CN115913159B - 用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器 - Google Patents
用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器 Download PDFInfo
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Abstract
本申请涉及谐振器技术领域,公开一种用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器,其中方法包括:在预设的衬底上淀积第一温度补偿层;形成位于第一温度补偿层内的叉指电极结构;叉指电极结构包括若干个第一电极指和若干个第二电极指;在叉指电极结构的电极指末端区域设置光刻胶;刻蚀未被光刻胶覆盖的叉指电极结构和第一温度补偿层;使叉指电极结构的电极指末端区域形成金属凸起。这样,通过刻蚀叉指电极结构的方式,金属凸起与叉指电极结构是一体的材料。使得金属凸起与叉指电极结构的第一电极指的末端边缘和第二电极指的末端边缘直接就能垂直对齐,从而能够提高声表面波滤波器对杂波的抑制效果。
Description
技术领域
本申请涉及谐振器技术领域,例如涉及一种用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器。
背景技术
在TC-SAW(Temperature compensated SAW,温度补偿型声表面波滤波器)器件结构中,通常会设置有叉指电极结构。其中,叉指电极结构包括第一汇流条、第二汇流条、若干个第一电极指和若干个第二电极指;各第一电极指分别与第一汇流条垂直连接,各第二电极指分别与第二汇流条垂直连接;各第一电极指和各第二电极指在垂直于第一汇流条的方向上交错排布。目前,通常会在叉指电极结构的电极指末端区域叠加一小块金属凸起,以抑制杂波保证优良的滤波器性能。且当金属凸起和电极指末端边缘完全垂直对齐时,其抑制杂波的效果最佳。其中,金属凸起也被称为Hammer Head。相关技术中,通常通过Lift-off剥离工艺将金属凸起附加在叉指电极结构的电极指末端区域。这样,由于金属凸起与叉指电极结构为通过Lift-off工艺叠加在一起的独立的两部分,而Lift-off工艺中使用的光刻工艺的开窗线宽存在一定的差异性,导致金属凸起并不能完全和叉指电极结构的电极指末端的边缘完全垂直对齐,使得这种工艺制作的声表面波滤波器对杂波抑制的效果较差。
发明内容
为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解,下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述,也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围,而是作为后面的详细说明的序言。
本发明实施例提供一种用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器,以提高声表面波滤波器对杂波的抑制效果。
在一些实施例中,所述用于制作声表面波滤波器的方法,包括:在预设的衬底上淀积第一温度补偿层;形成位于所述第一温度补偿层内的叉指电极结构;所述叉指电极结构包括若干个第一电极指和若干个第二电极指;在所述叉指电极结构的电极指末端区域设置光刻胶;所述电极指末端区域包括:第二电极指中与第一电极指的末端平齐的区域,第一电极指中与第二电极指的末端平齐的区域,第一电极指的末端的区域,第二电极指的末端的区域;刻蚀未被光刻胶覆盖的叉指电极结构和第一温度补偿层;使叉指电极结构的电极指末端区域形成金属凸起。
在一些实施例中,形成位于所述第一温度补偿层内的叉指电极结构,包括:刻蚀所述第一温度补偿层形成通孔,所述通孔暴露出所述衬底;在所述通孔内填充金属形成叉指电极结构。
在一些实施例中,在所述通孔内填充金属形成叉指电极结构,包括:
在暴露出的衬底和刻蚀后的第一温度补偿层上淀积籽晶层;所述籽晶层位于所述通孔内的部分被限定成凹槽;在所述凹槽内填充电极金属;刻蚀所述电极金属、所述第一温度补偿层和所述籽晶层,使第一温度补偿层、电极金属和籽晶层均处于预设的目标高度且表面齐平;刻蚀电极金属、第一温度补偿层和籽晶层后,凹槽内的电极金属构成叉指电极结构。
在一些实施例中,刻蚀所述电极金属、所述第一温度补偿层和所述籽晶层,包括:利用化学机械抛光工艺对所述电极金属、所述第一温度补偿层和所述籽晶层进行平坦化处理;利用离子束刻蚀工艺刻蚀平坦化处理后的电极金属、第一温度补偿层和籽晶层,使得电极金属、第一温度补偿层和籽晶层处于预设的目标高度。
在一些实施例中,叉指电极结构包括第一汇流条和第二汇流条;刻蚀未被光刻胶覆盖的叉指电极结构和第一温度补偿层后,还包括:剥离所述光刻胶;在第一温度补偿层和刻蚀后的叉指电极结构上淀积第二温度补偿层;刻蚀所述第二温度补偿层,暴露出第一汇流条和第二汇流条;在所述第一汇流条上形成第一金属层,并在所述第二汇流条上形成第二金属层。
在一些实施例中,在所述第一汇流条上形成第一金属层,并在所述第二汇流条上形成第二金属层后,还包括:在所述第一金属层、所述第二金属层和所述第二温度补偿层上淀积钝化层;刻蚀所述钝化层,暴露出所述第一金属层和所述第二金属层。
在一些实施例中,所述衬底由铌酸锂或者钽酸锂制成。
在一些实施例中,所述第一温度补偿层由二氧化硅制成。
在一些实施例中,所述声表面波滤波器由执行上述的用于制作声表面波滤波器的方法制得。
在一些实施例中,声表面波滤波器,包括:衬底;第一温度补偿层,设置在所述衬底上,与所述衬底接触;叉指电极结构,设置在所述第一温度补偿层内,与所述第一温度补偿层和所述衬底接触;所述叉指电极结构的电极指末端区域形成金属凸起;所述金属凸起在垂直方向上与第一电极指或第二电极指对齐。
本发明实施例提供一种用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器。可以实现以下技术效果:通过在预设的衬底上淀积第一温度补偿层。形成位于第一温度补偿层内的叉指电极结构。叉指电极结构包括若干个第一电极指和若干个第二电极指。在叉指电极结构的电极指末端区域设置光刻胶。电极指末端区域包括:第二电极指中与第一电极指的末端平齐的区域,第一电极指中与第二电极指的末端平齐的区域,第一电极指的末端的区域,第二电极指的末端的区域。刻蚀未被光刻胶覆盖的叉指电极结构和第一温度补偿层。使叉指电极结构的电极指末端区域形成金属凸起。这样,通过刻蚀叉指电极结构的方式,金属凸起与叉指电极结构是一体的材料。使得金属凸起与叉指电极结构的第一电极指的末端边缘和第二电极指的末端边缘直接就能垂直对齐,从而能够提高声表面波滤波器对杂波的抑制效果。同时,先淀积第一温度补偿层,再在第一温度补偿层内形成叉指电极结构。能够使第一温度补偿层对叉指电极结构的包裹性更好,使声表面波滤波器的TCF(temperaturecoefficient of frequency,谐振频率温度系数)性能更好。
以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的,不用于限制本申请。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明,这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定,附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件,附图不构成比例限制,并且其中:
图1是本发明实施例提供的一种叉指电极结构和金属凸起的平面示意图;
图2是本发明实施例提供的第一种声表面波滤波器沿着图1所示的α-α’截面线的剖视图;
图3是本发明实施例提供的第二种声表面波滤波器沿着图1所示的α-α’截面线的剖视图;
图4是本发明实施例提供的第三种声表面波滤波器沿着图1所示的α-α’截面线的剖视图;
图5是本发明实施例提供的第四种声表面波滤波器沿着图1所示的α-α’截面线的剖视图;
图6是本发明实施例提供的第一种声表面波滤波器沿着图1所示的β-β’截面线的剖视图;
图7是本发明实施例提供的第二种声表面波滤波器沿着图1所示的β-β’截面线的剖视图;
图8是本发明实施例提供的一个理想状态的第一电极指、第二电极指和第一温度补偿层的结构示意图;
图9是本发明实施例提供的一个现有的第一电极指、第二电极指和第一温度补偿层的结构示意图;
图10是本发明实施例提供的一个用于制作声表面波滤波器的方法的示意图;
图11是本发明实施例提供的一个增加了第一金属层、第二金属层和金属凸起的叉指电极结构的平面示意图;
图12是本发明实施例提供的一个衬底的结构示意图;
图13是本发明实施例提供的一个在衬底上淀积第一温度补偿层后的结构示意图;
图14是本发明实施例提供的一个刻蚀第一温度补偿层形成通孔后的结构示意图;
图15是本发明实施例提供的一个在暴露出的衬底和刻蚀后的第一温度补偿层上淀积籽晶层后的结构示意图;
图16是本发明实施例提供的一个在凹槽内填充电极金属后的结构示意图;
图17是本发明实施例提供的一个使电极金属、第一温度补偿层和籽晶层处于目标高度后的结构示意图;
图18是本发明实施例提供的一个在叉指电极结构的第一电极指末端区域和第二电极指末端区域淀积光刻胶后的结构示意图;
图19是本发明实施例提供的一个刻蚀未被光刻胶覆盖的叉指电极结构和第一温度补偿层,并剥离光刻胶后的结构示意图;
图20是本发明实施例提供的一个在第一温度补偿层和刻蚀后的叉指电极结构上淀积第二温度补偿层后的结构示意图;
图21是本发明实施例提供的一个刻蚀第二温度补偿层后的结构示意图;
图22是本发明实施例提供的一个在第一汇流条上形成第一金属层,并在第二汇流条上形成第二金属层后的结构示意图;
图23是本发明实施例提供的一个在第一金属层、第二金属层和第二温度补偿层上淀积钝化层后的结构示意图;
图24是本发明实施例提供的一个刻蚀钝化层后的结构示意图;
图25是本发明实施例提供的一个声表面波滤波器沿着图11所示的Ⅱ-Ⅱ’截面线的剖视图;
图26是本发明实施例提供的一个通过蒸镀的方式在凹槽内填充电极金属后的结构示意图。
附图标记:
1:第一电极指;2:第二电极指;3:第一汇流条;4:第二汇流条;5:第一金属块;6:第二金属块;7:衬底;8:第一温度补偿层;9:籽晶层;10:电极金属;11:光刻胶;12:第二温度补偿层;13:第一金属层;14:第二金属层;15:钝化层。
具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本发明实施例的特点与技术内容,下面结合附图对本发明实施例的实现进行详细阐述,所附附图仅供参考说明之用,并非用来限定本发明实施例。在以下的技术描述中,为方便解释起见,通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而,在没有这些细节的情况下,一个或多个实施例仍然可以实施。在其它情况下,为简化附图,熟知的结构和装置可以简化展示。
本发明实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本发明实施例的实施例。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。
本发明实施例中,术语“上”、“下”、“内”、“中”、“外”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本发明实施例及其实施例,并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位,或以特定方位进行构造和操作。并且,上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外,还可能用于表示其他含义,例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言,可以根据具体情况理解这些术语在本发明实施例中的具体含义。
另外,术语“设置”、“连接”、“固定”应做广义理解。例如,“连接”可以是固定连接,可拆卸连接,或整体式构造;可以是机械连接,或电连接;可以是直接相连,或者是通过中间媒介间接相连,又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明实施例中的具体含义。
除非另有说明,术语“多个”表示两个或两个以上。
本发明实施例中,字符“/”表示前后对象是一种“或”的关系。例如,A/B表示:A或B。
术语“和/或”是一种描述对象的关联关系,表示可以存在三种关系。例如,A和/或B,表示:A或B,或,A和B这三种关系。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本发明实施例中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在一些实施例中,图1为叉指电极结构和金属凸起的平面示意图。如图1所示,叉指电极结构包括:第一电极指1、第二电极指2、第一汇流条3、第二汇流条4。其中,各第一电极指1分别与第一汇流条3垂直连接,各第二电极指2分别与第二汇流条4垂直连接。各第一电极指1和各第二电极指2在垂直于第一汇流条3的方向上交错排布。在叉指电极结构的电极指末端区域设置有金属凸起,电极指末端区域包括第一电极指末端区域和第二电极指末端区域。将第二电极指2中与第一电极指1的末端平齐的区域以及第一电极指1的末端的区域称为第一电极指末端区域。将第一电极指末端区域设置的金属凸起称为第一金属块5。将第一电极指1中与第二电极指2的末端平齐的区域以及第二电极指2的末端的区域称为第二电极指末端区域。将第二电极指末端区域设置的金属凸起称为第二金属块6。
在一些实施例中,关于金属凸起的设置,在金属凸起与第一电极指的末端边缘或第二电极指的末端边缘垂直对齐时,声表面波滤波器抑制杂波的效果最佳。图2为第一种声表面波滤波器沿着图1所示的α-α’截面线的剖视图。结合图2所示,在理想状态下,第一电极指和第二电极指设置在衬底7上,在第一电极指和第二电极指上设置有金属凸起。金属凸起与第一电极指的末端边缘或第二电极指的末端边缘垂直对齐。但是实际制作过程中,由于制作工艺的原因,容易使得金属凸起与第一电极指1的末端边缘或第二电极指2的末端边缘无法垂直对齐,形成图3至图6所示的情况。其中,图3为第二种声表面波滤波器沿着图1所示的α-α’截面线的剖视图。结合图3所示,第一电极指和第二电极指设置在衬底7上,在第一电极指和第二电极指上设置有金属凸起。金属凸起偏向第一电极指的一侧或金属凸起偏向第二电极指的一侧。图4为第三种声表面波滤波器沿着图1所示的α-α’截面线的剖视图。结合图4所示,第一电极指和第二电极指设置在衬底7上,在第一电极指和第二电极指上设置有金属凸起。金属凸起未刚好完全覆盖第一电极指的末端边缘或第二电极指的末端边缘。图5为第四种声表面波滤波器沿着图1所示的α-α’截面线的剖视图。结合图5所示,第一电极指和第二电极指设置在衬底7上,在第一电极指和第二电极指上设置有金属凸起。金属凸起太大,超出了第一电极指的末端边缘或第二电极指的末端边缘的范围。图6为第一种声表面波滤波器沿着图1所示的β-β’截面线的剖视图。结合图6所示,理想状态下,第二电极指2和第一汇流条3设置在衬底7上,在第二电极指2上设置有第一金属块5和第二金属块6。第一金属块5与第二电极指2的末端边缘完全垂直对齐。图7为第二种声表面波滤波器沿着图1所示的β-β’截面线的剖视图,结合图7所示,第二电极指2和第一汇流条3设置在衬底7上,在第二电极指2上设置有第一金属块5和第二金属块6,第一金属块5未与第二电极指2的末端边缘垂直对齐。
在一些实施例中,关于叉指电极结构的第一电极指、第二电极指和第一温度补偿层的设置。由于第一温度补偿层用以补偿温度带来的频率偏移,温度补偿层对第一电极指或第二电极指的包覆越好,声表面波滤波器的TCF(temperaturecoefficient offrequency,谐振频率温度系数)性能越优秀。因此,在第一温度补偿层紧密包裹第一电极指或第二电极指的情况下,声表面波滤波器的TCF性能最好。图8为理想状态的第一电极指、第二电极指和第一温度补偿层的结构示意图。结合图8所示,第一电极指和第二电极指均被第一温度补偿层8紧密包裹。但在现有技术中,由于制作工艺的原因,容易造成图9所示的情况,图9为现有的第一电极指、第二电极指和第一温度补偿层的结构示意图。结合图9所示,第一电极指或第二电极指均未被第一温度补偿层8紧密包裹,第一电极指与第一温度补偿层8之间存在缝隙,第二电极指与第一温度补偿层8之间也存在缝隙。
结合图10所示,本发明实施例提供一个用于制作声表面波滤波器的方法,包括:
步骤S101,在预设的衬底上淀积第一温度补偿层。
步骤S102,形成位于第一温度补偿层内的叉指电极结构;叉指电极结构包括若干个第一电极指和若干个第二电极指。
步骤S103,在叉指电极结构的电极指末端区域设置光刻胶;电极指末端区域包括:第二电极指中与第一电极指的末端平齐的区域,第一电极指中与第二电极指的末端平齐的区域,第一电极指的末端的区域,第二电极指的末端的区域。
步骤S104,刻蚀未被光刻胶覆盖的叉指电极结构和第一温度补偿层;使叉指电极结构的电极指末端区域形成金属凸起。
采用本发明实施例提供的用于声表面波滤波器的制作方法,通过在预设的衬底上淀积第一温度补偿层。形成位于第一温度补偿层内的叉指电极结构。叉指电极结构包括若干个第一电极指和若干个第二电极指。在叉指电极结构的电极指末端区域设置光刻胶。电极指末端区域包括:第二电极指中与第一电极指的末端平齐的区域,第一电极指中与第二电极指的末端平齐的区域,第一电极指的末端的区域,第二电极指的末端的区域。刻蚀未被光刻胶覆盖的叉指电极结构和第一温度补偿层。使叉指电极结构的电极指末端区域形成金属凸起。这样,通过刻蚀叉指电极结构的方式,金属凸起与叉指电极结构是一体的材料。使得金属凸起与叉指电极结构的第一电极指的末端边缘和第二电极指的末端边缘直接就能垂直对齐,从而能够提高声表面波滤波器对杂波的抑制效果。同时,先淀积第一温度补偿层,再在第一温度补偿层内形成叉指电极结构。能够使第一温度补偿层对叉指电极结构的包裹性更好,使声表面波滤波器的TCF(temperaturecoefficient of frequency,谐振频率温度系数)性能更好。
进一步的,衬底由铌酸锂或者钽酸锂制成。
进一步的,第一温度补偿层由二氧化硅制成。
可选地,形成位于第一温度补偿层内的叉指电极结构,包括:刻蚀第一温度补偿层形成通孔,通孔暴露出衬底;在通孔内填充金属形成叉指电极结构。
可选地,在通孔内填充金属形成叉指电极结构,包括:在暴露出的衬底和刻蚀后的第一温度补偿层上淀积籽晶层;籽晶层位于通孔内的部分被限定成凹槽;在凹槽内填充电极金属;刻蚀电极金属、第一温度补偿层和籽晶层,使第一温度补偿层、电极金属和籽晶层均处于预设的目标高度且表面齐平;刻蚀电极金属、第一温度补偿层和籽晶层后,凹槽内的电极金属构成叉指电极结构。这样,通过刻蚀第一温度补偿层,形成能够形成叉指电极结构的通孔。通过在通孔内填充金属的形式,能够使第一温度补偿层紧密的围绕叉指电极结构,进而提高声表面波滤波器的TCF性能。
进一步的,籽晶层由Ti钛和/或Cr铬构成。
进一步的,电极金属由Ti钛、Cr铬、Ag银、Cu铜、Mo钼、Pt铂、W钨和Al铝中的一种或多种构成。
在一些实施例中,在凹槽内填充电极金属,包括:通过蒸镀的方式在凹槽内填充电极金属。或,通过电镀的方式在凹槽内填充电极金属。这样,使用电镀的方式能够精准的将电极金属只填充在凹槽内。在后续刻蚀时,能够减少需要刻蚀的材料,从而降低声表面波滤波器的制造成本。
可选地,刻蚀电极金属、第一温度补偿层和籽晶层,包括:利用化学机械抛光工艺对电极金属、第一温度补偿层和籽晶层进行平坦化处理;利用离子束刻蚀工艺刻蚀平坦化处理后的电极金属、第一温度补偿层和籽晶层,使得电极金属、第一温度补偿层和籽晶层处于预设的目标高度。其中,预设的目标高度为能够正常使用的叉指电极结构的厚度。
可选地,叉指电极结构包括第一汇流条和第二汇流条;刻蚀未被光刻胶覆盖的叉指电极结构和第一温度补偿层后,还包括:剥离光刻胶;在第一温度补偿层和刻蚀后的叉指电极结构上淀积第二温度补偿层;刻蚀第二温度补偿层,暴露出第一汇流条和第二汇流条;在第一汇流条上形成第一金属层,并在第二汇流条上形成第二金属层。
进一步的,第二温度补偿层由单层SiO2二氧化硅制成。或,第二温度补偿层由SiN氮化硅、AlN氮化铝、非晶硅、GaN氮化镓等材料薄层叠加厚层SiO2二氧化硅制成制成。其中,SiN氮化硅、AlN氮化铝、非晶硅、GaN氮化镓等材料薄层接触叉指电极结构,防止淀积SiO2时制作叉指电极结构的金属产生氧化。
可选地,在第一汇流条上形成第一金属层,并在第二汇流条上形成第二金属层后,还包括:在第一金属层、第二金属层和第二温度补偿层上淀积钝化层;刻蚀钝化层,暴露出第一金属层和第二金属层。
进一步的,第一金属层由Ti钛,Cr铬,Al铝,Cu铜,Ni镍,Ag银,Au金中的一种或多种制成。
进一步的,第二金属层由Ti钛,Cr铬,Al铝,Cu铜,Ni镍,Ag银,Au金中的一种或多种制成。
进一步的,钝化层由SiN氮化硅、AlN氮化铝、非晶硅、GaN氮化镓等绝缘材料中的一种或多种制成。
在一些实施例中,图11为增加了第一金属层13、第二金属层14和金属凸起的叉指电极结构的平面示意图。结合图11所示,叉指电极结构包括:第一电极指1、第二电极指2、第一汇流条3、第二汇流条4。其中,各第一电极指1分别与第一汇流条3垂直连接,各第二电极指2分别与第二汇流条4垂直连接;各第一电极指1和各第二电极指2在垂直于第一汇流条3的方向上交错排布。将第二电极指2中与第一电极指1的末端平齐的区域以及第一电极指1的末端的区域称为第一电极指末端区域。将第一电极指末端区域设置的金属凸起称为第一金属块5。将第一电极指1中与第二电极指2的末端平齐的区域以及第二电极指2的末端的区域称为第二电极指末端区域。将第二电极指末端区域设置的金属凸起称为第二金属块6。将叉指电极结构的第一电极指和第二电极指中除第一电极指末端区域、第二电极指末端区域的部分称为电极指中心区域。在第一汇流条3上设置第一金属层13,在第二汇流条4上设置第二金属层14。以图11中所示的Ⅰ-Ⅰ’切面,并结合图12至图21描述本申请的制作工艺。在预设的衬底7上淀积第一温度补偿层8。刻蚀第一温度补偿层8形成通孔,通孔暴露出衬底7。在暴露出的衬底7和刻蚀后的第一温度补偿层8上淀积籽晶层9,形成如图15的结构。将籽晶层9位于通孔内的部分被限定成凹槽。在凹槽内填充电极金属10,形成如图16所示的结构。利用化学机械抛光工艺对电极金属10、第一温度补偿层8和籽晶层9进行平坦化处理,使得电极金属10、第一温度补偿层8和籽晶层9均处于预设高度,预设高度大于目标高度。再利用离子束刻蚀工艺刻蚀平坦化处理后的电极金属10、第一温度补偿层8和籽晶层9,使得电极金属10、第一温度补偿层8和籽晶层9处于目标高度,形成如图17所示的结构。在叉指电极结构的第一电极指末端区域和第二电极指末端区域淀积光刻胶11,形成如图18所示的结构。刻蚀未被光刻胶11覆盖的叉指电极结构、第一温度补偿层8和籽晶层9,并剥离光刻胶11,形成如图19所示的结构。在第一温度补偿层8、籽晶层9和刻蚀后的叉指电极结构上淀积第二温度补偿层12,形成如图20所示的结构。刻蚀第二温度补偿层12,暴露出叉指电极结构的第一汇流条和叉指电极结构的第二汇流条,形成如图21所示的结构。在第一汇流条上形成第一金属层13,并在第二汇流条上形成第二金属层14,形成如图22所示的结构。在第一金属层13、第二金属层14和第二温度补偿层12上淀积钝化层15,形成如图23所示的结构。刻蚀钝化层15,暴露出第一金属层13和第二金属层14,形成如图24所示的结构。此时,以图11中所示的Ⅱ-Ⅱ’切面展示声表面波滤波器,获得如图25所示的结构。结合图25所示,在衬底上设置有第一温度补偿层,第一温度补偿层上设置有通孔暴露出衬底。籽晶层位于通孔的部分被限定为凹槽,在凹槽内填充有电极金属。凹槽内的电极金属构成叉指电极结构,叉指电极结构的电极指末端区域形成有金属凸起。在第一温度补偿层、籽晶层和电极金属上形成有第二温度补偿层,第二温度补偿层上设置有通孔暴露出叉指电极结构的第一汇流条和第二汇流条。在第一汇流条上设置有第一金属层,第二汇流条上设置有第二金属层。在第二温度补偿层、第一金属层和第二金属层上设置有钝化层15,钝化层上设置有通孔暴露出第一金属层和第二金属层。
在一些实施例中,若通过蒸镀的方式在凹槽内填充电极金属,在蒸镀电极金属后,则会形成如图26所示的结构。结合图26所示,电极金属10不仅存在于凹槽内,未形成凹槽的籽晶层9上也存在电极金属10。
在一些实施例中,本发明实施例提供一个声表面波滤波器,由执行上述的用于制作声表面波滤波器的方法制得。
可选地,声表面波滤波器,包括:衬底、第一温度补偿层和叉指电极结构。第一温度补偿层,设置在衬底上,与衬底接触;叉指电极结构,设置在第一温度补偿层内,与第一温度补偿层和衬底接触;叉指电极结构的电极指末端区域形成金属凸起;金属凸起在垂直方向上与第一电极指或第二电极指对齐。
采用本公开实施例提供的声表面波滤波器,通过第一温度补偿层,设置在衬底上,与衬底接触。叉指电极结构,设置在第一温度补偿层内,与第一温度补偿层和衬底接触。叉指电极结构的电极指末端区域形成金属凸起。金属凸起在垂直方向上与第一电极指或第二电极指对齐。这样,由于金属凸起在垂直方向上与第一电极指或第二电极指对齐,能够提高声表面波滤波器对杂波的抑制效果。
在一些实施例中,按照第一电极指远离第一汇流条的一端往第一电极指连接第一汇流条的方向,取预设长度的第一电极指,作为第一电极指的末端。按照第二电极指远离第二汇流条的一端往第二电极指连接第二汇流条的方向,取预设长度的第二电极指,作为第二电极指的末端。
以上描述和附图充分地示出了本发明的实施例,以使本领域的技术人员能够实践它们。其他实施例可以包括结构的、逻辑的、电气的、过程的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求,否则单独的部件和功能是可选的,并且操作的顺序可以变化。一些实施例的部分和特征可以被包括在或替换其他实施例的部分和特征。而且,本申请中使用的用词仅用于描述实施例并且不用于限制权利要求。如在实施例以及权利要求的描述中使用的,除非上下文清楚地表明,否则单数形式的“一个”(a)、“一个”(an)和“所述”(the)旨在同样包括复数形式。类似地,如在本申请中所使用的术语“和/或”是指包含一个或一个以上相关联的列出的任何以及所有可能的组合。另外,当用于本申请中时,术语“包括”(comprise)及其变型“包括”(comprises)和/或包括(comprising)等指陈述的特征、整体、步骤、操作、元素,和/或组件的存在,但不排除一个或一个以上其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或这些的分组的存在或添加。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个…”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法或者设备中还存在另外的相同要素。本文中,每个实施例重点说明的可以是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分可以互相参见。对于实施例公开的方法、产品等而言,如果其与实施例公开的方法部分相对应,那么相关之处可以参见方法部分的描述。
Claims (8)
1.一种用于制作声表面波滤波器的方法,其特征在于,包括:
在预设的衬底上淀积第一温度补偿层;
形成位于所述第一温度补偿层内的叉指电极结构;所述叉指电极结构包括若干个第一电极指和若干个第二电极指;
在所述叉指电极结构的电极指末端区域设置光刻胶;所述电极指末端区域包括:第二电极指中与第一电极指的末端平齐的区域,第一电极指中与第二电极指的末端平齐的区域,第一电极指的末端的区域,第二电极指的末端的区域;
刻蚀未被光刻胶覆盖的叉指电极结构和第一温度补偿层;使叉指电极结构的电极指末端区域形成金属凸起;
形成位于所述第一温度补偿层内的叉指电极结构,包括:刻蚀所述第一温度补偿层形成通孔,所述通孔暴露出所述衬底;在所述通孔内填充金属形成叉指电极结构;
在所述通孔内填充金属形成叉指电极结构,包括:在暴露出的衬底和刻蚀后的第一温度补偿层上淀积籽晶层;所述籽晶层位于所述通孔内的部分被限定成凹槽;在所述凹槽内填充电极金属;刻蚀所述电极金属、所述第一温度补偿层和所述籽晶层,使第一温度补偿层、电极金属和籽晶层均处于预设的目标高度且表面齐平;刻蚀电极金属、第一温度补偿层和籽晶层后,凹槽内的电极金属构成叉指电极结构;籽晶层由Ti钛和/或Cr铬构成。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,刻蚀所述电极金属、所述第一温度补偿层和所述籽晶层,包括:
利用化学机械抛光工艺对所述电极金属、所述第一温度补偿层和所述籽晶层进行平坦化处理;
利用离子束刻蚀工艺刻蚀平坦化处理后的电极金属、第一温度补偿层和籽晶层,使得电极金属、第一温度补偿层和籽晶层处于预设的目标高度。
3.根据权利要求1或2任一项所述的方法,其特征在于,叉指电极结构包括第一汇流条和第二汇流条;刻蚀未被光刻胶覆盖的叉指电极结构和第一温度补偿层后,还包括:
剥离所述光刻胶;
在第一温度补偿层和刻蚀后的叉指电极结构上淀积第二温度补偿层;
刻蚀所述第二温度补偿层,暴露出第一汇流条和第二汇流条;
在所述第一汇流条上形成第一金属层,并在所述第二汇流条上形成第二金属层。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在所述第一汇流条上形成第一金属层,并在所述第二汇流条上形成第二金属层后,还包括:
在所述第一金属层、所述第二金属层和所述第二温度补偿层上淀积钝化层;
刻蚀所述钝化层,暴露出所述第一金属层和所述第二金属层。
5.根据权利要求1或2任一项所述的方法,其特征在于,所述衬底由铌酸锂或者钽酸锂制成。
6.根据权利要求1或2任一项所述的方法,其特征在于,所述第一温度补偿层由二氧化硅制成。
7.一种声表面波滤波器,其特征在于,所述声表面波滤波器由执行权利要求1至6任一项所述的用于制作声表面波滤波器的方法制得。
8.根据权利要求7所述的声表面波滤波器,其特征在于,包括:
衬底;
第一温度补偿层,设置在所述衬底上,与所述衬底接触;
叉指电极结构,设置在所述第一温度补偿层内,与所述第一温度补偿层和所述衬底接触;所述叉指电极结构的电极指末端区域形成金属凸起;所述金属凸起在垂直方向上与第一电极指或第二电极指对齐。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310101495.6A CN115913159B (zh) | 2023-02-13 | 2023-02-13 | 用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310101495.6A CN115913159B (zh) | 2023-02-13 | 2023-02-13 | 用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115913159A CN115913159A (zh) | 2023-04-04 |
CN115913159B true CN115913159B (zh) | 2023-05-12 |
Family
ID=85729382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310101495.6A Active CN115913159B (zh) | 2023-02-13 | 2023-02-13 | 用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115913159B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117318662B (zh) * | 2023-11-13 | 2024-07-12 | 深圳新声半导体有限公司 | 声表面波谐振器、mems设备 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022134195A1 (zh) * | 2020-12-23 | 2022-06-30 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 声表面波谐振器及其制造方法 |
CN115296642A (zh) * | 2022-10-08 | 2022-11-04 | 深圳新声半导体有限公司 | 声表面波谐振器结构及其形成方法、滤波器 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013017616A1 (en) * | 2011-08-04 | 2013-02-07 | Imec | Interdigitated electrode formation |
US20140117815A1 (en) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd | Temperature compensated resonator device having low trim sensitivy and method of fabricating the same |
CN108539006A (zh) * | 2018-04-17 | 2018-09-14 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 一种温度补偿声表面波滤波器及其制备方法 |
CN115276597A (zh) * | 2022-08-02 | 2022-11-01 | 开元通信技术(厦门)有限公司 | 声表面波器件及声表面波滤波器 |
CN115603694B (zh) * | 2022-12-14 | 2023-04-07 | 深圳新声半导体有限公司 | Tc-saw器件、用于制作tc-saw器件的方法 |
-
2023
- 2023-02-13 CN CN202310101495.6A patent/CN115913159B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022134195A1 (zh) * | 2020-12-23 | 2022-06-30 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 声表面波谐振器及其制造方法 |
CN115296642A (zh) * | 2022-10-08 | 2022-11-04 | 深圳新声半导体有限公司 | 声表面波谐振器结构及其形成方法、滤波器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115913159A (zh) | 2023-04-04 |
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PB01 | Publication | ||
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