JPH1197972A

JPH1197972A - 弾性表面波装置

Info

Publication number: JPH1197972A
Application number: JP25879097A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Shiraiwa; 義則白岩
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1997-09-24
Filing date: 1997-09-24
Publication date: 1999-04-09

Abstract

(57)【要約】【課題】例えば帯域通過フィルタ用のＳＡＷ装置におい
て、通過帯域外減衰量、即ち信号のＳ／Ｎ比を大きくす
ると同時に挿入損失を小さくする。【解決手段】同一の圧電基板２の主面に複数対のＩＤＴ
電極３ａ，３ｂを形成したＳＡＷ素子１をパッケージ１
０内に収納して成るＳＡＷ装置Ｓであって、パッケージ
１０内の複数対のＩＤＴ電極３ａ，３ｂの対間に、各々
のＩＤＴ電極３ａ，３ｂ側に突出した凸状部Ｋを有する
電波遮蔽体７が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等の移動
体通信機器などに内蔵される弾性表面波装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の弾性表面波（Surface Acoustic W
ave で、以下、ＳＡＷと略す）素子Ｄの基本構成の平面
図を図９に示す。３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ
₃等の圧電結晶からなる圧電基板２１の一主面に、Ａｌ
等からなり一対の櫛歯状電極であるＩＤＴ（Inter Digi
tal Transducer）電極２３がフォトリソグラフィ法及び
蒸着法によって形成されて成る。ＩＤＴ電極２３のＳＡ
Ｗの伝搬路上の両端には、ＳＡＷを効率良く共振させる
ための反射器（図示せず）を設けたものもある。また、
ＩＤＴ電極２３の電極指の対数は実際には数１０〜数１
００対になるが、同図では模式的に描いてある。尚、２
４，２５は高周波信号の入力用の端子と出力用の端子で
ある。

【０００３】そして、前記ＩＤＴ電極２３を複数縦続接
続したり、ラダー型に接続することにより、帯域通過フ
ィルタ、帯域阻止フィルタ等の周波数フィルタ（以下、
フィルタという）を構成できる。また、このようなＳＡ
Ｗ素子Ｄをセラミック等からなる箱型のパッケージに内
蔵し、蓋を被せ密封してＳＡＷ装置として使用してい
る。

【０００４】前記ＳＡＷ装置の従来例として、図８に示
すように、ＳＡＷ素子のパターンが形成された圧電体基
板を、上方から覆うようにしたパッケージであって、こ
のパッケージの中に仕切り板を具備することにより、Ｓ
ＡＷ素子の電極やワイヤーから発生した電波を仕切り板
により受信し、信号のＳ／Ｎ比を改善するものが提案さ
れている（実開平４−１２１１２２号公報参照）。

【０００５】同図において、ＳＡＷ素子１は、３６°Ｙ
カット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ₃等の圧電結晶からなる圧
電基板２の主面に、２対のＳＡＷフィルタ（又はＳＡＷ
共振子）用のＩＤＴ電極３ａ，３ｂが形成されて成り、
この圧電基板２をパッケージ１０内に収納すると共に、
前記圧電基板２上に設けられたＩＤＴ電極３ａの入力電
極用のパッド４ａ，ＩＤＴ電極３ｂの入力電極用のパッ
ド４ｂ，ＩＤＴ電極３ａの出力電極用のパッド４ｃ（図
示せず。パッド５ｃに対応），ＩＤＴ電極３ｂの出力電
極用のパッド４ｄ（図示せず。パッド５ｄに対応）と、
箱型のパッケージ１０の側壁上面に形成されたパッド５
ａ〜５ｄとを、それぞれワイヤー６で接続している。前
記パッド５ａ〜５ｄは更に外部の駆動回路、接地回路等
に接続される。

【０００６】また、パッケージ１０の上面には封止のた
めのセラミック等からなる蓋体１４を被せてあり、その
蓋体１４のパッケージ１０側の主面には、ＩＤＴ電極３
ａ，３ｂ間においてパッド４ａ〜４ｄやワイヤー６で発
生した電波を遮蔽（シールド）する仕切り板２０が設置
されている。そして、パッケージ１０の外部側壁に、導
体印刷、ワイヤー等からなるアース線１５が形成されて
おり、このアース線１５は仕切り板２０に接続されてい
る。この場合、仕切り板２０がセラミック，ガラス，プ
ラスチック等の絶縁性のものであればアース線１５は不
要であり、勿論Ａｌ，Ｃｕ等の導電体であればアース線
１５が必要となる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
帯域通過フィルタ用のＳＡＷ装置のフィルタ特性におけ
る通過帯域外減衰量は、縦続接続やラダー型接続の段数
を増やすことにより大きくすることができるが、段数が
増えるにつれ逆に挿入損失が増加するという問題点があ
った。

【０００８】また、上記のパッケージの中に仕切り板を
有する従来例では、通過帯域外減衰量を実用に供し得る
程度（−６０ｄＢ）以下にすることが困難であった。

【０００９】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、例えば帯域通過フィルタ
用のＳＡＷ装置において、挿入損失を増大させることな
く通過帯域外減衰量、即ち信号のＳ／Ｎ比を大きくする
ことにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波装置
は、同一の圧電基板の主面に複数対の櫛歯状電極を形成
した弾性表面波素子をパッケージ内に収納して成る弾性
表面波装置であって、前記パッケージ内の前記複数対の
櫛歯状電極の対間に、各々の櫛歯状電極側に突出した凸
状部を有する電波遮蔽体が設けられていることを特徴と
し、櫛歯状電極や接続用のワイヤーで発生した高周波信
号の電波を電波遮蔽体で受信して遮蔽することにより、
信号のＳ／Ｎ比を大きくすることができる。また、Ｓ／
Ｎ比を大きくするために櫛歯状電極を多段接続する必要
もないので、挿入損失も小さくなる。

【００１１】好ましくは、前記電波遮蔽体が、前記パッ
ケージを封止する蓋体に取り付けられ、このような構成
により、電波遮蔽体のパッケージ内への設置が容易とな
り、電波遮蔽体を蓋体ではなくパッケージに設置するこ
とによる圧電基板の損傷、圧電基板への接着剤の付着等
による特性劣化を防止できる。

【００１２】また、好ましくは、前記パッケージ内の前
記電波遮蔽体に対応した側壁部に、電波吸収層が形成さ
れ、これにより、更にＳ／Ｎ比を大きくすることができ
る。

【００１３】前記電波遮蔽体は多孔質金属又はフェライ
トからなるのが好ましく、多孔質金属の場合、その気孔
率は３０％〜８０％が良く、その材質は黄銅，炭素鋼，
ステンレス鋼，鋳鉄等がよい。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明を図１〜図７により説明す
る。図１は本発明のＳＡＷ装置Ｓを示したものであり、
（ａ）はＳＡＷ装置Ｓの蓋体１４を省略したものの斜視
図、（ｂ）は（ａ）の平面図、（ｃ）は蓋体１４を有す
るもので（ｂ）のＡ−Ａ線における断面図である。

【００１５】図２〜図５は本発明の他の実施形態であ
り、図２はＳＡＷ装置Ｓ1 の蓋体１４を省略したものの
斜視図、（ｂ）は（ａ）の平面図、（ｃ）は（ｂ）のＢ
部の部分拡大斜視図である。図３は電波遮蔽体７に対応
したパッケージ内の側壁部に電波吸収層１６を形成した
ものの平面図、図４は電波遮蔽体７に対応したパッケー
ジ内の側壁部に凹部１７を形成したものの平面図、図５
は電波遮蔽体７に対応したパッケージ内の側壁部に凹部
１７及び電波吸収層１６を形成したものの平面図であ
る。また、図６（ａ）〜（ｉ）は電波遮蔽体７の各種実
施形態の平面図、図７は本発明品のフィルタ特性のグラ
フである。

【００１６】図１において、１はＳＡＷ素子、２は３６
°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ₃等の圧電結晶からな
る圧電基板、３ａは一方のＳＡＷフィルタ（又はＳＡＷ
共振子）用の一対のＩＤＴ電極、３ｂは他方のＳＡＷフ
ィルタ（又はＳＡＷ共振子）用の一対のＩＤＴ電極、４
ａはＩＤＴ電極３ａの入力電極用のパッド、４ｂはＩＤ
Ｔ電極３ｂの入力電極用のパッド、４ｃはＩＤＴ電極３
ａの出力電極用のパッド、４ｄはＩＤＴ電極３ｂの出力
電極用のパッド、５ａ〜５ｄはパッケージ１０の側壁１
２上面に形成されたパッドで、それぞれパッド４ａ〜４
ｄにワイヤー６で接続され、更に外部の駆動回路、接地
回路等に接続される。また、７はパッケージ１０内の２
対のＩＤＴ電極３ａとＩＤＴ電極３ｂとの対間に設置さ
れた電波遮蔽体である。

【００１７】また、パッケージ１０は積層セラミックパ
ッケージであり、２層のアルミナセラミックから成る。
１１は底板としての１層目の基板、１２は基板１１の周
縁上に積層された２層目の枠状の側壁部、１３は側壁部
１２の上面の全周に配置された熱硬化性樹脂、光（紫外
線等）硬化性樹脂又は接着剤等からなる封止材（シーム
リング）、１４はプラスチック，Ａｌ等の金属，セラミ
ック，ガラス等からなる蓋体、１５はワイヤー，印刷導
体，メタライズ，導電性樹脂等からなり電波遮蔽体７を
接地するアース線である。このアース線１５は基板１１
や側壁部１２にスルーホールを設け、それを通じて外部
のアース線、接地回路に接続するようにしてもよい。ま
た、１５ａは電波遮蔽体７に設けられたアース線で、蓋
体１４に延在しており、蓋体１４をパッケージ１０に被
せると側壁部１２の上面のアース線１５に接するように
なっている。

【００１８】本発明の電波遮蔽体７は、同図（ｂ）に示
すように、各々のＩＤＴ電極３ａ，３ｂ側に突出した凸
状部Ｋを有する枠状又は中実のものであり、また電波遮
蔽体７は好ましくは多孔質金属又はフェライトから成
る。前記電波遮蔽体７は、ＩＤＴ電極３ａ，３ｂやワイ
ヤー６で発生した高周波信号の電波を受信（吸収）して
遮蔽すると共に、吸収しきれなった電波を前記凸状部Ｋ
の両側面で反射することにより、更にＳ／Ｎ比を向上し
得る。また、電波遮蔽体７は、換言すれば箱型又は柱状
のものであるが、側面が上方又は下方に傾斜した錐状の
ものであってもよい。

【００１９】本発明において、電波遮蔽体７が多孔質金
属（合金も含む）の場合、その気孔率は、気孔の占める
体積でみた場合３０％〜８０％が良く、３０％未満では
気孔が少なすぎ多孔質とはいえず、８０％超では気孔が
多すぎて強度が低下し、また電磁遮蔽の効果が弱くな
る。

【００２０】また、多孔質金属の気孔の平均直径は１ｍ
ｍ以下とするのが好ましく、８００ＭＨｚ〜１００ＧＨ
ｚ程度の波長の電波を受信し遮蔽（シールド）するため
には、１／４波長接地アンテナと同様にみたてて、１ｍ
ｍ以下の平均直径があればよいことになり、またＳＡＷ
装置Ｓの形状が最大巾数ｍｍ〜数１０ｍｍの箱型である
ことからして、１ｍｍ以下とするのが良い。より好まし
くは、気孔の平均直径は１０μｍ〜１ｍｍが良く、１０
μｍ未満では電磁遮蔽効果の点からして、気孔がないの
とほとんど変わらない。また、本発明は１０ＧＨｚ程度
以上の周波数がより高いものに対して特に好適である。

【００２１】多孔質金属の材質は、黄銅（６３％Ｃｕ−
３７％Ｚｎ），ステンレス鋼（７１％Ｆｅ−１９％Ｃｒ
−１０％Ｎｉ），炭素鋼（含０．４５％Ｃ），鋳鉄（含
３．６％Ｃ，２．２％Ｓｉ）等が好適であり、これらは
電波吸収性が高い。また、電波遮蔽体７はフェライト
｛亜鉄酸塩：ＭＯ・Ｆｅ₂Ｏ₃（Ｍ＝Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｃｄ）｝であっても良
く、更には、フェライトからなる多孔質体でも良い。

【００２２】更に、電波遮蔽体７の壁の厚さは０．７〜
５ｍｍが好適であり、０．７ｍｍ未満では、電波の周波
数が１００ＧＨｚで１／４波長が０．７５ｍｍ程度とな
るので、０．７ｍｍより薄いと電波の受信能力が低下す
る。５ｍｍより厚いと、ＳＡＷ装置Ｓの最大巾より大き
くなる場合があり、パッケージ１０内に収納し難くな
る。より好ましは、０．７〜２ｍｍである。

【００２３】このような電波遮蔽体７は、上記黄銅等の
粉体を板状の型枠内に充填し、その粉体の融点より約３
０％低い温度で焼結させることにより作製することがで
きる。例えば融点が１０００℃であれば約７００℃で焼
結させることになる。また、上記気孔の平均直径は前記
粉体の平均粒子径にほぼ相当するが、粉体の平均粒子径
を形成すべき気孔の平均直径よりも若干（５％〜２０％
程度）大きくすると、焼結後に所望の気孔の平均直径と
ほぼ等しくなる。

【００２４】また、電波遮蔽体７は上記のように全体が
多孔質金属から成るもの以外に、Ａｌ，Ｃｕ，ＳＵＳ
（ステンレス）等の導電性基板又はセラミック，プラス
チック，ガラス等の絶縁性基板の表面に、多孔質金属層
を形成したものであっても良い。その場合、スパッタリ
ング法等の薄膜形成法による成膜、金属粒子を含む樹脂
の塗布等の方法により、多孔質金属層を形成することも
できる。

【００２５】前記電波遮蔽体７は、蓋体１４のパッケー
ジ１０内面側の主面に接着するのが好適であり、電波遮
蔽体７のパッケージ１０内への設置が容易となる。即
ち、電波遮蔽体７をパッケージ１０内へ設置してから蓋
体１４を被せる場合は、圧電基板２の損傷、圧電基板２
への接着剤の付着等によるＳＡＷ特性劣化が生じ易いの
に比べ、本発明では上記問題点の発生を防止できる。

【００２６】前記パッケージ１０は、未焼成のセラミッ
クシートから成る基板１１及び側壁部１２に、所望の配
線やパッド用の導体を印刷し、基板１１及び側壁部１２
を貼り合わせた後一度に焼成する方法で作製できる。

【００２７】そして、ＳＡＷ装置Ｓ全体は以下のように
して作製する。基板１１及び側壁部１２から成り、一面
が開口したパッケージ１０内に圧電基板２を収容する。
このとき、圧電基板２をエポキシ樹脂系の接着剤，Ａｕ
−Ｓｎ系半田により基板１１上にダイボンディングし、
パッド４ａ〜４ｄとパッド５ａ〜５ｄをＡｕ，Ａｌ等か
ら成るワイヤーでボンディングする。その後、封止材１
３を側壁１２の上面全周にわたって形成し、蓋体１４を
封止材１３上に載置し接着固定することにより、密封し
て作製が完了する。

【００２８】そして、図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の他
の実施形態であり、電波遮蔽体７を蓋体１４ではなくパ
ッケージ１０側に取り付ける構成のＳＡＷ装置Ｓ1 であ
る。（ｃ）は（ｂ）のＢ部（パッケージ１０の取り付け
部）を拡大した斜視図であり、パッケージ１０の側壁１
２に、ＳＡＷ特性に影響を及ぼさないように圧電基板２
の主面に達しない溝８を設け、電波遮蔽体７の取り付け
部（パッケージ１０側の凸状部）を前記溝８に上方から
嵌入し接着する。この溝８は、（ｃ）のように、前記凸
状部に倣った形状（Ｖ溝）であれば電波遮蔽体７が安定
的に固定できる。また、側壁１２の前記凸状部に対応す
る部分にはアース線１５が、メタライズ、印刷導体、ワ
イヤー等によって設けられてあり、溝８にまで延在させ
て電波遮蔽体７に導通するようになっている。このと
き、前記凸状部の接着は、導電性接着剤、半田等の導電
性を有するもので行う。

【００２９】同図において、溝８の形状は必ずしもＶ溝
でなくとも良く、電波遮蔽体７の取り付け部（凸状部）
に倣った形状が好ましいが、その他断面が凹型、Ｕ型の
ものでも構わない。また、溝８の代わりに、側壁１２の
内壁側に水平方向に突出した凸部を設け、その凸部の上
面に電波遮蔽体７の凸状部を載置固定する構成としても
良い。

【００３０】図３〜図５は本発明のパッケージ１０の他
の実施形態を示し、図３は電波遮蔽体７に対応したパッ
ケージ内の側壁部に電波吸収層１６を形成したものであ
り、この電波吸収層１６は電波遮蔽体７によって吸収さ
れずに反射された電波が当たる部分の側壁部に形成す
る。電波吸収層１６の材質としては、電波遮蔽体７と同
様の電波吸収性が高いフェライトや金属材料が良く、蒸
着法やスパッタリング法等の薄膜形成法、あるいは樹脂
中に前記金属材料の微粒子を混入させたものを塗布する
方法等により形成する。勿論、電波吸収層１６は図示し
ないアース線により接地されている。この場合、側壁１
２を電波遮蔽体７と同様の材料で作製して、全体が多孔
質金属から成るようにしても良い。

【００３１】図４は電波遮蔽体７に対応したパッケージ
１０内の側壁部に凹部１７を形成したものであり、前記
凹部１７によってＩＤＴ電極３ａ，３ｂ側への電波の再
反射を抑えることができる。また、点線で示すように、
凹部１７をパッケージ１０の中心部に向かってその厚み
方向において深くなるよう傾斜させることが好ましく、
更にＩＤＴ電極３ａ，３ｂ側への再反射の抑制に効果が
ある。

【００３２】図５は電波遮蔽体７に対応したパッケージ
内の側壁部に凹部１７及び電波吸収層１６を形成したも
のであり、凹部１７によってＩＤＴ電極３ａ，３ｂ側へ
の電波の再反射を抑えると共に、電波吸収層１６で電波
を吸収するので、更にＳ／Ｎ比が向上する。また、凹部
１７の形状を図３の点線の構成と同様にしても構わな
い。

【００３３】また、図６（ａ）〜（ｉ）は電波遮蔽体７
の各種実施形態であり、（ａ）は平面形状が正方形や長
方形等の方形状のもの、（ｂ）は側面が曲線的な凹面と
されたもの、（ｃ）は側面が曲線的な凸面とされたも
の、（ｄ）はＩＤＴ電極側の凸状部を急角度にしたも
の、（ｅ）は前記凸状部を（ｄ）よりも更に急角度にし
た星型のものである。

【００３４】（ｆ）は、（ａ）において中実のものとし
た場合であり、プレス成形法、押し出し成形法、射出成
形法等によって作製する。この（ｆ）の構成は、（ｂ）
〜（ｅ）の場合にも適用できる。（ｇ）は、（ｆ）にお
いて、電波が当たる側面に微細な凹凸、波型の凹凸、鋸
型の凹凸等を形成して電波の散乱及び吸収効果を高めた
例であり、勿論（ａ）〜（ｅ）にも適用可能である。前
記凹凸の平均表面粗さは、電波の波長の１／４波長以下
が電波を受信吸収するうえで好適であり、具体的には１
ｍｍ以下、より好ましくは１０μｍ〜１ｍｍがよく、１
０μｍ以下では凹凸がないのと殆ど変わらない。

【００３５】更に、（ｈ）は楕円型のものであり、短軸
方向の曲線部がＩＤＴ電極側の凸状部とされたタイプ
で、（ｉ）も楕円型のもので、長軸方向の曲線部がＩＤ
Ｔ電極側の凸状部とされたタイプであり、これらにおい
ても、（ｆ）のように中実としたり、（ｇ）のように表
面に微細な凹凸等を形成してもよい。

【００３６】このようなＳＡＷ装置Ｓ（例えば図１のＩ
ＤＴ電極３ｂ側）の帯域通過フィルタとしてのフィルタ
特性は図６のようになる。点線は電波遮蔽体７のない場
合、一点鎖線は図８のようなステンレス板からなる仕切
り板の場合、実線は本発明を示し、信号のＳ／Ｎ比を大
きくできる。

【００３７】図１のＳＡＷ装置Ｓは、２種のＳＡＷフィ
ルタ（又はＳＡＷ共振子）用のＩＤＴ電極３ａ，３ｂを
設けた例であるが、本発明は入力用の複数の平行電極と
出力用の複数の平行電極とを設けたＳＡＷデュプレクサ
にも適用できる。また、ＳＡＷフィルタとして複数のＳ
ＡＷ共振子をラダー型に接続したものを用い、それを複
数種形成したＳＡＷ素子としてもよい。

【００３８】更に、ＩＤＴ電極を圧電基板２の表裏面に
形成したものとしてもよく、その場合新たな電波遮蔽体
７を圧電基板２の裏面側にも設ける。

【００３９】本発明において、ＩＤＴ電極３ａ，３ｂは
ＡｌあるいはＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｔｉ系
等）からなり、特にＡｌが励振効率が高く、材料コスト
が低いため好ましい。また、ＩＤＴ電極３ａ，３ｂは蒸
着法、スパッタリング法又はＣＶＤ法等の薄膜形成法に
より形成する。

【００４０】そして、ＩＤＴ電極３ａ，３ｂの対数は５
０〜２００程度、電極指の幅は０．１〜１０．０μｍ程
度、電極指の間隔は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指
の開口幅（交差幅）は１０〜１００μｍ程度、ＩＤＴ電
極の厚みは０．２〜０．４μｍ程度とすることが、共振
器あるいはフィルタとしての所期の特性を得るうえで好
適である。また、ＩＤＴ電極３ａ，３ｂの電極指間に酸
化亜鉛，酸化アルミニウム等の圧電材料を成膜すれば、
ＳＡＷの共振効率が向上し好適である。

【００４１】圧電基板２としては、３６°Ｙカット−Ｘ
伝搬のＬｉＴａＯ₃結晶、６４°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬ
ｉＮｂＯ₃結晶、４５°Ｘカット−Ｚ伝搬のＬｉＢ₄Ｏ
₇結晶等が、電気機械結合係数が大きく且つ群遅延時間
温度係数が小さいため好ましい。圧電基板２の厚みは
０．３〜０．５ｍｍ程度がよく、０．３ｍｍ未満では圧
電基板２が脆くなり、０．５ｍｍ超では材料コストが大
きくなる。

【００４２】かくして、本発明は、ＩＤＴ電極３ａ，３
ｂや接続用のワイヤー６で発生した高周波信号の電波を
電波遮蔽体７で受信して電磁遮蔽すると共に、吸収でき
なかった電波を電波遮蔽体７の側面でパッケージ内の側
壁に向かって反射することにより、信号のＳ／Ｎ比を大
きくすることができ、また、従来のようにＳ／Ｎ比を大
きくするためにＩＤＴ電極３ａ，３ｂを多段接続する必
要もないので、挿入損失も小さくなるという作用効果を
有する。

【００４３】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。

【００４４】

【発明の効果】本発明は、パッケージ内の複数対のＩＤ
Ｔ電極の対間に、各々のＩＤＴ電極側に突出した凸状部
を有する電波遮蔽体を設け、その電波遮蔽体を多孔質金
属で形成することにより、ＩＤＴ電極や接続用のワイヤ
ーで発生した高周波信号の電波を箱型の電波遮蔽体で受
信して遮蔽すると共に、吸収できなかった電波を電波遮
蔽体の側面でパッケージ内の側壁に向かって反射するこ
とにより、信号のＳ／Ｎ比を大きくすることができ、ま
た挿入損失も小さくなるという優れた効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＳＡＷ装置Ｓを示し、（ａ）はＳＡＷ
装置Ｓの蓋体を省略したものの斜視図、（ｂ）は（ａ）
の平面図、（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線における蓋体を設
けたものの断面図である。

【図２】本発明のＳＡＷ装置Ｓ1 を示し、（ａ）は蓋体
を省略したものの斜視図、（ｂ）は（ａ）の平面図、
（ｃ）は（ｂ）のＢ部の部分拡大斜視図である。

【図３】本発明の他の実施形態であり、電波遮蔽体に対
応したパッケージ内の側壁部に電波吸収層を形成したも
のの平面図である。

【図４】本発明の他の実施形態であり、電波遮蔽体に対
応したパッケージ内の側壁部に凹部を形成したものの平
面図である。

【図５】本発明の他の実施形態であり、電波遮蔽体に対
応したパッケージ内の側壁部に凹部及び電波吸収層を形
成したものの平面図である。

【図６】本発明の電波遮蔽体の各種実施形態であり、
（ａ）は平面形状が方形状のものの平面図、（ｂ）は側
面が曲線的な凹面とされたものの平面図、（ｃ）は側面
が曲線的な凸面とされたものの平面図、（ｄ）はＩＤＴ
電極側の凸状部を急角度にしたものの平面図、（ｅ）は
凸状部を（ｄ）よりも更に急角度にした星型のものの平
面図、（ｆ）は（ａ）において中実のものとした場合の
平面図、（ｇ）は（ｆ）において電波が当たる側面に微
細な凹凸を設けた場合の平面図、（ｈ）は楕円型のもの
で短軸方向の曲線部を凸状部とした場合の平面図、
（ｉ）は楕円型のもので長軸方向の曲線部を凸状部とし
た場合の平面図である。

【図７】本発明のＳＡＷ装置Ｓと従来例とを比較するフ
ィルタ特性のグラフである。

【図８】従来のＳＡＷ装置の蓋体を省略したものの斜視
図である。

【図９】従来のＳＡＷ素子Ｄの基本構成の平面図であ
る。

【符号の説明】

１：ＳＡＷ素子２：圧電基板３ａ：ＩＤＴ電極３ｂ：ＩＤＴ電極４ａ〜４ｄ：パッド５ａ〜５ｄ：パッド６：ワイヤー７：電波遮蔽体１０：パッケージ１１：基板１２：側壁１４：蓋体１５：アース線１５ａ：アース線１６：電波吸収層１７：凹部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】同一の圧電基板の主面に複数対の櫛歯状電
極を形成した弾性表面波素子をパッケージ内に収納して
成る弾性表面波装置であって、前記パッケージ内の前記
複数対の櫛歯状電極の対間に、各々の櫛歯状電極側に突
出した凸状部を有する電波遮蔽体が設けられていること
を特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】前記電波遮蔽体が、前記パッケージを封止
する蓋体に取り付けられている請求項１記載の弾性表面
波装置。
【請求項３】前記パッケージ内の前記電波遮蔽体に対応
した側壁部に、電波吸収層が形成されている請求項１又
は２記載の弾性表面波装置。