WO2009081651A1 - 複合圧電基板の製造方法 - Google Patents

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composite
composite piezoelectric
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Hajime Kando
Yoshiharu Yoshii
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Murata Manufacturing Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a composite piezoelectric substrate, and more particularly to a method for manufacturing a composite piezoelectric substrate having a piezoelectric film.
  • the piezoelectric substrate 101 made of a single crystal on which the excitation electrode 105 is formed is polished in a state of being bonded to the protective substrate 103 via the glass layer 108 in advance. It is a thin plate (see, for example, Patent Document 1 and Non-Patent Document 1).
  • the piezoelectric film formed by the deposition method has severe material restrictions due to the film formation temperature and film formation conditions for obtaining the alignment film, and AlN is mainly used.
  • AlN is mainly used.
  • the orientation direction of the crystal axis cannot be controlled and a C-axis orientation film is mainly employed, it is difficult to devise a vibration mode by tilting the piezoelectric axis.
  • a piezoelectric film formed by polishing a piezoelectric single crystal substrate has a poor material utilization efficiency because most of the piezoelectric single crystal is discarded as polishing scraps. Furthermore, since the thickness of the piezoelectric film depends on variations in polishing rate and waviness of the substrate before polishing, it is difficult to control to obtain a uniform thickness, and productivity is poor.
  • Patent Document 2 bonding by a hydrophilic group is used.
  • a hydrophilic group is formed on the surface of the piezoelectric substrate and the surface of the support substrate, and bonding is performed via the hydrophilic group. Since the bonding by the hydrophilic group is extremely weak, in order to obtain a strong bond, heating is performed at a temperature at which the hydrophilic group can be decomposed (for example, 400 ° C.), hydrogen (H) is desorbed from the hydrophilic group (OH), and the piezoelectric It is necessary to go through a step of strengthening the bond between the substrate surface and the support substrate surface.
  • LiTaO 3 or LiNbO 3 which is a Li-based piezoelectric material
  • a lithium tantalate or lithium niobate substrate as a piezoelectric substrate a lithium tantalate or lithium niobate substrate as a support substrate, the surfaces of the piezoelectric substrate and the support substrate are smoothed by CMP (chemical mechanical polishing), and then wetted Form a hydrophilic group by exposing the piezoelectric substrate and the support substrate in an atmosphere, and bond the substrate surfaces together to make a weak bond with the hydrophilic group, then heat at 500 ° C. for 1 hour to decompose the hydrophilic group and make a strong bond Went.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • H ions were implanted and heated at 400 ° C. to investigate the polarization state of LiTaO 3. It turned out that the property has deteriorated. When heated at a higher temperature of 500 ° C., the piezoelectricity is further deteriorated.
  • the present invention intends to provide a method for manufacturing a composite piezoelectric substrate capable of forming an ultrathin piezoelectric film having a uniform thickness by efficiently using a piezoelectric material.
  • the present invention provides a method of manufacturing a composite piezoelectric substrate configured as follows.
  • the composite piezoelectric substrate manufacturing method includes: (a) a first step of preparing a piezoelectric substrate and a support substrate; and (b) implanting ions from the surface of the piezoelectric substrate, A step of forming a defect layer in a region at a predetermined depth from the surface, and (c) at least one of the surface of the piezoelectric substrate on which the defect layer is formed and the surface of the support substrate, A cleaning activation step of removing impurities adhering to the surface to directly expose and activate atoms constituting the surface; and (d) after the cleaning activation step, on the surface of the piezoelectric substrate.
  • a release layer between the surface of the substrate and the defect layer is the piezoelectric layer.
  • an extremely thin piezoelectric body (ultra-thin piezoelectric film) can be formed on the surface of the composite piezoelectric substrate.
  • a composite piezoelectric substrate having a piezoelectric ultrathin single crystal film can be manufactured using a single crystal piezoelectric substrate.
  • the piezoelectric substrate after the release layer is peeled off can be used again for manufacturing the composite piezoelectric substrate.
  • a large number of composite piezoelectric substrates can be manufactured from one piezoelectric substrate, and the amount of discarded piezoelectric material is reduced compared to the case where a piezoelectric film is formed by polishing the piezoelectric substrate. The amount used can be reduced.
  • the thickness of the release layer is determined by the energy at the time of ion implantation, and since the thickness of the piezoelectric body is not affected by the undulation of the substrate unlike polishing, it can be made uniform even if it is extremely thin. Therefore, a composite piezoelectric substrate having a very thin piezoelectric film with a uniform thickness on the surface can be obtained.
  • a polarization treatment step of performing polarization treatment of the release layer of the composite piezoelectric substrate is included.
  • ions are implanted in the same direction as the direction in which constituent atoms of the piezoelectric substrate that are spontaneously polarized are shifted.
  • the piezoelectric substrate can be prevented from being deteriorated due to ion implantation.
  • an elastic wave such as a surface acoustic wave device, a boundary acoustic wave device, a bulk wave device, a plate wave device, etc.
  • An element can be formed.
  • the composite piezoelectric substrate manufactured by the above method is used for manufacturing electronic components having these acoustic wave elements, the amount of expensive piezoelectric substrate used can be reduced.
  • the present invention also provides a method of manufacturing a composite piezoelectric substrate configured as follows.
  • the method of manufacturing a composite piezoelectric substrate includes (1) a first step of preparing a piezoelectric substrate and a support substrate, and (2) ion implantation from the surface of the piezoelectric substrate, A second step of forming a defect layer in a region having a predetermined depth from the surface, and (3) bonding the support substrate to the surface of the piezoelectric substrate to form a substrate assembly, And (4) separating the substrate bonded body with the defect layer formed in the piezoelectric substrate, and a release layer between the surface of the piezoelectric substrate and the defect layer is the piezoelectric body.
  • an ultrathin piezoelectric film having a uniform thickness can be formed by efficiently using a piezoelectric material.
  • Example 1 It is sectional drawing which shows the manufacturing process of a composite piezoelectric substrate.
  • Example 2 It is sectional drawing which shows the manufacturing process of a BAW device.
  • Example 3 It is sectional drawing of a BAW device.
  • Example 3) It is sectional drawing which shows the manufacturing process of a SAW device.
  • Example 1 It is sectional drawing of a surface acoustic wave apparatus. (Conventional example)
  • Example 1 A method of manufacturing a SAW (surface acoustic wave) device of Example 1 will be described with reference to FIGS.
  • SAW surface acoustic wave
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the composite piezoelectric substrate 30.
  • Step 1 As shown in FIGS. 1A-1 and 1A-2, the piezoelectric substrate 2 and the support substrate 10 are prepared.
  • a 42 ° Y-cut LiTaO 3 substrate is prepared as the piezoelectric substrate 2
  • a Si substrate is prepared as the support substrate 10.
  • the surfaces 2a and 10a of the respective substrates 2 and 10 are mirror-polished in advance.
  • Step 2 Next, as shown in FIG. 1B, ions are implanted into the surface 2a of the piezoelectric substrate 2 as indicated by an arrow 8, and a predetermined depth from the surface 2a in the piezoelectric substrate 2 is obtained.
  • the defect layer 4 schematically shown by a broken line is formed.
  • H + ions are implanted into the LiTaO 3 piezoelectric substrate 2.
  • the implantation energy is 150 KeV and the dose is 9 ⁇ 10 16 cm ⁇ 1 .
  • a defect layer 4 in which H + ions are distributed at a depth of about 1 ⁇ m from the surface 2 a of the piezoelectric substrate 2 is formed.
  • the piezoelectric substrate 2 and the support substrate 20 are put in a decompression chamber, and Ar surfaces are irradiated with Ar ions to irradiate the surfaces 2a and 10a with hydrophilic groups, hydrogen, oxide films, etc. Remove impurities.
  • the surfaces 2a and 10a from which the impurities are removed are activated by exposing the atoms constituting the substrates 2 and 10 directly.
  • the clean activated surfaces 2a and 10a are brought into contact with each other in a vacuum, the elements directly bond to each other and a strong bond can be obtained. Since there is no impurity at the bonding interface, it is not necessary to remove the impurity after bonding, and damage to crystals near the bonding interface is suppressed.
  • Step 3 Next, as shown in FIG. 1C, the surface 2a of the piezoelectric substrate 2 and the surface 10a of the support substrate 10 are bonded together to form a substrate bonded body 40.
  • the substrate surfaces 2a and 10a are activated by plasma at room temperature, and direct room temperature direct bonding is performed in which bonding is performed in vacuum. desirable.
  • metal element such as Fe
  • a trace amount (several nm) of metal element such as Fe may be arranged at the bonding interface in order to strengthen the bond between elements.
  • Metal elements are easily contaminated by oxidation reactions in the atmosphere. Therefore, it is desirable to deposit metal ions in a chamber decompressed to a vacuum for bonding, immediately before bonding.
  • Step 4 Next, as shown in FIG. 1D, the piezoelectric substrate 2 and the support substrate 10 of the substrate bonded body 40 are separated by a defect layer 4 formed in the piezoelectric substrate 2, and piezoelectric The peeling layer 3 between the surface 2 a of the body substrate 2 and the defect layer 4 is peeled off from the piezoelectric substrate 2 to form a composite piezoelectric substrate 30 bonded to the support substrate 10.
  • the separation layer 3 of the LiTaO 3 thin film having a thickness of 1 ⁇ m is formed on the support substrate 10 so as to be separated from the surface 2 a of the LiTaO 3 piezoelectric substrate 2 along the microcavity formed in the defect layer 4 having a depth of 1 ⁇ m.
  • the composite piezoelectric substrate 30 bonded to the surface 10a is separated from the LiTaO 3 piezoelectric substrate 2 from which the release layer 3 of the LiTaO 3 thin film is peeled from the surface 2a side.
  • Step 5 Next, as shown schematically in FIGS. 1 (e-1) and 1 (e-2), the piezoelectric substrate 2 and the surfaces 2a and 3a of the composite piezoelectric substrate 30 having a fractured surface with irregularities formed thereon are formed. Polishing is performed to smooth the surfaces 2k and 3k of the piezoelectric substrate 2 and the composite piezoelectric substrate 30 as shown in FIGS. 1 (f-1) and (f-2).
  • the surface 3a of the composite piezoelectric substrate 30 where the fracture surface of the release layer 3 of the LiTaO 3 thin film appears and the surface 2a of the LiTaO 3 piezoelectric substrate 2 from which the release layer 3 of the LiTaO 3 thin film is peeled are expressed by RMS (root mean square). ), The surface is roughened by about 100 nm from the surfaces 2a and 3a by CMP (chemical-mechanical polishing).
  • Step 6 The composite piezoelectric substrate 30 having a smooth surface 3k is subjected to a polarization treatment in order to correct the polarization inversion of the piezoelectric body of the release layer 3.
  • a polarization treatment for example, the LiTaO 3 thin film release layer 3 having a smooth surface 3a is subjected to a polarization treatment by applying a pulse voltage of 22 kV for 5 ms at 400 ° C.
  • a part of atoms constituting the piezoelectric crystal is positively or negatively charged and ionized.
  • positively charged ions are slightly shifted to the cathode side, and negatively charged ions are slightly shifted to the anode side to generate an electric twin plate.
  • This phenomenon is called electric polarization.
  • the shifted state of the ions changes, and the polarity of the polarization is reversed. Partial polarization inversion is not preferable because it causes deterioration of piezoelectricity.
  • polarization inversion can be repaired by performing polarization treatment after ion implantation.
  • an electric field of 22 kV / mm is applied in a heating atmosphere at 700 ° C.
  • the polarization treatment is desirably performed after the peeling step, and the temperature is 200 to 1200 ° C. in consideration of the melting point of the support substrate and the electrode and the difference in thermal expansion coefficient. Since the coercive electric field decreases as the temperature increases, the applied electric field can be kept low. Further, it is desirable that the electric field be intermittently applied in the range of 1 ⁇ s to 1 minute because damage to the crystal due to the direct current electric field can be suppressed.
  • heating at 200 ° C. or higher is desirable because it relaxes the distortion of crystals received by ion implantation.
  • the heating temperature for taking the crystal strain is lower than the Curie temperature by 100 ° C. or more in order to avoid the elimination of polarization.
  • the piezoelectric deterioration such as polarization reversal can be recovered by the polarization process in step 6, it is desirable to suppress the piezoelectric deterioration such as polarization reversal before reaching step 6 as much as possible because the crystal is burdened. .
  • a measure for suppressing piezoelectric deterioration before reaching Step 6 is important.
  • Polarization is caused by a slight shift of the constituent elements of the ionized piezoelectric crystal.
  • the amount of energy for slightly shifting is smaller than the amount of energy for which the constituent elements deviate from the crystal unit. Therefore, by injecting ions from the same direction as the direction in which ions exhibiting spontaneous polarization are shifted, it is possible to suppress the occurrence of polarity reversal of spontaneous polarization.
  • step 4 it is desirable to perform the peeling at a temperature below the Curie temperature of the piezoelectric body.
  • the Curie temperature is exceeded, the polarization is once released, and the piezoelectricity deteriorates.
  • the heating temperature necessary for peeling at the defective layer is 500 to 600 ° C.
  • LiTaO 3 wafers supplied for electronic components have a low Curie temperature of around 600 ° C., and the heating temperature and the Curie temperature necessary for peeling are close to each other. For this reason, piezoelectricity tends to deteriorate.
  • LiTaO 3 or LiNbO 3 when the composition ratio x of Li to Ta or Nb is 48.0% ⁇ x ⁇ 49.5%, it is called a congruent composition and is supplied in large quantities as the above-described piezoelectric substrate for electronic parts. Used for existing wafers.
  • a composition ratio of 49.5% ⁇ x ⁇ 50.5% is called a stoichiometric composition.
  • the Curie temperature is as low as 590 to 650 ° C. in the case of the congruent composition, and 660 to 700 ° C. in the case of the stoichiometric composition. Therefore, when LiTaO 3 is used, it is desirable to use a stoichiometric composition in which the composition ratio of Li to Ta is 49.5% ⁇ x ⁇ 50.5% because piezoelectric deterioration during heating in step 4 can be suppressed.
  • the temperature is 1100 to 1180 ° C. for the congruent composition and 1180 to 1200 ° C. for the stoichiometric composition.
  • Step 4 when the piezoelectric body has pyroelectricity like LiTaO 3 or LiNbO 3 , charges are accumulated on the substrate surface by the temperature increase or decrease.
  • an electric field due to charges accumulated on the surface is applied beyond the coercive electric field of the piezoelectric body from the direction opposite to the polarization direction, the polarization is reversed and the piezoelectricity is deteriorated.
  • an electric field is applied from the opposite direction to the polarization in either the temperature rise or the temperature fall, so that the piezoelectricity is likely to be deteriorated.
  • the inventor of the present application has found that the deterioration of piezoelectricity can be suppressed by increasing the electrical conductivity of the piezoelectric body and making the electric field due to the pyroelectric charge equal to or lower than the coercive electric field of the piezoelectric body.
  • Example 1 using a wafer processed to increase the electrical conductivity of LiTaO 3 to 4 ⁇ 10 10 S / cm, the pace of temperature increase and decrease is set so that the surface potential is 200 V or less in Step 4. Decreasing the piezoelectricity could be suppressed by lowering.
  • the treatment for increasing the electrical conductivity of LiTaO 3 or LiNbO 3 can be performed by annealing at a high temperature in a low oxygen atmosphere as in JP-A-2004-328712, or heating in metal powder as in JP-A-2005-119906 and JP-A-2005-179117. Means for doing this are known.
  • the composite piezoelectric substrate 30 manufactured by the manufacturing process described above has the piezoelectric release layer 3 on the surface, it can be used to manufacture an acoustic wave device.
  • the remaining piezoelectric substrate 2 is used again as a material for manufacturing the next composite piezoelectric substrate 30.
  • the composite piezoelectric substrate 30 manufactured in the aforementioned steps 1 to 6 is prepared.
  • the IDT electrode 15 is formed on the surface 3k of the composite piezoelectric substrate 30. Etc.
  • a photolithography technique is used on the smoothed surface of the release layer 3 of the LiTaO 3 thin film exposed on the surface 3 k of the composite piezoelectric substrate 30 in which the release layer 3 of the LiTaO 3 thin film is bonded to the surface 10 a of the support substrate 10.
  • the aluminum film is patterned to form a conductor pattern such as an IDT electrode 15, a pad electrode (not shown), and a wiring (not shown) connecting the IDT electrode 15 and the pad electrode, and a SAW such as a SAW filter. Make a device.
  • the piezoelectric material and crystal orientation affect the electromechanical coupling coefficient, frequency temperature characteristics, and sound velocity, so it has an important effect on the SAW device frequency, bandwidth, insertion loss, etc. give.
  • a piezoelectric thin film is formed by a film forming method such as sputtering or CVD, the material and crystal orientation of the thin film are restricted.
  • thin film materials such as AlN and ZnO that can be formed by the film forming method, and it is difficult to single-crystal the piezoelectric body, and usually only a C-axis oriented film can be obtained. For this reason, it is difficult to excite the SH type SAW because the piezoelectric axis is only directed vertically.
  • a piezoelectric substrate with a 36 ° to 46 ° Y cut that excites a superior SH type SAW with a high degree of freedom in crystal orientation of the piezoelectric is obtained. be able to.
  • Piezoelectric materials such as LiTaO 3 substrates, LiNbO 3 substrates, and quartz substrates that are expensive because the growth rate of single crystals is slow and it is easy to break, making it difficult to slice, and raw materials such as Li and Ta are rare and expensive.
  • the Si substrate is less expensive.
  • the composite piezoelectric substrate of the present invention uses only one inexpensive Si substrate and a piezoelectric thin film as a material in order to manufacture one SAW device wafer, and this piezoelectric thin film is a single piezoelectric body. Since several tens to several hundreds of sheets can be obtained from the substrate, the amount of material used can be suppressed to a negligible amount. For this reason, the usage-amount of rare and expensive Li, Ta, etc. can be suppressed, an environmental impact is small and an inexpensive piezoelectric substrate can be obtained.
  • RF filters for mobile phones are desired to withstand large power application of 1 to 2 W.
  • the power durability performance of the SAW filter is greatly affected by the temperature of the IDT region when an electric signal is applied.
  • the IDT region is heated to a high temperature such as 250 ° C. by applying power, the time until the SAW filter breaks down significantly.
  • the temperature rise in the IDT region is due to the fact that heat generated by Joule heat and elastic sound absorption due to electrical ohmic loss is not sufficiently dissipated due to the low thermal conductivity of the piezoelectric substrate.
  • a piezoelectric substrate composed only of a piezoelectric material such as LiTaO 3 or LiNbO 3 has a smaller thermal conductivity than Si and has a poor heat dissipation property. Since the composite piezoelectric substrate of the present invention can obtain a thermal conductivity equivalent to that of Si, the heat dissipation is good. For this reason, it can endure a large electric power application.
  • the thickness of the ultra-thin piezoelectric material is determined by the energy at the time of ion implantation. Therefore, the thickness does not depend on the undulation of the substrate unlike polishing, and a stable thickness can be obtained even with an ultrathin piezoelectric body.
  • the 42 ° Y-cut LiTaO 3 substrate has the ⁇ Z axis inclined by 42 ° to the surface side. Li atoms and Ta atoms constituting LiTaO 3 are slightly shifted to the back side (+ Z axis side) and spontaneously polarized. In the present invention, polarization inversion is suppressed by implanting ions from the ⁇ Z axis side.
  • the composite piezoelectric substrate manufactured in Steps 1 to 6 can be used not only for the SAW filter but also for a filter using a plate wave such as a boundary wave or a Lamb wave.
  • the element portion may be configured on the composite piezoelectric substrate as in the second embodiment.
  • the support substrate may be etched from the back surface to expose the piezoelectric release layer from the back surface, as in Example 3 below.
  • the composite piezoelectric substrate in which the LiTaO 3 release film is bonded to the Si support substrate can suppress the frequency temperature coefficient.
  • Example 2 A BAW (bulk acoustic wave) device of Example 2 will be described with reference to FIG.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a BAW device manufacturing process.
  • the BAW device of Example 2 is manufactured in the following process.
  • a composite piezoelectric substrate 30 is prepared.
  • a 20 ° Y-cut LiTaO 3 piezoelectric substrate and a Si support substrate 10 are used, and a 20 ° Y-cut LiTaO 3 release layer is formed on the surface 10a of the Si support substrate 10 in the same steps as steps 1 to 5 of the first embodiment.
  • a composite piezoelectric substrate 30 to which 3 is bonded is produced.
  • the upper electrode 16 is formed on the surface 3 k of the composite piezoelectric substrate 30.
  • the upper electrode 16 is formed of aluminum on the surface 3k of the LiTaO 3 release layer 3 by electron beam evaporation and photolithography.
  • a hole 13 is formed in the support substrate 10, and the back surface 3s of the release layer 3 is exposed.
  • the hole 13 is formed by etching the Si support substrate 10 from the back surface 10b opposite to the release layer 3 of the Si support substrate 10 by photolithography and reactive ion etching, and the piezoelectric release layer 3 is formed. The back surface 3s of is exposed.
  • the lower electrode 14 is formed on the back surface 3 s of the release layer 3.
  • the lower electrode 14 is formed of aluminum on the back surface 3 s of the LiTaO 3 peeling layer 3 by an electron beam evaporation method and a photolithography method.
  • a hole 20 through which the lower electrode 14 is exposed is formed in the release layer 3.
  • the hole 20 is formed from the surface 3k side of the LiTaO 3 release layer 3 by photolithography and reactive ion etching.
  • a wiring 18 electrically connected to the lower electrode 14 through the hole 20 is formed.
  • the wiring 18 is formed of aluminum by photolithography and vapor deposition, and the wiring 18 and the lower electrode 14 are connected through the hole 20 of the LiTaO 3 peeling layer 3.
  • aluminum is applied to a region other than the vibration region of the bulk wave element (the region where the lower electrode 14 and the upper electrode 16 face each other with the release layer 3 interposed therebetween).
  • the wiring 18 is connected to an external terminal and packaged.
  • the piezoelectric material and crystal orientation affect the electromechanical coupling coefficient, frequency temperature characteristics, and sound velocity, so they have an important effect on the frequency, bandwidth, insertion loss, etc. of the BAW device. give.
  • a higher degree of freedom in selecting the piezoelectric material and crystal orientation makes it easier to construct an excellent BAW device.
  • a piezoelectric thin film is formed by a film formation method such as sputtering or CVD, the material and crystal orientation of the thin film are restricted.
  • Thin film materials such as AlN and ZnO have few types of films that can be formed by a film forming method, and it is difficult to make a single crystal of a piezoelectric body, and usually only a C-axis oriented film can be obtained. For this reason, it is difficult to excite the thickness-slip type BAW because the piezoelectric axis is only directed vertically.
  • the method of the present invention is used to peel a thin film from a piezoelectric single crystal, it is possible to obtain a substrate having a high degree of freedom in crystal orientation of the piezoelectric material and excited by an excellent thickness-slip type BAW.
  • the energy confinement state and spurious application of BAW devices are determined by the dispersion relation of the excited bulk waves, but by adjusting the material and crystal orientation, high-Q bulk waves that achieve both energy confinement and spurious suppression. An element can be created.
  • the composite piezoelectric substrate of the present invention uses only one inexpensive Si substrate and a piezoelectric thin film as a material in order to manufacture one wafer for a BAW device, and this piezoelectric thin film is several tens of times from one piezoelectric substrate. Since one to several hundred sheets can be obtained, the amount of material used can be suppressed to a negligible level. For this reason, the usage-amount of rare and expensive Li, Ta, etc. can be suppressed, an environmental impact is small and an inexpensive piezoelectric substrate can be obtained.
  • the thickness of the ultra-thin piezoelectric material is determined by the energy at the time of ion implantation. Therefore, the thickness does not depend on the undulation of the substrate unlike polishing, and a stable thickness can be obtained even with an ultrathin piezoelectric body.
  • the thickness of the piezoelectric thin film is important because it determines the wavelength of BAW (frequency is determined by the frequency of sound / wavelength, so the frequency is determined).
  • Example 3 The BAW device of Example 3 will be described with reference to FIGS.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a BAW device manufacturing process.
  • FIG. 4 is a plan view of the BAW device.
  • the BAW device of Example 3 is manufactured in the following process.
  • a composite piezoelectric substrate is prepared in substantially the same steps as steps 1 to 5 in the first embodiment.
  • step 1 a 20 ° Y-cut LiTaO 3 piezoelectric substrate and a support substrate 10x shown in FIG. Unlike Example 1, the support substrate 10x forms a recess 13a in the Si support substrate 11 by reactive ion etching, forms a sacrificial layer 13x in the recess 13a, smoothes the surface 11a of the Si support substrate 11 by CMP,
  • the lower electrode 14a is formed of W (tungsten) by sputtering.
  • ions are implanted into the piezoelectric substrate.
  • step 3 the piezoelectric substrate is bonded to the lower electrode 14a of the support substrate 10x by metal bonding to form a substrate bonded body, and in the same manner as in Example 1, the substrate bonded body is formed with a defective layer of the piezoelectric substrate.
  • step 5 the surfaces of the piezoelectric substrate and the support substrate are smoothed, and as shown in FIG. 3B, a composite piezoelectric substrate 30a having a release layer 3a of 20 ° Y-cut LiTaO 3 is prepared.
  • an upper electrode 16a is formed of aluminum on the surface 3k of the LiTaO 3 release layer 3a by an electron beam evaporation method and a photolithography method.
  • a hole 22 reaching the sacrificial layer 13x and a hole 24 reaching the lower electrode 14a are formed in the release layer 3a and the lower electrode 14a by photolithography and reactive ion etching. Form.
  • the sacrificial layer 13x is removed by dry etching through the holes 22 reaching the sacrificial layer 13x.
  • the wiring 18 a is formed of aluminum by photolithography and vapor deposition, and the wiring 18 a connected to the lower electrode 14 a through the hole 24 reaching the lower electrode 14 a is formed.
  • aluminum is applied to a region other than the vibration region of the bulk wave element (the region where the lower electrode 14a and the upper electrode 16a face each other with the peeling layer 3a interposed therebetween).
  • the wiring 18a is connected to an external terminal and packaged.
  • the composite piezoelectric substrate manufactured by the method of the present invention can be used for a SAW element, a BAW element, a sensor element, a bending vibrator, and other various elements.

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Abstract

　圧電体材料を効率良く利用して、均質な厚みの極薄圧電膜を形成することができる、複合圧電基板の製造方法を提供する。 　ａ）圧電体基板２と支持基板１０とを準備し、ｂ）圧電体基板２の表面２ａからイオンを注入して、圧電体基板２内において表面２ａから所定深さの領域に欠陥層４を形成し、ｃ）欠陥層４が形成された圧電体基板２の表面２ａと支持基板１０の表面１０ａとの少なくとも一方について、表面２ａ，１０ａに付着した不純物を除去して表面２ａ，１０ａを構成する原子を直接露出させ、活性化させ、ｄ）圧電体基板２の表面２ａに支持基板１０を接合して基板接合体４０を形成し、ｅ）基板接合体４０を、圧電体基板２内に形成された欠陥層４で分離して、圧電体基板２の表面２ａと欠陥層４との間の剥離層３が圧電体基板２から剥離されて支持基板１０に接合された複合圧電基板３０を形成し、ｆ）複合圧電基板３０の剥離層３の表面３ａを平滑化する。

Description

複合圧電基板の製造方法
　本発明は、複合圧電基板の製造方法に関し、詳しくは、圧電膜を有する複合圧電基板の製造方法に関する。
　近年、極めて薄い圧電体（極薄圧電膜）を利用したフィルタ等の開発が活発に行われている。これらのフィルタ等の極薄圧電膜には、一般には、スパッタ法やＣＶＤ法などの堆積法で形成されたＡｌＮ薄膜やＺｎＯ薄膜が用いられているが、いずれもＣ軸が基板の上下に整列したＣ軸配向膜である。
　一方、圧電体の単結晶基板を支持基板に張り合わせた後に、研磨により圧電体の単結晶基板を薄化することにより、圧電膜を有する複合圧電基板を製造することも提案されている。
　例えば図６の断面図に示す弾性表面波装置１００では、励振電極１０５が形成されている単結晶からなる圧電基板１０１は、予めガラス層１０８を介して保護基板１０３に接合された状態で研磨され薄板化されたものである（例えば、特許文献１、非特許文献１参照）。
　また、圧電基板に水素イオンを注入し、圧電基板と支持基板を湿潤雰囲気下に置いて、それぞれの基板表面に親水基を形成した後に、圧電基板と支持基板を張り合わせ、その後、高速加熱して、イオン注入した深さで圧電基板を割って圧電薄膜を得る手法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００２－１６４６８号公報 特表２００２－５３４８８５号公報 Ｙ．　Ｏｓｕｇｉ　ｅｔ　ａ１、「Ｓｉｎｇｌｅ　ｃｒｙｓｔａ１　ＦＢＡＲ　ｗｉｔｈ　ＬｉＮｂＯ３　ａｎｄ　ＬｉＴａＯ３　ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｓｕｂｓｔａｎｃｅ　ｌａｙｅｒｓ」、２００７　ＩＥＥＥ　ＭＴＴ－Ｓ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ、ｐ．８７３－８７６
　しかしながら、堆積法で形成した圧電膜は、配向膜を得るための成膜温度や成膜条件などから材料制約が厳しく、主としてＡｌＮが利用される。また、結晶軸の配向方向を制御することもできず、Ｃ軸配向膜が主として採用されるため、圧電軸を傾斜させることによる振動モードの工夫が難しい。
　一方、圧電体の単結晶基板を研磨して形成した圧電膜は、大半の圧電単結晶を研磨クズとして廃棄するため、材料の利用効率が悪い。さらに、圧電膜の厚みは、研磨速度のばらつき、研磨前の基板のうねりにより左右されるため、均質な厚みを得るための制御は難しく生産性が悪い。
　特許文献２では、親水基による接合が用いられる。この接合方法では、圧電基板表面と支持基板表面に親水基を形成し、その親水基を介して接合される。この親水基による接合は極めて弱いため、強固な接合を得るために、親水基を分解できる温度（例えば４００℃）で加熱して、親水基（ＯＨ）から水素（Ｈ）を脱離させ、圧電基板表面と支持基板表面のボンドを強固にする工程を経る必要がある。
　しかしながら、接合後に水素ガスを脱離するため、接合界面にガスが溜まり、マイクロキャビティを形成したり、水素ガスが十分に除去できずに圧電結晶中に残留し、結晶構造を破損し、圧電性を劣化させるなどの問題点があった。マイクロキャビティや結晶破壊による接合界面の不均一は、表面波フィルタやバルク波フィルタに応用するときに、弾性散乱や吸音による発熱を引き起こし、フィルタの挿入損失の劣化や発熱による耐電力性能の劣化を引き起こす要因となっていた。
　特に、Ｌｉ系圧電材料であるＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３を用いる場合、水素が残留すると、ＬｉイオンサイトのＬｉと水素が置換し、圧電性の劣化を生じやすい。
　例えば、圧電基板としてタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム基板、支持基板としてもタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム基板を用い、圧電基板と支持基板の表面をＣＭＰ（化学機械研磨）により平滑化し、その後、湿潤雰囲気下に圧電基板と支持基板を晒して親水基を形成し、基板表面同士を接して張り合わせて親水基による弱い接合をし、５００℃で１時間加熱して親水基を分解して強固な接合を行った。このような方法で接合した複合圧電基板は、親水基による弱い接合をした後、５００℃で加熱する前は、外力を加えることにより接合界面で容易に剥離することができた。一方、５００℃で加熱した後は、接合が強化されたが、接合界面には、目視できる程度のキャビティが随所に形成されていた。また、接合界面の結晶配列をＴＥＭ（透過型電子戦顕微鏡）で観察すると、数十ｎｍのキャビティや結晶配列の乱れが観察された。
　さらに、非線形誘電率顕微鏡を用いて、Ｈイオンを注入し、４００℃で加熱してＬｉＴａＯ３の分極状態を調査したところ、当初整列していた分極極性がドメイン単位で局所的に反転し、圧電性が劣化していることが分かった。より高温の５００℃で加熱すると更に圧電性劣化が顕著となる。
　本発明は、かかる実情に鑑み、圧電体材料を効率良く利用して、均質な厚みの極薄圧電膜を形成することができる、複合圧電基板の製造方法を提供しようとするものである。
　本発明は、以下のように構成した複合圧電基板の製造方法を提供する。
　複合圧電基板の製造方法は、（ａ）圧電体基板と、支持基板とを準備する、第１の工程と、（ｂ）前記圧電体基板の表面からイオンを注入して、前記圧電体基板内において前記表面から所定深さの領域に欠陥層を形成する、第２の工程と、（ｃ）前記欠陥層が形成された前記圧電体基板の表面と前記支持基板の表面との少なくとも一方について、当該表面に付着した不純物を除去して当該表面を構成する原子を直接露出させ、活性化させる、清浄活性化工程と、（ｄ）前記清浄活性化工程の後に、前記圧電体基板の前記表面に前記支持基板を接合して基板接合体を形成する、第３の工程と、（ｅ）前記基板接合体を、前記圧電体基板内に形成された前記欠陥層で分離して、前記圧電体基板の前記表面と前記欠陥層との間の剥離層が前記圧電体基板から剥離されて前記支持基板に接合された複合圧電基板を形成する、第４の工程と、（ｆ）前記複合圧電基板の前記剥離層の表面を平滑化する、第５の工程とを含む。
　上記方法により圧電体基板の剥離層が接合された複合圧電基板を製造すると、複合圧電基板の表面に極めて薄い圧電体（極薄圧電膜）を形成することができる。例えば単結晶の圧電体基板を用いて、圧電体の極薄単結晶膜を有する複合圧電基板を製造することができる。
　上記方法によれば、剥離層が剥離された後の圧電体基板は、複合圧電基板の製造に再び利用することができる。１枚の圧電体基板から多量の複合圧電基板を製造することができ、圧電基板を研磨して圧電膜を形成する場合に比べ、圧電体材料を廃棄する量が減るので、高価な圧電体の使用量を減らすことができる。
　また、剥離層の厚みは、イオン注入するときのエネルギーで決まり、研磨のように基板のうねりに圧電体の厚みが左右されることがないため、極薄でも均一にすることができる。したがって、表面に均一な厚みの極薄圧電膜を有する複合圧電基板が得られる。
　好ましくは、前記第２の工程の後かつ前記清浄活性化工程の前又はそれ以降に、より好ましくは前記第５の工程の後に、前記複合圧電基板の前記剥離層の分極処理を行う分極処理工程をさらに含む。
　この場合、分極処理工程における圧電体基板の表面に励起される焦電荷によるイオン注入加工(ドーズ量、注入深さ)のばらつき、基板の破損が避けられる。
　好ましくは、前記第３の工程において、イオン注入をするときに、自発分極している前記圧電体基板の構成原子がシフトしている方向と同一方向にイオンを注入する。
　この場合、圧電体基板について、イオン注入による圧電性の劣化を抑制できる。
　また、親水化処理によるＯＨ基を用いた接合でなく、清浄活性化工程によるＯＨ基を用いない接合であるので、接合界面に残留する水素の脱離が必要ない。このため、親水基を分解するための高温長時間の加熱が不要であり、また、接合界面のガス発生やマイクロキャビティ形成がなく、圧電結晶中への水素ガス残留がない。このため、結晶構造の破損や圧電性の劣化が抑制される。特に、Ｌｉ系圧電材料であるＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３を用いる場合、水素残留によるＬｉイオンサイトのＬｉと水素の交換を生じないので、圧電性が維持される。
　上記方法で製造された複合圧電基板に形成された圧電体基板の剥離層の極めて薄い圧電体を利用して、弾性表面波素子、弾性境界波素子、バルク波素子、板波素子などの弾性波素子を形成することができる。これらの弾性波素子を有する電子部品の製造に、上記方法で製造された複合圧電基板を用いると、高価な圧電体基板の使用量を削減できる。
　また、本発明は、以下のように構成した複合圧電基板の製造方法を提供する。
　複合圧電基板の製造方法は、（１）圧電体基板と、支持基板とを準備する、第１の工程と、（２）前記圧電体基板の表面からイオンを注入して、前記圧電体基板内において前記表面から所定深さの領域に欠陥層を形成する、第２の工程と、（３）前記圧電体基板の前記表面に前記支持基板を接合して基板接合体を形成する、第３の工程と、（４）前記基板接合体を、前記圧電体基板内に形成された前記欠陥層で分離して、前記圧電体基板の前記表面と前記欠陥層との間の剥離層が前記圧電体基板から剥離されて前記支持基板に接合された複合圧電基板を形成する、第４の工程と、（５）前記複合圧電基板の前記剥離層の表面を平滑化する、第５の工程と、（６）前記第２の工程の後かつ前記第３の工程の前又はそれ以降に、前記複合圧電基板の前記剥離層の分極処理を行う第６の工程とを含む。
　上記方法によれば、イオン注入によりに分極が反転しても、修復することができる。
　本発明の複合圧電基板の製造方法によれば、圧電体材料を効率良く利用して、均質な厚みの極薄圧電膜を形成することができる。
複合圧電基板の製造工程を示す断面図である。（実施例１） ＢＡＷデバイスの製造工程を示す断面図である。（実施例２） ＢＡＷデバイスの製造工程を示す断面図である。（実施例３） ＢＡＷデバイスの断面図である。（実施例３） ＳＡＷデバイスの製造工程を示す断面図である。（実施例１） 弾性表面波装置の断面図である。（従来例）
符号の説明
　　２　圧電体基板
　　３　剥離層
　　４　欠陥層
　１０，１０ｘ　支持基板
　３０，３０ａ　複合圧電基板
　以下、本発明の実施の形態について、図１～図５を参照しながら説明する。
　＜実施例１＞　実施例１のＳＡＷ（surface acoustic wave；弾性表面波）デバイスの製造方法について、図１、図５を参照しながら説明する。
　まず、ＳＡＷデバイスに用いる複合圧電基板３０の製造工程について、図１を参照しながら説明する。図１は、複合圧電基板３０の製造工程を示す断面図である。
　（工程１）　図１（ａ－１）及び（ａ－２）に示すように、圧電体基板２と支持基板１０を準備する。例えば、圧電体基板２として４２°ＹカットＬｉＴａＯ３基板、支持基板１０としてＳｉ基板を準備する。それぞれの基板２、１０の表面２ａ，１０ａは、予め鏡面研磨しておく。
　（工程２）　次いで、図１（ｂ）に示すように、圧電体基板２の表面２ａに、矢印８で示すように、イオンを注入して、圧電体基板２内において表面２ａから所定深さの領域に、破線で模式的に示す欠陥層４を形成する。例えば、ＬｉＴａＯ３圧電体基板２にＨ＋イオンを注入する。注入エネルギーは１５０ＫｅＶ、ドーズ量は９×１０１６ｃｍ－１である。このとき、Ｈ＋イオンが圧電体基板２の表面２ａから１μｍ程度の深さに分布する欠陥層４が形成される。
　（洗浄活性化工程）　圧電体基板２と支持基板２０を減圧チャンバに入れ、それぞれの表面２ａ，１０ａにＡｒイオンをビーム照射し、表面２ａ，１０ａに付着した親水基、水素、酸化被膜などの不純物を除去する。不純物が除去された表面２ａ，１０ａは、基板２，１０を構成する原子が直接露出し、活性化される。このように、清浄活性化した表面２ａ，１０ａ同士を真空中で接触させると、元素同士が直接ボンドを結び、強固な接合が得られる。接合界面に不純物が存在しないため、接合後に不純物を除去する必要がなく、接合界面付近の結晶の破損も抑制される。
　（工程３）　次いで、図１（ｃ）に示すように、圧電体基板２の表面２ａと、支持基板１０の表面１０ａとを接合して、基板接合体４０を形成する。
　ＬｉＴａＯ３圧電体基板２とＳｉ支持基板１０の場合には、線熱膨張係数が異なるので、常温において、基板表面２ａ，１０ａをプラズマにより活性化し、真空中で接合する常温直接接合を行うことが望ましい。
　ＬｉＴａＯ３圧電体基板２とＳｉ支持基板１０とを接合した後、５００℃で加熱する。これにより、Ｈ＋イオンを注入したＬｉＴａＯ３圧電体基板２の表面２ａから１μｍの深さの欠陥層４には、表面２ａに沿ってマイクロキャビティが発生し、加熱によりこのキャビティが成長する。
　なお、接合界面に、元素同士のボンドを強化するために微量（数ｎｍ）のＦｅなどの金属元素を配してもよい。金属元素は大気中での酸化反応などにより汚染されやすい。そこで、金属イオンの堆積は、接合を行う真空に減圧したチャンバ内で、接合の直前に行うことが望ましい。
　（工程４）　次いで、図１（ｄ）に示すように、基板接合体４０の圧電体基板２と支持基板１０とを、圧電体基板２内に形成された欠陥層４で分離して、圧電体基板２の表面２ａと欠陥層４との間の剥離層３が圧電体基板２から剥離されて支持基板１０に接合された複合圧電基板３０を形成する。
　例えば、ＬｉＴａＯ３圧電体基板２の表面２ａから１μｍの深さの欠陥層４に形成されたマイクロキャビティに沿って分離するため、１μｍの厚さのＬｉＴａＯ３薄膜の剥離層３が支持基板１０の表面１０ａに接合された複合圧電基板３０と、表面２ａ側からＬｉＴａＯ３薄膜の剥離層３が剥離されたＬｉＴａＯ３圧電体基板２とに分離する。
　（工程５）　次いで、図１（ｅ－１）及び（ｅ－２）に模式的に示すように凹凸が形成された破断面である圧電体基板２と複合圧電基板３０の表面２ａ，３ａを研磨し、図１（ｆ－１）及び（ｆ－２）に示すように圧電体基板２と複合圧電基板３０の表面２ｋ，３ｋを平滑化する。
　例えば、ＬｉＴａＯ３薄膜の剥離層３の破断面が現れる複合圧電基板３０の表面３ａと、ＬｉＴａＯ３薄膜の剥離層３が剥離されたＬｉＴａＯ３圧電体基板２の表面２ａは、ＲＭＳ（root mean square）で１ｎｍ程度の荒れた面になっているため、ＣＭＰ（chemical-mechanical polishing；化学機械研磨）により表面２ａ，３ａから厚さ１００ｎｍ程度研磨して除去して平滑化する。
　（工程６）　表面３ｋが平滑化された複合圧電基板３０について、剥離層３の圧電体の分極反転を修正するため、分極処理を行う。例えば、表面３ａを平滑化したＬｉＴａＯ３薄膜の剥離層３について、４００℃で５ｍｓ、２２ｋＶのパルス電圧を印加する分極処理を行う。
　圧電体結晶を構成する原子の一部は、正又は負に荷電しイオン化している。このイオン化した原子に、例えば電界を印加すると正に荷電したイオンは陰極側に、負に荷電したイオンは陽極側に結晶内をわずかにシフトし、電気双板子を生ずる。この現象は電気分極と呼ばれている。電界の印加を止めても分極の状態を維持することができる結晶も存在し、この状態は前述した自発分極と呼ばれる。自発分極する圧電体結晶に高エネルギーで多量のイオンを注入すると、このイオンのシフトした状態が変化し、分極の極性が反転したりする。部分的な分極の反転は圧電性の劣化を引き起こすため、好ましくない。
　そこで、イオン注入した後に分極処理を行うことで分極の反転を修復できる。例えば、ＬｉＮｂＯ３の場合、７００℃の加熱雰囲気で２２ｋＶ／ｍｍの電界を印加する。分極処理は剥離工程後に行うことが望ましく、温度は支持基板や電極の融点や熱膨張係数差を考慮して、２００～１２００℃で行う。高温であるほど抗電界が下がるので、印加する電界を低く抑えることができる。また、電界は１μｓ～１分の範囲で断続的に印加すると直流電界による結晶へのダメージを抑制できるので、望ましい。また、２００℃以上での加熱は、イオン注入により受けた結晶のひずみを緩和するため望ましい。結晶ひずみをとるための加熱温度は、分極の解消を避けるためにキューリー温度より１００℃以上低くする。
　なお、分極反転などの圧電性の劣化は工程６の分極処理により回復できるが、結晶に負担がかかるため、工程６に至る前の分極反転などの圧電性劣化は極力抑制しておくことが望ましい。また、結晶材料や結晶方位によっては分極処理が難しい圧電体も存在するため、工程６に至る前の圧電性劣化の抑制策は重要である。
　分極はイオン化した圧電結晶の構成元素がわずかにシフトすることで生じる。一般に、わずかにシフトさせるためのエネルギー量は、構成元素が結晶単位からはずれるエネルギー量に比べて小さい。そこで、自発分極を示すイオンのシフトしている方向と同一方向からイオンを注入することで、自発分極の極性反転が生じるのを抑制できる。
　例えば、ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯの場合、ＬｉイオンやＴａイオン、Ｎｂイオンは＋Ｃ軸方向にわずかにシフトしているので、－Ｃ軸側から＋Ｃ軸側に向かってイオンを注入することが望ましい。なお、イオンの注入方向に対してＣ軸のなす角度θが－９０°＜θ＜＋９０°の範囲とすれば効果が得られる。
　また、工程４において、剥離は圧電体のキューリー温度以下で行うことが望ましい。キューリー温度を超えると、分極が一旦開放されるため、圧電性が劣化する。
　本願発明者の知見によれば、工程４において、欠陥層で剥離するために必要な加熱温度は５００～６００℃である。一般に電子部品用に供給されているＬｉＴａＯ３ウェハは、キューリー温度が６００℃前後と低く、剥離に必要な加熱温度とキューリー温度が近接している。このため、圧電性が劣化しやすい。ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３において、ＬｉのＴａやＮｂに対する組成比ｘが４８．０％≦ｘ＜４９．５％の場合、コングルエント組成と呼ばれ、前述の電子部品用圧電基板として大量に供給されているウェハに用いられている。一方、組成比が４９．５％≦ｘ≦５０．５％はストイキオ組成と呼ばれている。ＬｉＴａＯ３の場合、コングルエント組成の場合はキューリー温度が５９０～６５０℃と低く、ストイキオ組成の場合は６６０～７００℃となる。そこで、ＬｉＴａＯ３を用いる場合、ＬｉのＴａに対する組成比を４９．５％≦ｘ≦５０．５％としたストイキオ組成とすることが工程４における加熱時の圧電性劣化を抑制できるので望ましい。
　なお、ＬｉＮｂＯ３の場合、コングルエント組成の場合は１１００～１１８０℃、ストイキオ組成の場合は１１８０～１２００℃となる。
　また、工程４において、圧電体がＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３のように焦電性をもつ場合、昇温や降温により基板表面に電荷が蓄積される。表面に蓄積された電荷による電界が分極方向と逆方向から圧電体の抗電界を超えて加わると分極が反転し圧電性が劣化する。工程４では昇温と降温のいずれかにおいて、分極と逆方向から電界が加わるため、圧電性の劣化を生じやすい。
　本願発明者は圧電体の導電率を高め、かつ、温度変化のペースを焦電荷による電界が圧電体の抗電界以下となるようにすることにより、圧電性の劣化を抑制できることを見出した。
　実施例１において、ＬｉＴａＯ３の導電率を高めて４×１０１０Ｓ／ｃｍとなるように処理したウェハを用い、工程４において表面の電位が２００Ｖ以下となるように昇温及び降温のペースを低下させることにより圧電性の劣化を抑制できた。ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３の導電率を高める処理は、特開２００４－３２８７１２のように低酸素雰囲気中で高温アニールしたり、特開２００５－１１９９０６や特開２００５－１７９１１７のように金属粉末中で加熱する手段が知られている。
　以上に説明した製造工程により製造された複合圧電基板の作製例について、観察した。すなわち、圧電体基板としてＬｉＴａＯ３基板、支持基板としてもＬｉＴａＯ３基板を用い、圧電体基板と支持基板の表面をＣＭＰにより平滑化し、真空中で圧電体基板と支持基板の表面にＡｒイオンビームを照射して、基板表面を清浄活性化し、基板表面同士を接して張り合わせて、基板の元素同士が直接ボンドする強固な接合を行った後の複合圧電基板の外形写真を撮影した。撮影した写真には、接合界面に目視できるようなキャビティはなかった。また、接合界面の結晶配列をＴＥＭ（透過型電子戦顕微鏡）で観察すると、整列した結晶配列が観察された。
　以上に説明した製造工程により製造された複合圧電基板３０は、表面に圧電体の剥離層３を有しているので、弾性波素子を作製するために用いることができる。残った圧電体基板２は、次の複合圧電基板３０を作製するための素材として再び利用する。
　次に、ＳＡＷデバイスの製造工程について、図５の断面図を参照しながら説明する。
　図５（ａ）に示すように、前述の工程１～６で製造された複合圧電基板３０を準備し、図５（ｂ）に示すように、複合圧電基板３０の表面３ｋに、ＩＤＴ電極１５等を形成する。
　例えば、支持基板１０の表面１０ａにＬｉＴａＯ３薄膜の剥離層３が接合された複合圧電基板３０の表面３ｋに露出するＬｉＴａＯ３薄膜の剥離層３の平滑化された表面に、フォトリソグラフィ技術を用いてアルミニウム膜をパターンニングし、ＩＤＴ電極１５、パッド電極（不図示）、ＩＤＴ電極１５とパッド電極との間を接続する配線（不図示）などの導体パターンを形成して、ＳＡＷフィルタなどのＳＡＷデバイスを作製する。
　以上に説明した工程でＳＡＷデバイスを作製すると、次のような効果を得ることができる。
　（１）　ＳＡＷデバイスを製造する上で、圧電体の材料、結晶方位は、電気機械結合係数や周波数温度特性、音速に影響するため、ＳＡＷデバイスの周波数や帯域幅、挿入損失などに重要な影響を与える。圧電体の材料や結晶方位の選択自由度が高い方が、優れたＳＡＷデバイスを構成しやすい。
　すなわち、スパッタやＣＶＤなどの成膜法で圧電体薄膜を形成すると、薄膜の材料、結晶方位が制約される。薄膜材料はＡｌＮやＺｎＯなど、成膜法で形成できる膜の種類は少なく、圧電体を単結晶化することは難しく、通常はＣ軸配向膜が得られるに過ぎない。このため、圧電軸が上下にしか向かないのでＳＨ型のＳＡＷを励振することが困難だった。
　一方、圧電体単結晶から薄膜を剥離する本発明の手法であれば、圧電体の結晶方位の自由度が高く、優れたＳＨ型ＳＡＷが励振する３６°～４６゜Ｙカットの圧電基板を得ることができる。
　（２）　単結晶の育成速度が遅く、割れやすいためスライスしづらく、ＬｉやＴａなどの原料が希少で高価なために、基板が高価なＬｉＴａＯ３基板やＬｉＮｂＯ３基板、水晶基板などの圧電体基板に比べ、Ｓｉ基板は安価である。
　すなわち、従来は、１枚のＳＡＷデバイス用ウェハには、１枚の高価な圧電体基板が用いられていた。これに対し、本発明の複合圧電基板は、１枚のＳＡＷデバイス用ウェハを製造するために、１枚の安価なＳｉ基板と圧電体薄膜のみを材料とし、この圧電薄膜は１枚の圧電体基板から数十枚～数百枚得ることができるので、材料の使用量としては無視できる程度の量に抑えることができる。このため、希少で高価なＬｉやＴａなどの使用量を抑制でき、環境負荷が小さく、安価な圧電基板を得ることができる。
　（３）　携帯電話用のＲＦフィルタには、１～２Ｗの大きな電力印加に耐えることが望まれる。ＳＡＷフィルタの耐電力性能は、電気信号を加えたときのＩＤＴ領域の温度により大きな影響を受ける。電力印加によりＩＤＴ領域が２５０℃などの高温になると、ＳＡＷフィルタが破壊するまでの時間が著しく短くなる。ＩＤＴ領域の温度上昇は、電気的なオーミック損に起因するジュール熱や弾性的な吸音による発熱が、圧電体基板の熱伝導率の低さにより十分に放熱されないことが要因である。ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３などの圧電体のみで構成された圧電基板は、熱伝導率がＳｉに比べて小さく、放熱性がよくない。本発明の複合圧電基板は、Ｓｉと同等の熱伝導率を得ることができるため、放熱性がよい。このため、大きな電力印加に耐えることができる。
　（４）　極薄圧電体の厚みはイオン注入するときのエネルギーで決まる。したがって、研磨のように基板うねりに厚みが左右されることはなく、極薄圧電体でも安定した厚みが得られる。圧電体薄膜の厚みは、ＳＡＷの音速（周波数＝音速／波長なので周波数が決まる）を決定するので重要である。本発明の複合圧電基板は、一定厚みの圧電薄膜を形成できるので、ＳＡＷデバイスの特性が安定する。
　（５）　４２°ＹカットのＬｉＴａＯ３基板は、－Ｚ軸が４２°傾斜して表面側となる。ＬｉＴａＯ３を構成するＬｉ原子とＴａ原子は、わずかに裏面側（＋Ｚ軸側）にシフトして自発分極している。本発明では、－Ｚ軸側からイオンを注入することで、分極反転を抑制している。
　（６）　工程１～６で作製した複合圧電基板は、ＳＡＷフィルタに限らず、境界波やラム波などの板波を用いたフィルタなどにも用いることができる。境界波の場合は、次の実施例２のように複合圧電基板に素子部を構成すればよい。板波を用いる場合は、次の実施例３のように、支持基板を裏面からエッチングして圧電体の剥離層を裏面から露出させればよい。
　（７）　ＳｉはＬｉＴａＯ３に比べて線膨張係数が小さいため、Ｓｉ支持基板にＬｉＴａＯ３剥離膜が接合された複合圧電基板は、周波数温度係数を抑制できる。
　＜実施例２＞　実施例２のＢＡＷ（bulk acoustic wave；バルク弾性波）デバイスについて、図２を参照しながら説明する。図２は、ＢＡＷデバイスの製造工程を示す断面図である。
　実施例２のＢＡＷデバイスは、次の工程で製造する。
　まず、図２（ａ）に示すように、複合圧電基板３０を準備する。例えば、２０°ＹカットＬｉＴａＯ３圧電体基板とＳｉ支持基板１０とを用い、実施例１の工程１～５と同じ工程で、Ｓｉ支持基板１０の表面１０ａに２０°ＹカットのＬｉＴａＯ３剥離層３が接合された複合圧電基板３０を作製する。
　次いで、図２（ｂ）に示すように、複合圧電基板３０の表面３ｋに上部電極１６を形成する。例えば、ＬｉＴａＯ３剥離層３の表面３ｋに、電子ビーム蒸着法とフォトリソグラフィ法により、アルミニウムで上部電極１６を形成する。
　次いで、図２（ｃ）に示すように、支持基板１０に穴１３を形成し、剥離層３の裏面３ｓを露出させる。例えば、Ｓｉ支持基板１０の剥離層３とは反対側の裏面１０ｂから、フォトリソグラフィ法とリアクティブイオンエッチング法により、Ｓｉ支持基板１０をエッチングして穴１３を形成し、圧電体の剥離層３の裏面３ｓを露出させる。
　次いで、図２（ｄ）に示すように、剥離層３の裏面３ｓに下部電極１４を形成する。例えば、ＬｉＴａＯ３剥離層３の裏面３ｓに、アルミニウムで下部電極１４を電子ビーム蒸着法とフォトリソグラフィ法により形成する。
　次いで、図２（ｅ）に示すように、剥離層３に下部電極１４が露出する孔２０を形成する。例えば、ＬｉＴａＯ３剥離層３の表面３ｋ側から、フォトリソグラフィ法とリアクティブイオンエッチング法で孔２０を形成する。
　次いで、図２（ｆ）に示すように、孔２０を介して下部電極１４に電気的に接続された配線１８を形成する。例えば、フォトリソグラフィ法と蒸着法でアルミニウムにより配線１８を形成し、ＬｉＴａＯ３剥離層３の孔２０を介して、配線１８と下部電極１４を接続する。図示していないが、さらに、配線１８の電気抵抗を下げるために、バルク波素子の振動領域（下部電極１４と上部電極１６とが剥離層３を挟んで対向する領域）以外の領域にアルミニウムを厚付けし、配線１８を外部端子に接続してパッケージングする。
　以上の工程でＢＡＷデバイスを作製すると、次のような効果を得ることができる。
　（１）　ＢＡＷデバイスを製造する上で、圧電体の材料、結晶方位は、電気機械結合係数や周波数温度特性、音速に影響するため、ＢＡＷデバイスの周波数や帯域幅、挿入損失などに重要な影響を与える。圧電体の材料や結晶方位の選択自由度が高い方が、優れたＢＡＷデバイスを構成しやすい。スパッタやＣＶＤなどの成膜法で圧電体薄膜を形成すると、薄膜の材料、結晶方位が制約される。薄膜材料はＡｌＮやＺｎＯなど成膜法で形成できる膜の種類は少なく、圧電体を単結晶化することは難しく、通常はＣ軸配向膜が得られるに過ぎない。このため、圧電軸が上下にしか向かないので厚みすべり型のＢＡＷを励振することが困難だった。
　一方、圧電体単結晶から薄膜を剥離する本発明の手法であれば、圧電体の結晶方位の自由度が高く、優れた厚みすべり型ＢＡＷが励振する基板を得ることができる。
　また、ＢＡＷデバイスのエネルギー閉じ込め状態やスプリアス応用は、励振されるバルク波の分散関係により決定されるが、材料や結晶方位を調整することで、エネルギー閉じ込めとスプリアス抑制を両立した高Ｑなバルク波素子が作成できる。
　（２）　単結晶の育成速度が遅く、割れやすいためスライスしづらく、ＬｉやＴａなどの原料が希少で高価なために、ＬｉＴａＯ３基板やＬｉＮｂＯ３基板、水晶基板などの圧電体基板は高価である。単結晶薄膜を形成した複合圧電基板を得る手段として、Ｓｉ基板と圧電基板を張り合わせた後にＣＭＰ（chemical-mechanical polishing；化学機械研磨）で圧電体を研磨しで薄化する手段も考えられるが、この場合、１枚の複合圧電基板を得るために、１枚のＳｉ基板と１枚の圧電体基板が必要であるため、高価な圧電体の材料効率が悪い。
　本発明の複合圧電基板は、１枚のＢＡＷデバイス用ウェハを製造するために、１枚の安価なＳｉ基板と圧電体薄膜のみを材料とし、この圧電薄膜は１枚の圧電体基板から数十枚～数百枚得ることができるので、材料の使用量としては無視できる程度に抑えることができる。このため、希少で高価なＬｉやＴａなどの使用量を抑制でき、環境負荷が小さく、安価な圧電基板を得ることができる。
　（３）　極薄圧電体の厚みはイオン注入するときのエネルギーで決まる。したがって、研磨のように基板うねりに厚みが左右されることはなく、極薄圧電体でも安定した厚みが得られる。圧電体薄膜の厚みは、ＢＡＷの波長（周波数＝音速／波長なので周波数が決まる）を決定するので、重要である。
　＜実施例３＞　実施例３のＢＡＷデバイスについて、図３及び図４を参照しながら説明する。図３は、ＢＡＷデバイスの製造工程を示す断面図である。図４はＢＡＷデバイスの平面図である。
　実施例３のＢＡＷデバイスは、次の工程で製造する。
　まず、実施例１の工程１～５と略同様の工程で、複合圧電基板を準備する。
　すなわち、工程１で、２０°ＹカットＬｉＴａＯ３圧電体基板と、図３（ａ）に示す支持基板１０ｘを準備する。支持基板１０ｘは、実施例１と異なり、Ｓｉ支持基板１１にリアクティブイオンエッチングで窪み１３ａを形成し、窪み１３ａに犠牲層１３ｘを形成し、Ｓｉ支持基板１１の表面１１ａをＣＭＰで平滑化し、スパッタ法により、Ｗ（タングステン）で下部電極１４ａを形成したものである。工程２において、実施例２と同じく、圧電体基板にイオン注入する。工程３において、圧電体基板を支持基板１０ｘの下部電極１４ａに金属接合に接合して基板接合体を形成し、実施例１と同様に、工程４において基板接合体を圧電体基板の欠陥層で剥離し、工程５において圧電体基板及び支持基板の表面を平滑化し、図３（ｂ）に示すように、２０°ＹカットＬｉＴａＯ３の剥離層３ａを有する複合圧電基板３０ａを準備する。
　次いで、図３（ｃ）に示すように、ＬｉＴａＯ３の剥離層３ａの表面３ｋに、アルミニウムで上部電極１６ａを電子ビーム蒸着法とフォトリソグラフィ法により形成する。
　次いで、図３（ｄ）に示すように、剥離層３ａと下部電極１４ａに、フォトリソグラフィ法とリアクティブイオンエッチング法で、犠牲層１３ｘに達する孔２２と、下部電極１４ａに達する孔２４とを形成する。
　次いで、図３（ｅ）に示すように、犠牲層１３ｘに達する孔２２を通してドライエッチングにより犠牲層１３ｘを除去する。
　次いで、図３（ｆ）及び図４に示すように、フォトリソグラフィ法と蒸着法でアルミニウムにより配線１８ａを形成し、下部電極１４ａに達する孔２４を介して下部電極１４ａと接続される配線１８ａを形成する。図示していないが、さらに、配線１８ａの電気抵抗を下げるために、バルク波素子の振動領域（下部電極１４ａと上部電極１６ａとが剥離層３ａを挟んで対向する領域）以外の領域にアルミニウムを厚付けし、配線１８ａを外部端子に接続してパッケージングする。
　実施例２のように支持基板１０の裏面１０ｂに穴１３が開いていると、裏面１０ｂ側に別途基板を張り合わせるなどしてフタをする必要があるが、実施例３の構造は支持基板１１に穴が開いていないため、裏面側の密閉は不要となる。その他の効果は、実施例２と同じである。
　＜まとめ＞　以上に説明した方法で複合圧電基板を製造すると、圧電体材料を効率良く利用して、均質な厚みの極薄圧電膜を形成することができる。
　なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。
　例えば、本発明の方法で製造された複合圧電基板は、ＳＡＷ素子、ＢＡＷ素子、センサー素子、屈曲振動子、その他の種々の素子に用いることができる。

Claims (5)

  1. 　圧電体基板と、支持基板とを準備する、第１の工程と、
    　前記圧電体基板の表面からイオンを注入して、前記圧電体基板内において前記表面から所定深さの領域に欠陥層を形成する、第２の工程と、
    　前記欠陥層が形成された前記圧電体基板の表面と前記支持基板の表面との少なくとも一方について、当該表面に付着した不純物を除去して当該表面を構成する原子を直接露出させ、活性化させる、清浄活性化工程と、
    　前記清浄活性化工程の後に、前記圧電体基板の前記表面に前記支持基板を接合して基板接合体を形成する、第３の工程と、
    　前記基板接合体を、前記圧電体基板内に形成された前記欠陥層で分離して、前記圧電体基板の前記表面と前記欠陥層との間の剥離層が前記圧電体基板から剥離されて前記支持基板に接合された複合圧電基板を形成する、第４の工程と、
    　前記複合圧電基板の前記剥離層の表面を平滑化する、第５の工程と、
    を含む、複合圧電基板の製造方法。
  2. 　前記第２の工程の後かつ前記清浄活性化工程の前又はそれ以降に、前記複合圧電基板の前記剥離層の分極処理を行う分極処理工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の複合圧電基板の製造方法。
  3. 　前記第３の工程において、イオン注入をするときに、自発分極している前記圧電体基板の構成原子がシフトしている方向と同一方向にイオンを注入することを特徴とする、請求項１又は２に記載の複合圧電基板の製造方法。
  4. 　前記圧電体基板にリチウム系圧電材料を用いたことを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の複合圧電基板の製造方法。
  5. 　圧電体基板と、支持基板とを準備する、第１の工程と、
    　前記圧電体基板の表面からイオンを注入して、前記圧電体基板内において前記表面から所定深さの領域に欠陥層を形成する、第２の工程と、
    　前記圧電体基板の前記表面に前記支持基板を接合して基板接合体を形成する、第３の工程と、
    　前記基板接合体を、前記圧電体基板内に形成された前記欠陥層で分離して、前記圧電体基板の前記表面と前記欠陥層との間の剥離層が前記圧電体基板から剥離されて前記支持基板に接合された複合圧電基板を形成する、第４の工程と、
    　前記複合圧電基板の前記剥離層の表面を平滑化する、第５の工程と、
    　前記第２の工程の後かつ前記第３の工程の前又はそれ以降に、前記複合圧電基板の前記剥離層の分極処理を行う第６の工程と、
    を含む、複合圧電基板の製造方法。
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Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010056736A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Murata Mfg Co Ltd 電子部品及び電子部品の製造方法
JP2011018675A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Murata Mfg Co Ltd 圧電デバイスの製造方法および圧電デバイス
JP2011029526A (ja) * 2009-07-29 2011-02-10 Murata Mfg Co Ltd 複合基板の製造方法
JP2011114563A (ja) * 2009-11-26 2011-06-09 Murata Mfg Co Ltd 圧電デバイスの製造方法
JP2011120062A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Murata Mfg Co Ltd 圧電デバイスの製造方法
WO2011074329A1 (ja) * 2009-12-18 2011-06-23 株式会社村田製作所 圧電デバイスの製造方法
JP2011124738A (ja) * 2009-12-10 2011-06-23 Murata Mfg Co Ltd 圧電デバイスの製造方法
WO2011099381A1 (ja) * 2010-02-09 2011-08-18 株式会社村田製作所 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法
JP2012005106A (ja) * 2010-05-17 2012-01-05 Murata Mfg Co Ltd 複合圧電基板の製造方法および圧電デバイス
WO2012086441A1 (ja) * 2010-12-24 2012-06-28 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
WO2012128268A1 (ja) * 2011-03-22 2012-09-27 株式会社村田製作所 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法
EP2506431A1 (en) * 2009-11-26 2012-10-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric device and method for manufacturing piezoelectric device
JP2012199762A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Murata Mfg Co Ltd 圧電デバイスの製造方法
JP2012199638A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Murata Mfg Co Ltd 水晶デバイスの製造方法及び水晶デバイス
WO2013018604A1 (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 株式会社村田製作所 圧電デバイス、および、圧電デバイスの製造方法
JP5152410B2 (ja) * 2009-06-09 2013-02-27 株式会社村田製作所 圧電デバイスの製造方法
JP2013507810A (ja) * 2009-10-09 2013-03-04 コミシリア ア レネルジ アトミック エ オ エナジーズ オルタネティヴズ 表面波フィルタおよびバルク波フィルタを備える弾性波デバイスならびにその製造方法
WO2013031747A1 (ja) * 2011-09-01 2013-03-07 株式会社村田製作所 圧電バルク波装置及びその製造方法
WO2013141184A1 (ja) * 2012-03-23 2013-09-26 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ素子及びその製造方法
JP2013225945A (ja) * 2010-01-28 2013-10-31 Murata Mfg Co Ltd チューナブルフィルタ
WO2014077213A1 (ja) * 2012-11-14 2014-05-22 日本碍子株式会社 複合基板
WO2014077212A1 (ja) * 2012-11-14 2014-05-22 日本碍子株式会社 複合基板及びその製法
WO2018230442A1 (ja) * 2017-06-14 2018-12-20 株式会社日本製鋼所 接合基板、弾性表面波素子、弾性表面波素子デバイスおよび接合基板の製造方法
US10187035B2 (en) 2016-03-18 2019-01-22 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device
US10234334B2 (en) 2013-02-22 2019-03-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Sensor tag and manufacturing method for sensor tag
JP2019508924A (ja) * 2015-12-22 2019-03-28 ソワテク 単結晶層、特に圧電層の製造方法
WO2019102951A1 (ja) * 2017-11-22 2019-05-31 株式会社村田製作所 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
WO2019102952A1 (ja) * 2017-11-22 2019-05-31 株式会社村田製作所 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JP2019169983A (ja) * 2016-02-02 2019-10-03 信越化学工業株式会社 複合基板および複合基板の製造方法
JPWO2019130857A1 (ja) * 2017-12-28 2019-12-26 日本碍子株式会社 圧電性材料基板と支持基板との接合体およびその製造方法
JP2020043591A (ja) * 2019-11-21 2020-03-19 信越化学工業株式会社 複合ウェーハの製造方法
WO2020166120A1 (ja) * 2019-02-12 2020-08-20 株式会社村田製作所 圧電デバイス
JP2021048624A (ja) * 2015-12-22 2021-03-25 ソワテク 単結晶圧電層、およびそのような層を含むマイクロエレクトロニクスデバイス、光子デバイスまたは光学デバイスの作製方法
JP2021515989A (ja) * 2018-03-12 2021-06-24 ソイテック アルカリ金属に基づく強誘電体材料の薄層を作製するためのプロセス
JP2021175165A (ja) * 2020-04-30 2021-11-01 信越化学工業株式会社 複合基板の製造方法および複合基板
WO2022176689A1 (ja) * 2021-02-19 2022-08-25 信越化学工業株式会社 複合ウェーハおよびその製造方法
US11502665B2 (en) 2016-08-10 2022-11-15 The Japan Steel Works, Ltd. Method of manufacturing bonded substrate

Families Citing this family (106)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4582235B2 (ja) * 2008-10-31 2010-11-17 株式会社村田製作所 圧電デバイスの製造方法
JP5182379B2 (ja) * 2009-01-29 2013-04-17 株式会社村田製作所 複合基板の製造方法
FR2962598B1 (fr) 2010-07-06 2012-08-17 Commissariat Energie Atomique Procede d'implantation d'un materiau piezoelectrique
US8620164B2 (en) * 2011-01-20 2013-12-31 Intel Corporation Hybrid III-V silicon laser formed by direct bonding
JP5539602B1 (ja) * 2012-08-17 2014-07-02 日本碍子株式会社 複合基板，弾性表面波デバイス及び複合基板の製造方法
CN103091774A (zh) * 2012-11-13 2013-05-08 东北大学秦皇岛分校 悬空式铌酸锂光波导
JPWO2014129433A1 (ja) * 2013-02-19 2017-02-02 日本碍子株式会社 複合基板及び半導体デバイスの製法
JP6333540B2 (ja) * 2013-11-11 2018-05-30 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振子、フィルタ、及び分波器
US20180048283A1 (en) * 2015-04-16 2018-02-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Lithium tantalate single crystal substrate, bonded substrate, manufacturing method of the bonded substrate, and surface acoustic wave device using the bonded substrate
JP6335831B2 (ja) * 2015-04-16 2018-05-30 信越化学工業株式会社 接合基板の製造方法
JP6396853B2 (ja) 2015-06-02 2018-09-26 信越化学工業株式会社 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法
JP6454606B2 (ja) * 2015-06-02 2019-01-16 信越化学工業株式会社 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法
JP6396852B2 (ja) * 2015-06-02 2018-09-26 信越化学工業株式会社 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法
JP6396854B2 (ja) * 2015-06-02 2018-09-26 信越化学工業株式会社 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法
JP6660113B2 (ja) * 2015-07-24 2020-03-04 日本碍子株式会社 複合基板およびその製造方法
JP2017034527A (ja) * 2015-08-04 2017-02-09 セイコーエプソン株式会社 圧電素子、プローブ、超音波測定装置、電子機器、分極処理方法、及び、初期化装置
CN108028312B (zh) 2015-09-15 2021-03-26 日本碍子株式会社 复合基板的制造方法
US10110190B2 (en) * 2016-11-02 2018-10-23 Akoustis, Inc. Structure and method of manufacture for acoustic resonator or filter devices using improved fabrication conditions and perimeter structure modifications
US11558023B2 (en) 2016-03-11 2023-01-17 Akoustis, Inc. Method for fabricating an acoustic resonator device
FR3051979B1 (fr) * 2016-05-25 2018-05-18 Soitec Procede de guerison de defauts dans une couche obtenue par implantation puis detachement d'un substrat
FR3051785A1 (fr) * 2016-05-25 2017-12-01 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une couche
US10256786B1 (en) * 2016-07-11 2019-04-09 Akoustis, Inc. Communication filter using single crystal acoustic resonator devices
US10855250B2 (en) * 2016-07-11 2020-12-01 Akoustis, Inc. Communication filter for LTE band 41
FR3054930B1 (fr) * 2016-08-02 2018-07-13 Soitec Utilisation d'un champ electrique pour detacher une couche piezo-electrique a partir d'un substrat donneur
SG11201903365SA (en) 2016-10-20 2019-05-30 Skyworks Solutions Inc Elastic wave device with sub-wavelength thick piezoelectric layer
DE102016120324B4 (de) * 2016-10-25 2020-12-17 Tdk Electronics Ag Verfahren zur Bereitstellung einer Vorrichtung zur Erzeugung eines Atmosphärendruck-Plasmas
DE112018003634B4 (de) 2017-08-25 2024-05-02 Ngk Insulators, Ltd. Verbundener Körper und elastische Welle-Element
JP6507326B1 (ja) 2017-08-25 2019-04-24 日本碍子株式会社 接合体および弾性波素子
KR102434081B1 (ko) * 2018-01-22 2022-08-18 엔지케이 인슐레이터 엘티디 압전성 재료 기판과 지지 기판의 접합체 및 그 제조 방법
US10756697B2 (en) 2018-06-15 2020-08-25 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator
US10911023B2 (en) 2018-06-15 2021-02-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etch-stop layer
US11936358B2 (en) 2020-11-11 2024-03-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance
US11323090B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator using Y-X-cut lithium niobate for high power applications
US11509279B2 (en) 2020-07-18 2022-11-22 Resonant Inc. Acoustic resonators and filters with reduced temperature coefficient of frequency
US11996827B2 (en) 2018-06-15 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes
US10637438B2 (en) 2018-06-15 2020-04-28 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators for high power applications
US11146232B2 (en) 2018-06-15 2021-10-12 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes
US11323096B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes
US11206009B2 (en) 2019-08-28 2021-12-21 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch
US20220116015A1 (en) 2018-06-15 2022-04-14 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch
US11323089B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer
US20210328574A1 (en) 2020-04-20 2021-10-21 Resonant Inc. Small transversely-excited film bulk acoustic resonators with enhanced q-factor
US11929731B2 (en) 2018-02-18 2024-03-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode mark, and pitch
US10790802B2 (en) 2018-06-15 2020-09-29 Resonant Inc. Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated Y-X cut lithium niobate
DE102018107489B4 (de) * 2018-03-28 2019-12-05 RF360 Europe GmbH BAW-Resonator mit verbesserter Kopplung, HF-Filter, das einen BAW-Resonator umfasst, und Verfahren zum Herstellen eines BAW-Resonators
US10998882B2 (en) 2018-06-15 2021-05-04 Resonant Inc. XBAR resonators with non-rectangular diaphragms
US11349452B2 (en) 2018-06-15 2022-05-31 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout
US11264966B2 (en) 2018-06-15 2022-03-01 Resonant Inc. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack
US11146238B2 (en) 2018-06-15 2021-10-12 Resonant Inc. Film bulk acoustic resonator fabrication method
US11967945B2 (en) 2018-06-15 2024-04-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters
US11996825B2 (en) 2020-06-17 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter using lithium niobate and rotated lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators
US12009798B2 (en) 2018-06-15 2024-06-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having irregular hexagon cross-sectional shapes
US11374549B2 (en) 2018-06-15 2022-06-28 Resonant Inc. Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with divided frequency-setting dielectric layers
US11201601B2 (en) 2018-06-15 2021-12-14 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method
US11228296B2 (en) 2018-06-15 2022-01-18 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with a cavity having a curved perimeter
US11909381B2 (en) 2018-06-15 2024-02-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer
US11329628B2 (en) 2020-06-17 2022-05-10 Resonant Inc. Filter using lithium niobate and lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators
US11876498B2 (en) 2018-06-15 2024-01-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method
US11171629B2 (en) 2018-06-15 2021-11-09 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities
US11949402B2 (en) 2020-08-31 2024-04-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Resonators with different membrane thicknesses on the same die
US11996822B2 (en) 2018-06-15 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wide bandwidth time division duplex transceiver
US12021496B2 (en) 2020-08-31 2024-06-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Resonators with different membrane thicknesses on the same die
US10797675B2 (en) 2018-06-15 2020-10-06 Resonant Inc. Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated z-cut lithium niobate
US11349450B2 (en) 2018-06-15 2022-05-31 Resonant Inc. Symmetric transversely-excited film bulk acoustic resonators with reduced spurious modes
US11728785B2 (en) 2018-06-15 2023-08-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities
US11916539B2 (en) 2020-02-28 2024-02-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators
US11901878B2 (en) 2018-06-15 2024-02-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer
US11323091B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals
US11888463B2 (en) 2018-06-15 2024-01-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators
US11323095B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Rotation in XY plane to suppress spurious modes in XBAR devices
US10826462B2 (en) 2018-06-15 2020-11-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors
JP7127472B2 (ja) * 2018-10-15 2022-08-30 日本電信電話株式会社 波長変換素子の作製方法
CN113615083A (zh) 2019-03-14 2021-11-05 谐振公司 带有半λ介电层的横向激励的薄膜体声波谐振器
US11901873B2 (en) 2019-03-14 2024-02-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with partial BRAGG reflectors
JP7279432B2 (ja) * 2019-03-15 2023-05-23 日本電気硝子株式会社 複合基板、電子デバイス、複合基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法
FR3094573B1 (fr) 2019-03-29 2021-08-13 Soitec Silicon On Insulator Procede de preparation d’une couche mince de materiau ferroelectrique
WO2020209152A1 (ja) * 2019-04-08 2020-10-15 株式会社村田製作所 弾性波デバイスおよびそれを備えたフィルタ装置
US11329625B2 (en) 2019-07-18 2022-05-10 Resonant Inc. Film bulk acoustic sensors using thin LN-LT layer
US10862454B1 (en) 2019-07-18 2020-12-08 Resonant Inc. Film bulk acoustic resonators in thin LN-LT layers
WO2021053892A1 (ja) * 2019-09-17 2021-03-25 株式会社村田製作所 圧電デバイスおよびその製造方法
US20210273629A1 (en) 2020-02-28 2021-09-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multi-pitch interdigital transducer
US11811391B2 (en) 2020-05-04 2023-11-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns
US11469733B2 (en) 2020-05-06 2022-10-11 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with interdigital transducer configured to reduce diaphragm stress
US10992282B1 (en) 2020-06-18 2021-04-27 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having a second layer of variable width
CN111834519B (zh) * 2020-06-29 2021-12-03 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种提高单晶压电薄膜厚度均匀性的方法
US11742828B2 (en) 2020-06-30 2023-08-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with symmetric diaphragm
CN111864054B (zh) * 2020-07-07 2021-12-24 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种异质集成压电单晶薄膜衬底的表面优化方法
US11817845B2 (en) 2020-07-09 2023-11-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for making transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate
US11264969B1 (en) 2020-08-06 2022-03-01 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator comprising small cells
US11671070B2 (en) 2020-08-19 2023-06-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators using multiple dielectric layer thicknesses to suppress spurious modes
US11271539B1 (en) 2020-08-19 2022-03-08 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with tether-supported diaphragm
US11894835B2 (en) 2020-09-21 2024-02-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Sandwiched XBAR for third harmonic operation
US11728784B2 (en) 2020-10-05 2023-08-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with split die sub-filters
US11476834B2 (en) 2020-10-05 2022-10-18 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with switches in parallel with sub-filter shunt capacitors
US11658639B2 (en) 2020-10-05 2023-05-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with noncontiguous passband
US11929733B2 (en) 2020-10-05 2024-03-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with input and output impedances matched to radio frequency front end elements
US11405019B2 (en) 2020-10-05 2022-08-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters
US11405017B2 (en) 2020-10-05 2022-08-02 Resonant Inc. Acoustic matrix filters and radios using acoustic matrix filters
US11463066B2 (en) 2020-10-14 2022-10-04 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate
US12003226B2 (en) 2020-11-11 2024-06-04 Murata Manufacturing Co., Ltd Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance
US11496113B2 (en) 2020-11-13 2022-11-08 Resonant Inc. XBAR devices with excess piezoelectric material removed
US11405020B2 (en) 2020-11-26 2022-08-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with structures to reduce acoustic energy leakage
US11239816B1 (en) 2021-01-15 2022-02-01 Resonant Inc. Decoupled transversely-excited film bulk acoustic resonators
CN113872557B (zh) * 2021-09-29 2022-07-12 北京超材信息科技有限公司 用于声表面波器件的复合衬底及制造方法、声表面波器件
CN114214732B (zh) * 2022-02-22 2022-04-29 济南晶正电子科技有限公司 一种改善复合薄膜表面极化反转现象的方法及复合薄膜
FR3138596B1 (fr) * 2022-07-29 2024-06-21 Soitec Silicon On Insulator Procédé de préparation d’une couche mince monodomaine en matériau ferroélectrique comprenant du lithium

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1155070A (ja) * 1997-06-02 1999-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波素子とその製造方法
JP2002261582A (ja) * 2000-10-04 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイスおよびその製造方法ならびにそれを用いた回路モジュール
JP2003017967A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Toshiba Corp 弾性表面波素子及びその製造方法
JP2004343359A (ja) * 2003-05-14 2004-12-02 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波素子の製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3502598A (en) * 1966-08-11 1970-03-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Piezoelectric ceramics
US4056304A (en) * 1975-03-06 1977-11-01 Rca Corporation Light modulation employing single crystal optical waveguides of niobium-doped lithium tantalate
US4551647A (en) * 1983-03-08 1985-11-05 General Electric Company Temperature compensated piezoelectric transducer and lens assembly and method of making the assembly
US4577132A (en) * 1983-07-05 1986-03-18 Toray Industries, Inc. Ultrasonic transducer employing piezoelectric polymeric material
JP2516817B2 (ja) * 1989-09-14 1996-07-24 清水 郁子 分極反転層を有するＬｉＴａＯ▲下３▼基板及びこれを用いたデバイス
JPH0590893A (ja) * 1991-09-26 1993-04-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 表面弾性波素子
US6072263A (en) * 1996-08-09 2000-06-06 Toda; Kohji Surface acoustic wave transducing device
US6002515A (en) * 1997-01-14 1999-12-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing polarization inversion part, optical wavelength conversion element using the same, and optical waveguide
FR2788176B1 (fr) * 1998-12-30 2001-05-25 Thomson Csf Dispositif a ondes acoustiques guidees dans une fine couche de materiau piezo-electrique collee par une colle moleculaire sur un substrat porteur et procede de fabrication
JP2002016468A (ja) 2000-06-30 2002-01-18 Kyocera Corp 弾性表面波装置
US6710682B2 (en) * 2000-10-04 2004-03-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device, method for producing the same, and circuit module using the same
JP4931302B2 (ja) * 2001-08-29 2012-05-16 京セラ株式会社 圧電素子用部材
JP2004328712A (ja) 2003-01-16 2004-11-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd タンタル酸リチウム基板およびその製造方法
JP3938147B2 (ja) * 2003-04-08 2007-06-27 住友金属鉱山株式会社 タンタル酸リチウム基板およびその製造方法
JP2004336503A (ja) 2003-05-09 2004-11-25 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波素子及びその製造方法
JP4063190B2 (ja) * 2003-10-16 2008-03-19 住友金属鉱山株式会社 タンタル酸リチウム基板の製造方法
JP4281549B2 (ja) 2003-12-19 2009-06-17 宇部興産株式会社 誘電体磁器組成物およびこれを用いた積層セラミック部品
JP2006228866A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 Seiko Epson Corp 圧電アクチュエータの製造方法、圧電アクチュエータ、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置
JP2006245141A (ja) 2005-03-01 2006-09-14 Seiko Epson Corp アクチュエータ装置及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1155070A (ja) * 1997-06-02 1999-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波素子とその製造方法
JP2002261582A (ja) * 2000-10-04 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイスおよびその製造方法ならびにそれを用いた回路モジュール
JP2003017967A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Toshiba Corp 弾性表面波素子及びその製造方法
JP2004343359A (ja) * 2003-05-14 2004-12-02 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波素子の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2226934A4 *

Cited By (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010056736A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Murata Mfg Co Ltd 電子部品及び電子部品の製造方法
US8253301B2 (en) 2008-08-27 2012-08-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component and method for manufacturing electronic component
JP5152410B2 (ja) * 2009-06-09 2013-02-27 株式会社村田製作所 圧電デバイスの製造方法
JP2011018675A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Murata Mfg Co Ltd 圧電デバイスの製造方法および圧電デバイス
JP2011029526A (ja) * 2009-07-29 2011-02-10 Murata Mfg Co Ltd 複合基板の製造方法
JP2013507810A (ja) * 2009-10-09 2013-03-04 コミシリア ア レネルジ アトミック エ オ エナジーズ オルタネティヴズ 表面波フィルタおよびバルク波フィルタを備える弾性波デバイスならびにその製造方法
JP2011114563A (ja) * 2009-11-26 2011-06-09 Murata Mfg Co Ltd 圧電デバイスの製造方法
JPWO2011065317A1 (ja) * 2009-11-26 2013-04-11 株式会社村田製作所 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JP5569537B2 (ja) * 2009-11-26 2014-08-13 株式会社村田製作所 圧電デバイスの製造方法
EP2506431A4 (en) * 2009-11-26 2014-02-26 Murata Manufacturing Co PIEZOELECTRIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE PIEZOELECTRIC DEVICE
US9240540B2 (en) 2009-11-26 2016-01-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric device
EP2506431A1 (en) * 2009-11-26 2012-10-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric device and method for manufacturing piezoelectric device
JP2011120062A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Murata Mfg Co Ltd 圧電デバイスの製造方法
JP2011124738A (ja) * 2009-12-10 2011-06-23 Murata Mfg Co Ltd 圧電デバイスの製造方法
WO2011074329A1 (ja) * 2009-12-18 2011-06-23 株式会社村田製作所 圧電デバイスの製造方法
JP2013225945A (ja) * 2010-01-28 2013-10-31 Murata Mfg Co Ltd チューナブルフィルタ
WO2011099381A1 (ja) * 2010-02-09 2011-08-18 株式会社村田製作所 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法
JPWO2011099381A1 (ja) * 2010-02-09 2013-06-13 株式会社村田製作所 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法
US8749119B2 (en) 2010-02-09 2014-06-10 Murata Manufacturing Co, Ltd. Piezoelectric device
JP5510465B2 (ja) * 2010-02-09 2014-06-04 株式会社村田製作所 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法
JP2012005106A (ja) * 2010-05-17 2012-01-05 Murata Mfg Co Ltd 複合圧電基板の製造方法および圧電デバイス
US9780759B2 (en) 2010-12-24 2017-10-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device and method for manufacturing the same
WO2012086441A1 (ja) * 2010-12-24 2012-06-28 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP5648695B2 (ja) * 2010-12-24 2015-01-07 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JPWO2012086441A1 (ja) * 2010-12-24 2014-05-22 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP2012199638A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Murata Mfg Co Ltd 水晶デバイスの製造方法及び水晶デバイス
JP2015188253A (ja) * 2011-03-22 2015-10-29 株式会社村田製作所 圧電デバイス
US10553778B2 (en) * 2011-03-22 2020-02-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric device and method for manufacturing piezoelectric device
WO2012128268A1 (ja) * 2011-03-22 2012-09-27 株式会社村田製作所 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法
US20170062698A1 (en) * 2011-03-22 2017-03-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric device and method for manufacturing piezoelectric device
US9537079B2 (en) 2011-03-22 2017-01-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric device
JP2012199762A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Murata Mfg Co Ltd 圧電デバイスの製造方法
JPWO2013018604A1 (ja) * 2011-07-29 2015-03-05 株式会社村田製作所 圧電デバイス、および、圧電デバイスの製造方法
CN103718457A (zh) * 2011-07-29 2014-04-09 株式会社村田制作所 压电器件及压电器件的制造方法
WO2013018604A1 (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 株式会社村田製作所 圧電デバイス、および、圧電デバイスの製造方法
US9780292B2 (en) 2011-09-01 2017-10-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric bulk wave device, and method of manufacturing the piezoelectric bulk wave device
JPWO2013031747A1 (ja) * 2011-09-01 2015-03-23 株式会社村田製作所 圧電バルク波装置及びその製造方法
WO2013031747A1 (ja) * 2011-09-01 2013-03-07 株式会社村田製作所 圧電バルク波装置及びその製造方法
CN104205633B (zh) * 2012-03-23 2016-10-26 株式会社村田制作所 弹性波滤波器元件以及其制造方法
US9374062B2 (en) 2012-03-23 2016-06-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave filter device and manufacturing method of the same
CN104205633A (zh) * 2012-03-23 2014-12-10 株式会社村田制作所 弹性波滤波器元件以及其制造方法
JPWO2013141184A1 (ja) * 2012-03-23 2015-08-03 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ素子及びその製造方法
WO2013141184A1 (ja) * 2012-03-23 2013-09-26 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ素子及びその製造方法
JP5583875B1 (ja) * 2012-11-14 2014-09-03 日本碍子株式会社 複合基板及びその製法
US8901803B2 (en) 2012-11-14 2014-12-02 Ngk Insulators, Ltd. Composite substrate and method for manufacturing the same
WO2014077213A1 (ja) * 2012-11-14 2014-05-22 日本碍子株式会社 複合基板
JP5583876B1 (ja) * 2012-11-14 2014-09-03 日本碍子株式会社 複合基板
KR101497888B1 (ko) * 2012-11-14 2015-03-02 엔지케이 인슐레이터 엘티디 복합 기판 및 그 제법
CN103999366A (zh) * 2012-11-14 2014-08-20 日本碍子株式会社 复合基板及其制法
US8907547B2 (en) 2012-11-14 2014-12-09 Ngk Insulators, Ltd. Composite substrate
WO2014077212A1 (ja) * 2012-11-14 2014-05-22 日本碍子株式会社 複合基板及びその製法
US10234334B2 (en) 2013-02-22 2019-03-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Sensor tag and manufacturing method for sensor tag
US11600766B2 (en) 2015-12-22 2023-03-07 Soitec Method for manufacturing a monocrystalline piezoelectric layer
JP7200199B2 (ja) 2015-12-22 2023-01-06 ソワテク 単結晶圧電層、およびそのような層を含むマイクロエレクトロニクスデバイス、光子デバイスまたは光学デバイスの作製方法
JP2019508924A (ja) * 2015-12-22 2019-03-28 ソワテク 単結晶層、特に圧電層の製造方法
US11101428B2 (en) 2015-12-22 2021-08-24 Soitec Method for the production of a single-crystal film, in particular piezoeletric
JP2021048624A (ja) * 2015-12-22 2021-03-25 ソワテク 単結晶圧電層、およびそのような層を含むマイクロエレクトロニクスデバイス、光子デバイスまたは光学デバイスの作製方法
JP2019169983A (ja) * 2016-02-02 2019-10-03 信越化学工業株式会社 複合基板および複合基板の製造方法
US10187035B2 (en) 2016-03-18 2019-01-22 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device
US11502665B2 (en) 2016-08-10 2022-11-15 The Japan Steel Works, Ltd. Method of manufacturing bonded substrate
JP7292327B2 (ja) 2017-06-14 2023-06-16 株式会社日本製鋼所 弾性表面波素子、弾性表面波素子デバイスおよび接合基板の製造方法
US11777469B2 (en) 2017-06-14 2023-10-03 The Japan Steel Works, Ltd. Bonded substrate, surface acoustic wave element, surface acoustic wave element device, and bonded substrate manufacturing method
JP2019004308A (ja) * 2017-06-14 2019-01-10 株式会社日本製鋼所 接合基板、弾性表面波素子、弾性表面波素子デバイスおよび接合基板の製造方法
JP2021158666A (ja) * 2017-06-14 2021-10-07 株式会社日本製鋼所 接合基板、弾性表面波素子、弾性表面波素子デバイスおよび接合基板の製造方法
WO2018230442A1 (ja) * 2017-06-14 2018-12-20 株式会社日本製鋼所 接合基板、弾性表面波素子、弾性表面波素子デバイスおよび接合基板の製造方法
WO2019102951A1 (ja) * 2017-11-22 2019-05-31 株式会社村田製作所 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
US11495728B2 (en) 2017-11-22 2022-11-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric device and method of manufacturing piezoelectric device
WO2019102952A1 (ja) * 2017-11-22 2019-05-31 株式会社村田製作所 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JP2020123748A (ja) * 2017-11-22 2020-08-13 株式会社村田製作所 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
US11706988B2 (en) 2017-11-22 2023-07-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric device and method of manufacturing the same
JP7307029B2 (ja) 2017-11-22 2023-07-11 株式会社村田製作所 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JPWO2019102952A1 (ja) * 2017-11-22 2020-04-16 株式会社村田製作所 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JPWO2019102951A1 (ja) * 2017-11-22 2020-04-16 株式会社村田製作所 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JPWO2019130857A1 (ja) * 2017-12-28 2019-12-26 日本碍子株式会社 圧電性材料基板と支持基板との接合体およびその製造方法
US11700771B2 (en) 2017-12-28 2023-07-11 Ngk Insulators, Ltd. Assembly of piezoelectric material substrate and support substrate, and method for manufacturing said assembly
JP2021515989A (ja) * 2018-03-12 2021-06-24 ソイテック アルカリ金属に基づく強誘電体材料の薄層を作製するためのプロセス
JP7344217B2 (ja) 2018-03-12 2023-09-13 ソイテック アルカリ金属に基づく強誘電体材料の薄層を作製するためのプロセス
JP7251560B2 (ja) 2019-02-12 2023-04-04 株式会社村田製作所 圧電デバイス
JPWO2020166120A1 (ja) * 2019-02-12 2021-11-04 株式会社村田製作所 圧電デバイス
WO2020166120A1 (ja) * 2019-02-12 2020-08-20 株式会社村田製作所 圧電デバイス
JP2020043591A (ja) * 2019-11-21 2020-03-19 信越化学工業株式会社 複合ウェーハの製造方法
WO2021220737A1 (ja) * 2020-04-30 2021-11-04 信越化学工業株式会社 複合基板の製造方法および複合基板
JP2021175165A (ja) * 2020-04-30 2021-11-01 信越化学工業株式会社 複合基板の製造方法および複合基板
JP7336413B2 (ja) 2020-04-30 2023-08-31 信越化学工業株式会社 複合基板の製造方法および複合基板
WO2022176689A1 (ja) * 2021-02-19 2022-08-25 信越化学工業株式会社 複合ウェーハおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5408312B2 (ja) 2014-02-05
KR20100024952A (ko) 2010-03-08
US20100088868A1 (en) 2010-04-15
EP2226934A4 (en) 2013-03-27
KR101196990B1 (ko) 2012-11-05
CN101689841A (zh) 2010-03-31
JP5110092B2 (ja) 2012-12-26
JP2012213244A (ja) 2012-11-01
EP2226934A1 (en) 2010-09-08
US20140173862A1 (en) 2014-06-26
KR20120025633A (ko) 2012-03-15
EP2226934B1 (en) 2016-11-30
KR101148587B1 (ko) 2012-05-23
CN102569640B (zh) 2014-11-05
JPWO2009081651A1 (ja) 2011-05-06
US9385301B2 (en) 2016-07-05
CN102569640A (zh) 2012-07-11
US8973229B2 (en) 2015-03-10

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