JP5923545B2 - 圧電デバイス - Google Patents
圧電デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP5923545B2 JP5923545B2 JP2014084425A JP2014084425A JP5923545B2 JP 5923545 B2 JP5923545 B2 JP 5923545B2 JP 2014084425 A JP2014084425 A JP 2014084425A JP 2014084425 A JP2014084425 A JP 2014084425A JP 5923545 B2 JP5923545 B2 JP 5923545B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- thin film
- intermediate layer
- substrate
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 67
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 56
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 82
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005616 pyroelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/073—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies by fusion of metals or by adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/021—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the air-gap type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
- Y10T156/1153—Temperature change for delamination [e.g., heating during delaminating, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49126—Assembling bases
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
この発明は、圧電単結晶の薄膜とこれを支持する支持体を備える圧電デバイスと、その製造方法に関するものである。
現在、圧電単結晶体を薄膜化してなる圧電デバイスが多く開発されている。このような圧電薄膜を用いた圧電デバイスでは、通常、圧電薄膜は支持体と接合されて支持体により支持されている。圧電薄膜と支持体を、実用的な強度で接合する方法としては、例えば、接合界面に金属の中間層を設けて接合する方法があった（例えば、特許文献１参照。）。
しかしながら、圧電薄膜を用いた圧電デバイスでは、圧電薄膜と支持体との接合界面に金属の中間層が存在すると、この中間層が導電層となり、共振特性が劣化するという問題があった。
そこで、この発明は、圧電薄膜と支持体の間に接合のための中間層を設けても、共振特性が劣化することがない圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
この発明は、電極が形成された圧電薄膜と、該圧電薄膜を支持する支持体と、を備える圧電デバイスに関するものである。この圧電デバイスは、圧電薄膜と支持体との間に、酸化または窒化された金属を含む中間層を備え、圧電薄膜は圧電単結晶基板からなる。この発明においては、圧電薄膜の導電率は、１．０×１０ −１３ Ω −１ ・ｍ −１ 乃至１．０×１０ −１１ Ω −１ ・ｍ −１ である。
この構成においては、圧電基板と支持体の間に、金属の中間層を形成することで、圧電基板と支持体を確実に密着させることができる。また、圧電基板と支持体を接合してから中間層の金属を酸化させることで、中間層の導電性が低くなり絶縁層となるので、共振特性の良い圧電デバイスを提供できる。この構成においては、圧電薄膜の導電率を上記の値にすることで、プロセスでの焦電破壊を抑制しつつ、熱処理における酸化に寄与する圧電基板中の酸素原子を十分供給することができるので、中間層を確実に酸化させることができ、圧電デバイスの共振特性を良好にすることができる。
この発明においては、酸化または窒化された金属は、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｃｕの少なくとも１種類の元素から構成される。中間層の材料として、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｃｕの少なくとも１種類の元素を含んでいると、圧電薄膜と支持体を接合する際に密着性を高めることができる。また、これらの元素は、加熱すると十分酸化するので中間層が絶縁層となり、圧電単結晶基板における圧電性の劣化を防止できる。
この発明においては、中間層の膜厚が２ｎｍ乃至２５ｎｍである。中間層の膜厚を２ｎｍ未満にすると圧電基板と支持体は接合しない。また、中間層の膜厚が２５ｎｍを超えると、熱処理により中間層の金属を十分酸化または窒化した場合でも、中間層によって圧電単結晶基板の還元が進んで導電性が高くなるため、圧電デバイスの特性劣化が発生する。一方、中間層の膜厚を２ｎｍ乃至２５ｎｍにすると問題なく接合でき、圧電デバイスの共振特性は劣化しない。したがって、共振特性の良い圧電デバイスを提供できる。
この発明においては、圧電薄膜はタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムを材料としている。タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムは酸素を含むので、中間層を加熱した際に中間層の金属の酸化を促進するので、中間層の導電性が低下して絶縁層となり、共振特性の良い圧電デバイスを提供できる。
この発明によれば、金属を含む中間層を介して圧電薄膜と支持体を接合し、接合後に中間層の金属を酸化または窒化するので、中間層が導電層とならず、共振特性が劣化することがない圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供できる。
本発明の第１実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、図を参照して説明する。以下の説明では、圧電デバイスとして、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスを例に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図２、図３は、図１に示す製造フローで形成される圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
まず、所定の厚みの圧電単結晶基板１を用意する。この際、圧電単結晶基板１としては、裏面１２が鏡面研磨され、圧電デバイス単体が複数配列可能な基板を用いる。また、圧電単結晶基板１としては、脆性・劈開性が非常に強くまた難加工材でもあるＬｉＴａＯ３［タンタル酸リチウム］の単結晶基板（以下、ＬＴ基板と称する。）を用いた例を示す。
図２（Ａ）に示すように、圧電単結晶基板１の裏面１２側から水素イオン（Ｈ＋）を注入して、圧電単結晶基板１内にイオン注入部分１００を形成する（図１：Ｓ１０１）。
圧電単結晶基板１がＬＴ基板の場合、注入エネルギー１５０ｋｅＶ、ドーズ量（イオン注入密度）１．０×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ２で水素イオンの注入を行うと、裏面１２から深さ約１μｍの位置に水素イオンが分布するイオン注入部分１００が形成される。このイオン注入部分１００は、圧電単結晶基板に注入されたイオン元素の濃度がピークになる部分である。なお、圧電単結晶基板１には、ＬＴ基板以外に、ＬＮ（ＬｉＮｂＯ３：ニオブ酸リチウム）基板、ＬＢＯ（Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７）基板、ランガサイト（Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４）基板、ＫＮ（ＫＮｂＯ３）基板等を用いても良く、それぞれの基板に応じた条件でイオン注入を行う。また、基板の種類に応じて、注入イオンをヘリウムイオンやアルゴンイオンなどに変更すると良い。
図２（Ｂ）に示すように、圧電単結晶基板１の接合面に、金属からなる中間層３２を形成する（図１：Ｓ１０２）。中間層３２の材料としては、接合の密着力を高め、かつ後述する熱処理工程により十分酸化され、圧電単結晶基板１の圧電性を劣化しないものが良い。このような特性を有する金属としては、例えば、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｃｕがあり、中間層３２がこれらの元素の少なくとも１種類から構成されるように形成すると良い。中間層３２の膜厚は２ｎｍ〜２５ｎｍ以下にすると良い。これは、以下のような実験結果による。すなわち、次に行う接合工程で圧電単結晶基板１と支持体３０を接合する際に、中間層の膜厚を２ｎｍ未満にすると接合ができなかった。一方、中間層の膜厚を２ｎｍ乃至２５ｎｍにすると問題なく接合できた。また、後述の熱処理工程で中間層の金属を酸化または窒化して導電性を低下させるが、圧電単結晶基板が還元されて導電性が増加することがなく、ＳＡＷデバイスの共振特性は劣化しなかった。しかし、中間層の膜厚が２５ｎｍを超えると、熱処理により中間層の金属を十分酸化または窒化した場合でも、中間層によって圧電単結晶基板が還元されて導電性が増加し、ＳＡＷデバイスの共振特性の劣化が発生した。以上の実験結果より、中間層の膜厚は２ｎｍ〜２５ｎｍ以下が好適である。
中間層３２の形成は、スパッタ、ＥＢ蒸着、ＣＶＤ、またはイオンプレーティングにより行うと良い。または、後述の接合工程において清浄化接合を接合装置内で行う際に、接合装置の部品または中間層の金属材料をエッチングすることで中間層３２を形成しても良い。
次に、支持体３０を準備する。支持体３０の材料としては、ＬＴ（ＬｉＴａＯ３）、ＬＮ（ＬｉＮｂＯ３）、アルミナ、水晶、石英、窒化アルミニウム等を用いる。これらの材料は、酸素または窒素を含むことから、後述の熱処理時に、中間層の酸化または窒化を促進することができる。後述する熱処理時において、線膨張係数差による基板の反りやクラックの発生を避けるためには、圧電単結晶材料と線膨張係数が近いＬＴ、ＬＮ、アルミナを支持体３０の材料に用いることが好ましい。また、支持体３０の接合面には、支持体に用いる材料に応じて、窒化ケイ素、酸化ケイ素、アルミナ、窒化アルミニウム等の膜を形成しても良い。さらに、支持体の材料を選定することで、温度特性の良化、基板の放熱性改善を実現できる。なお、中間層３２は、圧電単結晶基板１の接合面と、支持体３０の接合面と、の一方または両方に形成すれば良い。
図２（Ｃ）に示すように、圧電単結晶基板１の裏面１２に形成した中間層３２と、支持体３０を、清浄化接合技術を用いて真空中で直接接合して、複合圧電体２を生成する（図１：Ｓ１０３）。清浄化接合とは、真空中でＡｒイオン等を照射して接合面を活性化させた状態で接合するものであり、加熱を必要としない接合方法である。このような接合方法では、親水化接合のように水素を抜くための加熱工程が不要であるため、圧電単結晶基板の圧電性劣化や、支持体と圧電単結晶基板との線膨脹差による応力発生が問題とならないので好ましい。
図３（Ａ）に示すように、複合圧電体２を２５０℃以上に加熱し、イオン注入部分１００を分離面とした分離を行う（図１：Ｓ１０４）。イオン注入部分１００は、圧電単結晶基板１の裏面１２から１μｍの深さに水素イオンが注入された層であり、基板表面に沿ってマイクロキャビティが発生し、加熱によりこのキャビティが成長する。これにより、圧電単結晶基板１から圧電薄膜１０が分離して、支持体３０、中間層３２及び圧電薄膜１０からなる複合圧電基板３と、圧電単結晶基板（ＬＴ基板）（不図示）となる。ＬＴ基板やＬＮ基板は、前記のように脆性・劈開性が非常に強くまた難加工材でもあるが、上記のような方法を用いることで、基板が破損することなく圧電薄膜を分離できる。
なお、この際、減圧雰囲気下で加熱すれば、加熱温度を低くすることができる。
続いて、複合圧電基板３に熱処理を行って、圧電薄膜１０と支持体３０に含まれる酸素で、中間層３２の金属を酸化させて、中間層３２の絶縁性を高めることで、中間層３２を絶縁層にする（図１：Ｓ１０５）。
通常、圧電薄膜にＬＴ基板を用いる場合には、焦電性を抑制するためにＬＴ基板を還元して絶縁性を低くする。しかし、ＬＴ基板の還元を過剰に行った場合、圧電薄膜１０から中間層３２へ酸素が十分供給されないため、熱処理を行っても中間層３２は導電性を有したままとなり、ＳＡＷデバイスの特性を改善できない。そこで、圧電薄膜１０の導電性の調整が必要である。
図４は、（Ａ）が本発明の第１実施形態に係る圧電デバイスの導電率と比帯域の関係を示すグラフ、（Ｂ）が本発明の第１実施形態に係る圧電デバイスの熱処理温度と比帯域の関係を示すグラフである。
図４（Ａ）に示すように、圧電薄膜の導電率を５×１０−１４Ω−１・ｍ−１以下にした場合には、ＳＡＷデバイスの製造プロセスにおいてＩＤＴ電極の焦電破壊が発生し、共振特性が劣化した。一方、圧電薄膜の導電率を１．０×１０−１３〜１．０×１０−１１Ω−１・ｍ−１にすると、プロセスでの焦電破壊を抑制しつつ、熱処理における酸化に寄与する圧電基板中の酸素原子を十分供給することができるので、ＳＡＷデバイスの特性を良好にすることができる。しかし、圧電薄膜の導電率を５．０×１０−１１Ω−１・ｍ−１以上にすると、ＬＴ基板の導電性が高すぎるため、ＳＡＷ共振特性が劣化した。但し、圧電薄膜の導電率が５×１０−１１Ω−１・ｍ−１以上でも、支持体３０の表面におけるＬＴの導電率が１．０×１０−１１Ω−１・ｍ−１以下であれば、支持体３０に含まれる酸素により中間層３２は十分酸化し、中間層の導電性による特性劣化は抑制された。したがって、圧電薄膜は、導電率が１．０×１０−１３Ω−１・ｍ−１〜１．０×１０−１１Ω−１・ｍ−１であるものを使用するのが望ましい。
また、図４（Ｂ）に示すように、熱処理の温度を４５０℃未満にした場合には、イオン注入によるＨガスまたはＨｅガスが脱離しなかったり、イオン注入による圧電薄膜の結晶性ダメージの回復が完全に完了しなかったりするため、共振特性が改善しなかった。しかし、熱処理の温度を４５０℃以上にすると、中間層の金属が十分酸化または窒化されるため、共振特性が改善されて圧電基板単層のＳＡＷと同等になった。また、中間層３２にＷ、Ｃｕを含む場合には６５０℃以上で、中間層３２にＦｅ、Ａｌ、Ｎｉを含む場合には７００℃以上で、圧電薄膜１０への拡散が発生して、圧電薄膜１０の導電率が大きくなり共振特性が劣化した。そのため、熱処理は中間層３２に含まれる各材料が圧電薄膜１０内に拡散しない温度以下で行うことが好ましい。
また、熱処理を６２５℃以上で行うと、ＬＴ基板ではキュリー温度（６１０℃）を超えるため、分極が解消して圧電性の劣化が発生した。但し、熱処理温度が７００℃以下であれば、分極方向を揃える処理として熱処理を行いながら電圧を印加することで、圧電性を回復できた。しかし、熱処理温度が７００℃以上であれば、酸素を含む熱処理雰囲気の場合には、加熱による基板の酸化反応の制御が著しく困難になる。また、真空中や窒素を含む熱処理雰囲気の場合には、加熱による還元反応の制御が著しく困難になるため、ＳＡＷデバイスを安定して製造できない。したがって、熱処理温度は４５０℃〜７００℃とすることが好ましい。また、圧電薄膜の材料のキュリー温度以下で加熱すると、上記の分極方向を揃える処理等が不要なため、製造工程の増加を防止できる。したがって、圧電薄膜がＬＴ基板の場合には、熱処理温度を４５０℃〜６００℃とすることがより好ましい。熱処理は、圧電膜の酸化が進みすぎないようにするため窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気中、または真空で行うのが好ましい。また、加熱時間は３時間以上とすることが好ましい。
なお、ステップＳ１０４において熱処理を行うことで、複合圧電基板３の圧電性回復のための基板加熱処理も同時に行うことができる。すなわち、イオン注入により結晶はひずみを受けるが、上記のように熱処理を行うことで、結晶のひずみが緩和され、また、イオン注入時にＬｉのサイトに置換された注入水素イオンが抜け、そのサイトにＬｉが復帰することで圧電性が回復する。
次に、このように分離形成した圧電薄膜１０の表面１３をＣＭＰ（Chemical Mechanical Planarization：化学機械研磨）処理等により研磨して表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるように平坦化する（図１：Ｓ１０６）。これにより、圧電デバイスの共振特性を良化させることができる。
次に、図３（Ｂ）に示すように、圧電薄膜１０の表面１３上に、ＩＤＴ電極５０やパッド電極５１等の電極パターンを形成する（図１：Ｓ１０７）。電極材料は、要求されるデバイスの特性に合わせ選択すると良い。
次に、図３（Ｃ）に示すように、パッド電極５１上にバンプ９０を形成する（図１：Ｓ１０８）。そして、図３（Ｄ）に示すように、複合圧電基板３を切断して個別の圧電デバイス４を切り出す（図１：Ｓ１０９）。このような製造工程により、共振特性が良好なＳＡＷデバイスを製造できる。
なお、上記の圧電デバイスの製造工程において、熱処理工程は接合工程の後であれば、どの工程の後でも実施可能である。但し、ＩＤＴ電極の圧電膜やＩＤＴ保護膜への拡散などを避けるため、接合工程完了後から、ＩＤＴ電極の形成工程の前までに行うことが好ましい。また、熱処理工程は、分離工程と兼ねることがより好ましい。
次に、本発明の第２実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、フローチャート図に示す工程に沿って、圧電デバイスの製造過程の模式図を参照して説明する。以下の説明では、圧電デバイスとして、ＢＡＷ（bulk acoustic wave）デバイスの一種であるＦ−ＢＡＲ（film bulk acoustic resonator）型の圧電デバイスを例に説明する。
図５は、本発明の第２の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図６，図７，図８は、図５に示す製造フローで形成される圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
第２実施形態に係る圧電デバイスの製造方法では、イオン注入部分の形成工程と中間層の形成工程（ステップＳ２０１〜Ｓ２０２）は、第１実施形態に係る圧電デバイスの製造方法のステップＳ１０１〜Ｓ１０２と同様であり、説明を省略する。
なお、中間層３２は、圧電単結晶基板１の接合面と、後述のメンブレン支持層３３の接合面と、の一方または両方に形成すれば良い。
次に、支持体３５を準備する。支持体３５は、支持体３０と同様の材質で良い。
図６（Ａ）に示すように、支持体３５の上部に犠牲層４０を形成する（図５：Ｓ２０３）。犠牲層４０には、後述の工程で行う犠牲層除去時に下部電極と選択性を得られるようなエッチングガスもしくはエッチング液を選択できる材料を選ぶと良い。例えば、ＺｎＯ・Ｃｕ・Ｗ・Ｍｏ・Ｎｉのうち少なくとも１つを含むものを犠牲層材料として用いると良い。犠牲層４０は、材料の種類に応じて、ＥＢ蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等により形成し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすると良い。
図６（Ｂ）に示すように、犠牲層４０の上部に所定の厚みの下部電極２０を形成する（図５：Ｓ２０４）。電極材料は、要求されるデバイスの特性に合わせて、Ｗ・Ｍｏ・Ｎｉ・Ｃｕ・Ｐｔ・Ｒｕのうち少なくとも１つを含む材料を用いると良い。また、電極材料の種類に応じて、ＥＢ蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等を用いて形成し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすると良い。
図６（Ｃ）に示すように、支持体３５及び下部電極２０の上部にメンブレン支持層３３を形成する（図５：Ｓ２０５）。メンブレン支持層３３は、ＳｉＯ２、またはＳｉＮなどを材料として、スパッタリングやＣＶＤを用いて形成すると良い。
図６（Ｄ）に示すように、メンブレン支持層３３の表面を下部電極段差が無くなるまで、ＣＭＰ処理等により研磨して平坦化する（図５：Ｓ２０６）。
図７（Ａ）に示すように、圧電単結晶基板１に形成された中間層３２と、支持体３５に形成されたメンブレン支持層３３とを、清浄化接合技術を用いて真空中で直接接合して、複合圧電体５を生成する（図５：Ｓ２０７）。
第２実施形態に係る圧電デバイスの製造方法では、図７（Ｂ）に示す圧電薄膜の分離工程と、熱処理工程と、圧電薄膜の平坦化工程（ステップＳ２０８〜Ｓ２１０）は、第１実施形態に係る圧電デバイスの製造方法のステップＳ１０４〜Ｓ１０６と同様である。そのため、説明を省略する。
図７（Ｃ）に示すように、複合圧電基板６において、圧電薄膜１０の表面１３上に、上部電極６０やパッド電極６１等の上面電極パターンを形成する（図５：Ｓ２１１）。電極材料は下部電極２０と同様に、要求されるデバイスの特性に合わせ選択すると良い。
続いて、上部電極６０が形成された圧電薄膜１０の表面１３にレジスト膜（不図示）を形成する（図５：Ｓ２１２）。そして、フォトリソグラフィ技術を用いて、図７（Ｄ）に示すように、レジスト膜に、犠牲層を除去するためのエッチング窓７１を形成する（図５：Ｓ２１３）。
次に、エッチング窓７１からエッチングガスまたはエッチング液を導入することで、犠牲層４０を除去する（図５：Ｓ２１４）。これにより、単体の圧電デバイスの下部電極２０及び上部電極６０が形成される領域に対応する犠牲層４０が形成された空間は、空隙層８０となる。ウエットエッチング液またはエッチングガスは、メンブレン支持層３３や上部電極６０や下部電極２０に対して影響を与えないものを選択すると良い。
犠牲層４０の除去を行った後、レジスト膜の除去を行う（図５：Ｓ２１５）。
次に、図８（Ｃ）に示すように、パッド電極６１上にバンプ９１を形成する（図５：Ｓ２１６）。そして、図８（Ｄ）に示すように、複合圧電基板６を切断して個別の圧電デバイス７を切り出す（図５：Ｓ２１７）。このような製造工程により、共振特性が良好なＦ−ＢＡＲ型の圧電デバイスを製造できる。
なお、本発明の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法は、Ｆ−ＢＡＲや表面波デバイスの他にも、各種圧電デバイスに適用することが可能である。例えば、圧電振動モーター、ジャイロ等にも適用できる。
１…圧電単結晶基板 ２，５…複合圧電体 ３，６…複合圧電基板 ４，７…圧電デバイス １０…圧電薄膜 ２０…下部電極 ３０，３５…支持体 ３２…中間層 ３３…メンブレン支持層 ４０…犠牲層 ５０…ＩＤＴ電極 ６０…上部電極 ８０…空隙層 １００…イオン注入部分
Claims (5)
- 電極が形成された圧電薄膜と、該圧電薄膜を支持する支持体と、を備える圧電デバイスであって、
前記圧電薄膜と前記支持体との間に、酸化または窒化された金属を含む中間層を備え、
前記圧電薄膜は、導電率が１．０×１０ −１３ Ω −１ ・ｍ −１ 乃至１．０×１０ −１１ Ω −１ ・ｍ −１ の圧電単結晶基板である、圧電デバイス。 - 前記圧電薄膜は、内部に前記中間層の材料が拡散していない、請求項１に記載の圧電デバイス。
- 前記酸化または窒化された金属は、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｃｕの少なくとも１種類の元素から構成される請求項１または請求項２に記載の圧電デバイス。
- 前記中間層は、膜厚が２ｎｍ乃至２５ｎｍである請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の圧電デバイス。
- 前記圧電薄膜は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムを材料とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の圧電デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014084425A JP5923545B2 (ja) | 2009-11-26 | 2014-04-16 | 圧電デバイス |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009268917 | 2009-11-26 | ||
| JP2009268917 | 2009-11-26 | ||
| JP2014084425A JP5923545B2 (ja) | 2009-11-26 | 2014-04-16 | 圧電デバイス |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011543239A Division JP5569537B2 (ja) | 2009-11-26 | 2010-11-22 | 圧電デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014197845A JP2014197845A (ja) | 2014-10-16 |
| JP5923545B2 true JP5923545B2 (ja) | 2016-05-24 |
Family
ID=44066422
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011543239A Active JP5569537B2 (ja) | 2009-11-26 | 2010-11-22 | 圧電デバイスの製造方法 |
| JP2014084425A Active JP5923545B2 (ja) | 2009-11-26 | 2014-04-16 | 圧電デバイス |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011543239A Active JP5569537B2 (ja) | 2009-11-26 | 2010-11-22 | 圧電デバイスの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8601657B2 (ja) |
| EP (1) | EP2506431A4 (ja) |
| JP (2) | JP5569537B2 (ja) |
| KR (1) | KR101374303B1 (ja) |
| CN (1) | CN102668376B (ja) |
| WO (1) | WO2011065317A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6357605A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-12 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | 陽イオン性水性樹脂分散液 |
| JP4582235B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2010-11-17 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイスの製造方法 |
| JP5182379B2 (ja) * | 2009-01-29 | 2013-04-17 | 株式会社村田製作所 | 複合基板の製造方法 |
| CN103718457B (zh) | 2011-07-29 | 2017-05-24 | 株式会社村田制作所 | 压电器件及压电器件的制造方法 |
| WO2013018603A1 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波デバイスの製造方法 |
| JP5783256B2 (ja) * | 2011-08-26 | 2015-09-24 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス、および、圧電デバイスの製造方法 |
| JP5992912B2 (ja) * | 2011-09-02 | 2016-09-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| JP6001261B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2016-10-05 | 株式会社コイケ | 圧電基板の製造方法 |
| WO2014027538A1 (ja) * | 2012-08-17 | 2014-02-20 | 日本碍子株式会社 | 複合基板，弾性表面波デバイス及び複合基板の製造方法 |
| CN104871431B (zh) * | 2012-12-26 | 2018-04-10 | 日本碍子株式会社 | 复合基板及其制造方法，以及弹性波装置 |
| CN104078407B (zh) * | 2013-03-29 | 2018-12-04 | 济南晶正电子科技有限公司 | 薄膜和制造薄膜的方法 |
| JP6174061B2 (ja) * | 2014-05-09 | 2017-08-02 | 信越化学工業株式会社 | 圧電性酸化物単結晶基板の製造方法 |
| CN105321806A (zh) * | 2015-08-21 | 2016-02-10 | 济南晶正电子科技有限公司 | 复合单晶薄膜和制造复合单晶薄膜的方法 |
| US9627249B2 (en) | 2015-09-17 | 2017-04-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor structure and method for manufacturing the same |
| CN109075758B (zh) * | 2016-03-25 | 2019-12-06 | 日本碍子株式会社 | 接合体和弹性波元件 |
| FR3051979B1 (fr) | 2016-05-25 | 2018-05-18 | Soitec | Procede de guerison de defauts dans une couche obtenue par implantation puis detachement d'un substrat |
| CN106209003B (zh) * | 2016-07-06 | 2019-03-22 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法 |
| TWI611604B (zh) * | 2017-01-03 | 2018-01-11 | 穩懋半導體股份有限公司 | 體聲波濾波器及調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法 |
| JP6892061B2 (ja) * | 2017-01-27 | 2021-06-18 | 新日本無線株式会社 | バルク弾性波共振器の製造方法 |
| FR3078822B1 (fr) * | 2018-03-12 | 2020-02-28 | Soitec | Procede de preparation d’une couche mince de materiau ferroelectrique a base d’alcalin |
| CN109327200A (zh) * | 2018-11-27 | 2019-02-12 | 中电科技德清华莹电子有限公司 | 一种声表面波谐振结构滤波器 |
| CN109327201A (zh) * | 2018-11-27 | 2019-02-12 | 中电科技德清华莹电子有限公司 | 一种谐振结构声表面波滤波器 |
| JPWO2020189115A1 (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-24 | ||
| CN110224685B (zh) * | 2019-05-13 | 2021-09-24 | 电子科技大学 | 一种单晶薄膜体声波滤波器及其微细加工方法 |
| US11864465B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-01-02 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Integration of semiconductor membranes with piezoelectric substrates |
| CN112542379B (zh) * | 2020-12-09 | 2022-11-08 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种薄膜图形化工艺方法、复合薄膜及电子元器件 |
| WO2022176689A1 (ja) * | 2021-02-19 | 2022-08-25 | 信越化学工業株式会社 | 複合ウェーハおよびその製造方法 |
| CN113690365B (zh) * | 2021-07-23 | 2024-02-13 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 | 压电器件及其制作方法 |
| CN116721966B (zh) * | 2023-08-11 | 2023-10-31 | 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 | 一种改善压电薄膜厚度均匀性的方法及压电衬底与应用 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3170819B2 (ja) * | 1991-09-24 | 2001-05-28 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子 |
| JPH05243895A (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | Seiko Instr Inc | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
| EP0698490B1 (en) * | 1994-08-25 | 1999-06-16 | Seiko Epson Corporation | Liquid jet head |
| JP2003133246A (ja) * | 1996-01-19 | 2003-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
| JPH10322158A (ja) | 1997-05-20 | 1998-12-04 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 圧電体基板とその製法及びそれを用いた弾性表面波機能素子 |
| FR2788176B1 (fr) * | 1998-12-30 | 2001-05-25 | Thomson Csf | Dispositif a ondes acoustiques guidees dans une fine couche de materiau piezo-electrique collee par une colle moleculaire sur un substrat porteur et procede de fabrication |
| JP2002057549A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子用基板及び表面弾性波素子 |
| JP3925132B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2007-06-06 | セイコーエプソン株式会社 | 表面弾性波素子、周波数フィルタ、周波数発振器、電子回路、及び電子機器 |
| JP2003017967A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| US20040224482A1 (en) * | 2001-12-20 | 2004-11-11 | Kub Francis J. | Method for transferring thin film layer material to a flexible substrate using a hydrogen ion splitting technique |
| US6767749B2 (en) * | 2002-04-22 | 2004-07-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for making piezoelectric resonator and surface acoustic wave device using hydrogen implant layer splitting |
| JP2004152870A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電基板の製造方法、圧電基板及び表面波装置 |
| US7323050B2 (en) | 2003-03-06 | 2008-01-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of producing lithium tantalate crystal |
| JP2004297359A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | 表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器 |
| JP4069008B2 (ja) * | 2003-05-12 | 2008-03-26 | 信越化学工業株式会社 | 弾性表面波デバイス |
| JP3774782B2 (ja) * | 2003-05-14 | 2006-05-17 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JP4734823B2 (ja) * | 2003-06-11 | 2011-07-27 | 富士通株式会社 | 膜多層構造体及びこれを用いるアクチュエータ素子、容量素子、フィルタ素子 |
| JP2005167969A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-23 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波素子および弾性波素子の製造方法 |
| JP4031764B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2008-01-09 | Ｔｄｋ株式会社 | 弾性表面波素子、弾性表面波装置、デュプレクサ及び弾性表面波素子の製造方法 |
| JP4072689B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2008-04-09 | セイコーエプソン株式会社 | ニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法、表面弾性波素子、周波数フィルタ、周波数発振器、電子回路、ならびに電子機器 |
| JP4741309B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2011-08-03 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
| JP4697517B2 (ja) * | 2004-12-16 | 2011-06-08 | 株式会社村田製作所 | 圧電薄膜共振子およびその製造方法 |
| JP2006245990A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| DE102005015112B4 (de) * | 2005-04-01 | 2007-05-24 | Siemens Ag | Monolithisches piezoelektrisches Bauteil mit mechanischer Entkopplungsschicht, Verfahren zum Herstellen des Bauteils und Verwendung des Bauteils |
| JP4162094B2 (ja) | 2006-05-30 | 2008-10-08 | 三菱重工業株式会社 | 常温接合によるデバイス、デバイス製造方法ならびに常温接合装置 |
| KR101196990B1 (ko) * | 2007-12-25 | 2012-11-05 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 복합 압전 기판의 제조방법 |
| JP4821834B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2011-11-24 | 株式会社村田製作所 | 圧電性複合基板の製造方法 |
-
2010
- 2010-11-22 KR KR1020127013132A patent/KR101374303B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-22 WO PCT/JP2010/070765 patent/WO2011065317A1/ja active Application Filing
- 2010-11-22 JP JP2011543239A patent/JP5569537B2/ja active Active
- 2010-11-22 EP EP10833163.8A patent/EP2506431A4/en not_active Withdrawn
- 2010-11-22 CN CN201080052988.6A patent/CN102668376B/zh active Active
-
2012
- 2012-05-17 US US13/473,937 patent/US8601657B2/en active Active
-
2013
- 2013-11-05 US US14/071,683 patent/US9240540B2/en active Active
-
2014
- 2014-04-16 JP JP2014084425A patent/JP5923545B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2506431A4 (en) | 2014-02-26 |
| JPWO2011065317A1 (ja) | 2013-04-11 |
| US20120229003A1 (en) | 2012-09-13 |
| JP5569537B2 (ja) | 2014-08-13 |
| US8601657B2 (en) | 2013-12-10 |
| EP2506431A1 (en) | 2012-10-03 |
| CN102668376B (zh) | 2017-08-25 |
| KR20120073352A (ko) | 2012-07-04 |
| CN102668376A (zh) | 2012-09-12 |
| WO2011065317A1 (ja) | 2011-06-03 |
| KR101374303B1 (ko) | 2014-03-14 |
| US9240540B2 (en) | 2016-01-19 |
| US20140055008A1 (en) | 2014-02-27 |
| JP2014197845A (ja) | 2014-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5923545B2 (ja) | 圧電デバイス | |
| KR101251031B1 (ko) | 복합 압전기판의 제조방법 및 압전 디바이스 | |
| US10424716B2 (en) | Method for producing piezoelectric device | |
| JP5110092B2 (ja) | 複合圧電基板の製造方法 | |
| JP6036926B2 (ja) | 圧電デバイス | |
| JP5522263B2 (ja) | 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法 | |
| JP5796316B2 (ja) | 圧電デバイスの製造方法 | |
| WO2010143475A1 (ja) | 圧電デバイスの製造方法 | |
| JP5182379B2 (ja) | 複合基板の製造方法 | |
| JP5277999B2 (ja) | 複合基板の製造方法 | |
| JP5682201B2 (ja) | 圧電デバイスの製造方法 | |
| JP5370100B2 (ja) | 圧電デバイスの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150126 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150203 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150331 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150512 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160418 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5923545 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |