JP6656127B2 - 弾性波デバイス - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 2
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02937—Means for compensation or elimination of undesirable effects of chemical damage, e.g. corrosion
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
- H03H3/10—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves for obtaining desired frequency or temperature coefficient
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02779—Continuous surface reflective arrays
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- H—ELECTRICITY
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8542—Alkali metal based oxides, e.g. lithium, sodium or potassium niobates
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/875—Further connection or lead arrangements, e.g. flexible wiring boards, terminal pins
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/877—Conductive materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Toxicology (AREA)
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Description
本発明は、弾性波デバイスに関する。
圧電基板上に櫛形電極が設けられた弾性波デバイスが知られている。弾性波デバイスの表面保護や温度補償の目的で、櫛形電極を酸化シリコン膜で被覆することが知られている（例えば、特許文献１、２）。また、信頼性と温度特性との両立のために、櫛形電極を覆う酸化シリコン膜上に酸化アルミニウム膜などの酸化シリコン膜とは密度の異なる絶縁膜を設けることが知られている（例えば、特許文献３）。
櫛形電極が絶縁膜で被覆された構成では、パッドを形成するための開口が絶縁膜に形成される。この場合、絶縁膜の上面と開口における絶縁膜の側面とから絶縁膜内に水分が浸入する恐れがある。絶縁膜内に水分が浸入すると、特性の劣化が生じてしまう。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、絶縁膜内への水分の浸入を抑制することを目的とする。
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた櫛形電極と、前記圧電基板上に前記櫛形電極に電気的に接続されて設けられた配線層と、前記圧電基板上に前記櫛形電極を覆い且つ前記配線層上に開口を有して設けられ、前記櫛形電極よりも厚い第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上面と前記開口における前記第１絶縁膜の側面の全面とを覆って設けられ、前記第１絶縁膜よりも耐湿性が高い第２絶縁膜と、前記開口で露出した前記配線層に接し、前記第２絶縁膜のうちの前記第１絶縁膜の側面を覆う部分の少なくとも一部を覆って設けられたパッドと、を備える弾性波デバイスである。
上記構成において、前記パッドは、前記第２絶縁膜のうちの前記第１絶縁膜の側面を覆う部分の全てを覆って設けられている構成とすることができる。
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた櫛形電極と、前記圧電基板上に前記櫛形電極に電気的に接続されて設けられた配線層と、前記圧電基板上に前記櫛形電極を覆い且つ前記配線層上に開口を有して設けられ、前記櫛形電極よりも厚い第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上面と前記開口における前記第１絶縁膜の側面の一部とを覆って設けられ、前記第１絶縁膜よりも耐湿性が高い第２絶縁膜と、前記開口で露出した前記配線層に接し、前記第２絶縁膜のうちの前記第１絶縁膜の側面を覆う部分を覆い且つ前記第１絶縁膜の側面のうちの前記第２絶縁膜で覆われていない部分を覆って設けられたパッドと、を備える弾性波デバイスである。
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた櫛形電極と、前記圧電基板上に前記櫛形電極に電気的に接続されて設けられた配線層と、前記圧電基板上に前記櫛形電極を覆い且つ前記配線層上に開口を有して設けられ、前記櫛形電極よりも厚い第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上面と前記開口における前記第１絶縁膜の側面の少なくとも一部とを覆って設けられ、前記第１絶縁膜よりも耐湿性が高い第２絶縁膜と、前記開口で露出した前記配線層に接して設けられたパッドと、を備え、前記第２絶縁膜の前記配線層に接する部分の幅は、前記第１絶縁膜の前記側面の上側部分での前記第２絶縁膜の厚さよりも大きい、弾性波デバイスである。
上記構成において、前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜よりも密度が高い構成とすることができる。
上記構成において、前記第１絶縁膜は、酸化シリコン膜又はフッ素添加酸化シリコン膜であり、前記第２絶縁膜は、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、又はダイヤモンドライクカーボン膜である構成とすることができる。
上記構成において、前記パッドは、金層を含む構成とすることができる。
本発明によれば、絶縁膜内への水分の浸入を抑制することができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波共振器１００の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。なお、図１（ａ）では、絶縁膜５０及び絶縁膜５４を透視して図示している（以下の図４（ａ）、図５（ａ）、図６（ａ）、及び図８においても同じ）。図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、実施例１の弾性波共振器１００は、基板１０上に、１対の櫛形電極２２からなるＩＤＴ２０と、ＩＤＴ２０を挟む１対の反射器３０と、が設けられている。基板１０は、例えばタンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板などの圧電基板である。基板１０は、サファイア基板などの支持基板に圧電基板を貼り付けた基板でもよい。
１対の櫛形電極２２は、複数の電極指２４と、複数のダミー電極指２６と、複数の電極指２４及び複数のダミー電極指２６が接続されるバスバー２８と、を備える。電極指２４とダミー電極指２６とは、ほぼ交互に配列されている。１対の櫛形電極２２は、電極指２４がほぼ互い違いとなるように対向して設けられている。１対の櫛形電極２２のうちの一方の櫛形電極２２の電極指２４の先端と他方の櫛形電極２２のダミー電極指２６の先端とは空隙を介して対向している。電極指２４が励振する弾性波は、主に電極指２４の配列方向に伝搬する。１対の反射器３０は、弾性波の伝搬方向でＩＤＴ２０を挟んで設けられ、弾性波を反射する。
基板１０上に、バスバー２８に接続された配線層４０が設けられている。すなわち、配線層４０は、櫛形電極２２に電気的に接続されている。櫛形電極２２、反射器３０、及び配線層４０は、同じ層構造で同じ厚さを有する。櫛形電極２２、反射器３０、及び配線層４０は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、及び金（Ａｕ）の少なくとも１種を含む金属膜であり、単層金属膜でもよいし、積層金属膜でもよい。櫛形電極２２、反射器３０、及び配線層４０の厚さは、例えば３００ｎｍである。
基板１０上に、櫛形電極２２と反射器３０とを覆い且つ配線層４０上に開口５２を有する絶縁膜５０が設けられている。絶縁膜５０は、櫛形電極２２、反射器３０、及び配線層４０に接して設けられている。絶縁膜５０は、櫛形電極２２よりも厚く、例えば１２００ｎｍである。絶縁膜５０は、基板１０を構成する圧電基板の弾性定数の温度係数とは逆符号の温度係数の弾性定数を有し、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜又は他の元素が添加された酸化シリコン膜（例えばフッ素添加酸化シリコン（ＳｉＯＦ）膜）である。絶縁膜５０は、櫛形電極２２などが水分に曝されて腐食することを抑制する保護膜としての機能と、温度変化による特性変化を抑制する温度補償膜としての機能を有する。開口５２以外の絶縁膜５０の上面は平坦になっている。
絶縁膜５０の上面及び開口５２における絶縁膜５０の側面を覆って絶縁膜５４が設けられている。絶縁膜５４は、絶縁膜５０の上面全面及び開口５２における絶縁膜５０の側面全面を覆っている。絶縁膜５４は、配線層４０を露出する開口を有する。絶縁膜５４の厚さは、例えば５０ｎｍである。絶縁膜５４は、絶縁膜５０よりも耐湿性の高い膜である。絶縁膜５４は、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）膜、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜、又はダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜である。なお、耐湿性の高い膜とは、水分を浸透し難い膜のことである。
開口５２で露出した配線層４０の上面に接してパッド６０が設けられている。パッド６０は、配線層４０の上面から絶縁膜５４の側面を経由して絶縁膜５４の上面に延在している。パッド６０は、絶縁膜５４の側面全面、すなわち絶縁膜５０の側面全面を覆っている。パッド６０は、単層金属膜又は積層金属膜であり、例えば下側からＴｉ層とＡｕ層が積層された積層金属膜である。
次に、実施例１に係る弾性波共振器１００の製造方法について説明する。図２（ａ）から図２（ｅ）は、実施例１に係る弾性波共振器１００の製造方法を示す断面図である。図２（ａ）のように、基板１０上に、例えば真空蒸着法又はスパッタリング法を用いて金属膜を堆積した後、ドライエッチングなどのエッチング法を用いて金属膜を所望の形状にパターニングする。これにより、櫛形電極２２、反射器３０（図２（ａ）から図２（ｅ）では不図示）、及び配線層４０を形成する。なお、櫛形電極２２、反射器３０、及び配線層４０を真空蒸着法及びリフトオフ法を用いて形成してもよい。
図２（ｂ）のように、基板１０上に、例えば化学気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法又はスパッタリング法を用いて、櫛形電極２２、反射器３０、及び配線層４０を覆う絶縁膜５０を堆積する。絶縁膜５０は、櫛形電極２２、反射器３０、及び配線層４０よりも厚い。絶縁膜５０を堆積した後、絶縁膜５０の上面を平坦化する平坦化処理を行う。平坦化処理は、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法又はエッチング法を用いる。
図２（ｃ）のように、配線層４０上における絶縁膜５０をウエットエッチング又はドライエッチングで除去して、配線層４０の上面が露出した開口５２を形成する。次いで、基板１０上に、例えばスパッタリング法（例えばＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）スパッタリング法）、ＣＶＤ法、又は原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法を用いて絶縁膜５４を堆積する。絶縁膜５４は、絶縁膜５０の上面、開口５２における絶縁膜５０の側面、及び開口５２で露出した配線層４０の上面を覆って形成される。
図２（ｄ）のように、絶縁膜５０の上面及び開口５２における絶縁膜５０の側面に形成された絶縁膜５４を残存させつつ、配線層４０上における絶縁膜５４をウエットエッチング又はドライエッチングで除去して、配線層４０の上面を露出させる。
図２（ｅ）のように、開口５２で露出した配線層４０の上面に、例えば真空蒸着法及びリフトオフ法を用いて、パッド６０を形成する。パッド６０は、配線層４０の上面から絶縁膜５４の側面を経由して絶縁膜５４の上面に延在して形成される。
ここで、比較例１の弾性波共振器について説明する。図３は、比較例１に係る弾性波共振器１０００の断面図である。図３のように、比較例１の弾性波共振器１０００では、絶縁膜５４は、絶縁膜５０の上面にのみ設けられ、開口５２における絶縁膜５０の側面には設けられていない。このため、パッド６０は、開口５２における絶縁膜５０の側面に接して設けられている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。
比較例１では、絶縁膜５０の上面に、絶縁膜５０よりも耐湿性の高い絶縁膜５４が設けられている。このため、絶縁膜５０の上面から絶縁膜５０内に水分が浸入することが抑えられている。しかしながら、開口５２における絶縁膜５０の側面には絶縁膜５４が設けられてなく、パッド６０が絶縁膜５０の側面に接して設けられている。パッド６０が絶縁膜５０の側面に接して設けられていることで、絶縁膜５０の側面から絶縁膜５０内に水分が浸入することがある程度は抑制される。しかしながら、パッド６０は金属膜であることから、パッド６０内に水分が徐々に浸透して行き、最終的に絶縁膜５０内にまで水分が浸入することが生じる。また、パッド６０がＡｕ層を含んでいる場合、Ａｕは水分によってマイグレーションを起こし易いことから、パッド６０内のＡｕが絶縁膜５０に移動してパッド６０の密度が低下してしまう。その結果、パッド６０内に水分が浸透し易くなって、絶縁膜５０内に水分が浸入することが生じてしまう。絶縁膜５０内に水分が浸入すると、絶縁膜５０の膜剥がれや櫛形電極２２の腐食などが生じ、特性が劣化してしまう。
一方、実施例１によれば、図１（ｂ）のように、絶縁膜５０の上面と開口５２における絶縁膜５０の側面とを覆って、絶縁膜５０よりも耐湿性の高い絶縁膜５４が設けられている。これにより、絶縁膜５０の上面及び側面の両方において絶縁膜５０内に水分が浸入することを抑制できる。よって、絶縁膜５０の膜剥がれや櫛形電極２２の腐食が抑えられ、その結果、特性の劣化が抑制される。
また、実施例１によれば、絶縁膜５４は、開口５２における絶縁膜５０の側面全面を覆って設けられている。これにより、絶縁膜５０の側面から絶縁膜５０内に水分が浸入することを効果的に抑制できる。
また、実施例１によれば、パッド６０は、開口５２における絶縁膜５０の側面全面を覆って設けられている。上述したように、パッド６０を設けることでも水分浸入の抑制効果があることから、絶縁膜５０内に水分が浸入することをさらに抑制できる。
絶縁膜５４は、水分が浸透し難いような耐湿性の高い膜であることが好ましいことから、絶縁膜５０よりも密度（単位体積あたりの質量）の高い膜であることが好ましい。絶縁膜５４として例示したＡｌ２Ｏ３膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜、及びＤＬＣ膜は、絶縁膜５０として例示したＳｉＯ２膜及び他の元素が添加された酸化シリコン膜（例えばＳｉＯＦ膜）よりも密度の高い膜になり得る。
ここで、発明者が行った実験について説明する。発明者は、ＳｉＯ２膜、Ａｌ２Ｏ３膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜、及びＤＬＣ膜を高温高湿環境（８５℃、８５％ＲＨ）に１２０時間放置した後、各絶縁膜中の水分の浸入量を二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ分析）で計測した。その結果、Ａｌ２Ｏ３膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜、及びＤＬＣ膜は全て、ＳｉＯ２膜よりも拡散係数が小さい値であった。また、絶縁膜の表面から２０ｎｍの深さにまで水分が到達するのに要する時間が１０００時間となる絶縁膜の拡散係数は８．０×１０−２２ｍ２／Ｓ、１００００時間となる絶縁膜の拡散係数は１．３×１０−２２ｍ２／ｓであった。したがって、絶縁膜５４は、拡散係数が８．０×１０−２２ｍ２／ｓ以下の膜であることが好ましく、１．３×１０−２２ｍ２／ｓ以下の膜であることがより好ましい。
また、発明者は、成膜方法及び成膜条件の少なくとも一方を異ならせて複数のＡｌ２Ｏ３膜を成膜し、昇温脱離ガス分析（ＴＤＳ分析）にてＡｌ２Ｏ３膜中に存在する水分を評価した。その結果、０℃以上且つ５００℃未満の間で水（１８ｍ／ｚ）の第１次ピークが検出され、５００℃以上且つ１０００℃未満の間で水（１８ｍ／ｚ）の第２次ピークが検出された。第１次ピークはＡｌ２Ｏ３膜の表面に存在する水分に起因し、第２次ピークはＡｌ２Ｏ３膜中に存在する水分に起因する。このように、絶縁膜の成膜方法などによっては内部に水分を含んだ絶縁膜が形成されることがあり、この水分が櫛形電極などに影響を及ぼすことがあり得る。したがって、絶縁膜５４は、ＴＤＳ分析にて５００℃以上且つ１０００℃未満で検出される水（１８ｍ／ｚ）のピーク強度が、０℃以上且つ５００℃未満で検出される水（１８ｍ／ｚ）のピーク強度以下であることが好ましい。
図２（ｃ）で説明したように、絶縁膜５４は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、及びＡＬＤ法のいずれの方法で形成してもよい。高密度（緻密）な絶縁膜５４を形成する点から、絶縁膜５４は、スパッタリング法（例えばＥＣＲスパッタリング法）又はＡＬＤ法で形成されることが好ましい。また、ＡＬＤ法では成膜に際して水分を含んだガスを用いる場合があることから、内部に水分を含んだ絶縁膜５４が形成される場合がある。したがって、絶縁膜５４は、スパッタリング法（例えばＥＣＲスパッタリング法）で形成されることがより好ましい。
なお、実施例１では、パッド６０はＴｉ層とＡｕ層の積層金属膜である場合を例に示したが、その他の場合でもよい。例えば、パッド６０はＴｉ層とＰｔ層の積層金属膜である場合でもよい。しかしながら、上述したように、パッド６０がＡｕ層を含んでいる場合、Ａｕはマイグレーションを起こし易いことから、パッド６０に水分が浸透し易くなり、絶縁膜５０内に水分が浸入し易くなる。したがって、パッド６０がＡｕ層を含んでいる場合、開口５２における絶縁膜５０の側面を覆って絶縁膜５４が設けられることが好ましい。
図４（ａ）は、実施例２に係る弾性波共振器２００の平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図４（ａ）及び図４（ｂ）のように、実施例２の弾性波共振器２００では、パッド６０ａは、開口５２内にのみ設けられ、絶縁膜５０上へは延在していない。すなわち、パッド６０ａは、開口５２における絶縁膜５０の側面のうちの下側部分のみを覆い、上側部分は覆っていない。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。
実施例２によれば、パッド６０ａは開口５２における絶縁膜５０の側面のうちの一部のみを覆っている。この場合でも、絶縁膜５０の上面及び開口５２における絶縁膜５０の側面を覆って耐湿性の高い絶縁膜５４が設けられているため、絶縁膜５０内に水分が浸入することを抑制できる。また、パッド６０ａが絶縁膜５０の側面のうちの一部のみを覆うことで、弾性波共振器を搭載する基板にフリップチップボンダ（ＦＣＢ）を行った場合、基板に配置されている別の配線部と接触しないなどの利点がある。
図５（ａ）は、実施例３に係る弾性波共振器３００の平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図５（ａ）及び図５（ｂ）のように、実施例３の弾性波共振器３００では、配線層４０の上面において、絶縁膜５４ａが配線層４０の内側に延在している。すなわち、配線層４０の上面における絶縁膜５４ａの幅Ｗは、開口５２における絶縁膜５０の側面の上側部分における絶縁膜５４ａの厚さＴよりも大きくなっている。また、絶縁膜５４ａは絶縁膜５０の上面から配線層４０まで連続で形成されており、配線層４０の上面における絶縁膜５４ａの幅Ｗは、絶縁膜５０で囲まれた開口５２の面積よりも小さくなっている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。
実施例３によれば、絶縁膜５４ａの配線層４０に接する部分の幅Ｗは、開口５２における絶縁膜５０の側面の上側部分での絶縁膜５４ａの厚さＴよりも大きくなっている。これによれば、配線層４０と絶縁膜５４ａとが接する部分が長くなるため、水分が配線層４０と絶縁膜５４ａとの界面を通って絶縁膜５０内に浸入することを効果的に抑制できる。
図６（ａ）は、実施例４に係る弾性波共振器４００の平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図６（ａ）及び図６（ｂ）のように、実施例４の弾性波共振器４００では、パッド６０ａは、開口５２内にのみ設けられ、絶縁膜５０上へは延在していない。すなわち、パッド６０ａは、開口５２における絶縁膜５０の側面のうちの下側部分のみを覆い、上側部分は覆っていない。その他の構成は、実施例３と同じであるため説明を省略する。このように、絶縁膜５４ａの配線層４０に接する部分の幅が開口５２における絶縁膜５０の側面の上側部分での絶縁膜５４ａの厚さよりも大きい場合でも、パッド６０ａが開口５２における絶縁膜５０の側面のうちの一部のみを覆っていてもよい。
図７は、実施例５に係る弾性波共振器５００の断面図である。図７のように、実施例５の弾性波共振器５００では、絶縁膜５４ｂは、開口５２における絶縁膜５０の側面のうちの上側部分のみを覆って設けられ、下側部分には設けられていない。絶縁膜５０の側面のうちの絶縁膜５４ｂで覆われていない下側部分には、パッド６０が接して設けられている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。
絶縁膜５０内への水分の浸入を効果的に抑制する点からは、実施例１のように絶縁膜５４が絶縁膜５０の側面全面を覆っている場合が好ましいが、実施例５のように絶縁膜５４ｂが絶縁膜５０の側面の一部のみを覆っている場合でもよい。すなわち、開口５２における絶縁膜５０の側面の少なくとも一部が耐湿性の高い絶縁膜で覆われることで、絶縁膜５０内への水分の浸入を抑制できる。
また、実施例５のように、絶縁膜５４ｂが絶縁膜５０の側面の一部のみを覆っている場合では、絶縁膜５４ｂで覆われていない絶縁膜５０の側面はパッド６０で覆われていることが好ましい。
図８は、実施例６に係る弾性波フィルタ６００の平面図である。図９（ａ）は、図８のＡ−Ａ間の断面図、図９（ｂ）は、図８のＢ−Ｂ間の断面図である。なお、図９（ｂ）ではバンプ６２の図示は省略している。図８のように、実施例６の弾性波フィルタ６００は、基板１０上に、直列共振器Ｓ１からＳ４、並列共振器Ｐ１からＰ３、配線層４０、及びパッド６０が設けられたラダー型フィルタである。配線層４０は、共振器間及び共振器とパッド６０との間を接続する。パッド６０上にバンプ６２が設けられている。バンプ６２は、例えば金バンプ又は銅バンプであり、例えばスタッドバンプ又はめっきバンプである。
直列共振器Ｓ１からＳ４は、入力端子ＩＮであるパッド６０と出力端子ＯＵＴであるパッド６０との間に配線層４０を介して直列に接続されている。並列共振器Ｐ１からＰ３の一端は配線層４０を介して直列共振器Ｓ１からＳ４に接続され、他端は配線層４０を介してグランド端子ＧＮＤであるパッド６０に接続されている。
図９（ａ）及び図９（ｂ）のように、基板１０上に、直列共振器Ｓ１からＳ４及び並列共振器Ｐ１からＰ３を覆い且つ配線層４０上に開口５２を有する絶縁膜５０が設けられている。絶縁膜５０の上面及び開口５２における絶縁膜５０の側面を覆って絶縁膜５４が設けられている。パッド６０は、開口５２で露出した配線層４０の上面に接して設けられている。
実施例６によれば、直列共振器Ｓ１からＳ４及び並列共振器Ｐ１からＰ３に実施例１の弾性波共振器１００を用いている。このため、絶縁膜５０内に水分が浸入することを抑制できる。なお、直列共振器Ｓ１からＳ４及び並列共振器Ｐ１からＰ３に実施例２から実施例５の弾性波共振器を用いてもよい。
なお、実施例１から実施例５においては、弾性波デバイスとして弾性表面波共振器を例に示したが、弾性境界波共振器又はラブ波共振器の場合でもよい。また、実施例６では、弾性波デバイスとしてラダー型フィルタの場合を例に示したが、多重モード型フィルタなどの他の弾性波フィルタの場合でもよい。また、弾性波デバイスは、ラダー型フィルタ又は多重モード型フィルタを送信フィルタ及び受信フィルタに用いた分波器の場合でもよい。
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
１０ 基板
２０ ＩＤＴ
２２ 櫛形電極
２４ 電極指
２６ ダミー電極指
２８ バスバー
３０ 反射器
４０ 配線層
５０ 絶縁膜
５２ 開口
５４〜５４ｂ 絶縁膜
６０、６０ａ パッド
６２ バンプ
Ｓ１〜Ｓ４ 直列共振器
Ｐ１〜Ｐ３ 並列共振器
１００〜５００ 弾性波共振器
６００ 弾性波フィルタ
２０ ＩＤＴ
２２ 櫛形電極
２４ 電極指
２６ ダミー電極指
２８ バスバー
３０ 反射器
４０ 配線層
５０ 絶縁膜
５２ 開口
５４〜５４ｂ 絶縁膜
６０、６０ａ パッド
６２ バンプ
Ｓ１〜Ｓ４ 直列共振器
Ｐ１〜Ｐ３ 並列共振器
１００〜５００ 弾性波共振器
６００ 弾性波フィルタ
Claims (7)
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた櫛形電極と、
前記圧電基板上に前記櫛形電極に電気的に接続されて設けられた配線層と、
前記圧電基板上に前記櫛形電極を覆い且つ前記配線層上に開口を有して設けられ、前記櫛形電極よりも厚い第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の上面と前記開口における前記第１絶縁膜の側面の全面とを覆って設けられ、前記第１絶縁膜よりも耐湿性が高い第２絶縁膜と、
前記開口で露出した前記配線層に接し、前記第２絶縁膜のうちの前記第１絶縁膜の側面を覆う部分の少なくとも一部を覆って設けられたパッドと、を備える弾性波デバイス。 - 前記パッドは、前記第２絶縁膜のうちの前記第１絶縁膜の側面を覆う部分の全てを覆って設けられている、請求項１記載の弾性波デバイス。
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた櫛形電極と、
前記圧電基板上に前記櫛形電極に電気的に接続されて設けられた配線層と、
前記圧電基板上に前記櫛形電極を覆い且つ前記配線層上に開口を有して設けられ、前記櫛形電極よりも厚い第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の上面と前記開口における前記第１絶縁膜の側面の一部とを覆って設けられ、前記第１絶縁膜よりも耐湿性が高い第２絶縁膜と、
前記開口で露出した前記配線層に接し、前記第２絶縁膜のうちの前記第１絶縁膜の側面を覆う部分を覆い且つ前記第１絶縁膜の側面のうちの前記第２絶縁膜で覆われていない部分を覆って設けられたパッドと、を備える弾性波デバイス。 - 圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた櫛形電極と、
前記圧電基板上に前記櫛形電極に電気的に接続されて設けられた配線層と、
前記圧電基板上に前記櫛形電極を覆い且つ前記配線層上に開口を有して設けられ、前記櫛形電極よりも厚い第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の上面と前記開口における前記第１絶縁膜の側面の少なくとも一部とを覆って設けられ、前記第１絶縁膜よりも耐湿性が高い第２絶縁膜と、
前記開口で露出した前記配線層に接して設けられたパッドと、を備え、
前記第２絶縁膜の前記配線層に接する部分の幅は、前記第１絶縁膜の前記側面の上側部分での前記第２絶縁膜の厚さよりも大きい、弾性波デバイス。 - 前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜よりも密度が高い、請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記第１絶縁膜は、酸化シリコン膜又はフッ素添加酸化シリコン膜であり、
前記第２絶縁膜は、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、又はダイヤモンドライクカーボン膜である、請求項１から５のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 - 前記パッドは、金層を含む、請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016184037A JP6656127B2 (ja) | 2016-09-21 | 2016-09-21 | 弾性波デバイス |
| US15/694,069 US10763818B2 (en) | 2016-09-21 | 2017-09-01 | Acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016184037A JP6656127B2 (ja) | 2016-09-21 | 2016-09-21 | 弾性波デバイス |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018050158A JP2018050158A (ja) | 2018-03-29 |
| JP2018050158A5 JP2018050158A5 (ja) | 2018-05-17 |
| JP6656127B2 true JP6656127B2 (ja) | 2020-03-04 |
Family
ID=61621414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016184037A Active JP6656127B2 (ja) | 2016-09-21 | 2016-09-21 | 弾性波デバイス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10763818B2 (ja) |
| JP (1) | JP6656127B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7055499B1 (ja) | 2021-05-24 | 2022-04-18 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05275963A (ja) | 1991-11-15 | 1993-10-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
| JP2005142629A (ja) | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
| JP4289399B2 (ja) * | 2006-06-22 | 2009-07-01 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法 |
| WO2008038502A1 (fr) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filtre d'onde acoustique d'interface |
| JP5323637B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2013-10-23 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| JP2011135244A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Panasonic Corp | 弾性波デバイス及びこれを用いたフィルタ、デュプレクサ |
| WO2012124210A1 (ja) | 2011-03-16 | 2012-09-20 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置の製造方法 |
-
2016
- 2016-09-21 JP JP2016184037A patent/JP6656127B2/ja active Active
-
2017
- 2017-09-01 US US15/694,069 patent/US10763818B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2018050158A (ja) | 2018-03-29 |
| US20180083593A1 (en) | 2018-03-22 |
| US10763818B2 (en) | 2020-09-01 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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