JP2007027211A - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 中空領域の気密性の高い電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂層１２によって中空領域１７を封止する。樹脂層１２は紫外線硬化特性及び熱硬化特性を有している。このため、ベース基板１１を実装基板１４上に装着する前に樹脂層１２を紫外線効果によって部分硬化させておき、ベース基板１１を実装基板１４上に配置した後熱硬化させることが可能になる。これによって、ベース基板１１の実装基板１４配置前の取扱いが容易になり、不用な樹脂の付着を防止することができる。また、一度紫外線硬化させた後さらに熱硬化させるので、樹脂層１２における欠陥穴の発生を低減することができ、樹脂層１２の気密性が向上する。
【選択図】図３

Description

本発明は、ＳＡＷデバイスなどの電子部品及びその製造方法に係わり、特に気密性を高めた電子部品及びその製造方法に関する。

従来の電子部品の一種としての弾性表面素子は、櫛歯状電極が形成された圧電基板の一面とベース基板とが対向配置された状態でフリップチップ接続されている。弾性表面素子は前記櫛歯状電極が形成された中空領域を除き、前記前記圧電基板の周囲が封止樹脂によって被覆されている（例えば、特許文献１：特開２００３−１６８９４２号公報、特開２００４−３３６６７１号公報参照）。
特開２００３−１６８９４２号公報（第３頁、図１） 特開２００４−３３６６７１号公報（第２図）

電子部品としての弾性表面素子は、圧電基板表面に形成される櫛型の電極材料にＡＬ（アルミニウム）若しくはＡＬ合金などが使われるのが一般的であるところ、これらの電極材料は水分の影響を受けやすいことから、ＳＡＷフィルタパッケージとしての高い気密性が求められる。

しかし、特許文献１に記載された電子部品（弾性表面波装置）ではダム２０をデバイスチップのフリップチッフボンディング時の熱によってのみ硬化させており、フリップチッフボンディング前には未硬化樹脂を付けた状態でデバイスチップを取り扱わなければならず、不便であった。

また、特許文献２では、ダム１２、１３を紫外線硬化樹脂によって形成し、紫外線を２回照射することでダム１２、１３に欠陥穴が発生することを防止することが記載されている。しかし、紫外線照射を繰り返し行なうと工程が煩雑になり、コストが増大するという問題が生じる。

本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、弾性表面素子を含む電子部品において、高い気密性を備えつつも、取り扱いが容易で低コストな電子部品及びその製造方法を提供することを目的としている。

本発明の電子部品は、所定の回路パターンが形成されたベース基板と、前記ベース基板に対向配置される実装基板と、前記ベース基板を封止する封止部材とを備え、
前記ベース基板の前記回路パターンの周囲を完全に囲むように、紫外線硬化特性及び熱硬化特性を有する樹脂層が設けられ、この樹脂層を介して前記ベース基板と前記実装基板が接合していることを特徴とするものである。

本発明では、樹脂層を介して前記ベース基板と前記実装基板が接合しており、この樹脂層によって前記ベース基板上の前記回路パターンが気密封止される。本発明では前記樹脂層が紫外線硬化特性及び熱硬化特性を有している。このため、前記樹脂層を実装基板上に装着する前に紫外線効果によって部分硬化させておき、実装基板上に配置した後熱硬化させることが可能になる。これによって、前記ベース基板の実装基板配置前の取扱いが容易になり、不用な樹脂の付着を防止することができる。また、一度紫外線硬化させた後さらに熱硬化させるので、前記樹脂層における欠陥穴の発生を低減することができ、前記樹脂層で囲まれる領域（中空領域）の気密性が向上する。

なお、本発明では、前記樹脂層は前記回路パターン上及び前記回路パターンの周囲に設けられており、前記回路パターン上の樹脂層と前記回路パターンの周囲の樹脂層が一体に形成されていることが好ましい。これにより、前記樹脂層の構造的な強度及び安定性が向上し、気密性も向上する。

また、本発明の電子部品は、所定の回路パターンが形成されたベース基板と、前記ベース基板に対向配置される実装基板と、前記ベース基板を封止する封止部材とを備え、
前記ベース基板と前記実装基板とを接合する樹脂層が設けられ、
前記回路パターン上と前記回路パターンの周囲の前記樹脂層が一体に形成されていることを特徴とするものである。

本発明の効果は、前記樹脂層の構造的な強度及び安定性が向上及び気密性の向上である。

なお、前記ベース基板に前記回路パターンの端子電極が設けられ、この端子電極と前記実装基板に設けられた引出し層が接続されることにより、前記樹脂層で囲まれた気密性を有する領域内に形成された前記回路パターンを外部回路と電気的に接続することができる。

前記樹脂層と前記実装基板の間に接着フィルム層又は接着ペースト層が設けられていると、気密性が向上するので好ましい。

本発明では、前記封止部材が液状樹脂を硬化させたものであっても、電子部品の前記回路パターン上の気密性を要する部位に、前記封止部材が進入することを防止できる。なお、本発明では、前記封止部材は板状樹脂であってもよい。

本発明の電子部品は、例えば、前記ベース基板として圧電性基板が用いられ、前記回路パターンの一部にくし歯状電極が形成されている弾性表面波素子である。この場合、前記樹脂層は、振動要素である前記くし歯状電極上には形成されないことが好ましい。すなわち、前記樹脂層は、前記くし歯状電極を除く前記回路パターン上及び前記回路パターンの全周囲に設けられていることが好ましい。

本発明の電子部品の製造方法は、
（ａ）ベース基板上に所定の回路パターンを形成する工程と、
（ｂ）紫外線硬化特性及び熱硬化特性を有する樹脂を用いて、前記回路パターンの周囲を完全に囲むように樹脂層を形成する工程と、
（ｃ）前記樹脂層に紫外線を照射し、前記樹脂層を部分硬化させる工程と、
（ｄ）前記ベース基板の前記樹脂層及び前記回路パターンを実装基板の上面に対向させて、前記ベース基板と前記実装基板を貼り合わせる工程と、
（ｅ）前記樹脂層に熱を加えて前記樹脂層を硬化させ、前記ベース基板と前記実装基板を接着する工程と、
（ｆ）前記実装基板と前記ベース基板の側面の間の間隙を、封止部材で封止する工程を有することを特徴とするものである。

本発明では、前記樹脂層によって前記ベース基板上の前記回路パターンが気密封止される。本発明では前記樹脂層が紫外線硬化特性及び熱硬化特性を有している。このため、前記樹脂層を実装基板上に装着する前に紫外線効果によって部分硬化させておき、実装基板上に配置した後熱硬化させることが可能になる。これによって、前記ベース基板の実装基板配置前の取扱いが容易になり、不用な樹脂の付着を防止することができる。また、一度紫外線硬化させた後さらに熱硬化させるので、前記樹脂層における欠陥穴の発生を低減することができ、前記樹脂層の気密性が向上する。

前記（ｄ）工程において、前記実装基板の上面に接着フィルム層又は接着ペースト層を形成し、この接着フィルム層又は接着ペースト層と前記ベース基板の前記樹脂層を対向させると気密性が向上するので好ましい。

本発明では、前記（ｆ）工程において、前記実装基板と前記ベース基板の側面の間の間隙に液状樹脂を注入し、この液状樹脂を硬化させたものを前記封止部材とする場合でも、前記回路パターン上に前記封止部材が進入することを防止できる。

なお、前記（ｆ）工程において、前記実装基板と前記ベース基板の側面の間の間隙を板状樹脂で封止し、この板状樹脂を前記封止部材としてもよい。

本発明では、例えば、前記（ａ）工程において、前記ベース基板として圧電基板を用い、前記回路パターンの一部にくし歯状電極を形成し、弾性表面波素子を製造することができる。この場合、前記樹脂層は、振動要素である前記くし歯状電極上には形成されないことが好ましい。すなわち、前記樹脂層は、前記くし歯状電極を除く前記回路パターン上及び前記回路パターンの全周囲に設けられることが好ましい。

本発明では、前記樹脂層を実装基板上に装着する前に紫外線効果によって部分硬化させておき、実装基板上に配置した後熱硬化させることが可能になる。これによって、前記ベース基板の実装基板配置前の取扱いが容易になり、不用な樹脂の付着を防止することができる。また、一度紫外線硬化させた後さらに熱硬化させるので、前記樹脂層における欠陥穴の発生を低減することができ、前記樹脂層で囲まれた領域の気密性が向上する。

また、本発明では、回路パターン上の樹脂層と前記回路パターンの周囲の樹脂層を一体に形成することにより、前記樹脂層の構造的な強度及び安定性が向上し、気密性も向上する。

図１ないし図３は本発明の実施の形態の電子部品１０の製造方法を説明するための図面である。これらの図面は製造工程にある電子部品の断面図を示している。

図１に示す工程ではウェハ状のベース基板１１が用意される。本実施の形態ではベース基板１１はＬｉＴａＯ_３またはＬｉＮｂＯ_３などの圧電性基板によって形成されている。このベース基板本体１１の表面には所定の平面形状からなる複数の素子形成エリア１１ａ，１１ａ，・・・が形成されており、くし歯状電極（ＩＤＴ（インタディジタルトランスデューサ）電極）などからなる所定の回路パターンＣ及び端子電極（バンプ）１３が個々の素子形成エリア１１ａに形成される（第１の工程）。櫛歯状電極（ＩＤＴ（インタディジタルトランスデューサ）電極）や端子電極（バンプ）１３はＣｕ合金などの導電性材料で形成される。

なお、この製造方法で形成される電子部品１０が、前記弾性表面波素子以外である場合には前記櫛歯状電極の代わりに、例えば抵抗体膜、コンデンサ用の誘電体膜またはコイル用の渦巻きパターンなどその他の回路パターンが形成される工程であってもよい。

回路パターンＣ及び端子電極１３の周囲には、樹脂層１２がパターン形成されている。樹脂層１２は紫外線硬化特性及び熱硬化特性を有する樹脂を用いて形成されている。紫外線硬化特性及び熱硬化特性を有する樹脂は、例えばエポキシ系樹脂やシリコン系樹脂の内部に紫外線によって樹脂を硬化させる触媒としての酸を含有しているものである。この触媒としての酸の含有量を調節することにより、紫外線を照射しただけでは完全に硬化しないようにする。

本実施の形態では、ベース基板１１、回路パターンＣ、端子電極１３の上に紫外線硬化特性及び熱硬化特性を有する樹脂を塗布した後、回路パターンＣの周囲を完全に囲む樹脂層１２となる部分を残してマスキングし、樹脂層１２となる部分にのみ紫外線を照射して部分硬化させる。本発明における「部分硬化」とは紫外線硬化だけで完全に硬化させないことをいい、紫外線照射後の段階では樹脂層１２は完全に硬化していないが、エッチング処理によるパターニングが可能になる程度には硬化させられる。従って、図１に示される段階では、樹脂層１２は弾性を有している。なお、「完全に囲む」とは回路パターンＣの周りを３６０°全方位隙間なく囲むことをいう。

次に、ウェハ状のベース基板を一点鎖線で切断する。切断方法としては、例えばダイシング加工、レーザー加工、エンドミルによりミリング加工、あるいはドライエッチング法、ウエットエッチング法など各種の方法を用いることが可能である。

図２に示される工程では、回路パターンＣ及び樹脂層１２を実装基板１４の上面１４ａに対向させた状態で、ベース基板１１と実装基板１４を貼り合わせている。

実装基板１４上には、ベース基板１１を格納する凹部１４ｃが形成されており、凹部１４ｃの底部１４ｄに銅、銀、タングステンあるいは金など導電性材料からなる貫通電極１５，１５（引出し層）が形成される。この貫通電極１５は、例えばペースト印刷法、スパッタリング法、電解めっき法又は無電解めっき法のいずれかまたはこれら複数の方法を組み合せることにより形成することが可能である。貫通電極１５の上下には接続端子１６が形成される。

図２に示されるように、実装基板１４側に形成された接続端子１６とベース基板１１側の端子電極１３の位置が一致しており、例えば、超音波ボンディング装置により、所定の加熱、加圧下で所定時間超音波加振され、フリップチップボンディングが行なわれる。または、端子電極１３をハンダバンプとしてハンダ接合してもよい。

ボンディング工程時に加えられる熱によって、樹脂層１２の硬化が進み、樹脂層１２によってベース基板１１と実装基板１４が接着される。このボンディング工程で端子電極１３は多少変形する。ボンディング工程の前では、樹脂層１２は完全に硬化していないため端子電極の変形に追従してその膜厚が変化する。

図２に示されるように、ベース基板１１、樹脂層１２、実装基板１４で囲まれ気密性を有する中空領域１７が形成され、回路パターンＣの少なくとも一部は、中空領域１７内に設けられる。中空領域１７には例えばくし歯状電極が露出する。この中空領域１７によりくし歯状電極１３における弾性表面波の伝播を確保することが可能になる。

本実施の形態では、ボンディング工程時に端子電極１３の変形に追従して樹脂層１２の膜厚が変化するため、樹脂層１２と実装基板１４及びベース基板１１との密着性が低下することはない。従って、樹脂層１２によって中空領域１７の気密性を高めることができる。また、樹脂層１２の膜厚が変化するので端子電極１３と接続端子１６の接続が不完全になることはなく、さらに、ベース基板１１に機械的な歪みを生じさせることもない。

なお、端子電極１３と実装基板１４に設けられた貫通電極１５が電気的に接続されることにより、樹脂層１２で囲まれた気密性を有する領域である中空領域１７内に形成された回路パターンを外部回路と電気的に接続することができる。

次に、図３（ａ）に示されるように、ベース基板１１の回路パターンＣが形成された面と反対側の面（背面）１１ｂと実装基板１４の側壁１４ｂ上にエポキシやポリイミドなどからなる板状樹脂１８を被せて、実装基板１４とベース基板１１の側面１１ｃの間の間隙Ｓを封止する。この板状樹脂１８が封止部材となる。

あるいは、図３（ｂ）に示されるように、実装基板１４とベース基板１１の側面１１ｃの間の間隙Ｓにエポキシやポリイミドなどからなる液状樹脂１９を充填した後硬化させることにより間隙Ｓを封止してもよい。液状樹脂１９の充填方法にはトランスファーモールド法やインサート成形など各種の手段を用いることが可能である。この板状樹脂１９が封止部材となる。本実施の形態では、樹脂層１２が実装基板１４とベース基板１１の間を埋めているので、液状樹脂１９が中空領域１７に進入することを防止できる。

本発明では、封止部材１８、１９及び樹脂層１２の両方によって中空領域１７を封止するので、中空領域の気密性が向上する。

また、本発明では樹脂層１２が紫外線硬化特性及び熱硬化特性を有している。このため、ベース基板１１を実装基板１４上に装着する前に樹脂層１２を紫外線効果によって部分硬化させておき、ベース基板１１を実装基板１４上に配置した後熱硬化させることが可能になる。これによって、ベース基板１１の実装基板１４配置前の取扱いが容易になり、不用な樹脂の付着を防止することができる。また、一度紫外線硬化させた後さらに熱硬化させるので、樹脂層１２における欠陥穴の発生を低減することができ、樹脂層１２で囲まれた中空領域１７の気密性が向上する。

図１に示した第１工程後、切断されたベース基板１１を図４に示すように、板状の実装基板２４に貼り合わせてもよい。

実装基板２４には、銅、銀、タングステンあるいは金など導電性材料からなる貫通電極１５，１５（引出し層）が図２と同様に形成される。貫通電極１５の上下には接続端子１６が形成される。

実装基板２４側に形成された接続端子１６とベース基板１１側の端子電極１３の位置が一致しており、例えば、超音波ボンディング装置により、所定の加熱、加圧下で所定時間超音波加振され、フリップチップボンディングが行なわれる。

ボンディング工程時に加えられる熱によって、樹脂層１２の硬化が進み、樹脂層１２によってベース基板１１と実装基板２４が接着される。ボンディング工程の前では、樹脂層１２は完全に硬化していないため端子電極の変形に追従してその膜厚が変化する。

ベース基板１１、樹脂層１２、実装基板２４で囲まれる中空領域１７が形成され、回路パターンＣの少なくとも一部は中空領域１７内に設けられる。中空領域１７には例えばくし歯状電極が露出し弾性表面波の伝播を確保することが可能になる。

本実施の形態でも、ボンディング工程時に端子電極１３の変形に追従して樹脂層１２の膜厚が変化するため、樹脂層１２と実装基板２４及びベース基板１１との密着性が低下することはない。従って、樹脂層１２によって中空領域１７の気密性を高めることができる。また、樹脂層１２の膜厚が変化するので端子電極１３と接続端子１６の接続が不完全になることはなく、さらに、ベース基板１１に機械的な歪みを生じさせることもない。

次に、図５（ａ）に示されるように、ベース基板の回路パターンＣが形成された面と反対側の面（背面）１１ｂ及び側面１１ｃ並びに実装基板２４の上面２４ａをエポキシやポリイミドなどからなる板状樹脂２８で覆い、実装基板２４とベース基板１１の側面１１ｃの間の間隙を封止する。この板状樹脂２８が封止部材となる。

あるいは、図５（ｂ）に示されるように、ベース基板１１の背面１１ｂ及び側面１１ｃ並びに実装基板２４の上面２４ａをエポキシやポリイミドなどからなる液状樹脂２９で覆った後硬化させて、実装基板２４とベース基板１１の側面１１ｃの間の間隙を封止してもよい。この板状樹脂２９が封止部材となる。液状樹脂２９の充填方法にはトランスファーモールド法やインサート成形など各種の手段を用いることが可能である。この板状樹脂２９が封止部材となる。

これらの工程を経て電子部品２０が形成される。図４及び図５に示される工程を経て形成された電子部品２０も図３に示された電子部品１０と同様の効果を奏することができる。

なお、樹脂層１２と実装基板１４、２４との間に接着フィルム層３０が設けられることが好ましい。接着フィルム層３０の代わりに接着ペースト層が設けられてもよい。

接着フィルム層３０は、図７に示されるように、実装基板１４の上面１４ａ上に接続端子１６と重ならないように設けられる。

図６に示されるようにウェハ状のベース基板１１上に回路パターンＣ及び樹脂層１２を形成した後、一点鎖線にそって切断したベース基板１１を切断する。

そして、図８に示すように、回路パターンＣ及び樹脂層１２を実装基板１４の上面１４ａに対向させた状態で、ベース基板１１と実装基板１４を貼り合わせ、接続端子１６とベース基板１１側の端子電極１３のフリップチップボンディングが行なわれる。このような工程を経ることにより、樹脂層１２と実装基板１４、２４との間に接着フィルム層３０を設けることができる。

接着フィルム層３０が樹脂層１２と実装基板１４、２４との間に介在していると、ベース基板１１を実装基板１４上に配置するときに樹脂層１２が固くなりすぎた場合でも、樹脂層１２と実装基板１４、２４の間に隙間が発生することを防ぐことができる。

接続端子１６とベース基板１１側の端子電極１３の接続後、図９（ａ）または図９（ｂ）に示されるように、板状樹脂１８を被せて、あるいは液状樹脂１９を充填・硬化させて、実装基板１４とベース基板１１の側面１１ｃの間の間隙Ｓを封止する。

また、板状の実装基板２４の上面２４ａにベース基板１１を貼り合わせる場合には、図１０に示されるように、実装基板２４の上面２４ａ上に接着フィルム層３０を接続端子１６と重ならないように設ける。次に、図１１に示すように、回路パターンＣ及び樹脂層１２を実装基板２４の上面２４ａに対向させた状態で、ベース基板１１と実装基板２４を貼り合わせ、接続端子１６とベース基板１１側の端子電極１３のフリップチップボンディングを行なう。さらに、図１２（ａ）または図１２（ｂ）に示されるように、板状樹脂２８を被せて、あるいは液状樹脂２９を充填・硬化させて、実装基板２４とベース基板１１の側面１１ｃの間の間隙Ｓを封止する。

貫通電極１５や中空領域１７の形成及び効果に関しては、図１ないし図５に示された製造方法及び電子部品１０、２０と同様である。

図１３は、ベース基板１１上に形成された回路パターンＣの平面図である。回路パターンＣは複数の弾性表面波素子が接続されたバンドパスフィルタである。

このバンドパスフィルタＦ１は弾性表面波素子である共振器Ｓ２１、共振器Ｓ２２及び共振器Ｓ２３が接続されることによって形成されている。共振器Ｓ２１、Ｓ２２、Ｓ２３は圧電性基板であるベース基板１１の上に、くし歯状電極部３２及びくし歯状電極部３３がスパッタ法やメッキ法等を用いて成膜されることによって形成されている。くし歯状電極部３２とくし歯状電極部３３は図示Ｘ方向に所定の間隔をあけて互い違いに並べられている。くし歯状電極部３２、３３の両側部にはベース基板（圧電性基板）１１の表面に発生した表面波を反射するための反射器３５，３５が設けられている。

くし歯状電極部３２とくし歯状電極部３３に高周波信号が与えられるとベース基板（圧電性基板）１１表面に弾性表面波が発生し、この表面波が図示Ｘ方向及び図示Ｘ方向と反平行方向に進行する。前記表面波は反射器３５，３５によって反射されて、くし歯状電極部３２，３３に戻って来る。共振器（弾性表面波素子）Ｓ２１、Ｓ２２、Ｓ２３は、共振周波数と反共振周波数を有しており、反共振周波数において最もインピーダンスが高くなる。

くし歯状電極部３２及びくし歯状電極部３３並びに反射器３５，３５はＣｕ合金などの導電性材料を用いてスパッタ法やメッキ法等などの薄膜形成プロセスで形成されている。

また、共振器Ｓ２１のくし歯状電極部３３と共振器Ｓ２２のくし歯状電極部３２は接続部３４を介して電気的に接続されており、共振器Ｓ２１のくし歯状電極部３２と共振器Ｓ２３のくし歯状電極部３２は接続部３６を介して電気的に接続されている。

共振器Ｓ２１の一端部ＡはバンドパスフィルタＦ１の入力端子ｉｎに接続されて他端部Ｂは出力端子ｏｕｔに接続されている。共振器Ｓ２２の一端部Ａは共振器Ｓ２１の一端部Ａに、共振器Ｓ２２の他端部Ｂは端子ＧＮＤを介してグラウンド電位に接続されている。共振器Ｓ２３の一端部Ａは共振器Ｓ２１の他端部Ｂに、共振器Ｓ２３の他端部Ｂは端子ＧＮＤを介してグラウンド電位に接続されている。バンドパスフィルタＦ１の端子ｉｎと端子ＧＮＤからなる入力ポート側に入力された高周波信号のうち特定の周波数帯域の信号のみが端子ｏｕｔと端子ＧＮＤからなる出力ポートに出力される。

図１３の斜線で覆われた範囲に樹脂層１２が形成される。くし歯状電極３２、３３及び反射器３５の上及び周囲には樹脂層１２は形成されず、くし歯状電極３２、３３における弾性表面波の伝播を確保することが可能になる。この樹脂層１２が形成されない領域は図３などに示される中空領域１７となり、気密性が確保された領域（樹脂層１２によって完全に囲まれた領域）となる。

また、図１３に示されるように、この実施の形態では樹脂層１２は回路パターンＣであるバンドパスフィルタＦ１の上を部分的に覆い、周囲を完全に囲むように形成されている。また、バンドパスフィルタＦ１上の樹脂層１２及び周囲の樹脂層１２が一体に形成されている。これにより、樹脂層１２の構造的な強度及び安定性が向上し、気密性も向上する。

本発明の実施の形態の電子部品の製造工程を示す断面図、 本発明の実施の形態の電子部品の製造工程を示す断面図、 （ａ）本発明の電子部品の第１の実施の形態を示す断面図、（ｂ）本発明の電子部品の第２の実施の形態を示す断面図、 本発明の実施の形態の電子部品の製造工程を示す断面図、 （ａ）本発明の電子部品の第１の実施の形態を示す断面図、（ｂ）本発明の電子部品の第２の実施の形態を示す断面図、 本発明の実施の形態の電子部品の製造工程を示す断面図、 本発明の実施の形態の電子部品の製造工程を示す断面図、 本発明の実施の形態の電子部品の製造工程を示す断面図、 （ａ）本発明の電子部品の第１の実施の形態を示す断面図、（ｂ）本発明の電子部品の第２の実施の形態を示す断面図、 本発明の実施の形態の電子部品の製造工程を示す断面図、 本発明の実施の形態の電子部品の製造工程を示す断面図、 （ａ）本発明の電子部品の第１の実施の形態を示す断面図、（ｂ）本発明の電子部品の第２の実施の形態を示す断面図、 本発明の電子部品の回路パターンの実施の形態を示す平面図、

符号の説明

１１ ベース基板
１２ 樹脂層
１３ 端子電極
１４、２４ 実装基板
１７ 中空領域
１８、１９ 封止部材
３０ 接着フィルム

Claims (15)

1. 所定の回路パターンが形成されたベース基板と、前記ベース基板に対向配置される実装基板と、前記ベース基板を封止する封止部材とを備え、
   前記ベース基板の前記回路パターンの周囲を完全に囲むように、紫外線硬化特性及び熱硬化特性を有する樹脂層が設けられ、この樹脂層を介して前記ベース基板と前記実装基板が接合していることを特徴とする電子部品。
2. 前記樹脂層は前記回路パターン上及び前記回路パターンの周囲に設けられており、前記回路パターン上の樹脂層と前記回路パターンの周囲の樹脂層が一体に形成されている請求項１記載の電子部品。
3. 所定の回路パターンが形成されたベース基板と、前記ベース基板に対向配置される実装基板と、前記ベース基板を封止する封止部材とを備え、
   前記ベース基板と前記実装基板とを接合する樹脂層が設けられ、
   前記回路パターン上と前記回路パターンの周囲の前記樹脂層が一体に形成されていることを特徴とする電子部品。
4. 前記ベース基板には前記回路パターンの端子電極が設けられており、この端子電極と前記実装基板に設けられた引出し層が接続されている請求項１ないし３のいずれかに記載の電子部品。
5. 前記樹脂層と前記実装基板の間に接着フィルム層又は接着ペースト層が設けられている請求項１ないし４のいずれかに記載の電子部品。
6. 前記封止部材は、液状樹脂を硬化させたものである請求項１ないし５のいずれかに記載の電子部品。
7. 前記封止部材は、板状樹脂である請求項１ないし５のいずれかに記載の電子部品。
8. 前記ベース基板として圧電性基板が用いられ、前記回路パターンの一部にくし歯状電極が形成されている請求項１ないし７のいずれか一項に記載の電子部品。
9. 前記樹脂層は前記くし歯状電極上を除く前記回路パターン上及び前記回路パターンの全周囲に設けられている請求項８記載の電子部品。
10. （ａ）ベース基板上に所定の回路パターンを形成する工程と、
    （ｂ）紫外線硬化特性及び熱硬化特性を有する樹脂を用いて、前記回路パターンの周囲を完全に囲むように樹脂層を形成する工程と、
    （ｃ）前記樹脂層に紫外線を照射し、前記樹脂層を部分硬化させる工程と、
    （ｄ）前記ベース基板の前記樹脂層及び前記回路パターンを実装基板の上面に対向させて、前記ベース基板と前記実装基板を貼り合わせる工程と、
    （ｅ）前記樹脂層に熱を加えて前記樹脂層を硬化させ、前記ベース基板と前記実装基板を接着する工程と、
    （ｆ）前記実装基板と前記ベース基板の側面の間の間隙を、封止部材で封止する工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
11. 前記（ｄ）工程において、前記実装基板の上面に接着フィルム層又は接着ペースト層を形成し、この接着フィルム層又は接着ペースト層と前記ベース基板の前記樹脂層を対向させる請求項１０に記載の電子部品の製造方法。
12. 前記（ｆ）工程において、前記実装基板と前記ベース基板の側面の間の間隙に液状樹脂を注入し、この液状樹脂を硬化させたものを前記封止部材とする請求項１０又は１１に記載の電子部品の製造方法。
13. 前記（ｆ）工程において、前記実装基板と前記ベース基板の側面の間の間隙を板状樹脂で封止し、この板状樹脂を前記封止部材とする請求項１０又は１１に記載の電子部品の製造方法。
14. 前記（ａ）工程において、前記ベース基板として圧電性基板を用い、前記回路パターンの一部にくし歯状電極を形成する請求項１０ないし１３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
15. 前記樹脂層を前記くし歯状電極上を除く前記回路パターン上及び前記回路パターンの全周囲に設ける請求項１４記載の電子部品の製造方法。

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