JP2000236230A

JP2000236230A - 弾性表面波フィルタ

Info

Publication number: JP2000236230A
Application number: JP11034562A
Authority: JP
Inventors: Eizo Otsuka; 英三大塚; Yuji Mizutani; 祐司水谷
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1999-02-12
Filing date: 1999-02-12
Publication date: 2000-08-29

Abstract

(57)【要約】【課題】２つのＳＡＷ素子の一方主面を互いに対峙させ
て配置しても、各々のＳＡＷ素子のＩＤＴ間の干渉を防
止できるＳＡＷフィルタを提供する。【解決手段】圧電基板１０、２０の主面に櫛歯状電極１
２、２３を形成した２つのＳＡＷ素子を、その一方主面
同士が、接地用のシールド板３を介して対峙して構成さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波（Surf
ace Acoustic Wave ）フィルタ（以下、ＳＡＷフィルタ
という）に関し、特に、圧電基板上に櫛歯状電極指が互
いに噛み合ってなるインターディジタルトランスデュー
サ（以下、「ＩＤＴ」という）を具備したＳＡＷフィル
タに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から携帯電話、テレビ、ビデオ等に
用いられるＳＡＷフィルタは、圧電基板の一方主面に、
すだれ状の反射器電極、弾性表面波を発振、励振、受振
する入出力用ＩＤＴ及びすだれ状の反射器電極が弾性表
面波の伝搬方向に沿って配置されていた。このようなＳ
ＡＷフィルタを、同一の圧電基板上に２つ形成し（以
下、２つのＳＡＷフィルタの各々をＳＡＷ素子とい
う）、互いに接続（直列接続又は並列接続）させること
によって、全体のフィルタ特性を、ＳＡＷ素子のフィル
タ特性に対して広域化したり、損失を改善したりした多
段結合型ＳＡＷフィルタが提案されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の多段結合型ＳＡ
Ｗフィルタは、圧電基板の同一面に２つのＳＡＷ素子を
形成したものであるため、構造的には圧電基板の形状が
大型化してしまう。また、２つのＳＡＷ素子には弾性表
面波の伝搬方向と直交する方向で横結合してしまい、そ
の結果、フィルタ特性中に不要なスプリアスが発生して
しまう。

【０００４】このような問題点を解決するために、各々
のＳＡＷ素子を異なる圧電基板に形成し、２つのＳＡＷ
素子を、その一方主面同士が所定間隔をおいて対峙する
ように配置した多段結合型ＳＡＷフィルタが提案されて
いる（特開平８−２８８７８６号）。

【０００５】この構造の多段結合型ＳＡＷフィルタによ
れば、２つのＳＡＷ素子が所定間隔をおいて重畳配置さ
れているため、プリント配線基板に実装するに必要な実
装占有面積を減少させることができ、また、異なる圧電
基板にＳＡＷ素子を形成しているため、ＳＡＷ素子間の
横結合がなくなる。

【０００６】しかし、上述の多段結合型ＳＡＷフィルタ
は、互いに対峙しあう２つのＳＡＷ素子のＩＤＴ間に電
磁界による結合（干渉）が生じ、これにより通過帯域外
におけるフィールドスルーレベルが劣化してしまうとい
う問題がある。

【０００７】これは、近年の電子部品の小型化に対応す
べく、互いに対峙しあう２つのＳＡＷ素子の間隔を狭く
することにより、そのフィールドスルーレベルの劣化が
顕著に現れる。尚、特開平８−２８８７８６号のように
２つのＳＡＷ素子の各種電極を形成した一方主面同士を
互いに対峙させて配置するのは、各ＳＡＷ素子の電気的
な接続を容易にするためである。

【０００８】本発明は上述の課題に鑑みて案出されたも
のであり、その目的は、２つのＳＡＷ素子の一方主面を
互いに対峙させて配置しても、各々のＳＡＷ素子のＩＤ
Ｔ間の干渉を防止できるＳＡＷフィルタを提供すること
にある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明のＳＡＷフィルタは、２つのＳＡＷ素子を、
その各櫛歯状電極が形成された主面同士を、接地用のシ
ールド板を介して対峙させて配置する。

【００１０】本発明によれば、互いに対峙する２つのＳ
ＡＷ素子の間に、接地電位（または基準電位）となるシ
ールド板が介在されているので、２つのＳＡＷ素子のＩ
ＤＴ間の電磁的相互干渉が抑制できる。

【００１１】しかも、一方のＳＡＷ素子とシールド板と
の間隔を極小化することができるため、従来の２つのＳ
ＡＷ素子を重畳した構造のＳＡＷフィルタに比較して、
さらに低背化ができ、小型化が達成できる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明のＳＡＷフィルタを
図面に基づいて説明する。図１は本発明のＳＡＷフィル
タの外観斜視図であり、図２は図１中Ａ−Ａ線断面図で
あり、図３は、本発明のＳＡＷフィルタを構成する第１
のＳＡＷ素子の平面図、図４は第２のＳＡＷ素子の平面
図である。

【００１３】図において、１はＳＡＷフィルタであり、
１０は第１のＳＡＷ素子（以下、単にＳＡＷ素子１０と
いう）であり、２０は第２のＳＡＷ素子（以下、単にＳ
ＡＷ素子２０という）であり、３は接地用のシールド板
である。

【００１４】本発明のＳＡＷフィルタ１は、図１、図２
に示すように、２つのＳＡＷ素子１０、２０が、その一
方主面側が互いに対峙し、且つシールド板３を介在して
配置されている。

【００１５】また、ＳＡＷ素子１０は、図３に示すよう
に、矩形状の圧電基板１１の一方主面に、すだれ状の反
射器電極１４、入力用ＩＤＴ１２、出力用ＩＤＴ１３及
びすだれ状の反射器電極１５が、弾性表面波の伝搬方向
に沿って配列されている。即ち、ＳＡＷ素子１０は縦結
合型ＳＡＷフィルタとなっている。

【００１６】入力用ＩＤＴ１２は、互いに噛み合う一対
の櫛歯状電極指１２ａ、１２ｂからなり、例えば、一方
の櫛歯状電極指１２ａは外部回路の接地電位と接続する
電極パッド１２０ａを備え、他方の櫛歯状電極指１２ｂ
は外部回路と接続し、入力信号端子となる電極パッド１
２０ｂを備えている。

【００１７】また、出力用ＩＤＴ１３は、互いに噛み合
う一対の櫛歯状電極指１３ａ、１３ｂからなり、各々の
櫛歯状電極指１３ａ、１３ｂは、他方のＳＡＷフィルタ
２０の入力用ＩＤＴ２２の電極パッド２２０ａ、２２０
ｂと接続するための電極パッド１３０ａ、１３０ｂを備
えている。尚、図において、例えば、電極パッド１３０
ｂ（櫛歯状電極指１３ｂ）は接地電位となっている。

【００１８】さらに、ＳＡＷ素子１０の圧電基板１１に
は、外部回路と接続し且つＳＡＷフィルタ１全体の出力
信号が導出される矩形状の電極パッド１６、１７が形成
されている。

【００１９】ＳＡＷ素子２０は、図４に示すように、矩
形状の圧電基板２１の一方主面に、すだれ状の反射器電
極２４、一対の櫛歯状電極指２２ａ、２２ｂから成る入
力用ＩＤＴ２２、一対の櫛歯状電極指２３ａ、２３ｂか
ら成る出力用ＩＤＴ２３及びすだれ状の反射器電極２５
が弾性表面波の伝搬方向に沿って配列されている。

【００２０】そして、入力用ＩＤＴ２２の一対の櫛歯状
電極指２２ａ、２２ｂは、一方のＳＡＷフィルタ１０の
出力用ＩＤＴ１３の電極パッド１３０ａ、１３０ｂに接
続する電極パッド２２０ａ、２２０ｂを備えている。
尚、図において、例えば、電極パッド２２０ｂ（櫛歯状
電極指２２ｂ）は接地電位となっている。

【００２１】さらに出力用ＩＤＴ２３の一対の櫛歯状電
極指２３ａ、２３ｂは、ＳＡＷフィルタ１全体の出力信
号を導出すべく、圧電基板１１の電極パッド１６、１７
と接続する電極パッド２３０ａ、２３０ｂを備えてい
る。尚、図において、例えば、電極パッド２３０ａ（櫛
歯状電極指２３ａ）は接地電位となっている。

【００２２】上述の圧電基板１１、２１は、所定カット
角、所定伝搬方向となるように切断処理された水晶、ニ
オブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、四ほう酸リチウ
ム、さらに、所定伝搬方向となるように分極処理された
ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）、ＰＺ（ジルコン酸
鉛）等から成る。

【００２３】圧電基板２１は、圧電基板１１に比較し
て、長手及び短手方向がともに一回り小さな形状となっ
ており、ＳＡＷフィルタ１０上にＳＡＷフィルタ２０を
配置した時、図３に示す点線のように、少なくとも圧電
基板１１上に形成した電極パッド１２０ａ、１２０ｂ、
１６、１７の一部が圧電基板２１の外周位置から露出す
るようになっている。

【００２４】また、ＳＡＷ素子１０、２０の各櫛歯状電
極指、電極パッドを含む入力用ＩＤＴ１２、２２、出力
用ＩＤＴ１３、２３、反射器電極１４、１５、２４、２
５及び電極パッド１６、１７は、例えばアルミニウム薄
膜などからなり、その厚みは０．１〜１μｍで所定パタ
ーンに被着形成されている。また、各一対の櫛歯状電極
指１２ａ、１２ｂ、２３ａ、２３ｂの電極指幅及び間隔
は、例えば弾性表面波の波長λに対して１／４λとなっ
ている。

【００２５】さらに、ＳＡＷ素子１０の各電極パッド１
６、１７、１３０ａ、１３０ｂ上にはバンプ１８ａ・・
・を形成し、また、ＳＡＷ素子２０の電極パッド２２０
ａ、２２０ｂ、２３０ａ、２３０ｂ上にバンプ１８ｂ・
・・を形成する。尚、これら電極パッド１３０ａ上に形
成されたバンプ１８ａと電極パッド２２０ａ上に形成さ
れたバンプ１８ｂとを、電極パッド１３０ｂのバンプ１
８ａと電極パッド２２０ａのバンプ１８ｂとを、電極パ
ッド１６のバンプ１８ａと電極パッド２３０ａのバンプ
１８ｂとを、電極パッド１７のバンプ１８ａと電極パッ
ド２３０ｂのバンプ１８ｂとを、後述のシールド板３を
回避するようにして互いに当接しあうように構成する。

【００２６】このバンプ１８ａ、１８ｂは、Ａｕバンプ
が例示でき、Ａｕワイヤの先端に溶融ボールを形成し、
且つ、各電極パッド１６、１７、１３０ａ、１３０ｂ、
２２０ａ、２２０ｂ、２３０ａ、２３０ｂに被着し、そ
の後、ワイヤーを所定移動させて溶融ボールの上端で切
断することにより形成される。

【００２７】２つのＳＡＷ素子１０、２０との間に配置
されるシールド板３は、少なくともとＳＡＷ素子１０、
２０の入出力用ＩＤＴ１２、１３、２２、２３を上部に
架設され得る形状となっている。このシールド板３は、
図５、図６に示すように例えば厚み０．１〜０．５ｍｍ
のエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などの樹脂フィルム３
１の主面に、銅、アルミニウムなどの金属導体層３２を
被着形成して構成されている。尚、金属導体層３２の形
状は、メッシュ状又はフィルム３１の略全面を被着形成
される。また、２つのＳＡＷ素子１０、２０間で磁界の
影響による干渉を防ぐために樹脂フィルム３１上に磁性
体膜を形成し、その上面に金属導体層３２を形成しても
よい。また、シールド板３は鉄板、ステンレスなどの金
属板単体で形成してもよい。

【００２８】また、シールド板３は、ＳＡＷ素子１０、
２０の各バンプ１８ａ、１８ｂが互いに当接し得るよう
にバンプ形成位置に対応して、複数の案内用スルーホー
ル３３が形成されている。尚、シールド板３は、接地電
位以外のバンプ１８ａ、１８ｂが金属導体層３２と短絡
しないように、そのスルーホール３３の開口周囲に絶縁
処理が施されている。例えば、図６に示すように、スル
ーホール３３の内壁面及び開口周囲表面に金属導体層３
４が形成され、さらに、金属導体層３４の外周にフィル
ム３１の素体露出部３５が形成されている。尚、スルー
ホール３３の開口形状は、一辺または直径が１００〜３
００μｍの矩形状又は概略円形状であり、素体露出部３
５の露出幅は、１００μｍ以上が好ましい。尚、本発明
の実施形態ではシールド板３にスルーホール３３を形成
したが、これに限定されずシールド板３に切り欠き部を
形成してもよい。

【００２９】上述の構造のＳＡＷ素子１０、２０、シー
ルド板３の電気的接続及び機械的接合構造は、ＳＡＷ素
子１０の一方主面とＳＡＷ素子２０の一方主面を対峙さ
せるようにして、シールド板３をＳＡＷ素子１０とＳＡ
Ｗ素子２０とで狭持して達成される。具体的には２つの
ＳＡＷ素子１０、２０のバンプ１８ａ、１８ｂをシール
ド板３のスルーホール３３を介して互いに当接させ、シ
ールド板３における各バンプ１８ａ、１８ｂの当接位置
で超音波融着により接合させる。これにより、スルーホ
ール３３の内壁面及び開口周囲表面の金属導体層３４に
同時に被着され、結果として、シールド板３は、２つの
ＳＡＷ素子１０、２０のバンプ１８ａ、１８ｂに挟持し
て固定され、また、電気的に接続される。

【００３０】シールド板３の金属導体層３２と接続電位
との電気的な接続は、２つのＳＡＷ素子１０、２０の電
気的な接続を必要としてないＳＡＷ素子１０の入力用Ｉ
ＤＴ１２の接地側電位の電極パッド、例えば電極パッド
１２０ａを利用して行なわれ、この電極パッド１２０ａ
上にバンプ（不図示）を形成しておき、このバンプの先
端とシールド板３の金属導体層３２とが当接する位置３
６（図５に記載）で超音波融着により接続される。

【００３１】このようなＳＡＷフィルタ１は、ＳＡＷ素
子１０の入力用ＩＤＴ１２に入力された信号が、出力用
ＩＤＴ１３に伝搬され、さらにＳＡＷ素子２０の入力用
ＩＤＴ２２に接続され、さらに出力用ＩＤＴ２３に伝搬
される。そして、その間で２つのＳＡＷ素子１０、２０
の直列的な接続によって規定される所定フィルタ特性に
応じた信号が抽出できる。この信号は、ＳＡＷ素子２０
の出力用ＩＤＴ２３の電極パッド２３０ａ、２３０ｂと
接続する電極パッド１６、１７から導出されることにな
る。

【００３２】このようなＳＡＷフィルタ１は、以下のよ
うにして形成される。なお、圧電基板１１、２１に水晶
板を用いた例で説明する。

【００３３】先ず、水晶板を所定結晶軸、伝搬方向を考
慮して所定厚みにスライスし、その後、両面に鏡面加工
を施してウエハを形成する。

【００３４】このウエハ上に複数のＳＡＷ素子１０を形
成する。例えば、各素子領域に、入力用ＩＤＴ１２、出
力用ＩＤＴ１３、反射器電極１４、１５及び各電極パッ
ド１６、１７、１２０ａ、１２０ｂ、１３０ａ、１３０
ｂを形成する。具体的には、薄膜技法によりアルミニウ
ム薄膜を被着形成し、その後所定パターンに応じてレジ
ストを被着形成し、露光・現像により入出力用ＩＤＴ１
２、１３、反射器電極１４、１５、各電極パッド１６、
１７、１２０ａ、１２０ｂ、１３０ａ、１３０ｂのパタ
ーンニングを行ない、残存するレジスト膜を除去して洗
浄を行なう。

【００３５】そして、電極パッド１６、１７、１３０
ａ、１３０ｂ上にＡｕなどのバンプ１８ａを、ワイヤー
ボンディング及び切断により形成する。

【００３６】その後、ウエハをダイシングにより各素子
領域に切断することにより、バンプ１８ａを有するＳＡ
Ｗ素子１０を形成する。

【００３７】また、同様にバンプ１８ｂを有するＳＡＷ
素子２０についても形成する。尚、ＳＡＷ素子１０、２
０は、圧電基板１１、２１の基板形状が相違することか
ら異なるウエハを用いているが、ウェハの違いによる特
性変動を防止するために、同一ウェハでＳＡＷ素子１
０、２０を形成しても構わない。また、上述のバンプ１
８ａ、１８ｂは、ウエハを切断する前に形成している
が、ウエハを切断した後に各電極パッド１６、１７、１
３０ａ、１３０ｂ、２２０ａ、２２０ｂ、２３０ａ、２
３０ｂ上に形成してもよい。

【００３８】次に、ＳＡＷ素子１０、２０をシールド板
３を介して組み立てる。まず、シールド板３を、ＳＡＷ
素子１０の電極パッド１３０ａ、１３０ｂ、１６、１７
に形成したバンプ１８ａを、シールド板３のスルーホー
ル３３に挿入させてＳＡＷ素子１０上に載置する。

【００３９】次に、ＳＡＷ素子２０を、ＳＡＷ素子２０
の電極パッド２２０ａ、２２０ｂ、２３０ａ、２３０ｂ
に形成したバンプ１８ｂがスルーホール３３から露出し
たＳＡＷ素子１０のバンプ１８ａに当接するように載置
する。

【００４０】そして、ＳＡＷ素子１０及び／又はＳＡＷ
素子２０に超音波を印加し、２つのＳＡＷ素子１０、２
０の互いに接合しあうバンプ１８ａ、１８ｂを融着す
る。

【００４１】次に、２つのＳＡＷ素子１０、２０の機械
的な接合の安定化のために、図３に示す圧電基板１１の
２点鎖線部分に、絶縁性樹脂接着剤２２を供給・硬化す
る。これにより、２つのＳＡＷ素子１０、２０の接合部
分に絶縁性樹脂接着剤２２が周設されるため、２つのＳ
ＡＷ素子１０、２０が非常に強固に接合されることにな
る。尚、この絶縁性樹脂接着剤２２は例えばエポキシ樹
脂、アクリル樹脂などからなり、加熱や紫外線照射によ
って硬化処理が行なわれる。以上の各工程によって、Ｓ
ＡＷ素子１０、２０が、その一方主面同士がシールド板
３を介して対峙するように配置されたＳＡＷフィルタ１
が形成される。

【００４２】本発明によれば、ＳＡＷ素子１０が形成さ
れた圧電基板１１とＳＡＷ素子２０に形成された圧電基
板２１とが別個の基板であるため、例えば、ＳＡＷ素子
１０の動作中に、圧電基板１１の弾性表面波の伝搬方向
と直交する不要な横結合波が発生しても、ＳＡＷ素子２
０の圧電基板２１に伝搬することがない。また、ＳＡＷ
素子１０の入出力用ＩＤＴ１２、１３と、ＳＡＷ素子２
０の入出力用ＩＤＴ２２、２３とが対峙しあう間にシー
ルド板３が介在するため、その間に発生する電磁界によ
る干渉が一切ない。また、２つのＳＡＷ素子１０、２０
が圧電基板１１、１２の厚み方向にシールド板３及び所
定間隔を介して重畳されているため、ＳＡＷフィルタ１
の実装面積が、実質的に１つのＳＡＷ素子１０だけの面
積で済み、さらに、シールド板３と、ＳＡＷ素子１０、
２０との間隔を極小化することで、さらにＳＡＷフィル
タ１の低背化が可能である。シールド板３とＳＡＷ素子
１０、２０との間隔については、実質的に、電極パッド
１６、１７、１３０ａ、１３０ｂ、２２０ａ、２２０
ｂ、２３０ａ、２３０ｂに形成したバンプ１８ａ、１８
ｂの高さによって制御することができる。その高さ（各
バンプ１８ａ又は１８ｂの個々の高さ）は、１０〜５０
μｍが好ましい。５０μｍ超えると、ＳＡＷフィルタ１
の低背化が困難である。また、当接しあうバンプ１８
ａ、１８ｂの超音波融着時に安定した接合ができない。
また、１０μｍ未満では、接合しあうバンプ１８ａ、１
８ｂの超音波融着時にシールド板３とＳＡＷ素子１０又
は２０のＩＤＴ１２、１３、２２、２３に接触してしま
う可能性があり、フィルタ特性が導出できなくなる。

【００４３】プリント配線基板に上述のＳＡＷフィルタ
１０を実装するには、図７に示すような容器体４が用い
られる。容器体４は、複数のセラミック層４２、４３、
４４が積層されてなる下部基板４１と、平板状蓋体４５
とから構成されている。具体的には、セラミック層４
３、４４は、ＳＡＷフィルタ１を収容し得るキャビティ
ー部４６を形成されるように略リング状となっている。
また、セラミック層４３、４４は開口形状が相違し、セ
ラミック層４３の開口面積をセラミック層４４よりも小
さく形成している。これにより、セラミック層４３の開
口周囲の一部が段差部４３ａとして露出形成されてい
る。そして、この段差部４３ａ上には入出力用電極や接
地電位電極の導体膜４３ｂが被着形成されている。そし
て、キャビティー部４６の底面にはＳＡＷフィルタ１が
接着固定され、ＳＡＷ素子１０の圧電基板１１上に形成
された電極パッド１６、１７、１２０ａ（不図示）、１
２０ｂ（不図示）と導体膜４３ｂとがボンディングワイ
ヤＷによって接続されている。尚、導体膜４３ｂは、セ
ラミック層４２、４３を貫通するビアホール導体４７に
よって容器体４の底面に導出され、外部端子電極４８に
接続されている。なお、平板状蓋体４５をセラミックで
構成した例を示したがこれに限定されず、例えば４２ア
ロイ、リン青銅などの金属板を用いてもよい。これによ
り外部からの磁界を遮断することができる。

【００４４】また、上述の実施例では、２つのＳＡＷ素
子１０、２０が直列的に接続されたＳＡＷフィルタで説
明したが、例えば信号の挿入損失を低減するために、Ｓ
ＡＷ素子１０の入力用ＩＤＴ１２とＳＡＷ素子２０の入
力用ＩＤＴ２２とを、ＳＡＷ素子１０の出力用ＩＤＴ１
３とＳＡＷ素子２０の出力用ＩＤＴ２３とを互いに接続
した並列接続型ＳＡＷフィルタであっても構わない。こ
の場合、図３において、ＳＡＷ素子１０の電極パッド１
６、１７は不要となり、また、図４において、ＳＡＷ素
子２０の弾性表面波の伝搬方向及び電極パッドの形成位
置を、ＳＡＷ素子１０に対応するようにすればよい。

【００４５】

【発明の効果】本発明の構成によれば、２つの弾性表面
波素子の各櫛歯状電極が形成された主面同士を、シール
ド板を介して対峙しているので、各櫛歯状電極の相互干
渉が無く、ＳＡＷ素子の動作が非常に安定し、設計通り
の帯域特性が極めて容易に達成できる。

【００４６】また、各ＳＡＷ素子が形成された圧電基板
が別個の基板であるため、例えば、一方のＳＡＷ素子が
動作中に弾性表面波の伝搬方向と直交する不要な横結合
波が発生しても、他方のＳＡＷ素子の圧電基板に伝搬す
ることがない。

【００４７】さらに、圧電基板を厚み方向に積層させる
ため、ＳＡＷフィルタの実装面積が実質的に１つのＳＡ
Ｗ素子分の面積で済み、ＳＡＷフィルタの小型化が達成
できる。

【００４８】また、シールド板が介在されているので、
このシールド板と各ＳＡＷ素子との間隔を極小化するこ
とができ、これによりＳＡＷフィルタの低背化が可能と
なり一層の小型化が実現する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＳＡＷフィルタの斜視図である。

【図２】本発明のＳＡＷフィルタのＡ−Ａ線断面図であ
る。

【図３】本発明のＳＡＷフィルタを構成する第１のＳＡ
Ｗ素子の平面図である。

【図４】本発明のＳＡＷフィルタを構成する第２のＳＡ
Ｗ素子の平面図である。

【図５】本発明のＳＡＷフィルタに用いるシールド板を
示す平面図である。

【図６】図５のシールド板におけるスルーホール部分の
拡大断面図である。

【図７】本発明のＳＡＷフィルタを容器体に収容した状
態の断面図である。

【符号の説明】

１：ＳＡＷフィルタ１０：第１のＳＡＷ素子２０：第２のＳＡＷ素子１１、２１：圧電基板１２、２２：入力用ＩＤＴ１３、２３：出力用ＩＤＴ１４、１５、２４、２５：反射器電極１２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂ、２２ａ、２２ｂ、２
３ａ、２３ｂ：櫛歯状電極指１８ａ、１８ｂ：バンプ３：シールド板３２：金属導体層３３：スルーホール３４：金属導体層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】２つの弾性表面波素子の各櫛歯状電極が
形成された主面同士を、接地用のシールド板を介して対
峙してなる弾性表面波フィルタ。