地通过1次的第1抗蚀剂的图案形成工序决定。因此，本发明的弹性波滤波器的制造方法与现有技术相比，能以更少的工序决定第1以及第2梳型电极的线宽，能抑制这些梳型电极的线宽的偏差。
若在形成第1抗蚀剂的图案后通过依次层叠导电材料所构成的多个膜的工序来形成梳型电极，则各梳型电极差朝向与压电基板相反方向变细的锥形形状。若是这样的锥形形状，则在各梳型电极的侧面也易于装载用于覆盖各梳型电极的绝缘材料。因此，各梳型电极的锥形形状能提高各梳型电极的绝缘的可靠性。
另外也可以是，对第2抗蚀剂的显影使第2区域的第2抗蚀剂和第2区域的最上层的导电材料溶解。
在该制造方法中，在形成第1区域的保护层的同时对第2区域的最上层的导电材料进行蚀刻。因此，在该制造方法中简化了整体的工序。
另外也可以，使第2区域的最上层的导电材料溶解的蚀刻液包含使与该最上层相邻的下层的导电材料钝化的成分。
例如在将铜(Cu)用作最上层的导电材料、将镍(Ni)用作其下层的导电材料的情况下，作为使镍钝化的成分而使用有氧化作用的硝酸(HNO3)。于是最上层的铜溶解，若硝酸接触到含镍的下层的表面，就会在该表面形成镍氧化的钝化覆膜。该钝化覆膜成为防止因蚀刻而让含镍的金属膜溶解的蚀刻停止层。因此，该方式中，由于该钝化覆膜抑制由使最上层的导电材料溶解的蚀刻液让下层的导电材料溶解，因此能抑制第2区域的下层的厚度的变化。
发明的效果
根据本发明，能抑制在同一压电基板至少形成2个以上的IDT电极的弹性波装置中的各IDT电极的横宽的偏差。
附图说明
图1(A)是本发明的实施方式所涉及的弹性波装置的俯视图，图1(B)是用于说明各IDT的厚度的弹性波装置的截面图。
图2是表示本发明的实施方式所涉及的弹性波装置的制造方法的工序顺序的图。
图3(A)～图3(D)分别是用于说明第1抗蚀剂的图案形成工序的图。
图4(A)是用于说明第1膜的形成工序的图，图4(B)是用于说明第2膜的形成工序的图，图4(C)是用于说明第1抗蚀剂的除去工序的图。
图5(A)以及图5(B)分别是用于说明第2抗蚀剂所构成的保护层的形成工序的图，图5(C)是用于说明蚀刻工序的图，图5(D)是用于说明保护层的除去工序的图。
图6是表示变形例1所涉及的弹性波装置的制造方法的工序顺序的图。
图7是表示变形例2所涉及的弹性波装置的制造方法的工序顺序的图。
图8是用于说明变形例2所涉及的弹性波装置的制造方法的蚀刻工序的图。
图9(A)是有4个通频带的弹性波装置的截面图，图9(B)是各IDT的厚度调整前的该弹性波装置的截面图。
图10是弹性波装置的截面图。
图11是弹性波装置的截面图。
图12(A)以及图12(B)是用于表示成膜工序中的金属膜的详细的截面形状的图。
图13(A)是表示各IDT的详细的截面形状的图，图13(B)是被绝缘层覆盖的弹性波装置的截面图。
具体实施方式
使用图1(A)以及图1(B)来说明本发明的实施方式所涉及的弹性波装置300。图1(A)是弹性波装置300的俯视图，图1(B)是用于说明各IDT(Interdigital Transducer(叉指换能器)：梳型形状的电极)的厚度的弹性波装置300的截面图。但图1(B)的截面图为了比较IDT101的厚度和IDT201的厚度而将A-A截面图的一部分和B-B截面图的一部分并排，与实际的弹性波装置300的截面图不同。另外，在本实施方式中，作为弹性波装置300而示出双工器，但本发明的弹性波装置并不限于双工器，也可以是滤波器、三工器或多工器。
弹性波装置300有2个通频带，由将发送信号和接收信号分波的声表面波滤波器构成。如图1(A)所示那样，弹性波装置300具备多个IDT101、IDT105、IDT201以及IDT205。弹性波装置300通过使IDT101以及IDT105的厚度和IDT201以及IDT205的厚度不同来实现2个通频带。
更具体地，如图1(A)所示那样，弹性波装置300在主面具备形成IDT101、105、201、205的压电基板50。压电基板50例如含钽酸锂(LiTaO3)或铌酸锂(LiNbO3)的结晶，具有压电性。
如图1(A)所示那样，IDT101以及IDT105配置在压电基板50的主面的区域901，IDT201以及IDT205配置于压电基板50的主面的区域902。其中区域901以及区域902由假想的分割线DL分割压电基板50的主面的区域而得到。
IDT101由2个电极构成，一方的电极与连接盘电极102连接，另一方的电极与连接盘电极103连接。同样地，关于IDT105，一方的电极与连接盘电极106连接，另一方的电极与连接盘电极107连接。关于IDT201，一方的电极与连接盘电极202连接，另一方的电极与连接盘电极203连接。关于IDT205，一方的电极与连接盘电极206连接，另一方的电极与连接盘电极207连接。其中实际的各IDT电极相比于图1(A)所示的形状而梳的齿数更多。
连接盘电极103、107、203、207经由未图示的通路孔与接地连接。连接盘电极102与端子102P连接。端子102P与未图示的发送电路连接，被输入发送信号。连接盘电极202与端子202P连接。端子202P与未图示的接收电路连接，输出接收信号。连接盘电极106以及连接盘电极206与端子106P连接。端子106P与未图示的天线连接。
弹性波装置300中设定IDT101以及IDT105的形状、电极间隔以及厚度，以使从端子102P输出的在发送信号的第1通频带的分量从IDT101向IDT105通过。同样地设定IDT201以及IDT205的形状、电极间隔以及厚度，以使从未图示的天线输入到端子106P的接收信号的第2通频带的分量从IDT205向IDT201通过。在此，第1通频带作为一例被设定为LTE(LongTerm Evolution，长期演进)标准的band1的发送频带的1920MHz～1980MHz。第2通频带作为一例被设定为LTE标准的band1的接收频带的2110～2170MHz。
弹性波装置300通过使IDT101、105的厚度和IDT201、205的厚度相互不同而具有第1通频带和第2通频带。
更具体地，如图1(B)所示那样，IDT101比IDT201更厚。虽省略图示，但IDT105的厚度与IDT101的厚度相等，IDT205的厚度与IDT201的厚度相等。
对于IDT101，让第1层10和第2层20依次层叠在压电基板50的主面而成。对于IDT201，仅让第1层10配置在压电基板50的主面而成。
在此，本实施方式所涉及的弹性波装置300通过将各IDT的电极宽度的误差抑制到最小限度来将第1、2通频带的误差抑制到最小限度。换言之，本实施方式所涉及的弹性波装置300通过将IDT的梳齿间的长度的误差抑制到最小限度来将第1、2通频带的误差抑制到最小限度。
接下来使用图2来说明弹性波装置300的制造方法。图2是表示弹性波装置300的制造方法的工序顺序的图。
首先形成第1抗蚀剂的图案(S10)。
更具体地，如图3(A)所示那样，首先准备要成为多个压电基板50的晶片50W。然后如图3(B)所示那样，在镜面精加工过的晶片50W的主面涂布第1抗蚀剂1。然后如图3(C)所示那样，对第1抗蚀剂1进行曝光。例如作为曝光装置而使用步进式曝光机。即，经由配置于晶片50W的上方的光掩模903以及投影透镜904对第1抗蚀剂1照射UV(Ultraviolet，紫外线)光。然后如图3(D)所示那样将第1抗蚀剂1显影。于是，在晶片50W上形成图案1P，该图案1P在被照射UV光的部分残留第1抗蚀剂1R，在未被照射UV光的部分除去第1抗蚀剂1。
回到图2，第1抗蚀剂1的图案形成结束(S10)后，在形成第1抗蚀剂1R所构成的图案1P的晶片50W形成第1膜10M(S20)。第1膜10M例如含铝(Al)。第1膜10M例如通过电子束蒸镀法形成。另外，将第1膜10M的厚度调整成250nm。于是如图4(A)所示那样，在图案1P的上部和下部分别形成第1膜10M。其中，图案1P的上部是第1抗蚀剂1R的上表面，图案1P的下部是晶片50W的主面当中未被第1抗蚀剂1R覆盖的部分。
另外，由于成膜以真空蒸镀进行，因此能以1nm的量级高精度调整厚度。另外，也可以使用补正板来使晶片50W的面内的膜厚更加均匀化。
然后进一步在第1膜10M上形成第2膜20M(S30)。即，不在第1膜10M上形成抗蚀剂，而在第1膜10M上层叠第2膜20M。第2膜20M例如含铜(Cu)。作为第2膜20M的导电材料，也可以使用钽(Ta)或镍(Ni)。于是如图4(B)所示那样，进一步在形成于图案1P的上部和下部的第1膜10M上形成第2膜20M。第2膜20M的形成也例如以电子束蒸镀进行。第2膜20M的厚度调整得成为20nm。
第2膜20M的形成结束(S30)后，就将第1抗蚀剂1R除去(S40)。即，用显影液将第1抗蚀剂1R从晶片50W除去。于是如图4(C)所示那样，形成于图案1P的上部的层叠膜和第1抗蚀剂1R一起从晶片50W被除去。形成于图案1P的下部的第1层10以及第2层20所构成的层叠电极，即使进行第1抗蚀剂1R的显影也会残留在晶片50W。即，残留在晶片50W的主面的区域901的第1层10以及第2层20所构成的层叠电极成为IDT101以及IDT105。
另外，虽省略图示，但在第1抗蚀剂1R的除去后(S40)形成连接盘电极102、103、106、107、202、203、206、207和端子P102P、202P、106P，形成将各连接盘电极和各端子连接的布线。另外，对IDT101、105、201、205以外的电极部，例如以降低电阻值为目的进行金属层图案形成。
回到图2，结束第1抗蚀剂1R的除去(S40)后，进行第2抗蚀剂200所构成的保护层的形成(S51以及S52)。更具体地，首先如图5(A)所示那样，将第2抗蚀剂200涂布在晶片50W。这时，调整第2抗蚀剂200的厚度，以使IDT101、IDT105、以及形成于区域902的第1层10和第2层20所构成的层叠体被第2抗蚀剂200覆盖。
接下来对第2抗蚀剂200进行曝光以及显影。例如作为曝光装置而使用对准曝光装置。在例如第2抗蚀剂200是正型抗蚀剂的情况下，使用在区域901遮光、在区域902透光的图案的光掩模来进行对第2抗蚀剂200的曝光。若在曝光后进行显影，则区域901的第2抗蚀剂200残留在晶片50W，区域902的第2抗蚀剂200从晶片50W被除去。于是如图5(B)所示那样，区域901的第2抗蚀剂200保持覆盖IDT101、105的状态残留在晶片50W，并从区域902被除去。由此形成保护IDT101、IDT105的第2抗蚀剂200的保护层。由于区域902的第2抗蚀剂200被除去，因此区域902的第1层10以及第2层20所构成的层叠体露出。
接下来对晶片50W上的导电材料进行蚀刻(S60)。作为蚀刻液而使用使第2层20的导电材料溶解的蚀刻液。在此，作为使铜(Cu)溶解的蚀刻液而使用二氯化铁(FeCl2)。于是，如图5(C)所示那样，除去区域902的第2层20。残留在区域902的第1层10所构成的电极成为IDT201以及IDT205。
最后除去区域901的第2抗蚀剂200所构成的保护层(S70)。
另外，虽省略图示，之后为了防止因暴露在外部环境而让特性发生变化，用氧化硅(SiO2)所构成的保护膜覆盖形成IDT101、105、201、205的晶片50W的主面。然后在进行通频带测定后，以干式蚀刻削减电极保护膜，进行通频带的调整。另外，氧化硅所构成的保护膜期望形成得厚于所期望的厚度。若将保护膜形成得厚于所期望的厚度，则即使在IDT101、105、201、205的成膜中产生批次间偏差，也能通过调整保护膜的削减量而容易地进行通频带的调整。
进而，也可以考虑与保护膜的削减量对应的通频带的移位量与IDT电极重量成反比这点，预先设定保护膜的厚度、保护膜的削减量以及IDT的厚度的差，以使得能与晶片50W的主面的不同区域无关，对晶片50W的主面整体一次性进行保护膜的膜厚调整。
在此，IDT101、105、201、205的电极宽度通过图3(C)以及图3(D)所示的对第1抗蚀剂1的1次的曝光以及显影来决定。即，图2所示的弹性波装置300的制造方法为了决定IDT101、105、201、205的电极宽度，不进行蚀刻地设定IDT101、105、201、205的电极宽度。本实施方式所涉及的弹性波装置300的制造方法与现有技术相比，由于能以更少的工序决定IDT101、105、201、205的电极宽度，因此能将电极宽度的误差抑制到最小限度。因此，弹性波装置300能将电极宽度的误差所引起的第1、第2通频带的误差抑制到最小限度。
另外，在该制造方法中，由于在区域901以及区域902形成第1层10以及第2层20所构成的层叠体，之后以蚀刻减薄区域902的层叠体，因此不会在晶片50W的主面当中暴露给蚀刻液的部分形成IDT。因此，该制造方法能防止因暴漏给蚀刻液而让IDT101、105、201、205之下的压电基板50的特性发生变化。
接下来使用图6来说明变形例1所涉及的弹性波装置300的制造方法。变形例1所涉及的弹性波装置300的制造方法，在用于形成第2抗蚀剂200的保护层的第2抗蚀剂200的显影时，同时使区域902的最上层即第2层20溶解，在这点上与图2所示的弹性波装置300的制造方法不同。具体地，图6所示的弹性波装置300的制造方法，相对于图2所示的制造方法，取代步骤S52而实施步骤S52A的工序，不实施步骤S60的工序。
在步骤S52A，使用使第2抗蚀剂200和第2层20溶解的显影液来进行显影。例如在第2层20由镍(Ni)构成的情况下，作为显影液而使用四甲基氢氧化铵(TMAH)。
变形例1所涉及的弹性波装置300的制造方法，由于同时进行第2抗蚀剂200所构成的保护层的形成和对区域902的第2层20的蚀刻，因此能简化工序整体。
接下来使用图7以及图8来说明变形例2所涉及的弹性波装置300的制造方法。图7是表示变形例2所涉及的弹性波装置300的制造方法的工序顺序的图。图8是用于说明区域902的IDT201的厚度的弹性波装置300的截面图。
变形例2所涉及的弹性波装置300的制造方法，在对区域902的最上层即第2层20进行蚀刻时，使用使与最上层相邻的下层即第1层10的表面钝化的蚀刻液，由此防止第1层10因蚀刻而厚度发生变化。
具体地，如图7所示那样，变形例2所涉及的弹性波装置300的制造方法在取代步骤60而实施步骤S60B的工序这点上与图2所示的弹性波装置300的制造方法相异。省去其他重复的工序的说明。
在步骤S60B，使用使第2层20溶解、使第1层10的导电材料钝化的蚀刻液来对形成于压电基板50的导电材料进行蚀刻。例如在第1层10由钛(Ti)构成、第2层20由铜(Cu)构成的情况下，使用含硝酸(HNO3)的蚀刻液。由此，硝酸使铜溶解，使由钛构成的第1层10的表面氧化。于是如图8所示那样，在第1层10的表面形成氧化层10S。氧化层10S具有耐蚀刻性，防止使第2层20溶解的蚀刻液溶解第1层10。即，氧化层10S成为相对于第1层10的蚀刻停止层。因此，由于难以通过使第2层20溶解的蚀刻液溶解第1层10，因此第1层10的厚度难以变化。由此，变形例2所涉及的弹性波装置300的制造方法能以更高的精度使区域902的IDT201、205的电极的厚度成为所期望的厚度。
另外，作为易于变得钝化的材料，并不限于镍，还能使用钨(W)、铝(Al)、钛(Ti)以及铬(Cr)。
另外，通过用含具有氧化作用的成分的蚀刻液使第1层10的表面改性成氧化层10S，从而形成蚀刻停止层，这并不限于上述的示例。若将贵金属用作第1层10的导电材料，则不靠含具有氧化作用的成分的蚀刻液，在区域902的第2层20的蚀刻时第1层10的膜厚也难以发生变化。即，若用贵金属形成为了形成IDT101与IDT201的电极的厚度差而以蚀刻除去的第2层20之下的第1层10，则即使为了形成电极的厚度差来进行蚀刻，第1层10的厚度压难以发生变化。
在弹性波装置300的制造方法中，作为成为蚀刻停止层的贵金属，使用针对铝(Al)、钛(Ti)、铜(Cu)、钨(W)以及钽(Ta)等导电材料中所用的蚀刻液的选择比高的贵金属。例如作为贵金属而使用铂(Pt)、钯(Pd)以及金(Au)。
接下来能重复上述的各工序来制造以下那样的弹性波装置400。图9(A)是用于说明IDT301、302、303、304的各厚度的弹性波装置400的截面图。图9(B)是电极的厚度调整前的弹性波装置400的截面图。
弹性波装置400是所谓的声表面波滤波器。如图9(A)所示那样，IDT301、302、303、304分别相互厚度不同。按照IDT301、IDT302、IDT303以及IDT304的顺序厚度从厚到薄。
更具体地，IDT301由第1层311、第2层312、第3层313、第4层314、以及第5层315依次层叠在晶片50W的主面上而成。IDT302是从IDT301的层叠构成除去第5层315的层叠构成。IDT303是从IDT302的层叠构成除去第4层314的层叠构成。IDT304是从IDT303的层叠构成除去第3层313的层叠构成。
这样的弹性波装置400的制造方法，首先在晶片50W的主面用第1抗蚀剂1形成各IDT301、302、303、304的图案的下部(图2的步骤S10所示的工序)。然后，将铝(250nm)所构成的第1膜、铂(10nm)所构成的第2膜、铜(20nm)所构成的第3膜、镍(20nm)所构成的第4膜以及铜(5nm)所构成的第5膜依次形成在晶片50W(步骤S20以及S30的工序的重复)。另外，在形成相同的导电材料所构成的多个膜的情况下，为了减小侧面蚀刻的影响，而期望薄的膜形成得更靠表面侧。
之后，除去第1抗蚀剂(S40)后，则如图9(B)所示那样，在晶片50W的主面上形成层叠第1层311～第5层315的电极图案。IDT301在该时间点形成。
然后重复对要保护以避免蚀刻的区域用第2抗蚀剂形成保护层的工序(步骤S51、S52以及S70)和蚀刻(S60)，在电极图案的每个区域从表层起依次不断除去形成电极的层。具体地，为了制造图9(A)所示的弹性波装置400而从图9(B)所示的状态起进行以下的工序。
在要形成IDT301、303的区域形成保护层。然后用含硝酸的蚀刻液对形成于晶片50W的导电材料进行蚀刻。于是除去要形成IDT302、304的区域的第5层315(铜)。进而，在该蚀刻时，将要形成IDT302、304的区域的第5层315的下层的第4层314(镍)的表面用硝酸钝化。
接下来，来暂且除去保护层后，在要形成IDT301、302的区域形成保护层。这时，作为第2抗蚀剂的显影液而使用四甲基氢氧化铵。于是，与第2抗蚀剂所构成的保护层的形成同时除去要形成IDT304的区域的第4层314(镍)。
接下来，不除去要形成IDT301、302的区域的保护层，而将晶片50W暴露给含硝酸的蚀刻液。于是，要形成IDT303的区域的第5层315(铜)和要形成IDT304的区域的第3层313(铜)溶解。另外，要形成IDT304的区域的第3层313的下层即第2层312(铂)由于是贵金属而几乎不溶解。
最后，为了除去IDT301、302的区域的保护层而将晶片50W暴露给四甲基氢氧化铵。这时，IDT303的区域的第4层(镍)和保护层一起从晶片50W被除去。
另外，上述的制造方法也能运用在图10所示的弹性波装置500中。弹性波装置500是所谓的声边界波滤波器。具体地，在用上述的制造方法将厚度相互不同的IDT101、105和IDT201、205形成在晶片50W的主面后，进一步在晶片50W的主面形成电介质层501，覆盖IDT101、105、201、205。作为电介质层501的材料而例如使用氧化硅(SiO2)。
另外，例如上述的制造方法还能运用在图11所示的弹性波装置600中。弹性波装置600是所谓的弹性板波滤波器。具体地，在支承基板50S的主面的给定区域形成支承部601，用压电材料形成压电膜50L来覆盖形成支承部601的支承基板50S的主面。于是如图11所示那样，形成被支承基板50S、支承部601以及压电膜50L包围的空洞部602以及空洞部603。然后在压电膜50L的与支承基板50S相反侧的面用上述的制造方法形成IDT101、105、201、205。具体地，俯视观察弹性波装置600，在与空洞部602重合的区域形成IDT101以及IDT105。俯视观察弹性波装置600，在与空洞部603重合的区域形成IDT201以及IDT205。
然而如上述那样，若在形成第1抗蚀剂1R后层叠全部电极层，则各IDT的截面形状成为朝向与压电基板50相反侧变细的锥形形状。关于此，使用图12(A)以及图12(B)进行说明。图12(A)是表示第1膜10M的成膜工序中的金属膜的详细的截面形状的图。图12(B)是表示第2膜20M的成膜工序中的金属膜的详细的截面形状的图。
如图12(A)所示那样，若对被第1抗蚀剂1R覆盖的压电基板50的主面用电子束蒸镀法形成第1膜10M，则形成于第1抗蚀剂1R的上部的第1膜10MU成为朝向压电基板50的相反侧变粗的倒锥形形状。随着形成该倒锥形形状的第1膜10MU，在压电基板50的主面当中未被第1抗蚀剂1R覆盖的部分中，第1膜10MU的倒锥形形状成为伞，从而形成朝向压电基板50的相反侧变细的正锥形形状的第1膜10MB。
如图12(B)所示那样，形成第2膜20M后，则形成于第1膜10MU的上部的第2膜20MU成为朝向压电基板50的相反侧变粗的倒锥形形状。随着形成该倒锥形形状的第2膜20MU，在第1膜10MB的上部，第2膜20MU的倒锥形形状成为伞，由此形成朝向压电基板50的相反侧变细的正锥形形状的第2膜20MB。
然后，经过后半工序后，如图13(A)所示那样形成朝向与压电基板50相反侧变细的正锥形形状的IDT101、105、201、205。
在此，一般来说，为了保护各IDT免受外部环境影响，有时用绝缘层覆盖压电基板的主面。图13(B)是被绝缘层30覆盖的弹性波装置300的截面图。为了形成图13(B)所示的绝缘层30，例如对压电基板50的主面涂布绝缘材料。这时，由于IDT101、105、201、205是正锥形形状，因此易于在各IDT的侧面装载绝缘材料。由此，更可靠地用绝缘层30覆盖各IDT。即，IDT101、105、201、205的正锥形形状能提升绝缘层30带来的绝缘的可靠性。
一般，若因不充分的绝缘而让IDT氧化，就会由于IDT的重量的变化而让IDT的谐振频率向低频侧移位。特别是，对于由不同的导电材料构成的厚度不同的IDT，重量的变化在每个IDT中不同。其结果，由不同的导电材料构成的厚度不同的IDT在谐振频率的移位量上有偏差。
本实施方式所涉及的弹性波装置300，由于绝缘层30带来的绝缘的可靠性高，因此能抑制各IDT的氧化所引起的各IDT的重量的变化、和由此引起的各IDT的谐振频率的移位量的偏差。
接下来说明各IDT的导电材料的组合。表1表示2个种类的厚度的IDT的导电材料的组合。
[表1]
第1梳型电极 第2梳型电极
Cu/Al/基板 Al/基板
Ti/Al/基板 Al/基板
Ni/Al/基板 Al/基板
Cu/Pt/基板 Pt/基板
Ti/Pt/基板 Pt/基板
Ni/Pt/基板 Pt/基板
Al/Pt/基板 Pt/基板
表2表示3个种类的厚度的IDT的导电材料的组合。
[表2]
第1梳型电极 第2梳型电极 第3梳型电极
Cu/Ti/Al/基板 Ti/Al/基板 Al/基板
Cu/Ni/Al/基板 Ni/Al/基板 Al/基板
Ti/Cu/Al/基板 Cu/Al/基板 Al/基板
Ti/Ni/Al/基板 Ni/Al/基板 Al/基板
Cu/Ti/Al/基板 Ti/Al/基板 Al/基板
Cu/Ni/Al/基板 Ni/Al/基板 Al/基板
Ni/Cu/Al/基板 Cu/Al/基板 Al/基板
Ni/Ti/Al/基板 Ti/Al/基板 Al/基板
Cu/Ti/Pt/基板 Ti/Pt/基板 Pt/基板
Cu/Ni/Pt/基板 Ni/Pt/基板 Pt/基板
Cu/Al/Pt/基板 Al/Pt/基板 Pt/基板
Ti/Cu/Pt/基板 Cu/Pt/基板 Pt/基板
Ti/Ni/Pt/基板 Ni/Pt/基板 Pt/基板
Ti/Al/Pt/基板 Al/Pt/基板 Pt/基板
Cu/Ti/Pt/基板 Ti/Pt/基板 Pt/基板
Cu/Ni/Pt/基板 Ni/Pt/基板 Pt/基板
Cu/Al/Pt/基板 Al/Pt/基板 Pt/基板
Ni/Ti/Pt/基板 Ti/Pt/基板 Pt/基板
Ni/Cu/Pt/基板 Cu/Pt/基板 Pt/基板
表3表示4个种类的厚度的IDT的导电材料的组合。
[表3]
第1梳型电极 第2梳型电极 第3梳型电极 第4梳型电极
Ni/Ti/Cu/Al/基板 Ti/Cu/Al/基板 Cu/Al/基板 Al/基板
Ni/Cu/Ti/Al/基板 Cu/Ti/Al/基板 Ti/Al/基板 Al/基板
Cu/Ti/Ni/Al/基板 Ti/Ni/Al/基板 Ni/Al/基板 Al/基板
Cu/Ni/Ti/Al/基板 Ni/Ti/Al/基板 Ti/Al/基板 Al/基板
Ti/Ni/Cu/Al/基板 Ni/Cu/Al/基板 Cu/Al/基板 Al/基板
Ti/Cu/Ni/Al/基板 Cu/Ni/Al/基板 Ni/Al/基板 Al/基板
Al/Ti/Cu/Pt/基板 Ti/Cu/Pt/基板 Cu/Pt/基板 Pt/基板
Al/Cu/Ti/Pt/基板 Cu/Ti/Pt/基板 Ti/Pt/基板 Pt/基板
Ni/Ti/Cu/Pt/基板 Ti/Cu/Pt/基板 Cu/Pt/基板 Pt/基板
Ni/Cu/Ti/Pt/基板 Cu/Ti/Pt/基板 Ti/Pt/基板 Pt/基板
Cu/Ti/Al/Pt/基板 Ti/Al/Pt/基板 Al/Pt/基板 Pt/基板
Cu/Ti/Ni/Pt/基板 Ti/Ni/Pt/基板 Ni/Pt/基板 Pt/基板
Cu/Al/Ti/Pt/基板 Al/Ti/Pt/基板 Ti/Pt/基板 Pt/基板
Cu/Ni/Ti/Pt/基板 Ni/Ti/Pt/基板 Ti/Pt/基板 Pt/基板
Ti/Al/Cu/Pt/基板 Al/Cu/Pt/基板 Cu/Pt/基板 Pt/基板
Ti/Cu/Ni/Pt/基板 Cu/Ni/Pt/基板 Ni/Pt/基板 Pt/基板
Ti/Cu/Al/Pt/基板 Cu/Al/Pt/基板 Al/Pt/基板 Pt/基板
Ti/Ni/Cu/Pt/基板 Ni/Cu/Pt/基板 Cu/Pt/基板 Pt/基板
标号的说明
300、400、500、600 弹性波装置
101、105、201、205、301、302、303、304 IDT
102、103、106、107、202、203、206、207 连接盘电极
102P、106P、202P 端子
10 第1层
10M 第1膜
20 第2层
20M 第2膜
50 压电基板
50W 晶片
1、1R 第1抗蚀剂
200 第2抗蚀剂
311 第1层
312 第2层
313 第3层
314 第4层
315 第5层
501 电介质层
50S 支承基板
601 支承部
602、603 空洞部
50L 压电膜

Claims (9)

1.一种弹性波装置的制造方法，所述弹性波装置在压电基板的主面至少形成谐振频率不同的第1梳型电极以及第2梳型电极，其中，所述弹性波装置的制造方法具有如下工序：
在所述压电基板的所述主面涂布第1抗蚀剂，对所述第1抗蚀剂进行曝光以及显影，由此形成所述第1抗蚀剂的图案的工序，该图案在形成所述第1梳型电极的所述主面的第1区域内与所述第1梳型电极的形状对应，在形成所述第2梳型电极的所述主面的第2区域内与所述第2梳型电极的形状对应；
在形成有所述第1抗蚀剂的图案的所述压电基板上依次层叠导电材料所构成的多个膜的工序；
从层叠有所述多个膜的所述压电基板除去所述第1抗蚀剂的工序；
在除去了所述第1抗蚀剂的所述压电基板涂布第2抗蚀剂，对所述第2抗蚀剂进行曝光以及显影，由此形成以所述第2抗蚀剂保护所述第1区域的保护层的工序；和
在所述第1区域被所述保护层保护的状态下对第2导电材料进行蚀刻的工序。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置的制造方法，其中，
对所述第2抗蚀剂的显影使所述第2区域的所述第2抗蚀剂和所述第2区域的最上层的导电材料溶解。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置的制造方法，其中，
使所述第2区域的最上层的导电材料溶解的蚀刻液，包含使与该最上层相邻的下层的导电材料钝化的成分。
4.根据权利要求1或2所述的弹性波装置的制造方法，其中，
所述弹性波装置是滤波器或多工器。
5.根据权利要求4所述的弹性波装置的制造方法，其中，
所述多工器是双工器或三工器。
6.一种弹性波装置，是具备压电基板、配置于所述压电基板的主面的第1梳型电极、和配置于所述压电基板的主面且比所述第1梳型电极的厚度薄的第2梳型电极的弹性波滤波器，其中，
所述第1梳型电极的层叠数多于所述第2梳型电极的层叠数，
所述第1梳型电极的最上层的层由与所述第2梳型电极的最上层的层的导电材料不同的导电材料构成，
所述第2梳型电极的最上层面具有耐蚀刻性，
所述第1梳型电极以及所述第2梳型电极是朝向与所述压电基板相反的方向变细的锥形形状。
7.根据权利要求6所述的弹性波装置，其中，
在所述压电基板以及所述第1梳型电极以及所述第2梳型电极的所述最上层面之上形成有绝缘层。
8.根据权利要求6或7所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置是滤波器或多工器。
9.根据权利要求8所述的弹性波装置，其中，
所述多工器是双工器或三工器。
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