JP2002261582A - 弾性表面波デバイスおよびその製造方法ならびにそれを用いた回路モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のＳＡＷデバイスよりもさらに小型化が
可能なＳＡＷデバイスおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 圧電基板１１と、圧電基板１１の一主面
１１ａ上に配置された弾性表面波を励振するための複数
の櫛形電極１２と、一主面１１ａ上に配置された複数の
バンプ１４と、一主面１１ａに対向するように配置され
た絶縁性シート１５とを備え、バンプ１４と櫛形電極１
２とが電気的に接続され、バンプ１４が絶縁性シート１
５を貫通している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波デバイ
スおよびその製造方法、ならびにそれを用いた回路モジ
ュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話に代表される通信機器の
小型化、軽量化が急速に進んでいる。それに伴い、通信
機器に搭載されるフィルタや共振器といった弾性表面波
デバイス（以下、ＳＡＷデバイスという場合がある）も
小型化が求められている。また、ＳＡＷデバイスの設置
に必要な空間の小型化も求められている。

【０００３】従来のＳＡＷデバイスの代表的な一例とし
て、ＳＡＷデバイス９００の断面図を図３８（ハッチン
グは省略する）に模式的に示す。ＳＡＷデバイス９００
は、圧電基板９０１と、圧電基板９０１上に形成された
櫛形電極（別の表現ではｉｎｔｅｒ−ｄｉｇｉｔａｌ
ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）９０２および電極パッド９０３
と、ワイヤ９０４と、電極パッド９０５と、内部電極９
０６と、外部電極９０７と、セラミクス積層基板９０８
ａ、９０８ｂおよび９０８ｃの積層体からなるセラミク
ス積層基板９０８と、蓋部９０９とを備える。

【０００４】櫛形電極９０２は、弾性表面波を励振する
ための電極である。櫛形電極９０２は、圧電基板９０１
上に形成された配線ライン（図示せず）によって電極パ
ッド９０３に電気的に接続されている。櫛形電極９０２
は、電極パッド９０３、ワイヤ９０４、電極パッド９０
５、および内部電極９０６を介して、外部電極９０７と
電気的に接続されている。ＳＡＷデバイスでは、弾性表
面波の伝搬を確保するために櫛形電極９０２の周囲に密
閉空間を形成する必要がある。ＳＡＷデバイス９００で
は、セラミクス積層基板９０８と蓋部９０９とによっ
て、密閉空間が形成されている。

【０００５】しかしながら、ＳＡＷデバイス９００で
は、ワイヤ９０４を３次元的に配線する必要があり、ま
た、ワイヤボンディングを行うために電極パッド９０３
および９０５を大きくする必要があった。そのため、Ｓ
ＡＷデバイス９００の構造では、小型化が難しいという
問題があった。また、ＳＡＷデバイス９００では、ワイ
ヤ９０４による寄生インダクタンスが大きいという問題
があった。

【０００６】上記問題を解決するため、圧電基板９０
１、櫛形電極９０２および電極パッド９０３を備えるＳ
ＡＷ素子をフェイスダウンで基板に実装する方法が報告
されている（特開平５−５５３０３号公報参照）。その
ようなＳＡＷデバイスの一例として、ＳＡＷデバイス９
５０の断面図を図３９（一部のハッチングを省略する）
に模式的に示す。ＳＡＷデバイス９５０は、圧電基板９
０１と、圧電基板９０１上に形成された櫛形電極９０２
および電極パッド９０３と、バンプ９５１と、電極パッ
ド９５２と、内部電極９５３と、外部電極９５４と、基
板９５５と、ダム９５６と、樹脂膜９５７とを備える。

【０００７】櫛形電極９０２は、電極パッド９０３、バ
ンプ９５１、電極パッド９５２、および内部電極９５３
を介して外部電極９５４に電気的に接続されている。櫛
形電極９０２の周囲には、圧電基板９０１を覆うように
形成された樹脂膜９５７によって密閉空間が形成されて
いる。ダム９５６は、樹脂膜９５７を形成する際に樹脂
が密閉空間の内部に流入することを防止する。ＳＡＷデ
バイス９５０は、ＳＡＷ素子をフェイスダウンで基板９
５５に実装しているため、ＳＡＷデバイス９００に比べ
て小型化が可能である。

【０００８】また、ＳＡＷデバイス９００の気密容器内
にフェイスダウンでＳＡＷ素子を実装する方法もある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＳＡＷ
デバイス９５０では、以下の問題があった。ＳＡＷデバ
イス９５０を製造するためには、基板９５５の表面およ
び内部に電極パッド９５２、内部電極９５３、および外
部電極９５４を形成しなければならない。このとき、基
板９５５が薄いと工程中に基板９５５に反りが生じたり
基板９５５が破損したりする。このため、基板９５５を
薄くすることは困難であり、装置の小型化が十分でない
という問題があった。

【００１０】また、ＳＡＷデバイス９５０を製造する際
には、ダム９５６で樹脂膜９５７となる樹脂の流入を阻
止するため、圧電基板９０１と基板９５５との間隔を非
常に高い精度で制御して実装を行う必要がある。このと
き、バンプ９５１と電極パッド９５２と内部電極９５３
とを一直線上に配置して実装すると、高い精度で実装を
行うことが困難になる。これは、内部電極９５３の材料
と基板９５５の材料とが異なるためである。このため、
ＳＡＷデバイス９５０では、バンプ９５１と内部電極９
５３とをずらして配置しなければならず、十分な小型化
が困難であるという問題があった。

【００１１】また、ＳＡＷデバイス９００の気密容器内
にフェイスダウン方式でＳＡＷ素子が実装されたデバイ
スでは、ＳＡＷ素子を内部に配置することができる気密
容器が必要となる。このため、そのようなデバイスでも
十分な小型化が困難であった。

【００１２】上記問題を解決するため、本発明は、従来
のＳＡＷデバイスよりもさらに小型化が可能なＳＡＷデ
バイスおよびその製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の弾性表面波デバイスは、圧電基板と、前記
圧電基板の一主面上に配置された弾性表面波を励振する
ための複数の櫛形電極と、前記一主面上に配置された複
数のバンプと、前記一主面側に配置され樹脂を含む部材
とを備え、前記バンプと前記櫛形電極とが電気的に接続
され、前記バンプの少なくとも一部が前記部材に埋没し
ている。本発明の弾性表面波デバイスは、たとえば、通
信機器に搭載される周波数フィルタや共振器に用いるこ
とができる。

【００１４】上記弾性表面波デバイスでは、前記部材が
絶縁性シートであり、前記絶縁性シートが前記櫛形電極
とは離れて配置されており、前記バンプが前記絶縁性シ
ートを貫通していてもよい。

【００１５】上記弾性表面波デバイスでは、前記圧電基
板の前記一主面に対向するように配置された回路基板を
さらに備え、前記回路基板が、前記圧電基板側の表面に
形成された配線ラインを備え、前記部材が、前記圧電基
板と前記回路基板との間に配置されており、前記部材
が、前記櫛形電極が振動可能な空間を前記櫛形電極の周
囲に形成するための空間形成部材であってもよい。

【００１６】また、本発明の弾性表面波デバイスの第１
の製造方法は、（ａ）弾性表面波を励振するための複数
の櫛形電極と、前記櫛形電極に電気的に接続されたバン
プとを、圧電基板の一主面上に形成する工程と、（ｂ）
前記圧電基板の前記一主面と絶縁性シートとを対向させ
前記バンプが前記絶縁性シートを貫通するように前記圧
電基板と前記絶縁性シートとを接近させる工程とを含
む。

【００１７】また、本発明の弾性表面波デバイスの第２
の製造方法は、（ｉ）圧電基板と、前記圧電基板の一主
面に形成された複数の櫛形電極と、前記複数の櫛形電極
に電気的に接続された複数のバンプとを備える弾性表面
波素子と、配線ラインが形成された一主面を備える回路
基板とを形成する工程と、（ii）前記圧電基板の前記一
主面と、前記回路基板の前記一主面とを、空間形成部材
を挟んで対向するように配置させる工程と、（iii）前
記バンプが前記空間形成部材に埋没して前記配線ライン
と電気的に接続するように、前記回路基板と前記弾性表
面波素子とを接近させる工程とを含む。そして、前記
（iii）の工程において、前記空間形成部材が前記櫛形
電極の周囲に前記櫛形電極が振動可能な空間を形成す
る。

【００１８】また、本発明の回路モジュールは、回路基
板と弾性表面波デバイスと機能素子とを備える回路モジ
ュールであって、前記回路基板がその一主面に形成され
た配線ラインを備え、前記弾性表面波デバイスおよび前
記機能素子が前記配線ラインに実装されており、前記弾
性表面波デバイスが、圧電基板と、前記圧電基板の一主
面上に配置された弾性表面波を励振するための複数の櫛
形電極と、前記一主面上に配置された複数のバンプと、
前記一主面側に配置され樹脂を含む部材とを備え、前記
バンプと前記櫛形電極とが電気的に接続され、前記バン
プの少なくとも一部が前記部材に埋没している。

【００１９】本発明の回路モジュールでは、前記部材が
絶縁性シートであり、前記絶縁性シートが前記櫛形電極
とは離れて配置されており、前記バンプが前記絶縁性シ
ートを貫通していてもよい。

【００２０】本発明の回路モジュールでは、前記部材
が、前記圧電基板と前記回路基板との間に配置されてお
り、前記部材が、前記櫛形電極が振動可能な空間を前記
櫛形電極の周囲に形成するための空間形成部材であって
もよい。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態
の説明では、同様の部分については同様の符号を付して
重複する説明を省略する場合がある。

【００２２】（実施形態１）本発明の弾性表面波デバイ
ス（ＳＡＷデバイス）は、圧電基板と、前記圧電基板の
一主面上に配置された弾性表面波を励振するための複数
の櫛形電極と、前記一主面上に配置された複数のバンプ
と、前記一主面側に配置され樹脂を含む部材とを備え
る。前記バンプと前記櫛形電極とが電気的に接続されて
いる。前記バンプの少なくとも一部は、前記部材に埋没
している。

【００２３】実施形態１では、本発明のＳＡＷデバイス
について一例を説明する。実施形態１のＳＡＷデバイス
は、前記部材が絶縁性シートであり、前記絶縁性シート
が前記櫛形電極とは離れて配置されており、前記バンプ
が前記絶縁性シートを貫通している。

【００２４】実施形態１のＳＡＷデバイス１０につい
て、断面図を図１（Ａ）に示す。また、線Ｘ−Ｘの部分
から圧電基板１１側を見たときの断面図を図１（Ｂ）に
示し、線Ｘ−Ｘの部分から絶縁性シート１５側を見たと
きの断面図を図１（Ｃ）に示す。図１（Ａ）の断面図
は、図１（Ｂ）の線Ｙ−Ｙにおける断面図である。図１
（Ａ）において、配線ライン１８の図示は省略する。

【００２５】図１を参照して、ＳＡＷデバイス１０は、
圧電基板１１（ハッチングは省略する）と、圧電基板１
１の一主面１１ａ上に配置された複数の櫛形電極１２
と、一主面１１ａ上に配置された複数の電極パッド１３
と、一主面１１ａ（具体的には電極パッド１３）上に配
置された複数のバンプ１４と、一主面１１ａに対向する
ように配置された絶縁性シート１５と、圧電基板１１と
絶縁性シート１５との間に配置された側壁１６と、絶縁
性シート１５上に形成された外部電極１７と、一主面１
１ａ上に配置された配線ライン１８とを備える。

【００２６】圧電基板１１は、圧電性の材料からなる。
具体的には、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、
水晶、ニオブ酸カリウム、ランガサイト、水晶といった
圧電材料からなる単結晶基板を用いることができる。た
とえば、３６°ｙカットのタンタル酸リチウム基板を用
いることができる。また、酸化亜鉛や窒化アルミニウム
からなる薄膜が形成された圧電基板を用いることもでき
る。ここで、基板のカットの角度について図２を用いて
説明する。図２に、タンタル酸リチウムの単結晶２１
と、単結晶の結晶軸とを示す。単結晶２１は、ｃ軸方
向、すなわちＺ軸方向に自発分極している。３６°ｙカ
ットの基板とは、Ｘ軸を回転軸としてＹ軸を３６°回転
させて得られるＹ’軸が法線方向となるように単結晶２
１を切断した基板である。図２において切断方向を点線
で示す。

【００２７】圧電基板１１の厚さに、特に限定はない。
ＳＡＷデバイス１０では圧電基板１１を薄くすることが
でき、たとえば、０．０５ｍｍ〜０．３ｍｍの範囲内に
することが可能である。

【００２８】なお、ＳＡＷデバイス１０は、一主面１１
ａ上に、櫛形電極１２を覆うように形成された珪素化合
物からなる膜をさらに備えてもよい。珪素化合物として
は、たとえば、酸化珪素（ＳｉＯ₂、ＳｉＯ）や窒化珪
素が挙げられる。

【００２９】櫛形電極１２は、弾性表面波を励振するた
めの電極である。櫛形電極１２は、たとえば、アルミニ
ウム、スカンジウム、銅、またはこれらの合金からな
る。たとえば、銅を１〜２ｗｔ％含有するアルミニウム
合金を用いることができる。櫛形電極１２は、２つの櫛
形電極１２が一対として対向するように配置される。各
櫛形電極１２は、配線ライン１８、電極パッド１３、お
よびバンプ１４を介して外部電極１７に電気的に接続さ
れている。なお、図１では、櫛形電極１２が、３本また
は５本の枝状の電極を備えるように簡略化して図示して
いるが、実際には、数十本以上の枝状の電極を備える。
また、実施形態１では、２対の櫛形電極が形成されてい
る場合を示しているが、櫛形電極の数はこれに限定され
ない。ＳＡＷデバイスをフィルタとして用いる場合に
は、一般的に２対以上の櫛形電極が形成される。

【００３０】電極パッド１３は、バンプ１４と配線ライ
ン１８とを接続するために形成される。電極パッド１３
は、たとえば、銅、アルミニウム、金、またはこれらの
合金からなる。たとえば、電極パッド１３として、銅を
１〜２ｗｔ％含有するアルミニウム合金膜と金薄膜との
積層膜を用いることができる。電極パッド１３の厚さ
は、たとえば、１μｍ〜３μｍ程度である。

【００３１】バンプ１４は、導電性の材料からなり、た
とえば、金やハンダからなる。バンプ１４の直径は、た
とえば、５０μｍ〜２００μｍ程度である。バンプ１４
は、側壁１６と絶縁性シート１５とを貫通して外部電極
１７と電気的に接続している。なお、実施形態１２で説
明するように、バンプ１４は側壁１６を貫通しなくとも
よい。

【００３２】絶縁性シート１５は、剛性が低い絶縁性の
材料からなる。具体的には、絶縁性シート１５は樹脂で
形成でき、たとえばエポキシ系の樹脂で形成できる。絶
縁性シート１５の厚さは、たとえば、０．０２ｍｍ〜
０．２ｍｍ程度である。絶縁性シート１５は、その内部
に分散するように配置された導電性の固形充填物を含ん
でもよい。この場合には、バンプ１４と外部電極１７と
を、固形充填物を介して電気的に接続させてもよい。す
なわち、この場合には、バンプ１４と外部電極１７とを
直接接触させる必要はない。固形充填物には、たとえば
金属の粉末を用いることができる。

【００３３】側壁１６は、たとえば、絶縁性の樹脂から
なる。特に、感光性樹脂を用いることによって、側壁１
６を容易に形成できる。圧電基板１１と絶縁性シート１
５と側壁１６とは、櫛形電極１２の周囲に、櫛形電極１
２が振動可能な空間１９を形成する。空間１９によっ
て、弾性表面波の伝搬が確保される。空間１９は密閉空
間であることが好ましい。なお、側壁１６の周囲を覆う
ように配置された樹脂によって空間１９を密閉空間にし
てもよい。なお、図１（Ａ）〜（Ｃ）では、側壁１６が
枠状の場合を示しているが、側壁は櫛形電極の周囲を囲
っていなくともよい。たとえば、側壁は柱状の形状でも
よい。この場合には、側壁の周囲を覆うように配置され
た樹脂によって、櫛形電極の周囲の空間を密閉空間にす
る（以下の実施形態においても同様である）。側壁１６
の高さ、すなわち圧電基板１１と絶縁性シート１５との
距離は、たとえば、０．０２ｍｍ〜０．２ｍｍ程度であ
る。なお、実施形態１では、絶縁性シート１５と側壁１
６とが別の部材である場合について説明しているが、樹
脂を加熱成形することによって両者を一体成形してもよ
い。

【００３４】外部電極１７は、ＳＡＷデバイス１０を他
の基板に実装するための端子として機能する。配線ライ
ン１８は、櫛形電極１２と電極パッド１３とを接続する
ために形成される。外部電極１７および配線ライン１８
は、電気回路に一般的に用いられる材料で形成できる。

【００３５】なお、ＳＡＷデバイス１０は本発明のＳＡ
Ｗデバイスの一例であり、本発明のＳＡＷデバイスは、
以下の実施形態で説明するように他の様々な形態を含
む。

【００３６】実施形態１のＳＡＷデバイスでは、電極パ
ッド１３、バンプ１４、および外部電極１７を同一直線
上に配置できるため、従来の装置よりもさらに小型化す
ることが可能である。また、絶縁性シート３５に低剛性
の樹脂材料を用いることによって、装置の反りや、電極
パッド１３とバンプ１４との接続部、およびバンプ１４
と外部電極１７との接続部の残留応力を小さくできる。
装置の反りが小さくなる結果、他の配線基板への実装が
容易になり信頼性が向上する。また、接続部の残留応力
が小さくなる結果、実装後の信頼性が高くなる。

【００３７】（実施形態２）実施形態２では、本発明の
ＳＡＷデバイスの製造方法について一例を説明する。

【００３８】実施形態２の製造方法では、まず、（ａ）
弾性表面波を励振するための複数の櫛形電極と、櫛形電
極と電気的に接続されたバンプとを、圧電基板の一主面
上に形成する。その後、（ｂ）圧電基板の一主面と絶縁
性シートとを対向させ、バンプが絶縁性シートを貫通す
るように圧電基板と絶縁性シートとを接近させる。

【００３９】なお、実施形態２の製造方法は、本発明の
製造方法の一例であり、本発明の製造方法は、以下の実
施形態で説明するように他の様々な形態を含む。本発明
の製造方法では、実施形態１で説明した部材、たとえば
圧電基板、櫛形電極、電極パッド、バンプ、絶縁性シー
ト、側壁、外部電極、および配線ラインといった部材を
用いることができる。

【００４０】（実施形態３）実施形態３では、実施形態
１で説明した本発明のＳＡＷデバイスの一例について説
明する。実施形態３のＳＡＷデバイス３０の断面図を図
３（Ａ）および（Ｂ）に示す。図３（Ｂ）は、図３
（Ａ）の線Ｘ−Ｘから圧電基板３１側を見た断面図であ
る。図３（Ａ）は、図３（Ｂ）の線Ｙ−Ｙにおける断面
図である。

【００４１】ＳＡＷデバイス３０は、圧電基板３１と、
圧電基板３１の一主面３１ａ上に配置された複数の櫛形
電極３２と、一主面３１ａ上に配置された複数の電極パ
ッド３３と、一主面３１ａ上（具体的には、電極パッド
３３上）に配置された複数のバンプ３４と、一主面３１
ａに対向するように配置された絶縁性シート３５と、圧
電基板３１と絶縁性シート３５との間に配置された側壁
３６と、絶縁性シート３５上に形成された外部電極３７
と、櫛形電極３２と電極パッド３３とを電気的に接続す
る配線ライン３８とを備える。ＳＡＷデバイス３０は、
厚さが０．６ｍｍ、平面的なサイズが１．５ｍｍ×１．
０ｍｍである。

【００４２】圧電基板３１は、３６°ｙカットのタンタ
ル酸リチウム基板である。圧電基板３１は、厚さが０．
３ｍｍで、一主面３１ａのサイズが１．５ｍｍ×１．０
ｍｍである。なお、ＳＡＷデバイス３０では、さらに薄
い圧電基板３１を用いることが可能であり、厚さが０．
１５ｍｍの圧電基板を用いることもできる。

【００４３】ＳＡＷデバイス３０は、４個のバンプ３４
を備える。バンプ３４は、金からなる。バンプ３４は、
側壁３６および絶縁性シート３５を貫通して外部電極３
７と電気的に接続している。圧電基板３１、櫛形電極３
２、電極パッド３３およびバンプ３４は、弾性表面波素
子（以下、ＳＡＷ素子という場合がある）４０を構成す
る。

【００４４】絶縁性シート３５は、エポキシ系樹脂から
なる。絶縁性シートの厚さは０．０２５ｍｍであり、平
面的なサイズは圧電基板３１と同様である。

【００４５】側壁３６は、エポキシ系の樹脂からなる。
側壁３６の厚さは０．０５ｍｍであり、サイズは圧電基
板１１と同様である。圧電基板３１と絶縁性シート３５
と側壁３６とは、櫛形電極３２の周囲に、櫛形電極３２
が振動可能な密閉空間３９を形成する。

【００４６】外部電極３７は、絶縁性シート３５側から
順に積層されたニッケル層および金層からなる。絶縁性
シート３５、側壁３６、および外部電極３７は、キャリ
ア４１を構成する。

【００４７】（実施形態４）実施形態４では、実施形態
２で説明した製造方法を用いてＳＡＷデバイス３０を製
造した一例について説明する。実施形態４の製造方法に
ついて、製造工程の断面図を図４（Ａ）〜（Ｅ）に示
す。なお、図４（Ａ）〜（Ｅ）では、ＳＡＷデバイス３
０を１個だけ示すが、一般的には、ウェハ状の基板を用
いて複数のデバイスを一度に形成する。

【００４８】まず、図４（Ａ）に示すように、圧電基板
３１の一主面３１ａ上に、櫛形電極３２、電極パッド３
３、および配線ライン３８（図示せず）を形成する。こ
れらは、たとえば、スパッタリングによる金属膜の形成
とフォトリソグラフィーを用いたパターニングによって
形成できる。さらに、電極パッド３３上に、バンプ３４
を形成する。バンプ３４は、たとえば、ボールボンディ
ングによって電極パッド３３に金ワイヤを接続し、その
金ワイヤを切断することによって形成できる。このよう
にして、ＳＡＷ素子４０を形成する。

【００４９】一方、図４（Ａ）の工程の前、平行して、
または後に、図４（Ｂ）に示すように、キャリア４１ａ
を形成する。キャリア４１ａの製造方法について、工程
断面図を図５（Ａ）〜（Ｄ）に示す。まず、図５（Ａ）
に示すように、離型シート５１上に、樹脂シート５２を
形成する。樹脂シート５２は、半硬化状態の樹脂からな
る。その後、図５（Ｂ）に示すように、パンチングなど
の機械加工によって離型シート５１および樹脂シート５
２の中央部を打ち抜き、側壁３６ａを形成する。側壁３
６ａは、樹脂を硬化させることによって側壁３６とな
る。

【００５０】一方、図５（Ｃ）に示すように、離型シー
ト５３上に絶縁性シート３５ａを形成し、絶縁性シート
３５ａ上に外部電極３７を形成する。絶縁性シート３５
ａは半硬化状態の樹脂からなり、樹脂の硬化によって絶
縁性シート３５となる。外部電極３７は、たとえば、メ
ッキ、真空蒸着、またはスパッタリングによって形成で
きる。このとき、メタルマスクやフォトリソ・エッチン
グ法を用いてパターニングを行うことができる。また、
外部電極３７は、接着剤によって金属シートを絶縁性シ
ート３５ａ上に貼り付けたのち、金属シートの一部をエ
ッチングによって除去することによっても形成できる。
金属シートには、延伸の容易な銅などの金属が好まし
い。また、金属シート上に樹脂を塗布して絶縁性シート
３５ａを形成したものを用いてもよい。金属シートを用
いる方法によれば、厚くて信頼性が高い外部電極３７を
簡単に形成できる。

【００５１】その後、図５（Ｄ）に示すように、離型シ
ート５３を剥離した絶縁性シート３５ａと側壁３６ａと
を貼りあわせたのち、離型シート５１を剥離してキャリ
ア４１ａを形成する。側壁３６ａは、バンプ３４に対応
する位置に形成する。側壁３６ａと絶縁性シート３５ａ
とは、外れない程度に接着されていればよい。具体的に
は、側壁３６ａと絶縁性シート３５ａとを加圧しなが
ら、樹脂が硬化しない温度で両者を加熱することによっ
て両者を貼りあわせることができる。

【００５２】次に、図４（Ｃ）に示すように、圧電基板
３１の一主面３１ａと絶縁性シート３５ａ（キャリア４
１ａ）とを対向させる。そして、図４（Ｄ）に示すよう
に、バンプ３４が、側壁３６ａおよび絶縁性シート３５
ａとを貫通して外部電極３７と接続されるように圧電基
板３１と絶縁性シート３５ａとを加圧し接近させる。以
下、バンプ３４を外部電極３７に接続する工程を実装工
程という場合がある。このとき、側壁３６ａが圧電基板
３１に密着し、圧電基板３１と側壁３６ａと絶縁性シー
ト３５ａとが密閉空間を形成するように両者を接近させ
る。この実装工程では、樹脂の硬化温度よりも低い温度
でキャリア４１ａ（絶縁性シート３５ａおよび側壁３６
ａ）を加熱して樹脂を軟化させることによって、小さい
加圧力でバンプ３４を側壁３６ａおよび絶縁性シート３
５ａに貫通させることができる。特に、樹脂のガラス転
移温度以上の温度にキャリア４１ａ（絶縁性シート３５
ａおよび側壁３６ａ）を加熱することが好ましい。ま
た、絶縁性シート３５ａおよび側壁３６ａの材料である
樹脂の硬化温度をＴ１（℃）とすると、（Ｔ１−２０）
℃以下の温度でキャリア４１ａを加熱することが好まし
い。これによって、実装工程の途中で樹脂が硬化してし
まうことを防止できる。

【００５３】次に、図４（Ｅ）に示すように、キャリア
４１ａを１６０℃の温度で加熱することによって側壁３
６ａおよび絶縁性シート３５ａを硬化させ、側壁３６お
よび絶縁性シート３５を備えるキャリア４１を形成す
る。このようにして、ＳＡＷデバイス３０を形成でき
る。

【００５４】なお、実施形態４の製造方法では、ＳＡＷ
素子４０を、図６（Ａ）および（Ｂ）または図７に示す
ようにウェハ上に複数形成できる（以下の実施形態にお
いても同様である）。図６（Ａ）は、ウェハ状の圧電基
板６１の平面図を示し、図６（Ｂ）は図６（Ａ）の領域
Ａの拡大図を示す。図７は、図６（Ａ）の領域Ａについ
て他の一例を示す拡大図である。ウェハは通常、直径が
３〜４インチのものが用いられる。また、ウェハを特定
の大きさに切りだした圧電基板を用いてもよい。

【００５５】同様に、図８（Ａ）および（Ｂ）または図
９に示すように、複数個のキャリア４１を同時に形成し
てもよい（以下の実施形態においても同様である）。図
８（Ａ）は、絶縁性シート３５ａの集合体である絶縁性
シート８１上に複数の側壁３６ａ（図８（Ｂ）および図
９において斜線で示す）を形成した場合を示す。図８
（Ｂ）は、図８（Ａ）の領域Ｂの拡大図を示す。また、
図９は、領域Ｂの他の一例の拡大図である。

【００５６】ウェハ状の圧電基板６１を用いて形成され
た複数のＳＡＷ素子４０は、各素子ごとに分割してから
絶縁性シート８１に実装してもよい。また、圧電基板６
１を用いて形成された複数のＳＡＷ素子４０を、そのま
ま一括して絶縁性シート８１に実装してもよい。一括し
て実装を行うことにより、生産性よく低コストにＳＡＷ
デバイスを製造できる。

【００５７】なお、実施形態４の製造方法では、ウェハ
状の厚い圧電基板を用いて複数のＳＡＷ素子を作製し、
さらに図８（Ｂ）または図９に示したようなキャリアに
一括して実装したのち、圧電基板を研磨して薄くしても
よい（以下の実施形態においても同様である）。研磨の
際には、ウェハの端部におけるＳＡＷ素子とキャリアと
の境界を、除去可能な樹脂で封止しておくことが好まし
い。これによって、ＳＡＷ素子とキャリアとの間に研磨
剤が侵入することを防止できる。この製造方法では、厚
い圧電基板を用いてＳＡＷデバイスを形成できるため、
特に歩留まりよくＳＡＷデバイスを製造できる。

【００５８】実施形態４の製造方法では、絶縁性シート
３５が剛性の低い材料からなるため、実装工程を容易に
行うことができる。また、バンプ３４の高さを揃える必
要がないため、製造が容易である。また、ＳＡＷ素子４
０とキャリア４１との固定にハンダ付けが必要とならな
いため、素子を高温に加熱する必要がなくなり、素子の
焦電破壊を防止できる。

【００５９】なお、図４（Ｄ）の実装工程において、Ｓ
ＡＷ素子４０、またはキャリア４１ａ（絶縁性シート３
５ａおよび側壁３６ａ）、または両者に超音波を印加し
ながら圧電基板３１と絶縁性シート３５ａとを接近させ
てもよい。超音波は実装工程中の一定時間印加すればよ
い。具体的には、たとえば、バンプ３４が側壁３６ａへ
の貫通を開始してから、１００ｍ秒後に超音波の印加を
開始し、実装終了後まで超音波を印加すればよい。超音
波を印加することによって、（１）実装工程における加
圧力を小さくできる、（２）実装工程における加熱温度
を低くできる、（３）バンプ３４と外部電極３７とを良
好に接続できるという効果が得られる。以下に、これら
の効果について説明する。

【００６０】実装工程時の加圧力が高すぎると圧電基板
３１が割れたり、側壁３６ａが押しつぶされたりする場
合がある。したがって、実装工程時の加圧力は小さいこ
とが好ましい。実施形態４の製造方法において、バンプ
３４の数をｎとすると（以下、同様である）、０．１ｎ
（Ｗ）の超音波を印加することによって、バンプ３４を
貫通させるのに必要な加圧力を７０％以下にできる。ま
た、０．２・ｎ（Ｗ）の超音波を印加することによっ
て、必要な加圧力を５０％以下にできる。

【００６１】実装工程時の加熱温度が高すぎると、絶縁
性シート３５ａや側壁３６ａを構成する樹脂が柔らかく
なりすぎる場合がある。また、加熱温度が高すぎると、
ＳＡＷ素子４０の特性が劣化する場合がある。したがっ
て、実装工程時の加熱温度は低いことが好ましい。実施
形態４の製造方法において、０．１・ｎ（Ｗ）の超音波
を印加することによって、バンプ３４を貫通させるのに
必要な加熱温度（℃）を８０％以下にできる。また、
０．２・ｎ（Ｗ）の超音波を印加することによって、必
要な加熱温度（℃）を６０％以下にできる。

【００６２】実装工程時に超音波を印加すると、バンプ
３４と外部電極３７との界面に樹脂が残存することを防
止できるため、バンプ３４と外部電極３７との接続部の
信頼性が向上する。その結果、環境の変化や振動に対す
る信頼性が高いＳＡＷデバイスが得られる。

【００６３】さらに、実装工程において超音波を印加す
る場合には、バンプ３４および外部電極３７を金で形成
し、両者が金の固相拡散反応で接続されるように実装工
程を行うことが好ましい。具体的には、加熱温度を１２
０℃〜２００℃の範囲内とし、０．２・ｎ（Ｗ）〜１・
ｎ（Ｗ）の範囲内の超音波を印加しながら実装工程を行
えばよい。このとき印加される超音波の一部は、絶縁性
シート３５ａや側壁３６ａに吸収されるため、一般的な
実装で印加される超音波の出力よりも高い出力で超音波
を印加してもＳＡＷデバイスの破損は少ない。そのた
め、高い出力の超音波を印加することができ、加熱温度
を１２０℃まで低下させることが可能となる。バンプ３
４および外部電極３７とを金の固相拡散反応を用いて接
続することによって、バンプ３４と外部電極３７との接
続の信頼性を向上できる。また、この接続方法によれ
ば、ＳＡＷ素子４０の特性が加熱によって低下すること
を防止できる。

【００６４】（実施形態５）実施形態５では、本発明の
ＳＡＷデバイスの他の一例について説明する。実施形態
５のＳＡＷデバイス１００について、断面図を図１０
（Ａ）に示す。また、図１０（Ａ）の線Ｘ−Ｘから圧電
基板３１側を見たときの断面図を図１０（Ｂ）に示す。
図１０（Ａ）の断面図は、図１０（Ｂ）の線Ｙ−Ｙにお
ける断面図である。図１０（Ｂ）において、配線ライン
３８の図示は省略する。

【００６５】ＳＡＷデバイス１００は、実施形態３のＳ
ＡＷデバイス３０に加えて、櫛形電極３２と側壁３６と
の間に配置された隔壁１０１をさらに備える。隔壁１０
１を除いて、ＳＡＷデバイス１００は、ＳＡＷデバイス
３０と同様である。

【００６６】隔壁１０１は樹脂からなる。具体的には、
たとえば、感光性アクリル系樹脂、感光性エポキシ樹
脂、または感光性ポリイミド樹脂を用いることができ
る。圧電基板３１と絶縁性シート３５と隔壁１０１と
は、第２の密閉空間１０９を形成している。すなわち、
櫛形電極３２の周囲は、密閉空間３９および１０９によ
って二重に封止されている。さらに、隔壁１０１は、剛
性が低い絶縁性シート３５が変形して櫛形電極３２と接
触することを防止する。このように、ＳＡＷデバイス１
００は隔壁１０１を備えるため、特性および信頼性が特
に高いＳＡＷデバイスが得られる。

【００６７】ＳＡＷデバイス１００は、実施形態４で説
明した製造方法に、隔壁１０１を形成する工程を加える
ことによって製造できる。製造方法の一例を以下に説明
する。まず、図１１（Ａ）に示すように、圧電基板３１
の一主面３１ａ上に、櫛形電極３２および電極パッド３
３を形成する。

【００６８】次に、図１１（Ｂ）に示すように、感光性
のアクリル系樹脂シート１１１を一主面３１ａ上にラミ
ネートする。アクリル系樹脂シート１１１の厚さは、側
壁３６の高さよりも大きくなるようにしておく。

【００６９】次に、図１１（Ｃ）に示すように、アクリ
ル系樹脂シート１１１の露光および現像を行って、アク
リル系樹脂シート１１１をパターニングし、隔壁１０１
ａを形成する。隔壁１０１ａは、樹脂の硬化によって隔
壁１０１となる。

【００７０】次に、図１１（Ｄ）に示すように、電極パ
ッド３３上にバンプ３４を形成する。その後は、実施形
態４で説明した方法と同様の方法でＳＡＷデバイス１０
０を製造できる。

【００７１】上記製造方法では、隔壁１０１を形成する
ことによって、絶縁性シート３５が変形して櫛形電極３
２に接触することを防止できる。また、側壁３６が高い
加圧力によって変形して櫛形電極３２に接触することを
防止できる。

【００７２】（実施形態６）実施形態６では、本発明の
ＳＡＷデバイスのその他の一例について説明する。実施
形態６のＳＡＷデバイス１２０について、断面図を図１
２に示す。ＳＡＷデバイス１２０は、ＳＡＷデバイス１
００に比べて、屋根部材１２１をさらに備える点のみが
異なる。実施形態６では、ＳＡＷデバイス１００と同様
の部分については重複する説明を省略する。

【００７３】屋根部材１２１は、圧電基板３１と絶縁性
シート３５との間に配置される。屋根部材１２１は、た
とえば、アクリル系樹脂からなる。屋根部材１２１は、
隔壁１０１の蓋となる部材である。圧電基板３１と隔壁
１０１と屋根部材１２１とは第２の密閉空間１２９を形
成する。屋根部材１２１は、絶縁性シート３５と接触し
ている。

【００７４】ＳＡＷデバイス１２０では、櫛形電極３２
の周囲は密閉空間３９と密閉空間１２９によって２重に
封止されている。したがって、ＳＡＷデバイス１２０に
よれば、櫛形電極３２の周囲の気密性を高めることがで
きる。また、絶縁性シート３５が櫛形電極３２に接触す
ることを防止できる。

【００７５】ＳＡＷデバイス１２０は、図１１（Ｃ）の
工程ののちに、隔壁１０１ａ上に屋根部材１２１を配置
することによって製造できる。屋根部材１２１は、たと
えば、感光性樹脂からなるシートを、露光・現像によっ
てパターニングすることによって形成できる。このと
き、隔壁１０１ａの高さと屋根部材１２１の厚さとの和
が、側壁３６の高さよりも大きくなるように隔壁１０１
ａおよび屋根部材１２１を形成する。実施形態６の製造
方法では、実施形態５で説明した効果が得られる。さら
にこの製造方法によれば、樹脂を硬化させるときに発生
する有機溶媒でＳＡＷ素子４０の特性が低下することを
防止できる。

【００７６】なお、屋根部材１２１は、絶縁性シート３
５と離れた位置に配置してもよい。そのようなＳＡＷデ
バイス１３０について、断面図を図１３に示す。ＳＡＷ
デバイス１３０では、絶縁性シート３５と屋根部材１２
１とが接触していないため、両者の間で化学反応などが
生じることを防止できる。このため、特に信頼性が高い
ＳＡＷデバイスが得られる。また、絶縁性シート３５と
屋根部材１２１とを異なる材料で形成することができ
る。

【００７７】（実施形態７）実施形態７では、本発明の
ＳＡＷデバイスの他の一例について説明する。実施形態
７のＳＡＷデバイス１４０について、ＳＡＷ素子の部分
の拡大図を図１４に示す。なお、ＳＡＷデバイス１４０
は、ＳＡＷデバイス３０と同様にキャリア４１を備え
る。

【００７８】ＳＡＷデバイス１４０は、実施形態３のＳ
ＡＷデバイス３０と比較して、圧電基板３１の一主面３
１ａ上に形成された膜１４１を備える点のみが異なる。
実施形態７では、ＳＡＷデバイス３０と同様の部分につ
いては重複する説明を省略する。

【００７９】ＳＡＷデバイス１４０は、一主面３１ａ上
に、複数の櫛形電極３２を覆うように形成された膜１４
１を備える。膜１４１は、圧電基板３１と側壁３６との
接着性を向上させる材料からなる。具体的には、珪素化
合物を用いることができ、たとえば、酸化珪素（ＳｉＯ
₂、ＳｉＯ）や窒化珪素を用いることができる。

【００８０】ＳＡＷデバイス１４０では、膜１４１によ
って、圧電基板３１と側壁３６との間の接着性が向上す
る。このため、圧電基板３１と側壁３６との界面から密
閉空間３９に侵入する水分を減少させることができ、装
置の耐湿性が向上する。また、接着性の向上によってデ
バイスの信頼性が向上する。

【００８１】この効果を確認するため、ＳＡＷデバイス
３０および１４０を実際に作製して不活性ガスを用いた
リークテストを行った。その結果、ＳＡＷデバイス１４
０における密閉空間からのガスのリーク量は、ＳＡＷデ
バイス３０におけるリーク量の１０分の１以下となっ
た。

【００８２】また、ＳＡＷデバイス３０および１４０に
ついて、８５℃、相対湿度８５％の雰囲気下に放置する
信頼性試験を行った。その結果、ＳＡＷデバイス１４０
の不良発生率は、ＳＡＷデバイス３０に比べて非常に低
かった。

【００８３】また、ＳＡＷデバイス３０および１４０に
ついて、熱衝撃試験を行った。その結果、ＳＡＷデバイ
ス１４０の不良発生率は、ＳＡＷデバイス３０に比べて
非常に低かった。

【００８４】（実施形態８）実施形態８では、本発明の
ＳＡＷデバイスの他の例について説明する。実施形態８
のＳＡＷデバイスは、ＳＡＷデバイス３０に保護部材を
形成したデバイスである。

【００８５】実施形態８のＳＡＷデバイス１５０の断面
図を図１５に示す。ＳＡＷデバイス１５０は、ＳＡＷデ
バイス３０と比べて、側面（側壁３６）を覆うように耐
湿性の保護部材１５１が形成されている点のみが異な
る。

【００８６】保護部材１５１は、耐湿性の高い材料から
なる。具体的には、たとえば、珪素化合物、エポキシ系
樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂またはアクリル
系樹脂を用いることができる。さらに具体的には、撥水
性のフッ素系樹脂、ＳｉＯ₂、またはＳｉＮを用いるこ
とができる。保護部材１５１の材料となる樹脂は、１２
１℃、２気圧、飽和水蒸気圧下で２０時間放置した場合
に、質量の変動が２％以下であることが好ましい。

【００８７】保護部材１５１は、密閉空間３９に水分が
侵入することを防止するとともに、装置の耐衝撃性を高
める。したがって、ＳＡＷデバイス１５０は、ＳＡＷデ
バイス３０よりもさらに耐湿性および耐衝撃性が高い。

【００８８】なお、保護部材１５１は、圧電基板３１の
他主面３１ｂ（一主面３１ａとは反対側の主面）と装置
の側面（側壁３６）とを覆うように形成してもよい。そ
のようなＳＡＷデバイス１６０について一例の断面図を
図１６に示す。

【００８９】ＳＡＷデバイス１６０は、ＳＡＷデバイス
３０とは、保護部材１６１を備える点のみが異なる。保
護部材１６１は、圧電基板３１の他主面３１ｂおよび側
面を覆うように形成されている。保護部材１６１には、
保護部材１５１と同様の材料を用いることができる。保
護部材１６１は、他主面３１ｂを覆うように形成されて
いるため、保護部材１５１で得られる効果に加えて、さ
らに優れた耐衝撃性が得られる。保護部材１６１は、側
壁３６を覆うように形成された第１の保護部材と、他主
面３１ｂを覆うように形成された第２の保護部材とを一
体として形成した保護部材である。

【００９０】ＳＡＷデバイス１５０および１６０を実際
に作製して耐衝撃性の評価を行った。具体的には、各装
置に１０グラムのおもりをつけてコンクリート面に落下
させる試験を行った。その結果、ＳＡＷデバイス１６０
は、ＳＡＷデバイス１５０よりもさらに耐衝撃性に優れ
ていた。

【００９１】なお、保護部材は、さらにその表面を覆う
保護膜で被覆されていてもよい（以下の保護部材におい
ても同様である）。保護膜は、たとえば、珪素化合物、
撥水性の樹脂材料、または金属材料からなる。珪素化合
物としては、二酸化珪素や窒化珪素を用いることができ
る。撥水性の樹脂材料としては、フッ素系樹脂やシリコ
ーン系樹脂を用いることができる。

【００９２】（実施形態９）実施形態９では、本発明の
ＳＡＷデバイスの他の一例について説明する。実施形態
９のＳＡＷデバイス１７０について、断面図を図１７に
示す。ＳＡＷデバイス１７０は、圧電基板３１の他主面
３１ｂ（一主面３１ａとは反対側の主面）上に形成され
た保護部材１７１を備える。

【００９３】保護部材１７１は、装置の耐衝撃性を向上
させるために形成される。保護部材１７１は、衝撃を吸
収する材料からなり、たとえば樹脂からなる。具体的に
は、たとえば、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、ま
たはアクリル系樹脂を用いることができる。これらの中
でも、硬化時の収縮応力を考慮すると、剛性が低いシリ
コーン系樹脂がより好ましい。

【００９４】厚さが０．１５ｍｍの圧電基板３１を用い
てＳＡＷデバイス３０および１７０を形成し、耐衝撃性
を評価した。具体的には、１００ｇのおもりをつけたＳ
ＡＷデバイス３０および１７０をコンクリート面に落下
させて耐衝撃性を評価した。その結果、ＳＡＷデバイス
１７０では、ＳＡＷデバイス３０よりもさらに耐衝撃性
が向上していた。

【００９５】なお、保護部材１７１は、ＳＡＷデバイス
１６０のように、他主面３１ｂおよび側面を覆うように
形成してもよい。これによって、ＳＡＷデバイスの耐湿
性および耐衝撃性が向上する。

【００９６】（実施形態１０）実施形態１０では、本発
明のＳＡＷデバイスおよびその製造方法について他の例
を説明する。

【００９７】実施形態１０の製造方法について、工程断
面図を図１８（Ａ）〜１８（Ｃ）に示す。まず、図１８
（Ａ）に示すように、台座１８１の上方で、キャリア１
８２とＳＡＷ素子４０とを対向させる。台座１８１とし
ては、たとえば、表面がテフロン（登録商標）でコート
されたステンレス製の台座を用いることができる。キャ
リア１８２は、外部電極３７を形成しないことを除い
て、図５に示した方法と同様の方法で形成できる。ＳＡ
Ｗ素子４０は、図４（Ａ）で説明した方法と同様の方法
で形成できる。

【００９８】次に、図１８（Ｂ）に示すように、キャリ
ア１８２にバンプ３４を貫通させ、バンプ３４を台座１
８１に押しつける。キャリア１８２を貫通したバンプ３
４の先端は、電極端子部として利用可能である。

【００９９】図１８（Ｂ）の工程では、固着防止のため
の膜（たとえば、テフロンコート）を台座１８１の表面
に設けることが好ましい。これによって、バンプ３４と
台座１８１とが固着することを防止できる。このように
して、図１８（Ｃ）に示すＳＡＷデバイス１８０が得ら
れる。

【０１００】実施形態１０の製造方法では、外部電極３
７を形成する工程を省略できるため、本発明のＳＡＷデ
バイスを安価に製造できる。また、外部電極３７を形成
する場合には、メッキ工程や気相成膜工程といった外部
電極３７を形成する工程に耐えるような材料で絶縁性シ
ート３５を形成する必要がある。これに対し、実施形態
１０の製造方法ではそのような制約がない。このため、
絶縁性シート３５の材料の選択の幅が広がる。

【０１０１】なお、台座１８１の代わりに、電極端子部
が形成される部分に凹部を備えた台座を用いてもよい。
そのような台座１９１を用いた製造方法について、製造
工程の断面図を図１９（Ａ）〜（Ｃ）に示す。

【０１０２】図１９（Ａ）〜（Ｃ）の製造工程では、電
極端子部が形成される部分に凹部１９１ａが形成された
台座１９１を用いる。その結果、キャリア１８２を貫通
したバンプ３４の先端が、凹部１９１ａの形に形成され
て電極端子部３４ａとなる。このように、台座１９１を
用いることによって電極端子部３４ａを正確に形成で
き、ＳＡＷデバイスの実装を信頼性よく容易に行うこと
ができる。

【０１０３】（実施形態１１）実施形態１１では、本発
明のＳＡＷデバイスおよびその製造方法について他の例
を説明する。実施形態１１の製造方法について、工程断
面図を図２０（Ａ）および（Ｂ）に示す。

【０１０４】まず、図２０（Ａ）に示すように、配線基
板２０１の上方で、キャリア１８２とＳＡＷ素子４０と
を対向させる。配線基板２０１は、基板２０１ａと基板
２０１ａ上に形成された電極２０１ｂとを含む。基板２
０１ａは、たとえば、ガラスエポキシ、紙エポキシ、紙
フェノール、アラミド樹脂、またはセラミクスからな
る。電極２０１ｂは、たとえば金からなり、表面にすず
メッキが施されていてもよい。配線基板２０１は、プリ
ント基板でもよいし、また、回路が内蔵されたセラミク
ス基板でもよい。ＳＡＷ素子４０およびキャリア１８２
は、上述したものと同様である。

【０１０５】次に、図２０（Ｂ）に示すように、キャリ
ア１８２にバンプ３４を貫通させ、さらにバンプ３４と
電極２０１ｂとを電気的に接続する。このときの条件
は、電極２０１ｂの材料によって異なる。

【０１０６】バンプ３４および電極２０１ｂがともに金
からなる場合、金の固相拡散反応によって、両者を電気
的・機械的に接続できる。金の固相拡散反応は、たとえ
ば、配線基板２０１を１２０℃〜３００℃程度に加熱
し、超音波を印加することによって起こさせることがで
きる。ただし、圧電基板３１が焦電係数の高い材料から
なる場合には、焦電破壊をさけるため、加熱温度を２０
０℃以下にする必要がある。圧電基板３１として焦電係
数が低い水晶基板を用いる場合には、３００℃程度まで
加熱することが可能である。また、加熱温度は、側壁３
６や絶縁性シート３５の材料によっても制限される。加
熱温度が１２０℃程度と低い場合には、１・ｎ（Ｗ）
（ｎはバンプ３４の数）程度の超音波を印加することが
必要となる。

【０１０７】バンプ３４が金からなり、電極２０１ｂが
表面にすすメッキが施された金からなる場合には、加熱
をしないで超音波を印加するだけで、両者を電気的・機
械的に接続できる。具体的には、たとえば、０．２・ｎ
（Ｗ）の超音波を印加することによってバンプ３４と電
極２０１ｂとを電気的・機械的に接続できる。ただし、
このとき加熱を行うことによって、ＳＡＷ素子４０の実
装が容易になる。ただし、加熱は、ＳＡＷ素子４０の特
性が劣化しない範囲で行うことが好ましい。バンプ３４
の金と電極２０１ｂのすずとは、その後のリフロー工程
で共晶を形成して強固な接合を形成する。

【０１０８】（実施形態１２）実施形態１２では、本発
明のＳＡＷデバイスの他の一例について説明する。実施
形態１２のＳＡＷデバイス２１０について、断面図を図
２１（Ａ）および（Ｂ）に示す。図２１（Ａ）は図２１
（Ｂ）の線Ｙ−Ｙにおける断面図（配線ライン３８は省
略）である。図２１（Ｂ）は、図２１（Ａ）の線Ｘ−Ｘ
から圧電基板３１側を見たときの断面図である。

【０１０９】ＳＡＷデバイス２１０は、櫛形電極３２の
周囲に配置された側壁２１５を備える。側壁２１５は、
側壁３６と同様の材料からなる。側壁２１５は、図１０
（Ｂ）の隔壁１０１と同様の位置に配置される。圧電基
板３１と側壁２１５と絶縁性シート３５とは、密閉空間
２１９を形成する。ＳＡＷデバイス２１０では、側壁２
１５がバンプ３４の内側に配置されている。バンプ３４
は、側壁２１５を貫通せず、絶縁性シート３５のみを貫
通する。

【０１１０】ＳＡＷデバイス２１０の製造方法につい
て、以下に説明する。ＳＡＷデバイス２１０は、側壁２
１５の製造工程を除いて、実施形態４で説明した方法と
同様の方法で製造できる。

【０１１１】側壁２１５は、圧電基板３１上に形成して
も、絶縁性シート３５上に形成してもよい。側壁２１５
を圧電基板３１上に形成する場合には、感光性の樹脂を
用いてフォトリソグラフィーによって形成できる。これ
によって、側壁２１５を所定の位置に精度よく形成で
き、装置の小型化、および製造歩留まりの向上が可能と
なる。側壁２１５を絶縁性シート３５上に形成する場合
には、側壁３６と同様の方法で形成できる。

【０１１２】ＳＡＷデバイス２１０の製造方法では、バ
ンプ３４を側壁に貫通させる必要がないため、実装工程
時の条件の制御が容易になる。

【０１１３】なお、ＳＡＷデバイス２１０の側面や圧電
基板３１の他主面３１ｂを覆うように保護部材を形成し
てもよい。装置の側面のみに保護部材１５１を形成した
ＳＡＷデバイス２１０ａについて、断面図を図２２
（Ａ）に示す。また、装置の側面および他主面３１ｂを
覆うように保護部材１６１を形成したＳＡＷデバイス２
１０ｂについて、断面図を図２２（Ｂ）に示す。保護部
材を形成することによって、装置の耐湿性および耐衝撃
性が向上する。

【０１１４】また、絶縁性シート３５が屋根部３５ｂを
備えてもよい。そのようなＳＡＷデバイス２１０ｃにつ
いて、断面図を図２３に示す。ＳＡＷデバイス２１０ｃ
では、圧電基板３１と側壁２１５と屋根部３５ｂとが密
閉空間２１９を形成する。なお、ＳＡＷデバイス２１０
ａおよび２１０ｂと同様に、ＳＡＷデバイス２１０ｃの
周囲に保護部材を形成してもよい。

【０１１５】（実施形態１３）実施形態１３では、本発
明の回路モジュールについて一例を説明する。実施形態
１３の回路モジュール２４０について、断面図を図２４
に示す。回路モジュール２４０は、配線基板２０１とＳ
ＡＷデバイス３０と保護部材２４１とを含む。

【０１１６】配線基板２０１上には、機能素子などの回
路部品が実装されていてもよい。具体的には、抵抗、コ
ンデンサ、コイル、ダイオードといったディスクリート
部品や半導体集積回路が実装されていてもよい。ＳＡＷ
デバイス３０は、たとえば、配線基板の電極２０１ｂに
外部電極３７をハンダ付けすることによって実装でき
る。回路モジュール２４０では、絶縁性シート３５が低
剛性の材料からなるため、ハンダ付けによって生じる応
力を絶縁性シート３５が吸収する。そのため、回路モジ
ュール２４０では、薄い圧電基板３１を用いることがで
きる。

【０１１７】ＳＡＷデバイス３０は、保護部材２４１で
覆われている。保護部材２４１には、保護部材１５１と
同様の材料を用いることができる。

【０１１８】なお、配線基板２０１の代わりに、内部に
電子部品が内蔵されたセラミクス積層基板を用いてもよ
い。そのような回路モジュール２５０について、断面図
を図２５に模式的に示す。

【０１１９】回路モジュール２５０は、セラミクス積層
基板２５１と、ＳＡＷデバイス３０と、保護部材２５２
と回路部品とを備える。セラミクス積層基板２５１の表
面には、配線ライン２５３およびグランド電極２５４が
形成されている。セラミクス積層基板２５１の内部に
は、容量性素子２５５が形成されている。配線ライン２
５３には、ＳＡＷデバイス３０および抵抗素子２５６
（ハッチングは省略する）が実装されている。

【０１２０】ＳＡＷデバイス３０は、保護部材２５２で
覆われている。保護部材２５２には、保護部材１５１と
同様の材料を用いることができる。

【０１２１】なお、配線基板２０１やセラミクス積層基
板２５１上に実装するＳＡＷデバイスは、ＳＡＷデバイ
ス３０に限らず、本発明の他のＳＡＷデバイスであって
もよい。

【０１２２】（実施形態１４）実施形態１４では、本発
明の弾性表面波デバイスについて他の一例を説明する。
実施形態１４のＳＡＷデバイスは、圧電基板と、前記圧
電基板の一主面上に配置された弾性表面波を励振するた
めの複数の櫛形電極と、前記一主面上に配置された複数
のバンプと、前記一主面側に配置され樹脂を含む部材と
を備える。前記バンプと前記櫛形電極とは電気的に接続
されている。前記バンプの少なくとも一部は、前記部材
に埋没している。

【０１２３】実施形態１４のＳＡＷデバイスは、さら
に、前記圧電基板の前記一主面に対向するように配置さ
れた回路基板をさらに備える。前記回路基板は、前記圧
電基板側の表面に形成された配線ラインを備える。前記
樹脂を含む部材は、前記櫛形電極が振動可能な空間を前
記櫛形電極の周囲に形成するための空間形成部材であ
る。

【０１２４】実施形態１４のＳＡＷデバイスは、以下の
実施形態で説明するように様々な形態のＳＡＷデバイス
を含む。なお、以下の実施形態においては枠状の空間形
成部材を示しているが、空間形成部材は櫛形電極の周囲
を囲っていなくともよい。たとえば、空間形成部材は柱
状の形状でもよい。この場合には、空間形成部材の周囲
を覆うように配置された樹脂によって櫛形電極の周囲の
空間を密閉空間にする。

【０１２５】（実施形態１５）実施形態１５では、本発
明のＳＡＷデバイスの製造方法について一例を説明す
る。

【０１２６】実施形態１５の製造方法では、まず、
（ｉ）圧電基板と、前記圧電基板の一主面に形成された
複数の櫛形電極と、前記複数の櫛形電極に電気的に接続
された複数のバンプとを備える弾性表面波素子と、配線
ラインが形成された一主面を備える回路基板とを形成す
る。その後、（ii）前記圧電基板の前記一主面と、前記
回路基板の前記一主面とを、空間形成部材を挟んで対向
するように配置させる。その後、（iii）前記バンプが
前記空間形成部材に埋没して前記配線ラインと電気的に
接続するように、前記回路基板と前記弾性表面波素子と
を接近させる。前記（iii）の工程において、前記空間
形成部材が前記櫛形電極の周囲に前記櫛形電極が振動可
能な空間を形成する。

【０１２７】なお、実施形態１５の製造方法は、本発明
の製造方法の一例であり、本発明の製造方法は、以下の
実施形態で説明するように他の様々な形態を含む。本発
明の製造方法では、実施形態１で説明した部材、たとえ
ば圧電基板、櫛形電極、電極パッド、バンプ、絶縁性シ
ート、側壁、外部電極、および配線ラインといった部材
を用いることができる。

【０１２８】（実施形態１６）実施形態１６では、実施
形態１４のＳＡＷデバイスおよびその製造方法の一例に
ついて説明する。実施形態１６のＳＡＷデバイス３００
について断面図を図２６に示す。

【０１２９】ＳＡＷデバイス３００は、ＳＡＷ素３０１
と回路基板３１０と空間形成部材３２０とを備える。Ｓ
ＡＷ素子３０１は、ＳＡＷデバイス１０に含まれるＳＡ
Ｗ素子と同様である。ＳＡＷ素子３０１は、圧電基板１
１と圧電基板１１の一主面１１ａ上に形成された複数の
櫛形電極１２と、電極パッド１３と、電極パッド１３上
に形成された複数のバンプ１４とを備える。

【０１３０】空間形成部材３２０は、樹脂からなる。空
間形成部材３２０には、櫛形電極１２が振動可能な空間
を形成するための貫通孔または凹部が形成されている。
空間形成部材３２０は、圧電基板１１と回路基板３１０
との間に配置されている。回路基板３１０と圧電基板１
１と空間形成部材３２０とは、櫛形電極１２の周囲に櫛
形電極１２が振動するための密閉空間を形成する。

【０１３１】回路基板３１０は、基体３１１、配線ライ
ン３１２、ビア電極３１３、内部電極３１４および外部
電極３１５を備える。基体３１１は、絶縁体からなる層
３１１ａ〜３１１ｃが積層された積層体である。配線ラ
イン３１２は、回路基板３１０の一主面３１０ａ上に形
成される。ビア電極３１３および内部電極３１４は、基
体３１１の内部に形成される。内部電極３１４は、基体
３１１の内部に層状に形成されている。ビア電極３１３
は、配線ライン３１２、内部電極３１４および外部電極
３１５を接続する。バンプ１４は、空間形成部材３２０
を貫通して直接配線ライン３１２に接続されている。バ
ンプ１４と配線ライン３１２とは、超音波を印加するこ
とによって接続されることが好ましい。櫛形電極１２
は、電極パッド１３、バンプ１４、配線ライン３１２、
ビア電極３１３および内部電極３１４を介して外部電極
３１５に電気的に接続されている。また、ＳＡＷ素子３
０１は、バンプ１４および空間形成部材３２０によっ
て、回路基板３１０に固定されている。

【０１３２】ＳＡＷデバイス３００では、ＳＡＷ素子３
０１を気密封止する容器を必要としないため、小型化お
よび低背化が可能である。また、ＳＡＷデバイス３００
では、空間形成部材３２０とバンプ１４とによって、回
路基板３１０上にＳＡＷ素子３０１を支持するので、Ｓ
ＡＷ素子を安定に支持できる。

【０１３３】次に、このＳＡＷデバイス３００の製造方
法について、図２７（Ａ）および（Ｂ）を用いて説明す
る。まず、ＳＡＷ素子３０１、回路基板３１０、および
空間形成部材３２０をそれぞれ作製する（工程
（ｉ））。各構成部分は、どのような順序で作製しても
よく、同時に作製してもよい。以下に、各構成部分の作
製方法について説明する。

【０１３４】まず、回路基板３１０を作製する工程を説
明する。回路基板３１０は、積層されたセラミック誘電
体からなる基体３１１を含む。基体３１１は、セラミッ
クグリーンシートを焼成することによって形成できる。
基体３１１には、ガラスエポキシ系の樹脂基板を用いて
もよい。配線ライン３１２、内部電極３１４および外部
電極３１５は、一般的な配線の形成方法によって形成で
きる。ビア電極３１３は、基体３１１にビアホールを形
成し、その内部に金属ペーストを充填して焼成すること
によって形成できる。なお、配線ライン３１２と外部電
極３１５とは、インダクタやキャパシタ、移相回路、バ
ラン、ローパスフィルタといった機能回路を介して接続
してもよい。これらの機能回路は、基体３１１の内部に
配置してもよい。

【０１３５】次に、空間形成部材３２０を作製する工程
を説明する。空間形成部材３２０には、櫛形電極１２が
振動可能な空間を形成するための貫通孔または凹部が形
成されている。空間形成部材３２０は、一般的な方法で
形成できる。たとえば、空間形成部材３２０は、樹脂か
らなる板状体の中央部に機械的に貫通孔を形成すること
によって作製できる。また、空間形成部材３２０は、空
洞部を設けた型枠に硬化前の樹脂を流し込んで半硬化さ
せることによっても作製できる。また、貫通孔が形成さ
れた板状体と平板な板状体とを貼り合わせることによっ
ても、凹部を備える空間形成部材３２０を作製できる。

【０１３６】空間形成部材３２０は、熱硬化性樹脂から
なることが好ましく、たとえばエポキシ樹脂で形成でき
る。なお、空間形成部材３２０の熱変形性、粘度、およ
び弾性率といった特性を制御するために、空間形成部材
３２０は固形充填物を含んでもよい。

【０１３７】次に、ＳＡＷ素子３０１を作製する工程に
ついて説明する。ＳＡＷ素子３０１は、実施形態４で説
明したＳＡＷ素子４０の作製方法と同様の方法で形成で
きる。バンプ１４は、実施形態４で説明したように、金
ワイヤを用いたボールボンディング法によって形成でき
る。バンプ１４は、信頼性が高い電気接続を行うため、
変形しやすい金からなることが好ましい。さらに、バン
プ１４は、空間形成部材３２０を貫通しやすくするた
め、先端が尖った２段型の構造であることが好ましい。
バンプ１４の高さは、空間形成部材３２０の厚さより高
いことが好ましい。バンプ１４の高さを一定の範囲内と
することによって、空間形成部材３２０を変形させるこ
となく、バンプ１４と配線ライン３１２とを信頼性よく
接続できる。

【０１３８】次に、ＳＡＷ素子３０１と回路基板３１０
と空間形成部材３２０とを組み立ててＳＡＷデバイス３
００を作製する工程について説明する。

【０１３９】まず、図２７（Ａ）に示すように、回路基
板３１０の一主面３１０ａに空間形成部材３２０を加熱
圧着する。空間形成部材３２０は、配線ライン３１２の
うちバンプ１４が接続される部分を少なくとも覆うよう
に配置される。加熱圧着の温度や圧力等の条件は、空間
形成部材３２０が所定の空間を形成できるように、使用
する樹脂の種類によって選択する。具体的には、たとえ
ば、加熱温度：５０℃、圧力：１．４７×１０⁵Ｐａの
条件で加熱圧着を行うことができる。なお、貫通孔では
なく凹部が形成された空間形成部材３２０を用いる場合
には、凹部が形成されていない側を回路基板３１０に加
熱圧着する。

【０１４０】空間形成部材３２０を積層した後、空間形
成部材３２０を熱処理して、空間形成部材３２０を形成
する樹脂に含まれるガス成分を除去することが好まし
い。空間形成部材３２０に含まれるガス成分を除去する
ことで、ＳＡＷデバイス３００の特性の変動を抑制でき
る。この場合、熱処理の条件は、空間形成部材３２０を
形成する樹脂に応じて種々選択できる。たとえば、１０
０℃で２時間の条件で熱処理を行うことができる。

【０１４１】その後、図２７（Ａ）に示すように、圧電
基板１１の一主面１１ａと、回路基板３１０の一主面３
１０ａとを空間形成部材３２０を挟んで対向させる。

【０１４２】次に、図２７（Ｂ）に示すように、バンプ
１４が空間形成部材３２０を貫通して配線ライン３１２
と直接接続するように、回路基板３１０とＳＡＷ素子３
０１とを接近させる。この工程によって、櫛形電極１２
の周囲に、櫛形電極１２が振動可能な密閉空間３２６が
形成される。具体的には、回路基板３１０をステージ３
３１上に配置したのち、バンプ１４が空間形成部材３２
０を貫通するように、圧電基板１１の裏面側をプレスス
テージ３３０で加圧する。加圧は、バンプ１４と配線ラ
イン３１２とが密着するまで行う。このとき、空間形成
部材３２０に圧縮応力がわずかに加わる程度まで圧力を
加えてもよい。これによって、バンプ１４を塑性変形さ
せてＳＡＷ素子３０１を固定するとともに、バンプ１４
を配線ライン３１２と電気的に接続できる。バンプ１４
を塑性変形させることによって、バンプ１４と配線ライ
ン３１２とを信頼性よく接続できる。バンプ１４の高さ
を空間形成部材３２０の厚さより大きくしておくことに
よって、ＳＡＷ素子３０１と回路基板３１０とを接近さ
せる際にバンプ１４を塑性変形させることができる。

【０１４３】バンプ１４と配線ライン３１２とを接続す
る工程では、バンプ１４が空間形成部材３２０を貫通し
やすいように、ＳＡＷ素子３０１および空間形成部材３
２０から選ばれる少なくとも１つの部分を加熱すること
が好ましい。さらに、この工程において、バンプ１４と
配線ライン３１２との接点に超音波を印加して、バンプ
１４と配線ライン３１２とを超音波接合してもよい。超
音波接合によって、電気的な接続を特に信頼性よく行う
ことができる。この超音波の印加条件は種々選択でき
る。このＳＡＷデバイス３００では、空間形成部材３２
０とバンプ１４とによってＳＡＷ素子３０１を固定する
ので、バンプ１４のみで固定する従来の方法に比べてＳ
ＡＷ素子３０１を安定に固定できる。したがって、ＳＡ
Ｗデバイス３００を製造する場合には、バンプ１４を固
定するための超音波出力を小さくできる。その結果、Ｓ
ＡＷ素子３０１の圧電基板１１が衝撃によって割れるこ
とを抑制できる。

【０１４４】さらに、図２７（Ｂ）の工程ののちに加熱
処理を行って空間形成部材３２０の樹脂を硬化させ、Ｓ
ＡＷ素子３０１と空間形成部材３２０との密着性、およ
び空間形成部材３２０と回路基板３１０との密着性を向
上させることが好ましい。この加熱処理は、空間形成部
材３２０の材料に応じて選択でき、たとえば、１５０℃
で１時間の条件で行うことができる。この加熱処理によ
って、密閉空間３２６の気密性を向上させることができ
る。この加熱処理では、バンプ１４と配線ライン３１２
とが接合しており、空間形成部材３２０にはわずかに圧
縮応力が作用しているため、加圧する必要はない。した
がって、生産性よくＳＡＷデバイス３００を製造でき
る。

【０１４５】加熱処理によって空間形成部材３２０を硬
化させることで、機械的衝撃に強く信頼性の高いＳＡＷ
デバイス３００が得られる。また、空間形成部材３２０
がＳＡＷ素子３０１の外形寸法より大きい場合には、加
熱処理によって、空間形成部材３２０の樹脂がＳＡＷ素
子３０１の側面にも回り込み、密閉空間３２６の気密性
を向上させることができる。

【０１４６】実施形態１６の製造方法によれば、ＳＡＷ
素子３０１が強固に固定されたＳＡＷデバイス３００が
得られる。

【０１４７】（実施形態１７）実施形態１７では、実施
形態１４で説明したＳＡＷデバイスについて一例を説明
する。実施形態１７のＳＡＷデバイス３００ａについ
て、断面図を図２８に示す。

【０１４８】ＳＡＷデバイス３００ａは、実施形態１６
のＳＡＷデバイス３００と比較して、空間形成部材３２
０の周囲を覆うように配置された保護部材３２７を備え
る点が異なる。保護部材３２７は、保護部材１５１と同
様の材料で形成できる。ＳＡＷデバイス３００ａでは、
保護部材３２７によって密閉空間３２６の気密性を高く
でき、水分などが密閉空間３２６に侵入することを防止
できる。

【０１４９】保護部材３２７の材料の熱膨張係数は、回
路基板３１０の材料の熱膨張係数の０．８倍〜１．２倍
の範囲内にあることが好ましい。これによって、動作環
境の温度が変化しても、熱膨張係数の違いによって保護
部材と回路基板とが変形することがない。その結果、温
度変化による特性の劣化が少ないＳＡＷデバイスが得ら
れる。

【０１５０】（実施形態１８）実施形態１８では、実施
形態１４で説明したＳＡＷデバイスついて一例を説明す
る。実施形態１８のＳＡＷデバイス３００ｂについて、
断面図を図２９に示す。

【０１５１】ＳＡＷデバイス３００ｂは、実施形態１７
のＳＡＷデバイス３００ａと比較して、空間形成部材３
２０の周囲だけでなく、ＳＡＷ素子３０１の裏面も保護
部材３２７で覆っている点で相違する。換言すれば、Ｓ
ＡＷデバイス３００ｂは、空間形成部材３２０の周囲に
配置された第１の保護部材と、圧電基板１１の一主面１
１ａとは反対側の他主面を覆うように配置された第２の
保護部材とを備える。ＳＡＷデバイス３００ｂでは、第
１の保護部材と第２の保護部材とが一体として形成され
ている。

【０１５２】ＳＡＷデバイス３００ｂでは、ＳＡＷ素子
３０１が回路基板３１０上に強固に固定されており、ま
た、圧電基板１１が保護部材３２７で覆われている。し
たがって、圧電基板１１として、タンタル酸リチウムな
どの脆い材料を用いた場合でも、機械的衝撃や熱的衝撃
による影響を抑制できる。

【０１５３】（実施形態１９）実施形態１９では、実施
形態１４で説明したＳＡＷデバイスついて一例を説明す
る。実施形態１９のＳＡＷデバイス３００ｃについて、
断面図を図３０に示す。

【０１５４】ＳＡＷデバイス３００ｃは、実施形態１８
のＳＡＷデバイス３００ｂと比較して、回路基板３１０
上の配線ライン３１２が密閉空間３２６の内部にまで形
成されている点が異なる。ＳＡＷデバイス３００ｃで
は、空間形成部材３２０の開口部内に配置された配線ラ
イン３１２によって、ＳＡＷデバイスを組み立てる際に
回路基板３１０とＳＡＷ素子３０１とを精度よく位置合
わせすることができる。なお、配線ライン３１２とは別
に、回路基板３１０の位置を認識するためのパターンが
回路基板３１０上に形成されていてもよい。このパター
ンは、配線ライン３１２と同様の方法で形成できる。

【０１５５】（実施形態２０）実施形態２０では、実施
形態１４で説明したＳＡＷデバイスついて一例を説明す
る。実施形態２０のＳＡＷデバイス３００ｄについて、
断面図を図３１に示す。

【０１５６】ＳＡＷデバイス３００ｄは、実施形態１６
のＳＡＷデバイス３００と比較して、空間形成部材のみ
が異なる。ＳＡＷデバイス３００ｄの空間形成部材３２
０ａは、第１の部材３２０ｘと第２の部材３２０ｙとか
らなる。第１の部材３２０ｘの中央部には、貫通孔が形
成されている。第１の部材３２０ｘには、実施形態１６
で説明した空間形成部材３２０を薄くしたものを用いる
ことができる。第２の部材３２０ｙには、樹脂からなる
シートを用いることができる。なお、第２の部材３２０
ｙは、その回路基板３１０側に、必要に応じて凹部が形
成されていてもよい。第１の部材３２０ｘは第２の部材
３２０ｙ上に積層されており、第１の部材３２０ｘの貫
通孔が凹部を形成する。この凹部が、櫛形電極１２が振
動可能な空間を形成する。

【０１５７】空間形成部材３２０ａは、空間形成部材３
２０と同様に回路基板３１０上に加熱圧着すればよい。
また、第２の部材３２０ｙを回路基板３１０上に加熱圧
着したのち、第２の部材３２０ｙ上に第１の部材３２０
ｘを加熱圧着してもよい。

【０１５８】ＳＡＷデバイス３００ｄは、シート状の第
２の部材３２０ｙを備えるため、回路基板３１０から金
属粉などが剥離して櫛形電極１２に付着することを防止
できる。その結果、櫛形電極１２が短絡することを防止
でき、信頼性が高いＳＡＷデバイスが得られる。

【０１５９】（実施形態２１）実施形態２１では、実施
形態１４で説明したＳＡＷデバイスついて一例を説明す
る。実施形態２１のＳＡＷデバイス３００ｅについて、
断面図を図３２に示す。

【０１６０】ＳＡＷデバイス３００ｅは、実施形態２０
のＳＡＷデバイス３００ｄと比較して、空間形成部材３
２０ａの周囲およびＳＡＷ素子３０１の裏面側を保護部
材３２７で覆っている点が異なる。保護部材３２７は、
実施形態１８で説明したものと同様である。ＳＡＷデバ
イス３００ｅでは、ＳＡＷデバイス３００ｄで得られる
効果に加えて、実施形態１８で説明した効果も得られ
る。

【０１６１】なお、第１の部材３２０ｘは、第２の部材
３２０ｙよりも大きくてもよい。そのような構成のＳＡ
Ｗデバイス３００ｆについて、断面図を図３３に示す。
ＳＡＷデバイス３００ｆでは、第１の部材３２０ｘが第
２の部材３２０ｙを覆うように配置されている。第１の
部材３２０ｘは、さらに、回路基板３１０の表面を覆っ
てもよい。

【０１６２】（実施形態２２）実施形態２２では、実施
形態１４で説明したＳＡＷデバイスついて一例を説明す
る。実施形態２２のＳＡＷデバイス３００ｇについて、
断面図を図３４に示す。

【０１６３】ＳＡＷデバイス３００ｇは、実施形態２１
のＳＡＷデバイス３００ｅと比較して、配線ライン３１
２が空間形成部材３２０ａの外側にまで形成されてい
る。そのため、ＳＡＷデバイス３００ｇを組み立てる工
程において、空間形成部材３２０ａの外側に配置された
配線ライン３１２を利用して、回路基板３１０の位置合
わせを正確に行うことができる。なお、配線ライン３１
２とは別に、位置合わせ用のパターンを空間形成部材３
２０ａの外側に形成してもよい。

【０１６４】（実施形態２３）実施形態２３では、実施
形態１４で説明したＳＡＷデバイスついて一例を説明す
る。実施形態２３のＳＡＷデバイス３００ｈについて、
断面図を図３５に示す。

【０１６５】ＳＡＷデバイス３００ｈは、ＳＡＷデバイ
ス３００ｅと比較して、空間形成部材３２０ａの第２の
部材３２０ｙがＳＡＷ素子３０１と同程度のサイズであ
ることが異なる。また、ＳＡＷデバイス３００ｅと比較
して、空間形成部材３２０ａの形成方法が異なる。

【０１６６】ＳＡＷデバイス３００ｈでは、第１の部材
３２０ｘは、圧電基板１１の一主面１１ａ上に形成され
る。第１の部材３２０ｘは、感光性樹脂からなり、たと
えば、液状レジスト、ドライフィルムレジスト、感光性
ポリイミドなどからなる。

【０１６７】以下、空間形成部材３２０ａの形成方法に
ついて説明する。まず、櫛形電極１２と電極パッド１３
と配線ライン１８（図１（Ｂ）参照）とを形成した圧電
基板１１を用意する。そして、フォトリソグラフィー法
で感光性樹脂をパターニングすることによって、圧電基
板１１の一主面１１ａ上に第１の部材３２０ｘを形成す
る。このとき、第１の部材３２０ｘの中央には、櫛形電
極１２が振動可能な空間を形成するための貫通孔を形成
する。なお、バンプ１４は、貫通孔の内側に配置されて
もよいし、貫通孔の外側に配置されてもよい。

【０１６８】第２の部材３２０ｙは、回路基板３１０上
に形成される。そして、バンプ１４と配線ライン３１２
とを接続する際に、第１の部材３２０ｘと第２の部材３
２０ｙとを接着する。

【０１６９】ＳＡＷデバイス３００ｈでは、フォトリソ
グラフィー法によって第１の部材３２０ｘを精度よく形
成できる。したがって、ＳＡＷデバイス３００ｈでは、
第１の部材３２０ｘの変形を抑制できるとともに、デバ
イスの小型化が可能である。

【０１７０】（実施形態２４）実施形態２４では、実施
形態１４で説明したＳＡＷデバイスついて一例を説明す
る。実施形態２４のＳＡＷデバイス３００ｉについて、
断面図を図３６に示す。

【０１７１】ＳＡＷデバイス３００ｉは、実施形態１８
で説明したＳＡＷデバイス３００ｂと比較して、バンプ
１４と配線ライン３１２との接続の方法、および空間形
成部材が異なる。

【０１７２】ＳＡＷデバイス３００ｉの空間形成部材３
２０ｂは、樹脂シート内に分散された固形充填物３２０
ｚを含む点が、空間形成部材３２０とは異なる。固形充
填物３２０ｚは、導電性を有する固形物であり、材料、
大きさ、大きさの分布には特に限定はない。固形充填物
３２０ｚとしては、たとえば銀粉、ニッケル粉、銀−パ
ラジウム合金粉、または金粉を用いることができる。ま
た、ニッケルめっき、またはニッケル／金めっきされた
プラスチック粉末を用いることもできる。

【０１７３】空間形成部材３２０ｂに占める固形充填物
３２０ｚの含有率は特に限定はないが、バンプ１４と配
線ライン３１２とを接続するために所定量以上にしてお
く必要がある。固形充填物３２０ｚの含有率は、１０体
積％以上であることが好ましい。固形充填物３２０ｚの
含有率を所定量にしておくことによって、バンプ１４を
空間形成部材３２０ｂに埋没させたときに、バンプ１４
と固形充填物３２０ｚとを確実に接触させることができ
る。これによって、電極パッド１３、バンプ１４および
固形充填物３２０ｚを介して、バンプ１４と配線ライン
３１２とを電気的に接続できる。一方、固形充填物３２
０ｚの含有率が過大になると、空間形成部材３２０ｂの
柔軟性などの特性が低下してしまうため、含有率は所定
量以下にすることが好ましい。具体的には、固形充填物
３２０ｚの含有率は５０体積％以下であることが好まし
い。

【０１７４】ＳＡＷデバイス３００ｉでは、バンプ１４
が空間形成部材３２０ｂを貫通していない。バンプ１４
と配線ライン３１２とは直接接触しておらず、固形充填
物３２０ｚを介して電気的に接続されている。この構成
によれば、回路基板３１０に過大な荷重をかけることな
くバンプ１４と配線ライン３１２とを電気的に接続する
ことができる。ＳＡＷデバイス３００ｉでは、ＳＡＷ素
子３０１は、バンプ１４と空間形成部材３２０ｂとによ
って固定される。

【０１７５】ＳＡＷデバイス３００ｉの製造方法は、実
施形態１６で説明したＳＡＷデバイス３００の製造方法
と比較して、空間形成部材３２０を作製する工程と、バ
ンプ１４と配線ライン３１２とを電気的に接続する工程
のみが異なる。これらの工程以外の工程は、実施形態１
６の製造方法と同様であるため、重複する説明は省略す
る。

【０１７６】まず、空間形成部材３２０ｂを作製する工
程について説明する。空間形成部材３２０ｂは、硬化前
の樹脂や半硬化状態の樹脂に、固形充填物３２０ｚを分
散させることを除いて、空間形成部材３２０と同様の方
法で作製できる。

【０１７７】次に、バンプ１４と配線ライン３１２とを
電気的に接続する工程について説明する。バンプ１４
は、その高さが空間形成部材３２０の厚さよりも低くな
るように形成される。回路基板３１０とＳＡＷ素子３０
１とは、バンプ１４が固形充填物３２０ｚを介して配線
ライン３１２と電気的に接続するように、接近させられ
る。具体的には、図２７（Ｂ）の工程と同様に、プレス
ステージ３３０によって圧電基板１１の裏面側を加圧す
ればよい。加圧は、圧電基板１１の一主面１１ａと空間
形成部材３２０ｂとが密着するまで行う。なお、バンプ
１４が空間形成部材３２０ｂに埋没しやすいように、空
間形成部材３２０ｂおよびＳＡＷ素子３０１から選ばれ
る少なくとも１つの部分を加熱しておくことが好まし
い。

【０１７８】この工程においては、バンプ１４と固形充
填物３２０ｚとの接点、固形充填物３２０ｚと固形充填
物３２０ｚとの接点、および固形充填物３２０ｚと配線
ライン３１２との接点に超音波を印加してもよい。すな
わち、バンプ１４、固形充填物３２０ｚ、および配線ラ
イン３１２のそれぞれの間を超音波接合してもよい。超
音波接合を行うことによって、電気的な接続を信頼性よ
く行うことができる。超音波の印加条件は、種々選択で
きる。

【０１７９】ＳＡＷデバイス３００ｉでは、空間形成部
材３２０ｂとバンプ１４とによってＳＡＷ素子３０１を
固定するので、バンプ１４のみで固定する従来の方法と
比べて、超音波出力を小さくできる。その結果、ＳＡＷ
素子３０１の圧電基板１１が衝撃によって割れることを
抑制できる。

【０１８０】さらに、バンプ１４と配線ライン３１２と
を電気的に接続したのち、加熱処理を行って空間形成部
材３２０ｂを硬化させてもよい。加熱処理の条件は、空
間形成部材３２０ｂの材料に応じて選択できる。具体的
には、温度１５０℃、１時間の条件で行うことができ
る。この加熱処理によって、圧電基板１１の一主面１１
ａと空間形成部材３２０ｂとの密着性、および空間形成
部材３２０ｂと回路基板３１０との密着性を向上でき
る。その結果、密閉空間３２６の気密性を向上できる。

【０１８１】加熱処理の際には、バンプ１４、固形充填
物３２０ｚ、および配線ライン３１２は金属的に接合し
ており、また、空間形成部材３２０ｂにはわずかに圧縮
応力が作用している。したがって、加熱処理の際に加圧
する必要がなく、生産性よく加熱処理を行うことができ
る。加熱処理によって空間形成部材３２０ｂを硬化させ
ることによって、機械的衝撃に強く信頼性の高いＳＡＷ
デバイスが得られる。さらに、空間形成部材３２０ｂが
ＳＡＷ素子３０１の外形寸法よりも大きい場合には、加
熱処理によって、空間形成部材３２０ｂの樹脂が圧電基
板１１の側面にも回り込んで、密閉空間３２６の気密性
を向上させることができる。

【０１８２】（実施形態２５）実施形態２５では、本発
明の回路モジュールについて一例を説明する。実施形態
２５の回路モジュール３７０について、断面図を図３７
に示す。

【０１８３】回路モジュール３７０は、実施形態１８で
説明したＳＡＷデバイス３００ｂと比較して、回路部品
３７１を備える点が異なる。回路モジュール３７０は、
回路基板３１０、空間形成部材３２０ｂ、ＳＡＷ素子３
０１、保護部材３２７および回路部品３７１を備える。
回路基板３１０、空間形成部材３２０ｂ、ＳＡＷ素子３
０１および保護部材３２７は、上述したものと同様であ
る。なお、図３７においては、固形充填物３２０ｚの図
示は省略する。

【０１８４】回路モジュール３７０では、ＳＡＷ素子３
０１に加えて、配線ライン３１２に回路部品３７１が実
装されている。回路部品３７１のバンプは、空間形成部
材３２０ｂに埋没しており、回路部品３７１は空間形成
部材３２０ｂによって固定されている。回路部品３７１
のバンプは、空間形成部材３２０ｂの固形充填物３２０
ｚによって配線ライン３１２に電気的に接続されてい
る。なお、空間形成部材３２０ｂの代わりに空間形成部
材３２０または３２０ａを用いてもよい。この場合に
は、ＳＡＷ素子３０１および回路部品３７１は、配線ラ
イン３１２に直接実装される。回路部品３７１は、機能
素子を含み、たとえば、ダイオードスイッチ、アンプ、
高周波ＩＣといった半導体デバイスや、インダクタ、キ
ャパシタ、および抵抗素子などを含む。

【０１８５】これらの回路部品３７１は、ＳＡＷデバイ
ス３００ｉのＳＡＷ素子３０１を配線ライン３１２に実
装する方法と同様の方法で配線ライン３１２に実装する
ことができる。なお、回路部品３７１を実装したのち、
圧電基板１１の裏面および回路部品３７１の裏面を研削
して圧電基板１１および回路部品３７１を薄くしてもよ
い。これによって、回路モジュール３７０をより薄くす
ることができる。

【０１８６】実施形態２５の回路モジュール３７０で
は、ＳＡＷ素子３０１と回路部品３７１とを、回路基板
３１０上に高密度に実装できる。このため、回路モジュ
ール３７０によれば、回路モジュールの小型化および低
コスト化を実現できる。

【０１８７】以上、本発明の実施の形態について例を挙
げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定され
ず本発明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用する
ことができる。

【０１８８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のＳＡＷデ
バイスは、従来のＳＡＷデバイスによりもさらに小型化
が可能であり、また、低コスト化および信頼性の向上を
実現できる。本発明のＳＡＷデバイスは、たとえば、通
信機器に搭載される周波数フィルタや共振器に用いるこ
とができる。

【０１８９】また、本発明のＳＡＷデバイスの製造方法
によれば、本発明のＳＡＷデバイスを容易に製造でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のＳＡＷデバイスについて一例を示す
断面図である。

【図２】 ３６°ｙカットタンタル基板のカット角を示
す図である。

【図３】 本発明のＳＡＷデバイスについて他の一例を
示す断面図である。

【図４】 本発明のＳＡＷデバイスの製造方法について
一例を示す工程断面図である。

【図５】 図４の製造方法について工程の一部を示す図
である。

【図６】 図４の製造方法について一部の工程の一例を
示す図である。

【図７】 図４の製造方法について一部の工程の他の一
例を示す図である。

【図８】 図４の製造方法について一部の工程のその他
の一例を示す図である。

【図９】 図４の製造方法について一部の工程のその他
の一例を示す図である。

【図１０】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
一例を示す断面図である。

【図１１】 本発明のＳＡＷデバイスの製造方法につい
て他の一例を示す工程断面図である。

【図１２】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
一例を示す断面図である。

【図１３】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
一例を示す断面図である。

【図１４】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
一例の一部を示す断面図である。

【図１５】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
一例を示す断面図である。

【図１６】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
一例を示す断面図である。

【図１７】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
一例を示す断面図である。

【図１８】 本発明のＳＡＷデバイスの製造方法につい
てその他の一例を示す工程断面図である。

【図１９】 本発明のＳＡＷデバイスの製造方法につい
てその他の一例を示す工程断面図である。

【図２０】 本発明のＳＡＷデバイスの製造方法につい
てその他の一例を示す工程断面図である。

【図２１】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
一例を示す断面図である。

【図２２】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
例を示す断面図である。

【図２３】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
例を示す断面図である。

【図２４】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
例を示す断面図である。

【図２５】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
例を示す断面図である。

【図２６】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
一例を示す断面図である。

【図２７】 本発明のＳＡＷデバイスの製造方法につい
てその他の一例を示す工程断面図である。

【図２８】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
一例を示す断面図である。

【図２９】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
一例を示す断面図である。

【図３０】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
一例を示す断面図である。

【図３１】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
一例を示す断面図である。

【図３２】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
一例を示す断面図である。

【図３３】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
一例を示す断面図である。

【図３４】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
一例を示す断面図である。

【図３５】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
一例を示す断面図である。

【図３６】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
一例を示す断面図である。

【図３７】 本発明のＳＡＷデバイスについてその他の
一例を示す断面図である。

【図３８】 従来のＳＡＷデバイスについて一例を示す
断面図である。

【図３９】 従来のＳＡＷデバイスについて他の一例を
示す断面図である。

【符号の説明】

１０、３０、１００、１２０、１３０、１４０、１５
０、１６０、１７０、２１０、２１０ａ〜ｃ、３００、
３００ａ〜ｉ ＳＡＷデバイス １１、３１ 圧電基板 １１ａ、３１０ａ 一主面 １１ｂ 他主面 １２、３２ 櫛形電極 １３、３３ 電極パッド １４、３４ バンプ １５、３５、３５ａ 絶縁性シート（樹脂を含む部材） １６、３６、３６ａ、２１５ 側壁 １７、３７ 外部電極 １８、３８、３１２ 配線ライン １９、３９、１０９、１２９、２１９、３２６ 密閉空
間 ３４ａ 電極端子部 ３５ｂ 屋根部 ４０、３０１ ＳＡＷ素子 ４１ キャリア １０１、１０１ａ 隔壁 １２１ 屋根部材 １４１ 膜 １５１、１６１、１７１、３２７ 保護部材 １８１、１９１ 台座 ２０１ 配線基板 ２４０、２５０、３７０ 回路モジュール ２５１ セラミクス積層基板 ３１０ 回路基板 ３１１ 基体 ３１３ ビア電極 ３１４ 内部電極 ３２０、３２０ａ、３２０ｂ 空間形成部材（樹脂を含
む部材） ３２０ｘ 第１の部材 ３２０ｙ 第２の部材 ３２０ｚ 固形充填物 ３７１ 回路部品（機能素子）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 浩輝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 守時 克典 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 別所 芳宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 藤井 邦博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 村上 弘三 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5J097 AA24 AA29 AA33 DD29 FF03 GG03 HA04 JJ01 JJ03 KK10

Claims (53)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 圧電基板と、前記圧電基板の一主面上に
   配置された弾性表面波を励振するための複数の櫛形電極
   と、前記一主面上に配置された複数のバンプと、前記一
   主面側に配置され樹脂を含む部材とを備え、 前記バンプと前記櫛形電極とが電気的に接続され、 前記バンプの少なくとも一部が前記部材に埋没している
   弾性表面波デバイス。
2. 【請求項２】 前記部材が絶縁性シートであり、 前記絶縁性シートが前記櫛形電極とは離れて配置されて
   おり、 前記バンプが前記絶縁性シートを貫通している請求項１
   に記載の弾性表面波デバイス。
3. 【請求項３】 前記圧電基板と前記絶縁性シートとの間
   であって前記櫛形電極の周囲に配置された側壁をさらに
   備え、 前記圧電基板と前記絶縁性シートと前記側壁とが、前記
   櫛形電極が振動可能な空間を前記櫛形電極の周囲に形成
   している請求項２に記載の弾性表面波デバイス。
4. 【請求項４】 前記空間が密閉空間である請求項３に記
   載の弾性表面波デバイス。
5. 【請求項５】 前記バンプが前記側壁を貫通している請
   求項３に記載の弾性表面波デバイス。
6. 【請求項６】 前記側壁が感光性樹脂からなる請求項３
   に記載の弾性表面波デバイス。
7. 【請求項７】 前記櫛形電極と前記側壁との間に配置さ
   れた隔壁をさらに備え、 前記圧電基板と前記絶縁性シートと前記隔壁とが、前記
   空間の内部に、前記櫛形電極が振動可能な第２の空間を
   形成している請求項３に記載の弾性表面波デバイス。
8. 【請求項８】 前記第２の空間が密閉空間である請求項
   ７に記載の弾性表面波デバイス。
9. 【請求項９】 前記櫛形電極と前記側壁との間に配置さ
   れた隔壁と、前記圧電基板と前記絶縁性シートとの間に
   配置された屋根部材とをさらに備え、 前記圧電基板と前記隔壁と前記屋根部材とが、前記空間
   の内部に、前記櫛形電極が振動可能な第２の空間を形成
   する請求項３に記載の弾性表面波デバイス。
10. 【請求項１０】 前記側壁を覆うように形成された第１
    の保護部材をさらに備える請求項３ないし９のいずれか
    に記載の弾性表面波デバイス。
11. 【請求項１１】 前記圧電基板の前記一主面とは反対側
    の他主面上に形成された第２の保護部材をさらに備える
    請求項１０に記載の弾性表面波デバイス。
12. 【請求項１２】 前記絶縁性シートの主面のうち前記圧
    電基板側とは反対側の主面上に形成された電極端子をさ
    らに備え、 前記電極端子が前記バンプと電気的に接続されている請
    求項２ないし１１のいずれかに記載の弾性表面波デバイ
    ス。
13. 【請求項１３】 前記絶縁性シートが導電性を有する固
    形充填物を含み、前記電極端子と前記バンプとが、前記
    固形充填物を介して電気的に接続されている請求項１２
    に記載の弾性表面波デバイス。
14. 【請求項１４】 前記圧電基板の前記一主面に対向する
    ように配置された回路基板をさらに備え、 前記回路基板が、前記圧電基板側の表面に形成された配
    線ラインを備え、 前記部材が、前記圧電基板と前記回路基板との間に配置
    されており、 前記部材が、前記櫛形電極が振動可能な空間を前記櫛形
    電極の周囲に形成するための空間形成部材である請求項
    １に記載の弾性表面波デバイス。
15. 【請求項１５】 前記バンプが前記空間形成部材を貫通
    して前記配線ラインと接続されている請求項１４に記載
    の弾性表面波デバイス。
16. 【請求項１６】 前記空間形成部材が固形充填物を含む
    請求項１４に記載の弾性表面波デバイス。
17. 【請求項１７】 前記固形充填物が導電性を有し、 前記バンプと前記配線ラインとが前記固形充填物を介し
    て電気的に接続されている請求項１６に記載の弾性表面
    波デバイス。
18. 【請求項１８】 前記空間が密閉空間である請求項１４
    ないし１７のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
19. 【請求項１９】 前記空間形成部材には、前記空間を形
    成するための貫通孔が形成されている請求項１４に記載
    の弾性表面波デバイス。
20. 【請求項２０】 前記空間形成部材には、前記空間を形
    成するための凹部が形成されている請求項１４に記載の
    弾性表面波デバイス。
21. 【請求項２１】 前記空間形成部材が感光性樹脂からな
    る請求項１４に記載の弾性表面波デバイス。
22. 【請求項２２】 前記空間形成部材を覆うように前記空
    間形成部材の周囲に配置された第１の保護部材をさらに
    備える請求項１４ないし２１のいずれかに記載の弾性表
    面波デバイス。
23. 【請求項２３】 前記圧電基板の前記一主面とは反対側
    の他主面を覆うように配置された第２の保護部材をさら
    に備える請求項２２に記載の弾性表面波デバイス。
24. 【請求項２４】 前記第１の保護部材の材料の熱膨張係
    数が、前記回路基板の材料の熱膨張係数の０．８倍〜
    １．２倍の範囲内である請求項２２に記載の弾性表面波
    デバイス。
25. 【請求項２５】 （ａ）弾性表面波を励振するための複
    数の櫛形電極と、前記櫛形電極に電気的に接続されたバ
    ンプとを、圧電基板の一主面上に形成する工程と、 （ｂ）前記圧電基板の前記一主面と絶縁性シートとを対
    向させ前記バンプが前記絶縁性シートを貫通するように
    前記圧電基板と前記絶縁性シートとを接近させる工程と
    を含む弾性表面波デバイスの製造方法。
26. 【請求項２６】 前記（ｂ）の工程の前に、前記絶縁性
    シート上に側壁を形成する工程をさらに含み、 前記（ｂ）の工程は、前記圧電基板の前記一主面と前記
    絶縁性シートとを対向させ、前記バンプが前記絶縁性シ
    ートを貫通するように、且つ前記圧電基板と前記絶縁性
    シートと前記側壁とが前記櫛形電極の周囲に空間を形成
    するように前記圧電基板と前記絶縁性シートとを接近さ
    せる工程を含み、 前記空間は、前記櫛形電極が振動可能な空間である請求
    項２５に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
27. 【請求項２７】 前記空間が密閉空間である請求項２６
    に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
28. 【請求項２８】 前記（ｂ）の工程ののちに前記側壁を
    覆うように保護部材を形成する工程をさらに含む請求項
    ２６に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
29. 【請求項２９】 前記（ｂ）の工程において、前記バン
    プが前記絶縁性シートと前記側壁とを貫通するように前
    記圧電基板と前記絶縁性シートとを接近させる請求項２
    ６に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
30. 【請求項３０】 前記絶縁性シートが半硬化状態の樹脂
    からなり、 前記（ｂ）の工程において、前記絶縁性シートを、前記
    樹脂のガラス転移温度以上の温度に加熱する請求項２５
    ないし２９のいずれかに記載の弾性表面波デバイスの製
    造方法。
31. 【請求項３１】 前記（ａ）の工程は、前記一主面上で
    あって前記櫛形電極と前記側壁との間に隔壁を形成する
    工程をさらに含み、 前記（ｂ）の工程において、前記圧電基板と前記絶縁性
    シートと前記隔壁とが前記櫛形電極の周囲に第２の空間
    を形成するように、前記圧電基板と前記絶縁性シートと
    が接近させられ、 前記第２の空間は、前記櫛形電極が振動可能な空間であ
    る請求項２６に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
32. 【請求項３２】 前記（ａ）の工程は、前記櫛形電極が
    振動可能な空間を形成するように、前記櫛形電極の周囲
    に隔壁と前記隔壁の蓋となる屋根部材とを形成する工程
    を含む請求項２５に記載の弾性表面波デバイスの製造方
    法。
33. 【請求項３３】 前記（ａ）の工程は、前記一主面上で
    あって前記櫛形電極の周囲に側壁を形成する工程を含
    み、 前記（ｂ）の工程は、前記圧電基板の前記一主面と前記
    絶縁性シートとを対向させ、前記バンプが前記絶縁性シ
    ートを貫通するように、且つ前記圧電基板と前記絶縁性
    シートと前記側壁とが前記櫛形電極の周囲に空間を形成
    するように前記圧電基板と前記絶縁性シートとを接近さ
    せる工程を含み、 前記空間は、前記櫛形電極が振動可能な空間である請求
    項２５に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
34. 【請求項３４】 前記空間は密閉空間である請求項３３
    に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
35. 【請求項３５】 前記（ｂ）の工程において、前記絶縁
    性シートに超音波を印加しながら前記バンプを前記絶縁
    性シートに貫通させる請求項２５ないし３４のいずれか
    に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
36. 【請求項３６】 （ｉ）圧電基板と、前記圧電基板の一
    主面に形成された複数の櫛形電極と、前記複数の櫛形電
    極に電気的に接続された複数のバンプとを備える弾性表
    面波素子と、配線ラインが形成された一主面を備える回
    路基板とを形成する工程と、 （ii）前記圧電基板の前記一主面と、前記回路基板の前
    記一主面とを、空間形成部材を挟んで対向するように配
    置させる工程と、 （iii）前記バンプが前記空間形成部材に埋没して前記
    配線ラインと電気的に接続するように、前記回路基板と
    前記弾性表面波素子とを接近させる工程とを含み、 前記（iii）の工程において、前記空間形成部材が前記
    櫛形電極の周囲に前記櫛形電極が振動可能な空間を形成
    する弾性表面波デバイスの製造方法。
37. 【請求項３７】 前記空間は密閉空間である請求項３６
    に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
38. 【請求項３８】 前記（iii）の工程において、前記バ
    ンプが前記空間形成部材を貫通して前記配線ラインと直
    接接続する請求項３６または３７に記載の弾性表面波デ
    バイスの製造方法。
39. 【請求項３９】 前記（iii）の工程において、前記バ
    ンプと前記配線ラインとの接点に超音波を印加して前記
    バンプと前記配線ラインとを接続する請求項３８に記載
    の弾性表面波デバイスの製造方法。
40. 【請求項４０】 前記空間形成部材が導電性の固形充填
    物を含み、 前記（iii）の工程において、前記バンプが前記固形充
    填物を介して前記配線ラインと電気的に接続するように
    前記回路基板と前記弾性表面波素子とを接近させる請求
    項３６に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
41. 【請求項４１】 前記（iii）の工程において、前記空
    間形成部材および前記弾性表面波素子から選ばれる少な
    くとも１つの部分を加熱する請求項３６ないし４０のい
    ずれかに記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
42. 【請求項４２】 前記空間形成部材には、前記空間を形
    成するための貫通孔が形成されている請求項３６に記載
    の弾性表面波デバイス。
43. 【請求項４３】 前記空間形成部材には、前記空間を形
    成するための凹部が形成されている請求項３６に記載の
    弾性表面波デバイスの製造方法。
44. 【請求項４４】 前記回路基板の前記一主面に、前記回
    路基板の位置を認識するためのパターンが形成されてお
    り、 前記（ii）の工程において、前記パターンを利用して前
    記弾性表面波素子と前記回路基板とを配置する請求項３
    ６に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
45. 【請求項４５】 前記（ｉ）の工程は、前記配線ライン
    上に前記空間形成部材を加熱圧着し、さらに前記空間形
    成部材を加熱する工程を含む請求項３６に記載の弾性表
    面波デバイスの製造方法。
46. 【請求項４６】 前記（ｉ）の工程は、前記配線ライン
    上に感光性樹脂を配置する工程と、前記感光性樹脂を露
    光および現像することによって前記配線ライン上に前記
    空間形成部材を形成する工程とを含む請求項３６に記載
    の弾性表面波デバイスの製造方法。
47. 【請求項４７】 前記（ｉ）の工程は、前記圧電基板の
    前記一主面上に感光性樹脂を配置する工程と、前記感光
    性樹脂を露光および現像することによって前記圧電基板
    上に前記空間形成部材を形成する工程とを含む請求項３
    ６に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
48. 【請求項４８】 前記（iii）の工程ののち、前記空間
    形成部材を保護部材で覆う工程をさらに含む請求項３６
    ないし４７に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
49. 【請求項４９】 回路基板と弾性表面波デバイスと機能
    素子とを備える回路モジュールであって、 前記回路基板がその一主面に形成された配線ラインを備
    え、 前記弾性表面波デバイスおよび前記機能素子が前記配線
    ラインに実装されており、 前記弾性表面波デバイスが、圧電基板と、前記圧電基板
    の一主面上に配置された弾性表面波を励振するための複
    数の櫛形電極と、前記一主面上に配置された複数のバン
    プと、前記一主面側に配置され樹脂を含む部材とを備
    え、 前記バンプと前記櫛形電極とが電気的に接続され、 前記バンプの少なくとも一部が前記部材に埋没している
    回路モジュール。
50. 【請求項５０】 前記部材が絶縁性シートであり、 前記絶縁性シートが前記櫛形電極とは離れて配置されて
    おり、 前記バンプが前記絶縁性シートを貫通している請求項４
    ９に記載の回路モジュール。
51. 【請求項５１】 前記部材が、前記圧電基板と前記回路
    基板との間に配置されており、 前記部材が、前記櫛形電極が振動可能な空間を前記櫛形
    電極の周囲に形成するための空間形成部材である請求項
    ４９に記載の回路モジュール。
52. 【請求項５２】 前記機能素子が電極を備え、前記機能
    素子の電極が前記空間形成部材を貫通して前記配線ライ
    ンに接続されている請求項５１に記載の回路モジュー
    ル。
53. 【請求項５３】 前記回路基板が、その内部に、層状に
    形成された複数の配線ラインと前記配線ラインを接続す
    るためのビア電極とを備える請求項４９ないし５２に記
    載の回路モジュール。