JPH1174752A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH1174752A JPH1174752A JP23355497A JP23355497A JPH1174752A JP H1174752 A JPH1174752 A JP H1174752A JP 23355497 A JP23355497 A JP 23355497A JP 23355497 A JP23355497 A JP 23355497A JP H1174752 A JPH1174752 A JP H1174752A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】例えば帯域通過フィルタ用のＳＡＷ装置におい
て、通過帯域外減衰量、即ち信号のＳ／Ｎ比を大きくす
ると同時に、挿入損失を小さくする。 【解決手段】圧電基板２の主面に２対のＩＤＴ電極３ａ
とＩＤＴ電極３ｂを形成したＳＡＷ素子１を、パッケー
ジ１０内に収納して成るＳＡＷ装置Ｓであって、前記パ
ッケージ１０内のＩＤＴ電極３ａとＩＤＴ電極３ｂとの
対間に、多孔質金属から成る仕切り板７を設ける。
て、通過帯域外減衰量、即ち信号のＳ／Ｎ比を大きくす
ると同時に、挿入損失を小さくする。 【解決手段】圧電基板２の主面に２対のＩＤＴ電極３ａ
とＩＤＴ電極３ｂを形成したＳＡＷ素子１を、パッケー
ジ１０内に収納して成るＳＡＷ装置Ｓであって、前記パ
ッケージ１０内のＩＤＴ電極３ａとＩＤＴ電極３ｂとの
対間に、多孔質金属から成る仕切り板７を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等の移動
体通信機器などに内蔵される弾性表面波装置に関する。
体通信機器などに内蔵される弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の弾性表面波（Surface Acoustic W
ave で、以下、ＳＡＷと略す）素子Ｄの基本構成の平面
図を図３に示す。３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ
3 等の圧電結晶からなる圧電基板２１の一主面に、Ａｌ
等からなり一対の櫛歯状電極であるＩＤＴ（Inter Digi
tal Transducer）電極２３がフォトリソグラフィ法及び
蒸着法によって形成されて成る。ＩＤＴ電極２３のＳＡ
Ｗの伝搬路上の両端には、ＳＡＷを効率良く共振させる
ための反射器（図示せず）を設けたものもある。また、
ＩＤＴ電極２３の電極指の対数は実際には数１０〜数１
００対になるが、同図では模式的に描いてある。尚、２
４，２５は高周波信号の入力用の端子と出力用の端子で
ある。
ave で、以下、ＳＡＷと略す）素子Ｄの基本構成の平面
図を図３に示す。３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ
3 等の圧電結晶からなる圧電基板２１の一主面に、Ａｌ
等からなり一対の櫛歯状電極であるＩＤＴ（Inter Digi
tal Transducer）電極２３がフォトリソグラフィ法及び
蒸着法によって形成されて成る。ＩＤＴ電極２３のＳＡ
Ｗの伝搬路上の両端には、ＳＡＷを効率良く共振させる
ための反射器（図示せず）を設けたものもある。また、
ＩＤＴ電極２３の電極指の対数は実際には数１０〜数１
００対になるが、同図では模式的に描いてある。尚、２
４，２５は高周波信号の入力用の端子と出力用の端子で
ある。
【０００３】そして、前記ＩＤＴ電極２３を複数縦続接
続したり、ラダー型に接続することにより、帯域通過フ
ィルタ、帯域阻止フィルタ等の周波数フィルタ（以下、
フィルタという）を構成できる。また、このようなＳＡ
Ｗ素子Ｄをセラミック等からなる箱型のパッケージに内
蔵し、蓋を被せ密封してＳＡＷ装置として使用してい
る。
続したり、ラダー型に接続することにより、帯域通過フ
ィルタ、帯域阻止フィルタ等の周波数フィルタ（以下、
フィルタという）を構成できる。また、このようなＳＡ
Ｗ素子Ｄをセラミック等からなる箱型のパッケージに内
蔵し、蓋を被せ密封してＳＡＷ装置として使用してい
る。
【０００４】前記ＳＡＷ装置の従来例として、ＳＡＷ素
子のパターンが形成された圧電体基板を具備するステム
を、上方から覆うようにしたパッケージであって、この
パッケージの中に仕切り板を具備することにより、ＳＡ
Ｗ素子の電極とステムのリードピンとを接続するワイヤ
ーから発生した電波を仕切り板により受信し、信号のＳ
／Ｎ比を改善するものが提案されている（実開平４−１
２１１２２号公報参照）。
子のパターンが形成された圧電体基板を具備するステム
を、上方から覆うようにしたパッケージであって、この
パッケージの中に仕切り板を具備することにより、ＳＡ
Ｗ素子の電極とステムのリードピンとを接続するワイヤ
ーから発生した電波を仕切り板により受信し、信号のＳ
／Ｎ比を改善するものが提案されている（実開平４−１
２１１２２号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
帯域通過フィルタ用のＳＡＷ装置のフィルタ特性におけ
る通過帯域外減衰量は、縦続接続やラダー型接続の段数
を増やすことにより大きくすることができるが、段数が
増えるにつれ逆に挿入損失が増加するという問題点があ
った。
帯域通過フィルタ用のＳＡＷ装置のフィルタ特性におけ
る通過帯域外減衰量は、縦続接続やラダー型接続の段数
を増やすことにより大きくすることができるが、段数が
増えるにつれ逆に挿入損失が増加するという問題点があ
った。
【０００６】また、上記のパッケージの中に仕切り板を
有する従来例では、通過帯域外減衰量を実用に供し得る
程度（−６０ｄＢ）以下にすることが困難であった。
有する従来例では、通過帯域外減衰量を実用に供し得る
程度（−６０ｄＢ）以下にすることが困難であった。
【０００７】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、例えば帯域通過フィルタ
用のＳＡＷ装置において、挿入損失を増大させることな
く通過帯域外減衰量、即ち信号のＳ／Ｎ比を大きくする
ことにある。
れたものであり、その目的は、例えば帯域通過フィルタ
用のＳＡＷ装置において、挿入損失を増大させることな
く通過帯域外減衰量、即ち信号のＳ／Ｎ比を大きくする
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波装置
は、同一の圧電基板の主面に複数対の櫛歯状電極を形成
した弾性表面波素子をパッケージ内に収納して成る弾性
表面波装置であって、前記パッケージ内の前記複数対の
櫛歯状電極の対間に、多孔質金属から成る仕切り板が設
けられていることを特徴とし、櫛歯状電極や接続用のワ
イヤーで発生した高周波信号の電波を仕切り板で受信し
て電磁遮蔽することにより、信号のＳ／Ｎ比を大きくす
ることができる。また、Ｓ／Ｎ比を大きくするために櫛
歯状電極を多段接続する必要もないので、挿入損失も小
さくなる。
は、同一の圧電基板の主面に複数対の櫛歯状電極を形成
した弾性表面波素子をパッケージ内に収納して成る弾性
表面波装置であって、前記パッケージ内の前記複数対の
櫛歯状電極の対間に、多孔質金属から成る仕切り板が設
けられていることを特徴とし、櫛歯状電極や接続用のワ
イヤーで発生した高周波信号の電波を仕切り板で受信し
て電磁遮蔽することにより、信号のＳ／Ｎ比を大きくす
ることができる。また、Ｓ／Ｎ比を大きくするために櫛
歯状電極を多段接続する必要もないので、挿入損失も小
さくなる。
【０００９】好ましくは、前記パッケージの少なくとも
内壁表面を導電体で構成することにより、更にＳ／Ｎ比
を大きくすることができる。
内壁表面を導電体で構成することにより、更にＳ／Ｎ比
を大きくすることができる。
【００１０】また、多孔質金属の気孔率を３０％〜８０
％とするのが良く、多孔質金属の材質は黄銅，炭素鋼，
ステンレス鋼，鋳鉄等がよい。
％とするのが良く、多孔質金属の材質は黄銅，炭素鋼，
ステンレス鋼，鋳鉄等がよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明を図１により説明する。同
図は本発明のＳＡＷ装置Ｓを示したものであり、（ａ）
はＳＡＷ装置Ｓの蓋体を省略したものの斜視図、（ｂ）
は（ａ）の平面図、（ｃ）は蓋体を有するもので（ａ）
のＡ−Ａ線における断面図である。
図は本発明のＳＡＷ装置Ｓを示したものであり、（ａ）
はＳＡＷ装置Ｓの蓋体を省略したものの斜視図、（ｂ）
は（ａ）の平面図、（ｃ）は蓋体を有するもので（ａ）
のＡ−Ａ線における断面図である。
【００１２】同図において、１はＳＡＷ素子、２は３６
°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3等の圧電結晶からな
る圧電基板、３ａは一方のＳＡＷフィルタ（又はＳＡＷ
共振子）用のＩＤＴ電極、３ｂは他方のＳＡＷフィルタ
（又はＳＡＷ共振子）用のＩＤＴ電極、４ａはＩＤＴ電
極３ａの入力電極用のパッド、４ｂはＩＤＴ電極３ｂの
入力電極用のパッド、４ｃはＩＤＴ電極３ａの出力電極
用のパッド、４ｄはＩＤＴ電極３ｂの出力電極用のパッ
ド、５ａ〜５ｄはパッケージ１０の側壁１２上面に形成
されたパッドで、それぞれパッド４ａ〜４ｄにワイヤー
６で接続され、更に外部の駆動回路、接地回路等に接続
される。また、７はパッケージ１０内の２対のＩＤＴ電
極３ａとＩＤＴ電極３ｂとの対間に設置された仕切り
板、８は仕切り板７を嵌め込むための溝である。
°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3等の圧電結晶からな
る圧電基板、３ａは一方のＳＡＷフィルタ（又はＳＡＷ
共振子）用のＩＤＴ電極、３ｂは他方のＳＡＷフィルタ
（又はＳＡＷ共振子）用のＩＤＴ電極、４ａはＩＤＴ電
極３ａの入力電極用のパッド、４ｂはＩＤＴ電極３ｂの
入力電極用のパッド、４ｃはＩＤＴ電極３ａの出力電極
用のパッド、４ｄはＩＤＴ電極３ｂの出力電極用のパッ
ド、５ａ〜５ｄはパッケージ１０の側壁１２上面に形成
されたパッドで、それぞれパッド４ａ〜４ｄにワイヤー
６で接続され、更に外部の駆動回路、接地回路等に接続
される。また、７はパッケージ１０内の２対のＩＤＴ電
極３ａとＩＤＴ電極３ｂとの対間に設置された仕切り
板、８は仕切り板７を嵌め込むための溝である。
【００１３】また、パッケージ１０は積層セラミックパ
ッケージであり、２層のアルミナセラミックから成る。
１１は底板としての１層目の基板、１２は基板１１の周
縁上に積層された２層目の枠状の側壁部、１３は側壁部
１２の上面の全周に配置された熱硬化性樹脂、光（紫外
線等）硬化性樹脂又は接着剤等からなる封止材（シーム
リング）、１４はプラスチック、Ａｌ等の金属、セラミ
ック、ガラス等からなる蓋体、１５はワイヤーあるいは
印刷導体からなり仕切り板７を接地するアース線であ
る。このアース線１５は基板１１や側壁部１２にスルー
ホールを設け、それを通じて外部のアース線、接地回路
に接続するようにしてもよい。
ッケージであり、２層のアルミナセラミックから成る。
１１は底板としての１層目の基板、１２は基板１１の周
縁上に積層された２層目の枠状の側壁部、１３は側壁部
１２の上面の全周に配置された熱硬化性樹脂、光（紫外
線等）硬化性樹脂又は接着剤等からなる封止材（シーム
リング）、１４はプラスチック、Ａｌ等の金属、セラミ
ック、ガラス等からなる蓋体、１５はワイヤーあるいは
印刷導体からなり仕切り板７を接地するアース線であ
る。このアース線１５は基板１１や側壁部１２にスルー
ホールを設け、それを通じて外部のアース線、接地回路
に接続するようにしてもよい。
【００１４】本発明において、多孔質金属（合金も含
む）の気孔率は、気孔の占める体積でみた場合３０％〜
８０％が良く、３０％未満では気孔が少なすぎ多孔質と
はいえず、８０％超では気孔が多すぎて強度が低下し、
また電磁遮蔽の効果が弱くなる。
む）の気孔率は、気孔の占める体積でみた場合３０％〜
８０％が良く、３０％未満では気孔が少なすぎ多孔質と
はいえず、８０％超では気孔が多すぎて強度が低下し、
また電磁遮蔽の効果が弱くなる。
【００１５】また、多孔質金属の気孔の平均直径は１ｍ
ｍ以下とするのが好ましく、８００ＭＨｚ〜１００ＧＨ
ｚ程度の波長の電波を受信し遮蔽（シールド）するため
には、１／４波長接地アンテナと同様にみたてて、１ｍ
ｍ以下の平均直径があればよいことになり、またＳＡＷ
装置Ｓの形状が最大巾数ｍｍ〜数１０ｍｍの箱型である
ことからして、１ｍｍ以下であれば十分である。従っ
て、本発明は１０ＧＨｚ程度以上の周波数がより高いも
のに対して特に好適である。また、より好ましくは、気
孔の平均直径は１０μｍ〜１ｍｍが良く、１０μｍ未満
では電磁遮蔽効果の点からして、気孔がないのとほとん
ど変わらない。
ｍ以下とするのが好ましく、８００ＭＨｚ〜１００ＧＨ
ｚ程度の波長の電波を受信し遮蔽（シールド）するため
には、１／４波長接地アンテナと同様にみたてて、１ｍ
ｍ以下の平均直径があればよいことになり、またＳＡＷ
装置Ｓの形状が最大巾数ｍｍ〜数１０ｍｍの箱型である
ことからして、１ｍｍ以下であれば十分である。従っ
て、本発明は１０ＧＨｚ程度以上の周波数がより高いも
のに対して特に好適である。また、より好ましくは、気
孔の平均直径は１０μｍ〜１ｍｍが良く、１０μｍ未満
では電磁遮蔽効果の点からして、気孔がないのとほとん
ど変わらない。
【００１６】多孔質金属の材質は黄銅（６３％Ｃｕ−３
７％Ｚｎ），ステンレス鋼（７１％Ｆｅ−１９％Ｃｒ−
１０％Ｎｉ），炭素鋼（含０．４５％Ｃ），鋳鉄（含
３．６％Ｃ，２．２％Ｓｉ）等が好適であり、これらは
電波吸収性が高い。
７％Ｚｎ），ステンレス鋼（７１％Ｆｅ−１９％Ｃｒ−
１０％Ｎｉ），炭素鋼（含０．４５％Ｃ），鋳鉄（含
３．６％Ｃ，２．２％Ｓｉ）等が好適であり、これらは
電波吸収性が高い。
【００１７】更に、多孔質金属から成る仕切り板７の厚
さは０．７〜５ｍｍが好適であり、０．７ｍｍ未満で
は、電波の周波数が１００ＧＨｚで１／４波長が０．７
５ｍｍ程度となるので、０．７ｍｍより薄いと電波の受
信能力が低下する。５ｍｍより厚いと、ＳＡＷ装置Ｓの
最大巾より大きくなる場合があり、パッケージ１０内に
収納し難くなる。
さは０．７〜５ｍｍが好適であり、０．７ｍｍ未満で
は、電波の周波数が１００ＧＨｚで１／４波長が０．７
５ｍｍ程度となるので、０．７ｍｍより薄いと電波の受
信能力が低下する。５ｍｍより厚いと、ＳＡＷ装置Ｓの
最大巾より大きくなる場合があり、パッケージ１０内に
収納し難くなる。
【００１８】このような多孔質金属から成る仕切り板７
は、上記黄銅、ステンレス鋼等の粉体を板状の型枠内に
充填し、その粉体の融点より約３０％低い温度で焼結さ
せることにより作製することができる。例えば融点が１
０００℃であれば約７００℃で焼結させることになる。
また、上記気孔の平均直径は前記粉体の平均粒子径にほ
ぼ相当するが、粉体の平均粒子径を形成すべき気孔の平
均直径よりも若干（５％〜２０％程度）大きくすると、
焼結後に所望の気孔の平均直径とほぼ等しくなる。
は、上記黄銅、ステンレス鋼等の粉体を板状の型枠内に
充填し、その粉体の融点より約３０％低い温度で焼結さ
せることにより作製することができる。例えば融点が１
０００℃であれば約７００℃で焼結させることになる。
また、上記気孔の平均直径は前記粉体の平均粒子径にほ
ぼ相当するが、粉体の平均粒子径を形成すべき気孔の平
均直径よりも若干（５％〜２０％程度）大きくすると、
焼結後に所望の気孔の平均直径とほぼ等しくなる。
【００１９】また、仕切り板７は上記のように全体が多
孔質金属から成るもの以外に、Ａｌ，Ｃｕ，ＳＵＳ（ス
テンレス）等の導電性基板又はセラミック，プラスチッ
ク，ガラス等の絶縁性基板の表面に、多孔質金属層を形
成したものであっても良い。その場合、スパッタリング
法等の薄膜形成法による成膜、金属粒子を多量に含む樹
脂の塗布等の方法等により、多孔質金属層を形成するこ
ともできる。
孔質金属から成るもの以外に、Ａｌ，Ｃｕ，ＳＵＳ（ス
テンレス）等の導電性基板又はセラミック，プラスチッ
ク，ガラス等の絶縁性基板の表面に、多孔質金属層を形
成したものであっても良い。その場合、スパッタリング
法等の薄膜形成法による成膜、金属粒子を多量に含む樹
脂の塗布等の方法等により、多孔質金属層を形成するこ
ともできる。
【００２０】前記仕切り板７は、側壁１２の内壁に溝８
を形成しその溝８に嵌め込み、導電性接着剤で溝８に接
着しグランド配線と導通させて、パッケージ１０内に設
置する。しかしながら、溝８によらずに、仕切り板７の
長さを設置すべき側壁１２間の幅に等しくして接着剤で
直接設置する、仕切り板７を設置すべき側壁１２の内壁
に水平方向に突出した凸部を設けその凸部の上面側に仕
切り板７を載置固定する等の手段で設置してもよい。
を形成しその溝８に嵌め込み、導電性接着剤で溝８に接
着しグランド配線と導通させて、パッケージ１０内に設
置する。しかしながら、溝８によらずに、仕切り板７の
長さを設置すべき側壁１２間の幅に等しくして接着剤で
直接設置する、仕切り板７を設置すべき側壁１２の内壁
に水平方向に突出した凸部を設けその凸部の上面側に仕
切り板７を載置固定する等の手段で設置してもよい。
【００２１】前記パッケージ１０は、未焼成のセラミッ
クシートから成る基板１１及び側壁部１２に、所望の配
線やパッド用の導体を印刷し、基板１１及び側壁部１２
を貼り合わせた後一度に焼成する方法で作製できる。
クシートから成る基板１１及び側壁部１２に、所望の配
線やパッド用の導体を印刷し、基板１１及び側壁部１２
を貼り合わせた後一度に焼成する方法で作製できる。
【００２２】そして、ＳＡＷ装置Ｓ全体は以下のように
して作製する。基板１１及び側壁部１２から成り、一面
が開口したパッケージ１０内に圧電基板２を収容する。
このとき、圧電基板２をエポキシ樹脂系の接着剤，Ａｕ
−Ｓｎ系半田により基板１１上にダイボンディングし、
パッド４ａ〜４ｄとパッド５ａ〜５ｄをＡｕ，Ａｌ等か
ら成るワイヤーでボンディングし、仕切り板７を溝８に
嵌め込み導電性接着剤で接着する。その後、封止材１３
を側壁１２の上面全周にわたって形成し、蓋体１４を封
止材１３上に載置し接着固定することにより、密封して
作製が完了する。
して作製する。基板１１及び側壁部１２から成り、一面
が開口したパッケージ１０内に圧電基板２を収容する。
このとき、圧電基板２をエポキシ樹脂系の接着剤，Ａｕ
−Ｓｎ系半田により基板１１上にダイボンディングし、
パッド４ａ〜４ｄとパッド５ａ〜５ｄをＡｕ，Ａｌ等か
ら成るワイヤーでボンディングし、仕切り板７を溝８に
嵌め込み導電性接着剤で接着する。その後、封止材１３
を側壁１２の上面全周にわたって形成し、蓋体１４を封
止材１３上に載置し接着固定することにより、密封して
作製が完了する。
【００２３】このようなＳＡＷ装置Ｓ（例えば図１のＩ
ＤＴ電極３ｂ側）のフィルタ特性は図２のようになる。
点線は仕切り板７のない場合、一点鎖線はステンレス板
からなる仕切り板７の場合、実線は本発明を示し、信号
のＳ／Ｎ比を大きくできる。
ＤＴ電極３ｂ側）のフィルタ特性は図２のようになる。
点線は仕切り板７のない場合、一点鎖線はステンレス板
からなる仕切り板７の場合、実線は本発明を示し、信号
のＳ／Ｎ比を大きくできる。
【００２４】図１のＳＡＷ装置Ｓは、２種のＳＡＷフィ
ルタ（又はＳＡＷ共振子）用のＩＤＴ電極３ａ，３ｂを
設けた例であるが、本発明は入力用の複数の平行電極と
出力用の複数の平行電極とを設けたＳＡＷデュプレクサ
にも適用できる。また、ＳＡＷフィルタとして複数のＳ
ＡＷ共振子をラダー型に接続したものを用い、それを複
数種形成したＳＡＷ素子としてもよい。
ルタ（又はＳＡＷ共振子）用のＩＤＴ電極３ａ，３ｂを
設けた例であるが、本発明は入力用の複数の平行電極と
出力用の複数の平行電極とを設けたＳＡＷデュプレクサ
にも適用できる。また、ＳＡＷフィルタとして複数のＳ
ＡＷ共振子をラダー型に接続したものを用い、それを複
数種形成したＳＡＷ素子としてもよい。
【００２５】更に、ＩＤＴ電極を圧電基板２の表裏面に
形成したものとしてもよく、その場合新たな仕切り板７
を圧電基板２の裏面側にも設ける。
形成したものとしてもよく、その場合新たな仕切り板７
を圧電基板２の裏面側にも設ける。
【００２６】また、側壁１２の少なくとも内壁表面に、
導電体の層、例えば仕切り板７に用いた金属と同じもの
の層を形成し接地するのが良く、更に本発明の効果が向
上する。この場合、側壁１２を仕切り板７と同様に作製
して、全体が多孔質金属から成るようにしても良い。
導電体の層、例えば仕切り板７に用いた金属と同じもの
の層を形成し接地するのが良く、更に本発明の効果が向
上する。この場合、側壁１２を仕切り板７と同様に作製
して、全体が多孔質金属から成るようにしても良い。
【００２７】本発明において、ＩＤＴ電極３ａ，３ｂは
ＡｌあるいはＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｔｉ系
等）からなり、特にＡｌが励振効率が高く、材料コスト
が低いため好ましい。また、ＩＤＴ電極３ａ，３ｂは蒸
着法、スパッタリング法又はＣＶＤ法等の薄膜形成法に
より形成する。
ＡｌあるいはＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｔｉ系
等）からなり、特にＡｌが励振効率が高く、材料コスト
が低いため好ましい。また、ＩＤＴ電極３ａ，３ｂは蒸
着法、スパッタリング法又はＣＶＤ法等の薄膜形成法に
より形成する。
【００２８】そして、ＩＤＴ電極３ａ，３ｂの対数は５
０〜２００程度、電極指の幅は０．１〜１０．０μｍ程
度、電極指の間隔は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指
の開口幅（交差幅）は１０〜１００μｍ程度、ＩＤＴ電
極の厚みは０．２〜０．４μｍ程度とすることが、共振
器あるいはフィルタとしての所期の特性を得るうえで好
適である。また、ＩＤＴ電極３ａ，３ｂの電極指間に酸
化亜鉛，酸化アルミニウム等の圧電材料を成膜すれば、
ＳＡＷの共振効率が向上し好適である。
０〜２００程度、電極指の幅は０．１〜１０．０μｍ程
度、電極指の間隔は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指
の開口幅（交差幅）は１０〜１００μｍ程度、ＩＤＴ電
極の厚みは０．２〜０．４μｍ程度とすることが、共振
器あるいはフィルタとしての所期の特性を得るうえで好
適である。また、ＩＤＴ電極３ａ，３ｂの電極指間に酸
化亜鉛，酸化アルミニウム等の圧電材料を成膜すれば、
ＳＡＷの共振効率が向上し好適である。
【００２９】圧電基板２としては、３６°Ｙカット−Ｘ
伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶、６４°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬ
ｉＮｂＯ3 結晶、４５°Ｘカット−Ｚ伝搬のＬｉＢ4 Ｏ
7 結晶等が、電気機械結合係数が大きく且つ群遅延時間
温度係数が小さいため好ましい。圧電基板２の厚みは
０．３〜０．５ｍｍ程度がよく、０．３ｍｍ未満では圧
電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超では材料コストが大き
くなる。
伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶、６４°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬ
ｉＮｂＯ3 結晶、４５°Ｘカット−Ｚ伝搬のＬｉＢ4 Ｏ
7 結晶等が、電気機械結合係数が大きく且つ群遅延時間
温度係数が小さいため好ましい。圧電基板２の厚みは
０．３〜０．５ｍｍ程度がよく、０．３ｍｍ未満では圧
電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超では材料コストが大き
くなる。
【００３０】かくして、本発明は、ＩＤＴ電極や接続用
のワイヤーで発生した高周波信号の電波を仕切り板で受
信して電磁遮蔽することにより、信号のＳ／Ｎ比を大き
くすることができ、また、Ｓ／Ｎ比を大きくするために
ＩＤＴ電極を多段接続する必要もないので、挿入損失も
小さくなるという作用効果を有する。
のワイヤーで発生した高周波信号の電波を仕切り板で受
信して電磁遮蔽することにより、信号のＳ／Ｎ比を大き
くすることができ、また、Ｓ／Ｎ比を大きくするために
ＩＤＴ電極を多段接続する必要もないので、挿入損失も
小さくなるという作用効果を有する。
【００３１】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
【００３２】
【発明の効果】本発明は、パッケージ内のＩＤＴ電極間
に多孔質金属から成る仕切り板を設けることにより、Ｉ
ＤＴ電極や接続用のワイヤーで発生した高周波信号の電
波を仕切り板で受信して電磁遮蔽することにより、信号
のＳ／Ｎ比を大きくすることができ、また挿入損失も小
さくなるという優れた効果を有する。
に多孔質金属から成る仕切り板を設けることにより、Ｉ
ＤＴ電極や接続用のワイヤーで発生した高周波信号の電
波を仕切り板で受信して電磁遮蔽することにより、信号
のＳ／Ｎ比を大きくすることができ、また挿入損失も小
さくなるという優れた効果を有する。
【図１】本発明のＳＡＷ装置Ｓを示し、（ａ）はＳＡＷ
装置Ｓの蓋体を省略したものの斜視図、（ｂ）は（ａ）
の平面図、（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ線における蓋体を設
けたものの断面図である。
装置Ｓの蓋体を省略したものの斜視図、（ｂ）は（ａ）
の平面図、（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ線における蓋体を設
けたものの断面図である。
【図２】本発明のＳＡＷ装置Ｓと従来例とを比較するフ
ィルタ特性のグラフである。
ィルタ特性のグラフである。
【図３】従来のＳＡＷ素子Ｄの基本構成の平面図であ
る。
る。
１：ＳＡＷ素子 ２：圧電基板 ３ａ：ＩＤＴ電極 ３ｂ：ＩＤＴ電極 ４ａ〜４ｄ：パッド ５ａ〜５ｄ：パッド ６：ワイヤー ７：仕切り板 ８：溝 １０：パッケージ １１：基板 １２：側壁 １４：蓋体
Claims (2)
- 【請求項１】同一の圧電基板の主面に複数対の櫛歯状電
極を形成した弾性表面波素子をパッケージ内に収納して
成る弾性表面波装置であって、前記パッケージ内の前記
複数対の櫛歯状電極の対間に、多孔質金属から成る仕切
り板が設けられていることを特徴とする弾性表面波装
置。 - 【請求項２】前記パッケージの少なくとも内壁表面を導
電体で構成した請求項１記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23355497A JPH1174752A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23355497A JPH1174752A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174752A true JPH1174752A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=16956892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23355497A Pending JPH1174752A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1174752A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100737098B1 (ko) | 2006-03-16 | 2007-07-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 전자파 차폐장치 및 그 제조 공정 |
| US20150194948A1 (en) * | 2012-09-25 | 2015-07-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device and manufacturing method thereof |
-
1997
- 1997-08-29 JP JP23355497A patent/JPH1174752A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100737098B1 (ko) | 2006-03-16 | 2007-07-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 전자파 차폐장치 및 그 제조 공정 |
| US20150194948A1 (en) * | 2012-09-25 | 2015-07-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device and manufacturing method thereof |
| US9520859B2 (en) * | 2012-09-25 | 2016-12-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device including a conductive shield electrode and manufacturing method thereof |
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