JPH05275963A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波フィルタInfo
- Publication number
- JPH05275963A JPH05275963A JP30016691A JP30016691A JPH05275963A JP H05275963 A JPH05275963 A JP H05275963A JP 30016691 A JP30016691 A JP 30016691A JP 30016691 A JP30016691 A JP 30016691A JP H05275963 A JPH05275963 A JP H05275963A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- surface acoustic
- acoustic wave
- wave filter
- passivation film
- Prior art date
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 弾性表面波フィルタのパッシベーション膜の
ボンディング部の密着不良をなくし、その耐湿性の向上
を図り得る弾性表面波フィルタを提供する。 【構成】 圧電基板１０上にすだれ状電極を形成し、そ
の上に絶縁物によるパッシベーション膜を有する弾性表
面波フィルタにおいて、前記すだれ状電極１１のボンデ
ィング部に位置するパッシベーション膜としてのＳｉＯ
2 膜１２の縁部をＣｒ／Ａｕパッド電極１５で挟むよう
にして幅Ｓ2 オーバーラップさせる。
ボンディング部の密着不良をなくし、その耐湿性の向上
を図り得る弾性表面波フィルタを提供する。 【構成】 圧電基板１０上にすだれ状電極を形成し、そ
の上に絶縁物によるパッシベーション膜を有する弾性表
面波フィルタにおいて、前記すだれ状電極１１のボンデ
ィング部に位置するパッシベーション膜としてのＳｉＯ
2 膜１２の縁部をＣｒ／Ａｕパッド電極１５で挟むよう
にして幅Ｓ2 オーバーラップさせる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車電話等、無線機
器に使用される弾性表面波フィルタ（Ｓｕｒｆａｃｅ
Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ Ｆｉｌｔｅｒ：以後、特
別の場合を除き、ＳＡＷ−Ｆという）の膜構造に関する
ものである。
器に使用される弾性表面波フィルタ（Ｓｕｒｆａｃｅ
Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ Ｆｉｌｔｅｒ：以後、特
別の場合を除き、ＳＡＷ−Ｆという）の膜構造に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＳＡＷ−Ｆは、図３に示すよう
に、圧電基板ａ上に電気信号を弾性表面波に、あるいは
弾性表面波を電気信号に変換する弾性表面波変換器、い
わゆるすだれ状電極（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ−Ｔｒ
ａｎｓｄｕｃｅｒ）ｂを相い対向して構成する。入力側
のすだれ状電極ｂに電気信号を印加すると、表面波が圧
電基板ａの圧電効果により励振され、さらに圧電基板ａ
の表面に沿って伝播する。出力側のすだれ状電極に到達
した表面波は、再び電気信号に変換される。
に、圧電基板ａ上に電気信号を弾性表面波に、あるいは
弾性表面波を電気信号に変換する弾性表面波変換器、い
わゆるすだれ状電極（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ−Ｔｒ
ａｎｓｄｕｃｅｒ）ｂを相い対向して構成する。入力側
のすだれ状電極ｂに電気信号を印加すると、表面波が圧
電基板ａの圧電効果により励振され、さらに圧電基板ａ
の表面に沿って伝播する。出力側のすだれ状電極に到達
した表面波は、再び電気信号に変換される。
【０００３】このようなＳＡＷ−Ｆのすだれ状電極の上
に、ＳｉＯ2 などの絶縁物を薄く被覆し、特性を損なう
ことなくパッシベーション膜を形成し、樹脂やモールド
などの耐湿性の良くないパッケージにも使えるようなＳ
ＡＷ−Ｆが開発されている。即ち、図４に示すように、
ＬｉＴａＯ3 のウエハ（圧電基板）１上にすだれ状電極
２が形成され、そのボンディング部にＣｒ３、Ａｕ４か
らなるＣｒ／Ａｕパッド電極５が形成され、そのＣｒ／
Ａｕパッド電極５のワイヤボンディングされる部分を除
いて、ＳｉＯ2 膜６が形成される。Ｃｒ／Ａｕパッド電
極５には、ボンディング（Ａｕ）ワイヤ７がボンディン
グされる。
に、ＳｉＯ2 などの絶縁物を薄く被覆し、特性を損なう
ことなくパッシベーション膜を形成し、樹脂やモールド
などの耐湿性の良くないパッケージにも使えるようなＳ
ＡＷ−Ｆが開発されている。即ち、図４に示すように、
ＬｉＴａＯ3 のウエハ（圧電基板）１上にすだれ状電極
２が形成され、そのボンディング部にＣｒ３、Ａｕ４か
らなるＣｒ／Ａｕパッド電極５が形成され、そのＣｒ／
Ａｕパッド電極５のワイヤボンディングされる部分を除
いて、ＳｉＯ2 膜６が形成される。Ｃｒ／Ａｕパッド電
極５には、ボンディング（Ａｕ）ワイヤ７がボンディン
グされる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このＳ
ＡＷ−Ｆの構造では、Ａｌ−Ｃｕ合金からなるすだれ状
電極上はＳｉＯ2 のパッシベーション膜で保護できる
が、ワイヤボンディングのパッドであるＡｕ表面上のＳ
ｉＯ2 の密着性が悪く、剥がれやすいという欠点を持っ
ていた。
ＡＷ−Ｆの構造では、Ａｌ−Ｃｕ合金からなるすだれ状
電極上はＳｉＯ2 のパッシベーション膜で保護できる
が、ワイヤボンディングのパッドであるＡｕ表面上のＳ
ｉＯ2 の密着性が悪く、剥がれやすいという欠点を持っ
ていた。
【０００５】本発明は、上記問題点を除去し、弾性表面
波フィルタのパッシベーション膜のボンディング部の密
着不良をなくし、その耐湿性の向上を図り得る弾性表面
波フィルタを提供することを目的とする。
波フィルタのパッシベーション膜のボンディング部の密
着不良をなくし、その耐湿性の向上を図り得る弾性表面
波フィルタを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、圧電基板上にすだれ状電極を形成し、そ
の上に絶縁物によるパッシベーション膜を有する弾性表
面波フィルタにおいて、前記すだれ状電極のボンディン
グ部に位置する前記パッシベーション膜の縁部をパッド
電極で挟むようにしてオーバーラップさせるようにした
ものである。
成するために、圧電基板上にすだれ状電極を形成し、そ
の上に絶縁物によるパッシベーション膜を有する弾性表
面波フィルタにおいて、前記すだれ状電極のボンディン
グ部に位置する前記パッシベーション膜の縁部をパッド
電極で挟むようにしてオーバーラップさせるようにした
ものである。
【０００７】前記弾性表面波フィルタにおいて、パッシ
ベーション膜はＳｉＯ2 であり、パッド電極はＣｒ／Ａ
ｕからなる。
ベーション膜はＳｉＯ2 であり、パッド電極はＣｒ／Ａ
ｕからなる。
【０００８】
【作用】本発明によれば、上記のように、圧電基板上に
すだれ状電極を形成し、その上に絶縁物によるパッシベ
ーション膜を有する弾性表面波フィルタにおいて、Ｓｉ
Ｏ2 からなるパッシベーション膜を形成し、その後に、
パッド電極を形成して、パッシベーション膜の端部をパ
ッド電極で挟むようにしてオーバーラップさせる。
すだれ状電極を形成し、その上に絶縁物によるパッシベ
ーション膜を有する弾性表面波フィルタにおいて、Ｓｉ
Ｏ2 からなるパッシベーション膜を形成し、その後に、
パッド電極を形成して、パッシベーション膜の端部をパ
ッド電極で挟むようにしてオーバーラップさせる。
【０００９】したがって、パッシベーション膜のパッド
電極への密着不良をなくすことができ、弾性表面波フィ
ルタの耐湿性の向上を図ることができる。
電極への密着不良をなくすことができ、弾性表面波フィ
ルタの耐湿性の向上を図ることができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す弾
性表面波フィルタの断面図である。この図において、１
０はＬｉＴａＯ3 のウエハ（圧電基板）、１１はその圧
電基板１０上に形成されるすだれ状電極であるＡｌ−Ｃ
ｕ合金層、１２はその上に形成されるＳｉＯ2 膜、１３
はＣｒ、１４はＡｕであり、パッド電極Ｃｒ／Ａｕ１５
を構成している。１６はボンディング（Ａｕ）ワイヤで
ある。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す弾
性表面波フィルタの断面図である。この図において、１
０はＬｉＴａＯ3 のウエハ（圧電基板）、１１はその圧
電基板１０上に形成されるすだれ状電極であるＡｌ−Ｃ
ｕ合金層、１２はその上に形成されるＳｉＯ2 膜、１３
はＣｒ、１４はＡｕであり、パッド電極Ｃｒ／Ａｕ１５
を構成している。１６はボンディング（Ａｕ）ワイヤで
ある。
【００１１】以下、本発明の弾性表面波フィルタの製造
方法について、図２を参照しながら説明する。まず、図
２（ａ）に示すように、ＬｉＴａＯ3 のウエハ（圧電基
板）１０上にすだれ状電極であるＡｌーＣｕ合金層１１
を約１０００Å蒸着し、リフトオフ工法を用いてパター
ンを形成する。
方法について、図２を参照しながら説明する。まず、図
２（ａ）に示すように、ＬｉＴａＯ3 のウエハ（圧電基
板）１０上にすだれ状電極であるＡｌーＣｕ合金層１１
を約１０００Å蒸着し、リフトオフ工法を用いてパター
ンを形成する。
【００１２】次に、図２（ｂ）に示すように、ＳｉＯ2
層１２を約５００Åスパッタし、リフトオフ工法を用い
てＳｉＯ2 層１２をパターンを形成する。因みに、ここ
で、径Ｓ1 を形成する。次いで、図２（ｃ）に示すよう
に、その上にＣｒ１３，Ａｕ１４を連続蒸着する。
層１２を約５００Åスパッタし、リフトオフ工法を用い
てＳｉＯ2 層１２をパターンを形成する。因みに、ここ
で、径Ｓ1 を形成する。次いで、図２（ｃ）に示すよう
に、その上にＣｒ１３，Ａｕ１４を連続蒸着する。
【００１３】次に、図２（ｄ）に示すように、リフトオ
フ工法でパターン形成し、パッド電極Ｃｒ／Ａｕ１５を
形成する。その後、Ａｕワイヤ１６を使ってＣｒ／Ａｕ
パッド電極１５上にワイヤボンディングを行い、図１に
示すような、弾性表面波フィルタを得ることができる。
ここで、ＳｉＯ2 層１２とＣｒ／Ａｕパッド電極１５の
オーバーラップ幅Ｓ2は５μｍとした。
フ工法でパターン形成し、パッド電極Ｃｒ／Ａｕ１５を
形成する。その後、Ａｕワイヤ１６を使ってＣｒ／Ａｕ
パッド電極１５上にワイヤボンディングを行い、図１に
示すような、弾性表面波フィルタを得ることができる。
ここで、ＳｉＯ2 層１２とＣｒ／Ａｕパッド電極１５の
オーバーラップ幅Ｓ2は５μｍとした。
【００１４】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００１５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、上記したように、圧電基板上にすだれ状電極を
形成し、その上に絶縁物によるパッシベーション膜を有
する弾性表面波フィルタにおいて、前記すだれ状電極の
ボンディング部に位置する前記パッシベーション膜の縁
部をパッド電極で挟むようにしてオーバーラップさせる
ようにしたので、パッド電極、特に、Ａｕ膜上にＳｉＯ
2 が密着不良となることがなくなり、すだれ状電極Ａｌ
へのＳｉＯ2 のパッシベーション膜の適用を可能にし、
弾性表面波フィルタの耐湿性を向上させることができ
る。
よれば、上記したように、圧電基板上にすだれ状電極を
形成し、その上に絶縁物によるパッシベーション膜を有
する弾性表面波フィルタにおいて、前記すだれ状電極の
ボンディング部に位置する前記パッシベーション膜の縁
部をパッド電極で挟むようにしてオーバーラップさせる
ようにしたので、パッド電極、特に、Ａｕ膜上にＳｉＯ
2 が密着不良となることがなくなり、すだれ状電極Ａｌ
へのＳｉＯ2 のパッシベーション膜の適用を可能にし、
弾性表面波フィルタの耐湿性を向上させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す弾性表面波フィルタのワ
イヤボンディング部の断面図である。
イヤボンディング部の断面図である。
【図２】本発明の実施例を示す弾性表面波フィルタの製
造工程断面図である。
造工程断面図である。
【図３】従来の弾性表面波フィルタの一部破断斜視図で
ある。
ある。
【図４】従来の弾性表面波フィルタのワイヤボンディン
グ部の断面図である。
グ部の断面図である。
１０ ＬｉＴａＯ3 のウエハ（圧電基板） １１ Ａｌ−Ｃｕ合金層（すだれ状電極） １２ ＳｉＯ2 膜 １３ Ｃｒ １４ Ａｕ １５ Ｃｒ／Ａｕパッド電極 １６ ボンディング（Ａｕ）ワイヤ
フロントページの続き (72)発明者 須摩 修治 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 江原 永典 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電基板上にすだれ状電極を形成し、そ
の上に絶縁物によるパッシベーション膜を有する弾性表
面波フィルタにおいて、 前記すだれ状電極のボンディング部に位置する前記パッ
シベーション膜の縁部をパッド電極で挟むようにしてオ
ーバーラップさせるようにしたことを特徴とする弾性表
面波フィルタ。 - 【請求項２】 請求項１記載の弾性表面波フィルタにお
いて、前記パッシベーション膜はＳｉＯ2 であり、前記
パッド電極はＣｒ／Ａｕからなる弾性表面波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30016691A JPH05275963A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 弾性表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30016691A JPH05275963A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 弾性表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275963A true JPH05275963A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=17881544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30016691A Withdrawn JPH05275963A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 弾性表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05275963A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001285013A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| US6650205B2 (en) * | 2001-03-29 | 2003-11-18 | Clarisay, Inc. | Wafer-scale package for surface acoustic wave circuit and method of manufacturing the same |
| WO2005008889A1 (en) * | 2003-07-21 | 2005-01-27 | Sangshin Elecom Co., Ltd. | Silicon film bulk acoustic wave device and process of the same |
| JP2009232138A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
| JP2011023930A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Panasonic Corp | 弾性波素子とこれを用いた電子機器 |
| US8022453B2 (en) * | 2005-12-29 | 2011-09-20 | Crosstek Capital, LLC | Image sensor and manufacturing method for same |
| US10763818B2 (en) | 2016-09-21 | 2020-09-01 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device |
| US10886889B2 (en) | 2017-11-13 | 2021-01-05 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and method of fabricating the same, filter and multiplexer |
-
1991
- 1991-11-15 JP JP30016691A patent/JPH05275963A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001285013A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| US6650205B2 (en) * | 2001-03-29 | 2003-11-18 | Clarisay, Inc. | Wafer-scale package for surface acoustic wave circuit and method of manufacturing the same |
| US6744336B1 (en) * | 2001-03-29 | 2004-06-01 | Clarisay, Incorporated | Wafer-scale package for surface acoustic wave circuit and method of manufacturing the same |
| WO2005008889A1 (en) * | 2003-07-21 | 2005-01-27 | Sangshin Elecom Co., Ltd. | Silicon film bulk acoustic wave device and process of the same |
| US8022453B2 (en) * | 2005-12-29 | 2011-09-20 | Crosstek Capital, LLC | Image sensor and manufacturing method for same |
| US8222069B2 (en) | 2005-12-29 | 2012-07-17 | Intellectual Ventures Ii Llc | Image sensor and manufacturing method for same |
| JP2009232138A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
| JP4521451B2 (ja) * | 2008-03-24 | 2010-08-11 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
| JP2011023930A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Panasonic Corp | 弾性波素子とこれを用いた電子機器 |
| US10763818B2 (en) | 2016-09-21 | 2020-09-01 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device |
| US10886889B2 (en) | 2017-11-13 | 2021-01-05 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and method of fabricating the same, filter and multiplexer |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |