JPS6090416A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
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- JPS6090416A JPS6090416A JP19849583A JP19849583A JPS6090416A JP S6090416 A JPS6090416 A JP S6090416A JP 19849583 A JP19849583 A JP 19849583A JP 19849583 A JP19849583 A JP 19849583A JP S6090416 A JPS6090416 A JP S6090416A
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- surface acoustic
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- insulating film
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、弾性表面波素子に関し、特に圧電体上を伝
播する表面波を利用し、種々の電気信号処理を行なうＩ
ｊｌｌｊ性表面波素子に関するものである。
播する表面波を利用し、種々の電気信号処理を行なうＩ
ｊｌｌｊ性表面波素子に関するものである。
通常、弾性表面波素子は、第１図に示すように、ＬｉＮ
ｂｏｓ（＝オブ酸リチウム）、ＬｉＴａｏｓ（タンタル
酸リチウム）、圧電セラミックス等の圧電体基板１上に
、入力電気イば号を弾性表面波４に変換する入力電極２
と、伝搬してきた弾性表面波を電気信号に変換し、取り
出す出力電極３から成る。
ｂｏｓ（＝オブ酸リチウム）、ＬｉＴａｏｓ（タンタル
酸リチウム）、圧電セラミックス等の圧電体基板１上に
、入力電気イば号を弾性表面波４に変換する入力電極２
と、伝搬してきた弾性表面波を電気信号に変換し、取り
出す出力電極３から成る。
通常、電極部はアルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）等の
金属を基板表面に被着し、これをフォトエツチング技術
を用いて所定形状の電極パターンを形成している。この
種の素子の封入又は封止は、金属ケースあるいは樹脂ケ
ースが使われてきた。
金属を基板表面に被着し、これをフォトエツチング技術
を用いて所定形状の電極パターンを形成している。この
種の素子の封入又は封止は、金属ケースあるいは樹脂ケ
ースが使われてきた。
金属ケースは気密性にすぐれているが、価格が高いとい
う欠点があり、一方樹脂ケースの場合は、シールドが不
十分なため、高周波帯域フィルタにおいては、通過帯域
外の減衰量が小さくなるなどの特性上の問題が発生して
いた。
う欠点があり、一方樹脂ケースの場合は、シールドが不
十分なため、高周波帯域フィルタにおいては、通過帯域
外の減衰量が小さくなるなどの特性上の問題が発生して
いた。
これ１でシールド状態を改善した弾性表面波素子として
第２図に示すような構造船提案されている。この場合、
入出力電極２，３上および両者間の表面波伝搬路上に、
空ＰｊＪ層を介して導電体Ｍ ５を設けている。
第２図に示すような構造船提案されている。この場合、
入出力電極２，３上および両者間の表面波伝搬路上に、
空ＰｊＪ層を介して導電体Ｍ ５を設けている。
かかる構成であれは、導電（＊層５がシールドの役目を
果すため、従来欠点であった高周波での特性もよくなシ
、通過帯域外の減衰量も改善さされる。
果すため、従来欠点であった高周波での特性もよくなシ
、通過帯域外の減衰量も改善さされる。
しかし、とのイ１゛ヴ成は入出力電極２．３と導電体層
５の間にを隙を設けなけれはならず、製作工程が複雑と
なり、さらに、組立や樹脂モールドの際の外部圧力によ
り、空隙が破壊され、電極２．３が破４員し７たり、４
電体層５と電極２，３とがショートする危険が大きい。
５の間にを隙を設けなけれはならず、製作工程が複雑と
なり、さらに、組立や樹脂モールドの際の外部圧力によ
り、空隙が破壊され、電極２．３が破４員し７たり、４
電体層５と電極２，３とがショートする危険が大きい。
寸だ、上記構造において、空＠側面には導電。
体層５が存在しないため、強度的にも弱くまたシールド
の役目も不十分である々どの欠点があった。
の役目も不十分である々どの欠点があった。
本発明は、上記欠点を除去したものであり、弾性表面波
素子３の電極ボンディング部を除く基板全面に、絶縁１
換を介し導電体層を設け、シールド状態の良好な弾性表
面波素子を提供することを目的としてｈる。
素子３の電極ボンディング部を除く基板全面に、絶縁１
換を介し導電体層を設け、シールド状態の良好な弾性表
面波素子を提供することを目的としてｈる。
以下、本発明の実施例ケ図に従って説明する。
第３図（ａｌ乃至（ｄｌ及び（ａｙ乃至（ｄ＋’は、本
発明の弾性表面波素子の製作工程を示す図である。ここ
で第３図（ａｌおよび（ａＹは、圧電体基板１上に、イ
ンターディジタル型の入出力１ｋＬ極２及び３を有する
弾性表面波素子の千ｍ１図および側面図である。
発明の弾性表面波素子の製作工程を示す図である。ここ
で第３図（ａｌおよび（ａＹは、圧電体基板１上に、イ
ンターディジタル型の入出力１ｋＬ極２及び３を有する
弾性表面波素子の千ｍ１図および側面図である。
まず、上記基板１上にポジ型レジスト６を塗布し、フォ
ト技術を用い人出電極２．３のボンディング部のみにレ
ジストが残るようにパターニングし、その上にＳ １０
ｔｈ Ａ ｈ Ｏｓ ’ＩＩＡなどの絶縁膜７を真空蒸
着法やスパッタリング法、あるい１ｄＣＶＤ法にヨッテ
形成すル（ｍ ３ 図（ｂｌ、 （ｂ）’）。さらに、
この上に導電体層５用の金ハ、たとえばアルミニウムを
真空蒸着法やスパッタリング法で被着する（＠３図（ｃ
）、 （ｃ）’ ）。 その後アセトンやトリクレンな
どのＭ機溶剤を用い、レジスト６を溶解除去し、素子は
完成する（第３ 図（ｄｌ、 （ｄｉ戸） 。
ト技術を用い人出電極２．３のボンディング部のみにレ
ジストが残るようにパターニングし、その上にＳ １０
ｔｈ Ａ ｈ Ｏｓ ’ＩＩＡなどの絶縁膜７を真空蒸
着法やスパッタリング法、あるい１ｄＣＶＤ法にヨッテ
形成すル（ｍ ３ 図（ｂｌ、 （ｂ）’）。さらに、
この上に導電体層５用の金ハ、たとえばアルミニウムを
真空蒸着法やスパッタリング法で被着する（＠３図（ｃ
）、 （ｃ）’ ）。 その後アセトンやトリクレンな
どのＭ機溶剤を用い、レジスト６を溶解除去し、素子は
完成する（第３ 図（ｄｌ、 （ｄｉ戸） 。
上記工程により、入出力電極のボンディング部を除く基
板全面を絶縁膜７と導電体層５で覆われた弾性表面波素
子が得られる。
板全面を絶縁膜７と導電体層５で覆われた弾性表面波素
子が得られる。
導電体層５は、電極ボンディング部を除く基板全面を俊
っており、しかも電極２と導電体層５の間は、絶縁膜７
で絶縁されている。
っており、しかも電極２と導電体層５の間は、絶縁膜７
で絶縁されている。
従って、構造的にも従来の空隙を有する弾性表面波素子
に比べ、強同でかつシールド効果は大幅に改善宴れたガ
（性表面波素子が得られる。
に比べ、強同でかつシールド効果は大幅に改善宴れたガ
（性表面波素子が得られる。
また、絶縁ｊＩ！；Ｌ、７および導電体Ｎ５を一つのレ
ジスト６を用い、形成するので製造工程は簡単である。
ジスト６を用い、形成するので製造工程は簡単である。
なお、組立の際は第４図（ａｌに示すように、各電極２
及び３をＡｌなどのワイヤーボンディング７で接続後、
導電体層５をワイヤー７でグランド電極に接続するか、
または第４図（ｂ）のように導電接着剤８によシ４筑体
層５を、素子を載置する金属ケース９に接続しておく。
及び３をＡｌなどのワイヤーボンディング７で接続後、
導電体層５をワイヤー７でグランド電極に接続するか、
または第４図（ｂ）のように導電接着剤８によシ４筑体
層５を、素子を載置する金属ケース９に接続しておく。
なお、上記実施Ｖ１］では、絶縁膜７として、５ｌＯ７
やＡｕｔｏｓを用いたものを示したが、電気的絶縁性に
すぐれ、０．５〜２μｍ程度に薄く均一に被着できる拐
料、たとえば、フォトレジストなどを絶ｋｊ１％７の代
わりに設けてもよい。
やＡｕｔｏｓを用いたものを示したが、電気的絶縁性に
すぐれ、０．５〜２μｍ程度に薄く均一に被着できる拐
料、たとえば、フォトレジストなどを絶ｋｊ１％７の代
わりに設けてもよい。
さらに、第５図に示すように入出力屯４＠ｚ。
３と、その間の伝播路のみに絶縁膜７および導電体層５
を設けても、シールド効果は変わらない。
を設けても、シールド効果は変わらない。
また、上記実施例の弾性表面波素子の基板裏面にも、導
電体層を被着し、表面の導電体層５と電気的に接続すれ
ば、更にシールドも完壁となり特性も改善芒れる。
電体層を被着し、表面の導電体層５と電気的に接続すれ
ば、更にシールドも完壁となり特性も改善芒れる。
以上のように、本発明の弾性表面波素子は、入出力電極
ボンディング部を除く圧電体基板全面に、リフトオフ法
等により絶縁膜と導電体層を構成したので、外部環境か
ら入出力ｔｉｔ極が保護され、しかも導電体層がシール
ドの役目を果すため、高周波での特性が著しく改善でき
る。
ボンディング部を除く圧電体基板全面に、リフトオフ法
等により絶縁膜と導電体層を構成したので、外部環境か
ら入出力ｔｉｔ極が保護され、しかも導電体層がシール
ドの役目を果すため、高周波での特性が著しく改善でき
る。
第１図は、従来の弾性表面波素子を示す図、第乏図ｉａ
）、 （ｂｌはそれぞれシールド用導電体層を有する従
来の弾性表面波素子を示す平面図とそのｔ’ｆｊｒ面図
、第３図（ａｔ、 （ｂｌ、 （ｃｌ、 （ｄｉけ本発
明による弾性表Ｆｂｒ波菓子の工程順の平面図、第３図
（ａＹ（ｂｌ’ 、 （ｃｌ’ 、 （ｄ） ’はその
断面図、第４図（ａｔ、 （ｂｌばそれぞれ本発明の組
立完成後の弾性表面波素子の実施例を示す断面図、・窮
５図は本発明の他の実施例を示す平面図である。 １・・・・・・圧軍体基板 ２・・・・・・入力電極 ３・・・・・・出力箱、極 ４・・・・・・弾性表面波 ５・・・・・・導電体層 ６・−・・・・レジスト ７・・・・・・絶縁膜 Ｉｆ￥許出願出願人パイオニア株式会社第１図 第２１ｍ （ａ）（ｂ） 第３図 陽 ［諭 （Ｃ） ’＜Ｃ’） 第４図 （ａ）、ｂ） 第５ ｐｌ 手 続 ネ１１ ｈＥ 泪（方 式） ％式％ ２、発明の名称 弾性表面波素子 ３、補正をする者 事１′１どの関係 １：ｌｆ泊出願人 〒１５３ 東京都目黒区目黒１丁目４番１号（５０１）
ノベーイＡ−ニア４・朱式会省Ｌ４、？ｇｌ正命令の日
イ」 １１ｉ（和５９年 １月１１［Ｉ 昭和５９年 １月３１８ 光ｊス ５゜補正の対象 図面の第３図を別紙のとおり補正ηる。 明 細 書（全文訂正） １、発明の名称 弾性表面波素子 ２、特許請求の範囲 圧電基板上に互因に対向して入力電極および出力電極を
形成し、これら入出力電極上を表面波が伝播する弾性表
面波素子にお−て、前記入出力電極上および表面波伝播
路上に絶縁膜を介し、導電体層を形成することを特徴と
する弾性表面波素子。 ３、発明の詳細な説明 この発明は、弾性表面波素子に関し、特に圧電体上を伝
播する表面波を利用し、種々の電気信号処理を行なう弾
性表面波素子に関するもである。 通常、弾性表面波素子は、第１図に示すように、Ｌ ｉ
Ｎ ｂｕｓ （ニオブ酸すチウＡ）％ＬｉＴａ０３（
タンタル酸リチウム）、圧電セラミックス等の圧電体基
板ｌ上に、入力電気信号を弾性表面波４に変換する入力
電極２と、伝搬してきた弾性表面波を電気信号に変換し
、取り出す出力電極３から成る。 通常、電極部はアルミニウム（Ａｌ）、１（Ａｌｌ）等
の金属を基板表面に被着し、これをフォトエツチング技
術を用Ａて所定形状の電極パターンを形成している、こ
の棟の素子の封入又は封止は、金属ケースあるｂは樹脂
ケースが使われてきた。 金属ケースは気密性にすぐれてしるが、価格が高いとｂ
う欠点があり、一方樹脂ケースの場合は、シールドが不
十分なため、−周波帯域フィルタにおいては、通過帯域
外の減衰量が小さくなるなどの特性上の問題が発生して
ｂた。 これまでシールド状態を改善した弾性表面波素子として
第２図に示すような構造が提案されて因る。この場合、
入出力電極２，３上および両者間の表面波伝搬路上に、
空隙層を介して導電体層５を設けている。 かかる栴成であれば、導一体層５がシールド。 の役目を果すため、従来欠点であった高周波での特性の
よくなり、通過帯域外の減衰量も改善される、 しかし、この構成は入出力電極２，３と導電体層５の間
に空隙を設けなければならず、製作工程が複雑となシ、
さらに、組立や樹脂モールドの際の外部圧力により、空
隙が破壊され、電極２，３が破損したシ、導電体層５と
電極２゜３とがショートする危険が大きい。 また、上記構造にお−て、空隙側面には導電体層５が存
在しないため、強度的にも弱くまたシールドの役目も不
十分であるなどの欠漬があった。 本発明は、上記欠点を除去したものであり、弾性表面波
素子３の電極ボンディング部を除く基板全面に、絶縁膜
を介し導電体層を設け、シールド状態の良好な弾性表面
波素子を提供することを目的としている。 以下、本発明の実施例を図に従って説明する。 第３図（＋Ｌ）乃至（ｄ）及び■乃至［Ｆ］は、本発明
の弾性表面波素子の製作工程を示す図である。ここンタ
ーディジタル型の人出カミ極２及び３を有する弾性表面
波素子の平面図および（ＩＩＩ面図である。 まず、上記基鈑ｌ上にポジ型レジスト６を塗布し、フォ
ト技術を用い人出電極２．３のボンディング部のみにレ
ジストが残るようにパターニングし、その上にＳ ｉ
０２ ｍ Ａ ＩｚＯｓ ｊＭｉｌなどの絶縁膜７を真
空蒸着法やスパッタリング法、あるいｒｊｃＶＤ法＋：
Ｊ：って形成スル（第３ 図（ｂ） 、 （Ｂ）。 さらに、この上に導′Ｉ体層５用の金属、たとえばアル
ミニウムを真空蒸着法やスパッタリング法で被着する（
第３図（ｃ）、（Ｃ））、その後アセトンやトリクレン
などの有機浴剤を用い、レジスト６を溶解除去し、素子
は構成−する（第３図（ｄ）、［Ｆ］））、。 上記工程ｇ二より、入出力電極のボンディング部を除く
基板全面を絶縁＃７と導電体層５で覆われた弾性表面波
素子が得られる。 導電体層５は、電極ボンディング部を除く基板全面を覆
っており、しかも電極２と導電体層５の間は、絶縁膜７
で絶縁されて因る、従って、構造的にも従来の空隙を有
する弾性表面波素子に比べ、強固でかつシールド効呆は
大幅に改善された弾性表面波素子が得られる、また、絶
縁膜７および導電体層５を一つのレジスト６を用ｂ１形
成するので製造工程は簡単である。 なお、組立の際は第４図（ａ）に示すように、各電極２
及び３をＡ７などのワイヤーボンディング７で接続後、
導電体層５をワイヤー７でグランド電極に接続するか、
または第４図（ｂ）のように導電接着剤８によシ導奮体
層５を、素子を載１ａする金属ケース９に接続しておく
、なお、上記実施例では、絶縁膜７としてｂｓ１０２や
ＡＩ、０３を用すたものを示したが、電気的絶縁性にす
ぐれ、０．５〜２μｍ程度に薄く均一に被着できる拐料
、たとえば、フォトレジストなどを絶縁膜７の代わシに
設けてもよ−７さらに、第５１に示すように入出力電極
２゜３と、その間の伝播路のみに絶縁膜７および導電体
層５を設けても、シールド効果は変わらな−。 また、上記実施例の弾性表面波素子の基板裏面にも、導
電体層を被着し、表面の導電体層５と電気的に接続すれ
ば、−更にシールドも完壁とな力特性も改善される。 以上のように、本発明の弾性表面波素子は、入出力電極
ホンディング部を除く圧電体基板全面に、リフトオフ法
等にょシ絶に膜と導電体層を構成したので、外部還境か
ら入出力電極が保護され、しかも導電体層がシールドの
役目を果すため、′筒周波での特性が著しく改善できる
。 ４、図面の簡単な説明 第１図は、従来の弾性表面波素子を示す図、第２図（ａ
） 、 （ｂ）けそれぞれシールド用導電体層を有する
従来の弾性表面波素子を示す平Ｉｆｉ１図とその断面図
、第３図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ） 、 （ｄ）
は本発明による弾性表面波素子の工程順の平面図、第３
図囚ω） 、 （Ｃ） 、（ハ）はその断面図、第４図
（ａ） 、 （ｂ）す、それぞれ本発明の組立完成後の
弾性表面波素子の実施例を示す断面図、第５図は本発明
の他の実施例を示す平面図である。 ｌ・・・・・・圧電体基板 ２・・・・・・入力電極 ３・・・・・・出力電極 ４・・・・・・弾性表面波 ５・・・・・・導電体層 ６・・・・・・レジスト ７・・・・・・絶縁膜 特許出願人 パイオニア株式会社 第 （ａ） （Ｃ） （ｄ） ３図 （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） （Ｄ） ２−二４門
）、 （ｂｌはそれぞれシールド用導電体層を有する従
来の弾性表面波素子を示す平面図とそのｔ’ｆｊｒ面図
、第３図（ａｔ、 （ｂｌ、 （ｃｌ、 （ｄｉけ本発
明による弾性表Ｆｂｒ波菓子の工程順の平面図、第３図
（ａＹ（ｂｌ’ 、 （ｃｌ’ 、 （ｄ） ’はその
断面図、第４図（ａｔ、 （ｂｌばそれぞれ本発明の組
立完成後の弾性表面波素子の実施例を示す断面図、・窮
５図は本発明の他の実施例を示す平面図である。 １・・・・・・圧軍体基板 ２・・・・・・入力電極 ３・・・・・・出力箱、極 ４・・・・・・弾性表面波 ５・・・・・・導電体層 ６・−・・・・レジスト ７・・・・・・絶縁膜 Ｉｆ￥許出願出願人パイオニア株式会社第１図 第２１ｍ （ａ）（ｂ） 第３図 陽 ［諭 （Ｃ） ’＜Ｃ’） 第４図 （ａ）、ｂ） 第５ ｐｌ 手 続 ネ１１ ｈＥ 泪（方 式） ％式％ ２、発明の名称 弾性表面波素子 ３、補正をする者 事１′１どの関係 １：ｌｆ泊出願人 〒１５３ 東京都目黒区目黒１丁目４番１号（５０１）
ノベーイＡ−ニア４・朱式会省Ｌ４、？ｇｌ正命令の日
イ」 １１ｉ（和５９年 １月１１［Ｉ 昭和５９年 １月３１８ 光ｊス ５゜補正の対象 図面の第３図を別紙のとおり補正ηる。 明 細 書（全文訂正） １、発明の名称 弾性表面波素子 ２、特許請求の範囲 圧電基板上に互因に対向して入力電極および出力電極を
形成し、これら入出力電極上を表面波が伝播する弾性表
面波素子にお−て、前記入出力電極上および表面波伝播
路上に絶縁膜を介し、導電体層を形成することを特徴と
する弾性表面波素子。 ３、発明の詳細な説明 この発明は、弾性表面波素子に関し、特に圧電体上を伝
播する表面波を利用し、種々の電気信号処理を行なう弾
性表面波素子に関するもである。 通常、弾性表面波素子は、第１図に示すように、Ｌ ｉ
Ｎ ｂｕｓ （ニオブ酸すチウＡ）％ＬｉＴａ０３（
タンタル酸リチウム）、圧電セラミックス等の圧電体基
板ｌ上に、入力電気信号を弾性表面波４に変換する入力
電極２と、伝搬してきた弾性表面波を電気信号に変換し
、取り出す出力電極３から成る。 通常、電極部はアルミニウム（Ａｌ）、１（Ａｌｌ）等
の金属を基板表面に被着し、これをフォトエツチング技
術を用Ａて所定形状の電極パターンを形成している、こ
の棟の素子の封入又は封止は、金属ケースあるｂは樹脂
ケースが使われてきた。 金属ケースは気密性にすぐれてしるが、価格が高いとｂ
う欠点があり、一方樹脂ケースの場合は、シールドが不
十分なため、−周波帯域フィルタにおいては、通過帯域
外の減衰量が小さくなるなどの特性上の問題が発生して
ｂた。 これまでシールド状態を改善した弾性表面波素子として
第２図に示すような構造が提案されて因る。この場合、
入出力電極２，３上および両者間の表面波伝搬路上に、
空隙層を介して導電体層５を設けている。 かかる栴成であれば、導一体層５がシールド。 の役目を果すため、従来欠点であった高周波での特性の
よくなり、通過帯域外の減衰量も改善される、 しかし、この構成は入出力電極２，３と導電体層５の間
に空隙を設けなければならず、製作工程が複雑となシ、
さらに、組立や樹脂モールドの際の外部圧力により、空
隙が破壊され、電極２，３が破損したシ、導電体層５と
電極２゜３とがショートする危険が大きい。 また、上記構造にお−て、空隙側面には導電体層５が存
在しないため、強度的にも弱くまたシールドの役目も不
十分であるなどの欠漬があった。 本発明は、上記欠点を除去したものであり、弾性表面波
素子３の電極ボンディング部を除く基板全面に、絶縁膜
を介し導電体層を設け、シールド状態の良好な弾性表面
波素子を提供することを目的としている。 以下、本発明の実施例を図に従って説明する。 第３図（＋Ｌ）乃至（ｄ）及び■乃至［Ｆ］は、本発明
の弾性表面波素子の製作工程を示す図である。ここンタ
ーディジタル型の人出カミ極２及び３を有する弾性表面
波素子の平面図および（ＩＩＩ面図である。 まず、上記基鈑ｌ上にポジ型レジスト６を塗布し、フォ
ト技術を用い人出電極２．３のボンディング部のみにレ
ジストが残るようにパターニングし、その上にＳ ｉ
０２ ｍ Ａ ＩｚＯｓ ｊＭｉｌなどの絶縁膜７を真
空蒸着法やスパッタリング法、あるいｒｊｃＶＤ法＋：
Ｊ：って形成スル（第３ 図（ｂ） 、 （Ｂ）。 さらに、この上に導′Ｉ体層５用の金属、たとえばアル
ミニウムを真空蒸着法やスパッタリング法で被着する（
第３図（ｃ）、（Ｃ））、その後アセトンやトリクレン
などの有機浴剤を用い、レジスト６を溶解除去し、素子
は構成−する（第３図（ｄ）、［Ｆ］））、。 上記工程ｇ二より、入出力電極のボンディング部を除く
基板全面を絶縁＃７と導電体層５で覆われた弾性表面波
素子が得られる。 導電体層５は、電極ボンディング部を除く基板全面を覆
っており、しかも電極２と導電体層５の間は、絶縁膜７
で絶縁されて因る、従って、構造的にも従来の空隙を有
する弾性表面波素子に比べ、強固でかつシールド効呆は
大幅に改善された弾性表面波素子が得られる、また、絶
縁膜７および導電体層５を一つのレジスト６を用ｂ１形
成するので製造工程は簡単である。 なお、組立の際は第４図（ａ）に示すように、各電極２
及び３をＡ７などのワイヤーボンディング７で接続後、
導電体層５をワイヤー７でグランド電極に接続するか、
または第４図（ｂ）のように導電接着剤８によシ導奮体
層５を、素子を載１ａする金属ケース９に接続しておく
、なお、上記実施例では、絶縁膜７としてｂｓ１０２や
ＡＩ、０３を用すたものを示したが、電気的絶縁性にす
ぐれ、０．５〜２μｍ程度に薄く均一に被着できる拐料
、たとえば、フォトレジストなどを絶縁膜７の代わシに
設けてもよ−７さらに、第５１に示すように入出力電極
２゜３と、その間の伝播路のみに絶縁膜７および導電体
層５を設けても、シールド効果は変わらな−。 また、上記実施例の弾性表面波素子の基板裏面にも、導
電体層を被着し、表面の導電体層５と電気的に接続すれ
ば、−更にシールドも完壁とな力特性も改善される。 以上のように、本発明の弾性表面波素子は、入出力電極
ホンディング部を除く圧電体基板全面に、リフトオフ法
等にょシ絶に膜と導電体層を構成したので、外部還境か
ら入出力電極が保護され、しかも導電体層がシールドの
役目を果すため、′筒周波での特性が著しく改善できる
。 ４、図面の簡単な説明 第１図は、従来の弾性表面波素子を示す図、第２図（ａ
） 、 （ｂ）けそれぞれシールド用導電体層を有する
従来の弾性表面波素子を示す平Ｉｆｉ１図とその断面図
、第３図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ） 、 （ｄ）
は本発明による弾性表面波素子の工程順の平面図、第３
図囚ω） 、 （Ｃ） 、（ハ）はその断面図、第４図
（ａ） 、 （ｂ）す、それぞれ本発明の組立完成後の
弾性表面波素子の実施例を示す断面図、第５図は本発明
の他の実施例を示す平面図である。 ｌ・・・・・・圧電体基板 ２・・・・・・入力電極 ３・・・・・・出力電極 ４・・・・・・弾性表面波 ５・・・・・・導電体層 ６・・・・・・レジスト ７・・・・・・絶縁膜 特許出願人 パイオニア株式会社 第 （ａ） （Ｃ） （ｄ） ３図 （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） （Ｄ） ２−二４門
Claims (1)
- 圧電基板上に互い一対向して入力電極および出力電極を
形成し、これら入出力電極間を表面波が伝播する弾性表
面波素子において、前記入出力電極上および表面波伝播
路上に絶縁膜を介し、導電体層を形成することを特徴と
する弾性表面波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19849583A JPS6090416A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19849583A JPS6090416A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 弾性表面波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6090416A true JPS6090416A (ja) | 1985-05-21 |
Family
ID=16392069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19849583A Pending JPS6090416A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 弾性表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6090416A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6347620U (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-31 | ||
| US4736128A (en) * | 1986-01-28 | 1988-04-05 | Alps Electric Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| JPH03219716A (ja) * | 1988-10-16 | 1991-09-27 | Kazuhiko Yamanouchi | 電極指間ギャップ微小な弾性表面波変換器の構造及びその製造方法 |
| US5446329A (en) * | 1992-09-14 | 1995-08-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave element |
| EP1152528A4 (en) * | 1999-02-08 | 2006-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ACOUSTIC SURFACE WAVE ASSEMBLY AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| WO2022107681A1 (ja) * | 2020-11-17 | 2022-05-27 | 株式会社村田製作所 | フィルタおよびマルチプレクサ |
-
1983
- 1983-10-24 JP JP19849583A patent/JPS6090416A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4736128A (en) * | 1986-01-28 | 1988-04-05 | Alps Electric Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| JPS6347620U (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-31 | ||
| JPH03219716A (ja) * | 1988-10-16 | 1991-09-27 | Kazuhiko Yamanouchi | 電極指間ギャップ微小な弾性表面波変換器の構造及びその製造方法 |
| US5446329A (en) * | 1992-09-14 | 1995-08-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave element |
| EP1152528A4 (en) * | 1999-02-08 | 2006-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ACOUSTIC SURFACE WAVE ASSEMBLY AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| WO2022107681A1 (ja) * | 2020-11-17 | 2022-05-27 | 株式会社村田製作所 | フィルタおよびマルチプレクサ |
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