TWI611604B - 體聲波濾波器及調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法 - Google Patents

體聲波濾波器及調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI611604B
TWI611604B TW106100073A TW106100073A TWI611604B TW I611604 B TWI611604 B TW I611604B TW 106100073 A TW106100073 A TW 106100073A TW 106100073 A TW106100073 A TW 106100073A TW I611604 B TWI611604 B TW I611604B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
bulk acoustic
layer
acoustic wave
sacrificial
mesa
Prior art date
Application number
TW106100073A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201826579A (zh
Inventor
張家達
魏君如
翁國隆
Original Assignee
穩懋半導體股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 穩懋半導體股份有限公司 filed Critical 穩懋半導體股份有限公司
Priority to TW106100073A priority Critical patent/TWI611604B/zh
Priority to US15/477,758 priority patent/US10594286B2/en
Priority to JP2017092404A priority patent/JP6533250B2/ja
Priority to US15/684,347 priority patent/US10608608B2/en
Priority to JP2017214458A priority patent/JP6545772B2/ja
Priority to CN201810002610.3A priority patent/CN108270414B/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI611604B publication Critical patent/TWI611604B/zh
Publication of TW201826579A publication Critical patent/TW201826579A/zh
Priority to US16/779,982 priority patent/US11070185B2/en
Priority to US16/780,007 priority patent/US11502661B2/en
Priority to US17/331,330 priority patent/US11637538B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/58—Multiple crystal filters
    • H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
    • H03H9/586—Means for mounting to a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/587—Air-gaps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/021—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the air-gap type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • H03H2003/0414—Resonance frequency
    • H03H2003/0421—Modification of the thickness of an element
    • H03H2003/0442—Modification of the thickness of an element of a non-piezoelectric layer
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H2009/02165—Tuning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

一種形成體聲波共振器之空腔之方法，包括以下步驟：形成一犧 牲磊晶結構台面於一化合物半導體基板之上；形成一絕緣層於犧牲磊晶結構台面以及化合物半導體基板之上；以一化學機械平坦化製程研磨絕緣層以形成一拋光表面；形成一體聲波共振結構於拋光表面之上，其中體聲波共振結構係相對應於犧性磊晶結構台面，其中包括以下步驟：形成一底電極層於拋光表面之上；形成一壓電層於底電極層之上；以及形成一頂電極層於壓電層之上；以及蝕刻犧牲磊晶結構台面以形成一空腔，其中空腔係相對應於體聲波共振結構。

Description

體聲波濾波器及調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法
本發明係有關一種體聲波濾波器及調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法，尤指一種具有能精準調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法。
請參閱第7A~7D圖，其係為習知技術之形成體聲波濾波器之方法之製程步驟之剖面示意圖。在第7A圖中，於一矽(Silicon)基板75之一上表面蝕刻出一凹槽74以及一凹槽74’。於矽基板75之上形成一犧牲層77，再以一化學機械平坦化製程(Chemical Mechnical Planarization，CMP)研磨犧牲層77，使得位於矽基板75之上表面之上之犧牲層77皆被研磨去除，形成如第7B圖之結構。其中凹槽74以及凹槽74’係被犧牲層77所填滿。在第7C圖中，於矽基板75之上表面之上形成一第一體聲波共振結構70以及一第二體聲波共振結構70’，其中第一體聲波共振結構70以及第二體聲波共振結構70’分別具有相同厚度之一底電極71以及一壓電層72，且其中第一體聲波共振結構70以及第二體聲波共振結構70’分別具有厚度不相同之一頂電極73以及一頂電極73’。其中頂電極73以及頂電極73’具有一厚度差76。在第7D圖中，蝕刻填滿於凹槽74以及凹槽74’之犧牲層77，使得凹槽74以及 凹槽74’分別成為第一體聲波共振結構70以及第二體聲波共振結構70’之兩空腔。由於頂電極73’比較厚，因此使得第二體聲波共振結構70’之共振頻率比第一體聲波共振結構70之共振頻率低，第一體聲波共振結構70以及第二體聲波共振結構70’之間具有一共振頻率差，該共振頻率差係與厚度差76相關連。
然而，以頂電極73以及頂電極73’之厚度差76來調諧第一體聲波共振結構70以及第二體聲波共振結構70’之共振頻率差，係以第一體聲波共振結構70以及第二體聲波共振結構70’本身之結構差異來達成調諧共振頻率差。如此除了會造成製作第一體聲波共振結構70以及第二體聲波共振結構70’之複雜度，也有可能會影響到第一體聲波共振結構70以及第二體聲波共振結構70’之特性表現。
有鑑於此，發明人開發出簡便的設計，能夠避免上述的缺點，又具有成本低廉的優點，以兼顧使用彈性與經濟性等考量，因此遂有本發明之產生。
為解決前述問題，以達到所預期之功效，本發明提供一種形成體聲波共振器之空腔之方法，包括以下步驟：步驟A1：形成一犧牲磊晶結構台面於一化合物半導體基板之上；步驟A2：形成一絕緣層於犧牲磊晶結構台面以及化合物半導體基板之上；步驟A3：以一化學機械平坦化製程研磨絕緣層以形成一拋光表面；步驟A4：形成一體聲波共振結構於拋光表面之上，其中體聲波共振結構係相對應於犧牲磊晶結構台面，其中步驟A4 包括以下步驟：步驟A41：形成一底電極層於拋光表面之上；步驟A42：形成一壓電層於底電極層之上；以及步驟A43：形成一頂電極層於壓電層之上；以及步驟A5：蝕刻犧牲磊晶結構台面以形成一空腔，其中空腔係相對應於體聲波共振結構。
於實施例時，其中於步驟A3當中，絕緣層係被研磨至使得犧牲磊晶結構台面未露出，其中介於底電極層以及犧牲磊晶結構台面之間之絕緣層形成一頻率調諧結構，其中頻率調諧結構具有一厚度，體聲波共振結構具有一共振頻率，從而藉由調整頻率調諧結構之厚度，係可調諧體聲波共振結構之共振頻率。
於實施例時，更包括一形成一底蝕刻終止層於化合物半導體基板之上之步驟，其中犧牲磊晶結構台面係形成於底蝕刻終止層之上；其中犧牲磊晶結構台面包括一犧牲磊晶層。
於實施例時，其中(1)化合物半導體基板係由砷化鎵所構成；犧牲磊晶層係由砷化鎵所構成；底蝕刻終止層係由磷化銦鎵所構成；或(2)化合物半導體基板係由磷化銦所構成；犧牲磊晶層係由砷化銦鎵所構成；底蝕刻終止層係由磷化銦所構成。
於實施例時，其中犧牲磊晶層具有一厚度，犧牲磊晶層之厚度係介於50nm以及5000nm之間；其中底蝕刻終止層具有一厚度，底蝕刻終止層之厚度係介於20nm以及500nm之間。
此外，本發明更提供一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法，包括以下步驟：步驟B1：形成複數個犧牲結構台面於一基板之上，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面以及至少一 第二犧牲結構台面，其中至少一第一犧牲結構台面之一高度係大於至少一第二犧牲結構台面之一高度，其中至少一第一犧牲結構台面以及至少一第二犧牲結構台面係具有一第一高度差；步驟B2：形成一絕緣層於複數個犧牲結構台面以及基板之上；步驟B3：以一化學機械平坦化製程研磨絕緣層以形成一拋光表面；步驟B4：形成複數個體聲波共振結構於拋光表面之上，其中複數個體聲波共振結構包括至少一第一體聲波共振結構以及至少一第二體聲波共振結構，至少一第一體聲波共振結構以及至少一第二體聲波共振結構係分別相對應於至少一第一犧牲結構台面以及至少一第二犧牲結構台面，其中步驟B4包括以下步驟：步驟B41：形成一底電極層於拋光表面之上；步驟B42：形成一壓電層於底電極層之上；以及步驟B43：形成一頂電極層於壓電層之上；以及步驟B5：蝕刻複數個犧牲結構台面以形成複數個空腔，其中複數個空腔係分別相對應於複數個體聲波共振結構；其中於步驟B3當中，絕緣層係被研磨至使得(1)至少一第一犧牲結構台面露出且至少一第二犧牲結構台面未露出，藉此位於拋光表面之下且相對應於至少一第二體聲波共振結構之絕緣層形成至少一第二體聲波共振結構之一第二頻率調諧結構，其中第二頻率調諧結構具有一厚度，第二頻率調諧結構之厚度係相對應於第一高度差；或(2)至少一第一犧牲結構台面以及至少一第二犧牲結構台面未露出，藉此位於拋光表面之下且相對應於至少一第一體聲波共振結構以及至少一第二體聲波共振結構之絕緣層分別形成至少一第一體聲波共振結構之一第一頻率調諧結構以及至少一第二體聲波共振結構之一第二頻率調諧結構，其中第一頻率調諧結構以及第二頻率調諧結構具有一第一厚度差，第一厚度差係相對應於第一高度差；其中至少一第一體 聲波共振結構以及至少一第二體聲波共振結構具有一第一共振頻率差，第一共振頻率差係相對應於第一高度差，從而藉由調整第一高度差，係可調諧至少一第一體聲波共振結構以及至少一第二體聲波共振結構之第一共振頻率差。
於實施例時，其中基板係為一半導體基板；其中構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。
於實施例時，其中基板係為一化合物半導體基板，其中步驟B1包括以下步驟：步驟B11：形成一犧牲結構於基板之上，其中犧牲結構包括一犧牲磊晶層；步驟B12：蝕刻犧牲結構以形成複數個犧牲結構台面，使得複數個犧牲結構台面具有相同之高度；以及步驟B13：蝕刻至少一第一犧牲結構台面以及至少一第二犧牲結構台面或蝕刻至少一第二犧牲結構台面，使得至少一第一犧牲結構台面以及至少一第二犧牲結構台面具有第一高度差。
於實施例時，其中犧牲結構更包括一第一蝕刻終止層以及一第一精細調諧層，其中犧牲磊晶層係形成於基板之上，第一蝕刻終止層係形成於犧牲磊晶層之上，第一精細調諧層係形成於第一蝕刻終止層之上，其中第一精細調諧層具有一厚度；其中於步驟B13當中，至少一第二犧牲結構台面之第一精細調諧層被蝕刻，使得至少一第一犧牲結構台面以及至少一第二犧牲結構台面係具有第一高度差，從而第一高度差係由第一精細調諧層之厚度所決定。
於實施例時，其中(1)基板係由砷化鎵所構成；犧牲磊晶 層係由砷化鎵所構成；第一蝕刻終止層係由砷化鋁或磷化銦鎵所構成；第一精細調諧層係由砷化鎵所構成；或(2)基板係由磷化銦所構成；犧牲磊晶層係由砷化銦鎵所構成；第一蝕刻終止層係由磷化銦所構成；第一精細調諧層係由砷化銦鎵所構成。
於實施例時，其中第一精細調諧層之厚度係介於1nm以及300nm之間；其中第一蝕刻終止層具有一厚度，第一蝕刻終止層之厚度係介於1nm以及50nm之間。
於實施例時，更包括一形成一底蝕刻終止層於基板之上之步驟，其中犧牲結構係形成於底蝕刻終止層之上；其中犧牲磊晶層具有一厚度，犧牲磊晶層之厚度係介於50nm以及5000nm之間；其中底蝕刻終止層具有一厚度，底蝕刻終止層之厚度係介於20nm以及500nm之間；其中(1)基板係由砷化鎵所構成；犧牲磊晶層係由砷化鎵所構成；底蝕刻終止層係由磷化銦鎵所構成；或(2)基板係由磷化銦所構成；犧牲磊晶層係由砷化銦鎵所構成；底蝕刻終止層係由磷化銦所構成。
此外，本發明更提供一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法，包括以下步驟：步驟C1：形成複數個犧牲結構台面於一基板之上，其中複數個犧牲結構台面具有相同之高度，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面以及至少一第二犧牲結構台面；步驟C2：形成一絕緣層於複數個犧牲結構台面以及基板之上；步驟C3：以一預先化學機械平坦化製程研磨絕緣層以形成一預先拋光表面，使得複數個犧牲結構台面露出；步驟C4：蝕刻至少一第一犧牲結構台面以及至少一第二犧牲結構台面或蝕刻至少一第二犧牲結構台面，使得至少一第一犧牲結構台面 以及至少一第二犧牲結構台面具有一第一高度差，其中至少一第一犧牲結構台面之一高度係大於至少一第二犧牲結構台面之一高度；步驟C5：形成複數個體聲波共振結構，其中複數個體聲波共振結構包括至少一第一體聲波共振結構以及至少一第二體聲波共振結構，至少一第一體聲波共振結構以及至少一第二體聲波共振結構係分別相對應於至少一第一犧牲結構台面以及至少一第二犧牲結構台面，其中(a)步驟C5包括以下步驟：步驟C51：形成一第二次研磨層於複數個犧牲結構台面以及絕緣層之上，其中構成第二次研磨層之材料係為絕緣體；步驟C52：以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層以形成一拋光表面，使得(1)至少一第一犧牲結構台面露出且至少一第二犧牲結構台面未露出，藉此位於拋光表面之下且相對應於至少一第二體聲波共振結構之第二次研磨層形成至少一第二體聲波共振結構之一第二頻率調諧結構，其中第二頻率調諧結構具有一厚度，第二頻率調諧結構之厚度係相對應於第一高度差；或(2)至少一第一犧牲結構台面以及至少一第二犧牲結構台面未露出，藉此位於拋光表面之下且分別相對應於至少一第一體聲波共振結構以及至少一第二體聲波共振結構之第二次研磨層分別形成至少一第一體聲波共振結構之一第一頻率調諧結構以及至少一第二體聲波共振結構之一第二頻率調諧結構，其中第一頻率調諧結構以及第二頻率調諧結構具有一第一厚度差，第一厚度差係相對應於第一高度差；步驟C53：形成一底電極層於拋光表面之上；步驟C54：形成一壓電層於底電極層之上；以及步驟C55：形成一頂電極層於壓電層之上；或(b)一延伸平面係與預先拋光表面相重合，其中步驟C5包括以下步驟：步驟C51’：形成一第二次研磨層於複數個犧牲結構台面以及絕緣層之上，其中 構成第二次研磨層之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬以及合金；步驟C52’：以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層以形成一拋光表面，使得複數個犧牲結構台面未露出；步驟C53’：圖形化第二次研磨層，其中(1)於步驟C4當中，至少一第二犧牲結構台面被蝕刻；其中位於延伸平面之上、拋光表面之下、且相對應於至少一第一體聲波共振結構之第二次研磨層形成至少一第一體聲波共振結構之一底電極層；其中位於延伸平面之上、拋光表面之下、且相對應於至少一第二體聲波共振結構之第二次研磨層形成至少一第二體聲波共振結構之一底電極層；其中位於延伸平面之下且相對應於至少一第二體聲波共振結構之第二次研磨層形成至少一第二體聲波共振結構之一第二頻率調諧結構，其中第二頻率調諧結構具有一厚度，第二頻率調諧結構之厚度係相對應於第一高度差；或(2)於步驟C4當中，至少一第一犧牲結構台面以及至少一第二犧牲結構台面被蝕刻；其中位於延伸平面之上、拋光表面之下、且相對應於至少一第一體聲波共振結構之第二次研磨層形成至少一第一體聲波共振結構之一底電極層；其中位於延伸平面之下且相對應於至少一第一體聲波共振結構之第二次研磨層形成至少一第一體聲波共振結構之一第一頻率調諧結構；其中位於延伸平面之上、拋光表面之下、且相對應於至少一第二體聲波共振結構之第二次研磨層形成至少一第二體聲波共振結構之一底電極層；其中位於延伸平面之下且相對應於至少一第二體聲波共振結構之第二次研磨層形成至少一第二體聲波共振結構之一第二頻率調諧結構；其中第一頻率調諧結構以及第二頻率調諧結構具有一第一厚度差，第一厚度差係相對應於第一高度差；步驟C54’：形成一壓電層於拋光表面之上；以及步驟C55’：形成一頂電 極層於壓電層之上；或(c)步驟C5包括以下步驟：步驟C51”：形成一第二次研磨層於複數個犧牲結構台面以及絕緣層之上，其中構成第二次研磨層之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體；步驟C52”：以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層以形成一拋光表面，使得(1)至少一第一犧牲結構台面露出且至少一第二犧牲結構台面未露出，藉此位於拋光表面之下且相對應於至少一第二體聲波共振結構之第二次研磨層形成至少一第二體聲波共振結構之一第二頻率調諧結構，其中第二頻率調諧結構具有一厚度，第二頻率調諧結構之厚度係相對應於第一高度差；或(2)至少一第一犧牲結構台面以及至少一第二犧牲結構台面未露出，藉此位於拋光表面之下且分別相對應於至少一第一體聲波共振結構以及至少一第二體聲波共振結構之第二次研磨層分別形成至少一第一體聲波共振結構之一第一頻率調諧結構以及至少一第二體聲波共振結構之一第二頻率調諧結構，其中第一頻率調諧結構以及第二頻率調諧結構具有一第一厚度差，第一厚度差係相對應於第一高度差；步驟C53”：圖形化第二次研磨層；步驟C54”：形成一底電極層於拋光表面之上；步驟C55”：形成一壓電層於底電極層之上；以及步驟C56”：形成一頂電極層於壓電層之上；以及步驟C6：蝕刻複數個犧牲結構台面以形成複數個空腔，其中複數個空腔係分別相對應於複數個體聲波共振結構；其中至少一第一體聲波共振結構以及至少一第二體聲波共振結構具有一第一共振頻率差，第一共振頻率差係相對應於第一高度差；從而藉由調整第一高度差，係可調諧至少一第一體聲波共振結構以及至少一第二體聲波共振結構之第一共振頻率差。
於實施例時，其中基板係為一半導體基板；其中構成複數個 犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。
於實施例時，其中基板係為一化合物半導體基板；其中步驟C1包括以下步驟：步驟C11：形成一犧牲結構於基板之上，其中犧牲結構包括一犧牲磊晶層；以及步驟C12：蝕刻犧牲結構以形成複數個犧牲結構台面，其中複數個犧牲結構台面具有相同之高度。
於實施例時，其中(1)犧牲結構更包括一第一蝕刻終止層以及一第一精細調諧層，其中犧牲磊晶層係形成於基板之上，第一蝕刻終止層係形成於犧牲磊晶層之上，第一精細調諧層係形成於第一蝕刻終止層之上，其中第一精細調諧層具有一厚度；其中於步驟C4當中，至少一第二犧牲結構台面之第一精細調諧層被蝕刻，使得至少一第一犧牲結構台面以及至少一第二犧牲結構台面具有第一高度差，從而第一高度差係由第一精細調諧層之厚度所決定；或(2)犧牲結構更包括一第一蝕刻終止層、一第一精細調諧層以及一頂蝕刻終止層，其中犧牲磊晶層係形成於基板之上，第一蝕刻終止層係形成於犧牲磊晶層之上，第一精細調諧層係形成於第一蝕刻終止層之上，頂蝕刻終止層係形成於第一精細調諧層之上，其中第一精細調諧層具有一厚度；其中步驟C4包括以下步驟：步驟C41：蝕刻至少一第一犧牲結構台面以及至少一第二犧牲結構台面之頂蝕刻終止層；以及步驟C42：蝕刻至少一第二犧牲結構台面之第一精細調諧層，使得至少一第一犧牲結構台面以及至少一第二犧牲結構台面具有第一高度差，從而第一高度差係由第一精細調諧層之厚度所決定。
於實施例時，其中(1)基板係由砷化鎵所構成；犧牲磊晶 層係由砷化鎵所構成；第一蝕刻終止層係由砷化鋁或磷化銦鎵所構成；第一精細調諧層係由砷化鎵所構成；頂蝕刻終止層係由磷化銦鎵所構成；或(2)基板係由磷化銦所構成；犧牲磊晶層係由砷化銦鎵所構成；第一蝕刻終止層係由磷化銦所構成；第一精細調諧層係由砷化銦鎵所構成；頂蝕刻終止層係由磷化銦所構成。
於實施例時，其中第一精細調諧層之厚度係介於1nm以及300nm之間；其中第一蝕刻終止層具有一厚度，第一蝕刻終止層之厚度係介於1nm以及50nm之間；其中頂蝕刻終止層具有一厚度，頂蝕刻終止層之厚度係介於50nm以及300nm之間。
於實施例時，更包括一形成一底蝕刻終止層於基板之上之步驟，其中犧牲結構係形成於底蝕刻終止層之上；其中犧牲磊晶層具有一厚度，犧牲磊晶層之厚度係介於50nm以及5000nm之間；其中底蝕刻終止層具有一厚度，底蝕刻終止層之厚度係介於20nm以及500nm之間；其中(1)基板係由砷化鎵所構成；犧牲磊晶層係由砷化鎵所構成；底蝕刻終止層係由磷化銦鎵所構成；或(2)基板係由磷化銦所構成；犧牲磊晶層係由砷化銦鎵所構成；底蝕刻終止層係由磷化銦所構成。
於實施例時，其中於步驟C51’當中，其中構成第二次研磨層之材料係包括選自以下群組之至少一者：釕、鈦、鉬、鉑、金、鋁以及鎢。
此外，本發明更提供一種體聲波濾波器，包括：一絕緣層、複數個體聲波共振結構以及以下結構A、結構B以及結構C之其中之一；其中絕緣層係形成於一基板之上，其中絕緣層具有複數個空腔；其中複數個 體聲波共振結構係分別相對應於複數個空腔，其中複數個體聲波共振結構包括一第一體聲波共振結構以及一第二體聲波共振結構，複數個空腔包括一第一空腔以及一第二空腔，第一體聲波共振結構以及第二體聲波共振結構係分別對應於第一空腔以及第二空腔，其中第一體聲波共振結構以及第二體聲波共振結構具有一第一共振頻率差，其中每一複數個體聲波共振結構包括：一底電極層、一壓電層以及一頂電極層；其中底電極層係形成於一延伸平面之上；壓電層係形成於底電極層之上；頂電極層係形成於壓電層之上；其中結構A：絕緣層具有經拋光之一上表面，延伸平面係與絕緣層之上表面相重合；其中第二體聲波共振結構具有一第二頻率調諧結構，第二頻率調諧結構係形成於延伸平面之下介於第二體聲波共振結構之底電極層以及第二空腔之間，其中第二頻率調諧結構具有一厚度，厚度係相對應於第一體聲波共振結構以及第二體聲波共振結構之第一共振頻率差；結構B：絕緣層具有經拋光之一上表面，延伸平面係與絕緣層之上表面相重合；其中第一體聲波共振結構以及第二體聲波共振結構分別具有一第一頻率調諧結構以及一第二頻率調諧結構，其中第一頻率調諧結構係形成於延伸平面之下介於第一體聲波共振結構之底電極層以及第一空腔之間，第二頻率調諧結構係形成於延伸平面之下介於第二體聲波共振結構之底電極層以及第二空腔之間，其中第一頻率調諧結構以及第二頻率調諧結構具有一第一厚度差，第一厚度差係相對應於第一體聲波共振結構以及第二體聲波共振結構之第一共振頻率差；結構C：一第二次研磨層係形成於絕緣層以及複數個空腔之上，其中第二次研磨層具有經拋光之一上表面，延伸平面係與第二次研磨層之上表面相重合；其中於延伸平面之下介於第一體聲波共振結 構之底電極層以及第一空腔之間之第二次研磨層形成第一體聲波共振結構之一第一頻率調諧結構，其中於延伸平面之下介於第二體聲波共振結構之底電極層以及第二空腔之間之第二次研磨層形成第二體聲波共振結構之一第二頻率調諧結構，其中第一頻率調諧結構以及第二頻率調諧結構具有一第一厚度差，第一厚度差係相對應於第一體聲波共振結構以及第二體聲波共振結構之第一共振頻率差。
於實施例時，其中基板係為一半導體基板。
於實施例時，其中構成第一頻率調諧結構之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體；其中構成第二頻率調諧結構之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體。
於實施例時，其中第一頻率調諧結構以及第一體聲波共振結構之底電極層係由相同之材料所構成；其中第二頻率調諧結構以及第二體聲波共振結構之底電極層係由相同之材料所構成。
為進一步了解本發明，以下舉較佳之實施例，配合圖式、圖號，將本發明之具體構成內容及其所達成的功效詳細說明如下。
1‧‧‧體聲波共振器/第一體聲波共振器
1’‧‧‧第二體聲波共振器
1”‧‧‧第三體聲波共振器
10‧‧‧基板
11‧‧‧絕緣層
12‧‧‧蝕刻保護層
13‧‧‧化合物半導體基板
20‧‧‧底蝕刻終止層
21‧‧‧犧牲結構
22‧‧‧第一蝕刻終止層
23‧‧‧第一精細調諧層
24‧‧‧第二蝕刻終止層
25‧‧‧第二精細調諧層
26‧‧‧頂蝕刻終止層
27‧‧‧犧牲磊晶層
28‧‧‧犧牲磊晶結構
3‧‧‧體聲波共振結構/第一體聲波共振結構
3’‧‧‧第二體聲波共振結構
3”‧‧‧第三體聲波共振結構
30‧‧‧底電極層
31‧‧‧壓電層
32‧‧‧頂電極層
40‧‧‧空腔/第一空腔
40’‧‧‧第二空腔
40”‧‧‧第三空腔
41‧‧‧拋光表面
42‧‧‧預先拋光表面
43‧‧‧延伸平面
50‧‧‧頻率調諧結構/第一頻率調諧結構
50’‧‧‧第二頻率調諧結構
50”‧‧‧第三頻率調諧結構
51‧‧‧第二次研磨層
6‧‧‧第一犧牲結構台面
6’‧‧‧第二犧牲結構台面
6”‧‧‧第三犧牲結構台面
60‧‧‧犧牲磊晶結構台面
7‧‧‧第一體聲波共振器
7’‧‧‧第二體聲波共振器
70‧‧‧第一體聲波共振結構
70’‧‧‧第二體聲波共振結構
71‧‧‧底電極
72‧‧‧壓電層
73‧‧‧頂電極
73’‧‧‧頂電極
74‧‧‧凹槽
74’‧‧‧凹槽
75‧‧‧矽基板
76‧‧‧厚度差
77‧‧‧犧牲層
ET1‧‧‧第一蝕刻終止層之厚度
FT1‧‧‧第一精細調諧層之厚度
FT2‧‧‧第二精細調諧層之厚度
HD1‧‧‧第一高度差
HD2‧‧‧第二高度差
T‧‧‧厚度
T2‧‧‧第二頻率調諧結構之厚度
T3‧‧‧第三頻率調諧結構之厚度
TD1‧‧‧第一厚度差
TD2‧‧‧第二厚度差
第1A~1F圖係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。
第1G、1H圖係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。
第1I圖係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之一具體實施例之磊晶結構之剖面示意圖。
第1J、1K圖係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。
第1L圖係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之又一具體實施例之剖面示意圖。
第2A~2F圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。
第2G、2H圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。
第2I、2J圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之兩個具體實施例之剖面示意圖。
第2K~2N圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。
第3A~3G圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。
第3H、3I圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。
第3J、3K圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。
第3L圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之剖面示意圖。
第4A~4D圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。
第4E、4F圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。
第4G、4H圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。
第4I圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之剖面示意圖。
第4J~4M圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。
第5A~5C圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。
第5D圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之剖面示意圖。
第5E~5G圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。
第5H~5K圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。
第5L、5M圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。
第5N、5O圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。
第5P圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之剖面示意圖。
第6A~6C圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。
第6D~6F圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之三個具體實施例之剖面示意圖。
第6G圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之局部放大剖面示意圖。
第6H圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之局部放大剖面示意圖。
第7A~7D圖係為習知技術之形成體聲波濾波器之方法之製程步驟之剖面示意圖。
請參閱第1A~1F圖，其係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法包括以下步驟：步驟A1：(如第1B圖所示)形成一犧牲磊晶結構台面60(28)於一化合物半導體基板13之上，包括：(如第1A圖所示)形成一犧牲磊晶結構28於化合物半導體基板13之上以及(如第1B圖所示)蝕刻犧牲磊晶結構28以形成犧牲磊晶結構台面60(28)；步驟A2：(如第1C圖所示)形成一絕緣層11於犧牲磊晶結構台面60以及化合物半導體基板13之上，其中構成絕緣層11之材料係包括選自以下群組之至少一者：氮化 矽(Silicon Nitride，SiNx)、氧化矽(SiO2)以及聚合物(Polymer)；步驟A3：(如第1D圖所示)以一化學機械平坦化製程研磨絕緣層11以形成一拋光表面41；步驟A4：(如第1E圖所示)形成一體聲波共振結構3於拋光表面41之上，其中體聲波共振結構3係相對應於犧牲磊晶結構台面60，係位於犧牲磊晶結構台面60之上方，其中步驟A4包括以下步驟：步驟A41：形成一底電極層30於拋光表面41之上；步驟A42：形成一壓電層31於底電極層30之上；以及步驟A43：形成一頂電極層32於壓電層31之上；以及步驟A5：(如第1F圖所示)蝕刻犧牲磊晶結構台面60以形成一空腔40，其中空腔40係相對應於體聲波共振結構3，係位於體聲波共振結構3之下方。其中於步驟A3當中，絕緣層11係被研磨至使得犧牲磊晶結構台面60未露出，其中介於底電極層30以及犧牲磊晶結構台面60之間之絕緣層11形成一頻率調諧結構50，其中頻率調諧結構50具有一厚度T，體聲波共振結構3具有一共振頻率F，從而藉由調整頻率調諧結構50之厚度T，係可調諧體聲波共振結構3之共振頻率F。當頻率調諧結構50之厚度T越大，體聲波共振結構3之共振頻率F則越小。反之，當頻率調諧結構50之厚度T越小，體聲波共振結構3之共振頻率F則越大。本發明之一種形成體聲波共振器之空腔之方法其特點在於使用化合物半導體基板13，以犧牲磊晶結構28來作為犧牲層，再配合上化學機械平坦化製程研磨絕緣層11。其優點在於，有助於精確控制調整頻率調諧結構50之厚度T，亦即有助於精確調諧體聲波共振結構3之共振頻率F之大小。其中頻率調諧結構50之厚度T若太厚，則會影響到體聲波共振結構3之共振膜態，因此頻率調諧結構50之厚度T需小於1000nm。在一些較佳之實施例中，頻率調諧結構50之厚度T係等於或小於300nm。
請參閱第1G、1H圖，其係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。形成第1H圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第1F圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟A3當中，絕緣層11係被研磨至使得犧牲磊晶結構台面60露出(如第1G圖所示)；再於拋光表面41之上形成體聲波共振結構3，並蝕刻犧牲磊晶結構台面60以形成空腔40(如第1H圖所示)。其中體聲波共振結構3並不具有如第1F圖所示之頻率調諧結構50。
請參閱第1I圖，其係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之一具體實施例之磊晶結構之剖面示意圖。第1I圖之實施例之磊晶結構之主要結構係與第1A圖所示之實施例之磊晶結構大致相同，惟，其中於化合物半導體基板13之一下表面形成一蝕刻保護層12。蝕刻保護層12之功能在於保護化合物半導體基板13之下表面，以避免製程中之蝕刻(尤其是濕蝕刻之蝕刻劑)傷害到化合物半導體基板13之下表面。其中構成蝕刻保護層12之材料係包括選自以下群組之至少一者：氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiO2)、氮化鋁(AlN)以及光阻(Photoresist)。其中，構成蝕刻保護層12之較佳材料係為氮化矽(SiNx)。通常於步驟A5之後，會將蝕刻保護層12去除，以利於進行基板薄化製程。在本發明之其他所有實施例中，不論基板為一半導體基板或一化合物半導體基板，皆可應用形成蝕刻保護層12以保護半導體基板或化合物半導體基板之下表面。
請參閱第1J、1K圖，其係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。第1J圖之實施例之磊晶結構係與第1A圖所示之實施例之磊晶結構大致相同，惟，其中更包括 一底蝕刻終止層20，其中底蝕刻終止層20係形成於化合物半導體基板13之上，犧牲磊晶結構28係形成於底蝕刻終止層20之上。當蝕刻犧牲磊晶結構28以形成犧牲磊晶結構台面60時，犧牲磊晶結構台面60四周之犧牲磊晶結構28被蝕刻，且蝕刻係終止於底蝕刻終止層20。而犧牲磊晶結構台面60之下則為底蝕刻終止層20。第1K圖之實施例是由第1J圖之實施例之磊晶結構所製造而成之體聲波共振器。第1K圖之實施例之主要結構係與第1F圖所示之實施例之主要結構大致相同，惟，其中更包括一底蝕刻終止層20，其中底蝕刻終止層20係形成於化合物半導體基板13之上。在步驟A2中，形成絕緣層11係形成於犧牲磊晶結構台面60以及底蝕刻終止層20之上。故，當犧牲磊晶結構台面60於步驟A5中被蝕刻之後，空腔40亦位於底蝕刻終止層20之上。在一些實施例中，化合物半導體基板13係由砷化鎵(GaAs)所構成；犧牲磊晶結構28係由一犧牲磊晶層所構成，犧牲磊晶層係由砷化鎵(GaAs)所構成，其中犧牲磊晶層具有一厚度，係介於50nm以及5000nm之間；底蝕刻終止層20係由磷化銦鎵(InGaP)所構成，其中底蝕刻終止層20具有一厚度，係介於20nm以及500nm之間。在另一些實施例中，化合物半導體基板13係由磷化銦(InP)所構成；犧牲磊晶結構28係由一犧牲磊晶層所構成，犧牲磊晶層係由砷化銦鎵(InGaAs)所構成，其中犧牲磊晶層具有一厚度，係介於50nm以及5000nm之間；底蝕刻終止層20係由磷化銦(InP)所構成，其中底蝕刻終止層20具有一厚度，係介於20nm以及500nm之間。
請參閱第1L圖，其係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之又一具體實施例之剖面示意圖。第1L圖之實施例亦是由第1J圖之實施例之磊晶結構所製造而成之體聲波共振器。第1L圖之實施例之主要結 構係與第1K圖所示之實施例之主要結構大致相同，惟，其中於步驟A3當中，絕緣層11係被研磨至使得犧牲磊晶結構台面60露出；再於拋光表面41之上形成體聲波共振結構3，並蝕刻犧牲磊晶結構台面60以形成空腔40(相似於第1G圖、第1H圖)，也因此體聲波共振結構3並不具有如第1K圖所示之頻率調諧結構50。
此外，請參閱第2A~2F圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。如第2F圖所示，此實施例之結構包括形成於一基板10之上之至少一第一體聲波共振器1以及至少一第二體聲波共振器1’。在此實施例中，至少一第一體聲波共振器1係可為一串聯共振器(Series Resonator)；而至少一第二體聲波共振器1’係可為一分路共振器(Shunt Resonator)。其中至少一第一體聲波共振器1包括至少一第一體聲波共振結構3、一第一頻率調諧結構50以及至少一第一空腔40；至少一第二體聲波共振器1’包括至少一第二體聲波共振結構3’、一第二頻率調諧結構50’以及至少一第二空腔40’。本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法包括以下步驟：步驟B1：(如第2B圖所示)形成複數個犧牲結構台面於基板10之上，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’，其中至少一第一犧牲結構台面6之一高度係大於至少一第二犧牲結構台面6’之一高度，其中至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’係具有一第一高度差HD1；在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構；步驟B2：(如第2C圖所示)形成一絕緣層 11於複數個犧牲結構台面以及基板10之上，其中構成絕緣層11之材料係包括選自以下群組之至少一者：氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiO2)以及聚合物(Polymer)；步驟B3：(如第2D圖所示)以一化學機械平坦化製程研磨絕緣層11以形成一拋光表面41；步驟B4：(如第2E圖所示)形成複數個體聲波共振結構於拋光表面41之上(在本發明之所有體聲波濾波器之實施例當中，複數個體聲波共振結構皆形成於一延伸平面43之上；而在此實施例中，延伸平面43係與拋光表面41相重合)，其中複數個體聲波共振結構包括至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’，至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’係分別相對應於至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’，係分別位於至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’之上方，其中步驟B4包括以下步驟：步驟B41：形成一底電極層30於拋光表面41之上；步驟B42：形成一壓電層31於底電極層30之上；以及步驟B43：形成一頂電極層32於壓電層31之上；以及步驟B5：(如第2F圖所示)蝕刻複數個犧牲結構台面以形成複數個空腔，其中複數個空腔係分別相對應於複數個體聲波共振結構，其中複數個空腔包括至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’，至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’係分別位於至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之下方。其中於步驟B3當中，絕緣層11係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’未露出，藉此位於拋光表面41之下且分別相對應於至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之絕緣層11分別形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50以及至少一第二體聲波共振 結構3’之一第二頻率調諧結構50’。其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係相對應於第一高度差HD1，且第一厚度差TD1係等於第一高度差HD1。其中由於第一頻率調諧結構50會使得至少一第一體聲波共振結構3之第一共振頻率F1降低，且第二頻率調諧結構50’會使得至少一第二體聲波共振結構3’之第二共振頻率F2降低。但由於第二頻率調諧結構50’之厚度比第一頻率調諧結構50之厚度更厚，因此使得至少一第二體聲波共振結構3’之第二共振頻率F2降低得比至少一第一體聲波共振結構3之第一共振頻率F1更低。因此，至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’具有一第一共振頻率差FD1，而此第一共振頻率差FD1係相對應於第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’之第一厚度差TD1，亦即此第一共振頻率差FD1係相對應於至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’之第一高度差HD1，從而藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。由於基板10之尺寸係遠大於體聲波共振器之尺寸，當進行化學機械平坦化製程研磨絕緣層11時，常會使得位於靠近基板10中心位置的絕緣層11被研磨的量與位於遠離基板10中心位置的絕緣層11被研磨的量不一樣多。然而鄰近的體聲波共振器，尤其是同一個體聲波濾波器內的複數個體聲波共振器，其相對應之絕緣層11被研磨的量是幾乎相同的。本發明之特點在於，同一個體聲波濾波器內之第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’之第一厚度差TD1，不會隨所在的位置是靠近基板10的中心或遠離基板10的中心而有所差異。換句話說，至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結 構3’之第一共振頻率差FD1，並不會隨所在的位置是靠近或遠離基板10的中心而有所差異。至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1，只與第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’之第一厚度差TD1相關，亦即與至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’之第一高度差HD1相關，當然亦與構成第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’之材料種類相關。藉由調整第一高度差HD1，或選用不同種類的材料之第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。此外，本發明之至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1，並不會隨所在的位置是靠近或遠離基板10的中心而有所差異，是本發明的特色之一，對於稍後之修整(Trimming)製程有很大的幫助。由於一整片晶元(Wafer)上，每個區域的至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1都能精準控制，且不會隨所在之位置而改變，因此可以大幅降低修整製程所需耗費之時間成本。在一些實施例中，前述之基板10係可為一化合物半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係為一磊晶結構；且其中前述步驟B1係包括以下步驟：步驟B11：(如第2A圖所示)形成一犧牲結構21於基板10之上；步驟B12：蝕刻犧牲結構21以形成複數個犧牲結構台面，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6(21)以及至少一第二犧牲結構台面6’(21)，並使得複數個犧牲結構台面具有相同之高度；以及步驟B13：(如第2B圖所示)蝕刻至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’或蝕刻至少一第二犧牲結構台 面6’，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有第一高度差HD1。
請參閱第2G、2H圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第2H圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第2F圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟B3當中，絕緣層11係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6露出且至少一第二犧牲結構台面6’未露出(如第2G圖所示)，藉此位於拋光表面41(延伸平面43)之下且相對應於至少一第二體聲波共振結構3’之絕緣層11形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’。如第2H圖所示，其中第二頻率調諧結構50’具有一厚度T2，第二頻率調諧結構50’之厚度T2係相對應於第一高度差HD1，且厚度T2係等於第一高度差HD1。在此實施例中，並無第2F圖所示之實施例中之第一頻率調諧結構50。因此，至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1，係與第二頻率調諧結構50’之厚度T2相關，亦即與至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’之第一高度差HD1相關。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。
請參閱第2I圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之剖面示意圖。其中第2I圖之實施例 之主要結構係與第2F圖所示之實施例大致相同，惟，其中更包括一底蝕刻終止層20，其中底蝕刻終止層20係形成於基板10之上，絕緣層11係形成於底蝕刻終止層20之上，至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’亦位於底蝕刻終止層20之上。形成第2I圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第2F圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟B11之前，更包括一形成一底蝕刻終止層20於基板之上之步驟。其中步驟B11係為形成犧牲結構21於底蝕刻終止層之上。其中在步驟B2當中，絕緣層11係形成於複數個犧牲結構台面以及底蝕刻終止層20之上。在此實施例中，基板10係為一化合物半導體基板；構成複數個犧牲結構台面(犧牲結構21)之材料係為一磊晶結構。在一些實施例中，基板10係由砷化鎵所構成；犧牲結構21係由一犧牲磊晶層所構成，犧牲磊晶層係由砷化鎵所構成，其中犧牲磊晶層具有一厚度，係介於50nm以及5000nm之間；底蝕刻終止層20係由磷化銦鎵所構成，其中底蝕刻終止層20具有一厚度，係介於20nm以及500nm之間。在另一些實施例中，基板10係由磷化銦所構成；犧牲結構21係由一犧牲磊晶層所構成，犧牲磊晶層係由砷化銦鎵所構成，其中犧牲磊晶層具有一厚度，係介於50nm以及5000nm之間；底蝕刻終止層20係由磷化銦所構成，其中底蝕刻終止層20具有一厚度，係介於20nm以及500nm之間。
請參閱第2J圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之剖面示意圖。其中基板10係為一化合物半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係為一磊晶結構。其中第2J圖之實施例之主要結構係與第2I圖所示之實施例大致相同，惟，其中於步驟B3當中，絕緣層11係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6露出且 至少一第二犧牲結構台面6’未露出(相似於第2G圖)，藉此位於拋光表面41(延伸平面43)之下且相對應於至少一第二體聲波共振結構3’之絕緣層11形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’。
請參閱第2K~2N圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。其中在第2K圖所示之實施例中，基板10係為一化合物半導體基板；構成犧牲結構21之材料係為一磊晶結構。第2K圖之實施例之磊晶結構係與第2A圖所示之實施例之磊晶結構大致相同，惟，其中犧牲結構21包括一犧牲磊晶層27、一第一蝕刻終止層22以及一第一精細調諧層23。其中犧牲磊晶層27係形成於基板10之上，第一蝕刻終止層22係形成於犧牲磊晶層27之上，第一精細調諧層23係形成於第一蝕刻終止層22之上。如第2L圖所示，犧牲結構21被蝕刻成複數個犧牲結構台面，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’，並使得複數個犧牲結構台面具有相同之高度(步驟B12)。如第2M圖所示，其中第一精細調諧層23具有一厚度FT1。蝕刻至少一第二犧牲結構台面6’之第一精細調諧層23，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有第一高度差HD1(步驟B13)。第2N圖，係緊接著進行了步驟B2、步驟B3以及步驟B4之示意圖。將第2N圖中之至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’蝕刻去除(步驟B5)，即可得如第2F圖所示之實施例。其中第一高度差HD1係由第一精細調諧層23之厚度FT1所決定，如此有助於精確調整第一高度差HD1，亦即有助於精確調整至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。在一些實施例 中，基板10係由砷化鎵(GaAs)所構成；犧牲磊晶層27係由砷化鎵(GaAs)所構成；第一蝕刻終止層22係由砷化鋁(AlAs)或磷化銦鎵(InGaP)所構成，其中第一蝕刻終止層22具有一厚度，係介於1nm以及50nm之間；第一精細調諧層23係由砷化鎵(GaAs)所構成，其中第一精細調諧層23之厚度FT1係介於1nm以及300nm之間。在另一些實施例中，基板10係由磷化銦(InP)所構成；犧牲磊晶層27係由砷化銦鎵(InGaAs)所構成；第一蝕刻終止層22係由磷化銦(InP)所構成，其中第一蝕刻終止層22具有一厚度，係介於1nm以及50nm之間；第一精細調諧層23係由砷化銦鎵(InGaAs)所構成，其中第一精細調諧層23之厚度FT1係介於1nm以及300nm之間。
請參閱第3A~3G圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。以本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法，形成至少一第一體聲波共振器1以及至少一第二體聲波共振器1’(如第3G圖所示)，包括以下步驟：步驟C1：形成複數個犧牲結構台面於一基板10之上，其中複數個犧牲結構台面具有相同之高度，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’，在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構；步驟C2：(如第3A圖所示)形成一絕緣層11於複數個犧牲結構台面以及基板10之上；步驟C3：(如第3B圖所示)以一預先化學機械平坦化製程研磨絕緣層11以形成一預先拋光表面42，使得複數個犧牲結構台面露出；步驟C4：(如第3C圖所示)蝕刻至少一第二犧牲結構台面6’，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二 犧牲結構台面6’具有一第一高度差HD1，其中至少一第一犧牲結構台面6之一高度係大於至少一第二犧牲結構台面6’之一高度；步驟C5：(如第3D~3F圖所示)形成複數個體聲波共振結構，其中複數個體聲波共振結構包括至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’，其中至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’係分別相對應於至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’，係位於至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’之上方，其中步驟C5包括以下步驟：步驟C51：形成一第二次研磨層51於複數個犧牲結構台面以及絕緣層11之上，其中構成第二次研磨層51之材料係為絕緣體，其中構成第二次研磨層51之絕緣體材料係包括選自以下群組之至少一者：氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiO2)、氮化鋁(AlN)以及氧化鋅(ZnO)；步驟C52：以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層51以形成一拋光表面41，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’未露出，藉此位於拋光表面41之下且分別相對應於至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第二次研磨層51分別形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50以及至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’，其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係相對應於第一高度差HD1，且第一厚度差TD1係等於第一高度差HD1；步驟C53：形成一底電極層30於拋光表面41之上(如前述，複數個體聲波共振結構係形成於一延伸平面43之上，在此實施例中延伸平面43係與拋光表面41相重合)；步驟C54：形成一壓電層31於底電極層30之上；以及步驟C55：形成一頂電極層32於壓電層 31之上；以及步驟C6：(如第3G圖所示)蝕刻複數個犧牲結構台面以形成複數個空腔，其中複數個空腔係分別相對應於複數個體聲波共振結構，其中複數個空腔包括至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’。其中至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’具有一第一共振頻率差FD1，第一共振頻率差FD1係相對應於第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’之第一厚度差TD1，亦即相對應於第一高度差HD1；從而藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。在一些實施例中，前述之基板10係可為一化合物半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係為一磊晶結構；且其中前述步驟C1係包括以下步驟：步驟C11：形成一犧牲結構21於基板10之上；以及步驟C12：蝕刻犧牲結構21以形成複數個犧牲結構台面，其中複數個犧牲結構台面具有相同之高度。
請參閱第3H、3I圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第3I圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第3G圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中在步驟C52當中，第二次研磨層51係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6露出且至少一第二犧牲結構台面6’未露出(如第3H圖所示)，藉此位於拋光表面41(延伸平面43)之下且相對應於至少一第二體聲波共振結構3’之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’(如第3I圖所示)。其中第二頻率調諧結構50’ 具有一厚度T2，第二頻率調諧結構50’之厚度T2係相對應於第一高度差HD1，且厚度T2係等於第一高度差HD1。在此實施例中，並無第3G圖所示之實施例中之第一頻率調諧結構50。因此，至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1，係與第二頻率調諧結構50’之厚度T2相關，亦即與至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’之第一高度差HD1相關。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。在此實施例中，構成第二次研磨層51之材料係可包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體。
請參閱第3J、3K圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第3K圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第3G圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟C5當中，複數個體聲波共振結構係形成於一延伸平面43之上，其中延伸平面43係與預先拋光表面42相重合，其中步驟C5包括以下步驟：步驟C51’：(如第3D圖所示)形成一第二次研磨層51於複數個犧牲結構台面以及絕緣層11之上，其中構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬以及合金；在一較佳之實施例中，構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：釕、鈦、鉬、鉑、金、鋁以及鎢；步驟C52’：(如第3E圖所示)以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層51以形成一拋光表面41，使得複數個犧牲結構台面未露出； 步驟C53’：(如第3J圖所示)圖形化第二次研磨層51；步驟C54’：形成一壓電層31於拋光表面41之上；以及步驟C55’：形成一頂電極層32於壓電層31之上。再進行步驟C6蝕刻去除複數個犧牲結構台面之後，即形成如第3K圖所示之實施例。其中於步驟C4當中，至少一第二犧牲結構台面6’被蝕刻。其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且相對應於至少一第一體聲波共振結構3之第二次研磨層51形成至少一第一體聲波共振結構3之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且相對應於至少一第二體聲波共振結構3’之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之下且相對應於至少一第二體聲波共振結構3’之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’。其中第二頻率調諧結構50’具有一厚度T2，第二頻率調諧結構50’之厚度T2係相對應於第一高度差HD1。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。
請參閱第3L圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第3L圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第3G圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中步驟C5包括以下步驟：步驟C51”：(如第3D圖所示)形成一第二次研磨層51於複數個犧牲結構台面以及絕緣層11之上，其中構成第二次研磨 層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體；步驟C52”：(如第3E圖所示)以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層51以形成一拋光表面41，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’未露出；步驟C53”：(如第3J圖所示)圖形化第二次研磨層51；步驟C54”：形成一底電極層30於拋光表面41(延伸平面43)之上；步驟C55”：形成一壓電層31於底電極層30之上；以及步驟C56”：形成一頂電極層32於壓電層31之上。經步驟C6而形成如第3L圖所示之實施例，藉此位於拋光表面41之下且分別相對應於至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第二次研磨層51分別形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50以及至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’，其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係相對應於第一高度差HD1。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。
在第3G圖以及第3I圖之實施例中，於步驟C2當中(如第3A圖所示)，係先形成很厚的一層絕緣層11，其中絕緣層11之厚度必須要高過複數個犧牲結構台面之高度。於步驟C3當中(如第3B圖所示)，一預先化學機械平坦化製程必須要研磨絕緣層11之厚度係至少大於或等於複數個犧牲結構台面之高度。然而化學機械平坦化製程存在一個缺點，就是當所需研磨之厚度過厚，則研磨出來之拋光表面之均勻度會變差。在此實施例中，由於所需研磨絕緣層11之厚度很厚，會使得經研磨後之預先拋光表面42之均勻度之變差。然而之後於步驟C51所形成之第二次研磨層51，其厚度則非常 薄(相對於絕緣層11之厚度而言)，僅需高過第一高度差HD1。因此，於步驟C52當中之化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層51之後所形成之拋光表面41，其均勻度不會變差。因此，於拋光表面41上形成至少一第一體聲波共振器1以及至少一第二體聲波共振器1’之底電極層30，將有助於提升至少一第一體聲波共振器1以及至少一第二體聲波共振器1’之共振特性。類似地，第3L圖之實施例中，亦是如此。而於第3K圖之實施例中，則是於拋光表面41上形成至少一第一體聲波共振器1以及至少一第二體聲波共振器1’之壓電層31，同樣地有助於提升至少一第一體聲波共振器1以及至少一第二體聲波共振器1’之共振特性。
前述第3G圖、第3I圖、第3K圖以及第3L圖之實施例，也可以由如類似第2K圖之磊晶結構來形成，其中基板10係為一化合物半導體基板，其中犧牲結構21包括一犧牲磊晶層27、一第一蝕刻終止層22以及一第一精細調諧層23，其中犧牲磊晶層27係形成於基板10之上，第一蝕刻終止層22係形成於犧牲磊晶層27之上，第一精細調諧層23係形成於第一蝕刻終止層22之上，其中第一精細調諧層23具有一厚度FT1；其中於步驟C4當中，至少一第二犧牲結構台面6’之第一精細調諧層23被蝕刻，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有第一高度差HD1，從而第一高度差HD1係由第一精細調諧層23之厚度FT1所決定，如此有助於精確調整第一高度差HD1，亦即有助於精確調整至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。
請參閱第4A~4D圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。形 成第4D圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第3G圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中步驟C4係為：(如第4A圖所示)蝕刻至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有一第一高度差，其中至少一第一犧牲結構台面6之一高度係大於至少一第二犧牲結構台面6’之一高度。經步驟C51(如第4B圖所示)、步驟C52(如第4C圖所示)、步驟C53~步驟C55以及步驟C6，而形成如第4D圖所示之實施例，其中構成第二次研磨層51之材料係為絕緣體。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。
請參閱第4E、4F圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第4F圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第4D圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟C52當中，(如第4E圖所示)其中第二次研磨層51係被研磨至至少使得拋光表面41(延伸平面43)係與預先拋光表面42重合或使得拋光表面41低於預先拋光表面42，且其中至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’未露出。在第4F圖之實施例中，構成第二次研磨層51之材料係可包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體。
請參閱第4G、4H圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾 波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第4H圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第3K圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中步驟C4係為：(如第4A圖所示)蝕刻至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有一第一高度差，其中至少一第一犧牲結構台面6之一高度係大於至少一第二犧牲結構台面6’之一高度；於步驟C5當中，複數個體聲波共振結構係形成於一延伸平面43之上，其中延伸平面43係與預先拋光表面42相重合；經步驟C53’：(如第4G圖所示)圖形化第二次研磨層51，以及步驟C54’、步驟C55’以及步驟C6之後(如第4H圖所示)，其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且相對應於至少一第一體聲波共振結構3之第二次研磨層51形成至少一第一體聲波共振結構3之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之下且相對應於至少一第一體聲波共振結構3之第二次研磨層51形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且相對應於至少一第二體聲波共振結構3’之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之下且相對應於至少一第二體聲波共振結構3’之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’；其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係相對應於第一高 度差HD1。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。其中構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬以及合金；在一較佳之實施例中，構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：釕、鈦、鉬、鉑、金、鋁以及鎢。
請參閱第4I圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第4I圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第3L圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中步驟C4係為：(如第4A圖所示)蝕刻至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有一第一高度差，其中至少一第一犧牲結構台面6之一高度係大於至少一第二犧牲結構台面6’之一高度；且其中於步驟C52”當中，第二次研磨層51係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’未露出，再經步驟C53”(如第4G圖所示)圖形化第二次研磨層51，以及步驟C54”~步驟C56”以及步驟C6之後(如第4I圖所示)，藉此位於拋光表面41(延伸平面43)之下且分別相對應於至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第二次研磨層51分別形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50以及至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’，其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係 相對應於第一高度差HD1。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。在此實施例中，構成第二次研磨層51之材料係可包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體。
請參閱第4J~4M圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。其中在第4J圖所示之實施例中，基板10係為一化合物半導體基板；構成犧牲結構21之材料係為一磊晶結構。第4J圖之實施例之磊晶結構係與第2L圖所示之實施例之磊晶結構大致相同，惟，其中犧牲結構21包括一犧牲磊晶層27、一第一蝕刻終止層22、一第一精細調諧層23以及一頂蝕刻終止層26。其中步驟C1包括以下步驟：步驟C11：形成一犧牲結構21於基板10之上；以及步驟C12：蝕刻犧牲結構21以形成複數個犧牲結構台面，其中複數個犧牲結構台面具有相同之高度，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’。其中犧牲磊晶層27係形成於基板10之上，第一蝕刻終止層22係形成於犧牲磊晶層27之上，第一精細調諧層23係形成於第一蝕刻終止層22之上，頂蝕刻終止層26係形成於第一精細調諧層23之上。經過步驟C2以及步驟C3之後，形成如第4K圖所示之結構。其中步驟C4包括以下步驟：步驟C41：(如第4L圖所示)蝕刻至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’之頂蝕刻終止層26；以及步驟C42：(如第4M圖所示)蝕刻至少一第二犧牲結構台面6’之第一精細調諧層23，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有第一高度差HD1。其中第一精細調諧層23具有一厚度FT1，從而第一高度差HD1 係由第一精細調諧層23之厚度FT1所決定，如此有助於精確調整第一高度差HD1，亦即有助於精確調整第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’之第一厚度差TD1，亦即有助於精確調整至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。由第4M圖係可形成如第4D、4F、4H或4I圖所示之實施例。以第4M圖之磊晶結構來形成第4D、4F、4H或4I圖所示之實施例時，其中於步驟C3當中，絕緣層11係被研磨至使得複數個犧牲結構台面露出。由於實際研磨時，位於靠近基板10的中心之複數個犧牲結構台面與位於遠離基板10的中心之複數個犧牲結構台面常無法同時露出。舉例來說，當位於遠離基板10的中心之複數個犧牲結構台面先露出時，為了要讓位於靠近基板10的中心之複數個犧牲結構台面也露出，則必須繼續研磨。因此會造成位於遠離基板10的中心之複數個犧牲結構台面被研磨過頭了，也因此位於遠離基板10的中心之複數個犧牲結構台面之第一精細調諧層23之厚度會被研磨至比位於接近基板10的中心之複數個犧牲結構台面之第一精細調諧層23之厚度薄。為避免位於接近基板10的中心之複數個犧牲結構台面之第一精細調諧層23與位於遠離基板10的中心之複數個犧牲結構台面之第一精細調諧層23被研磨成不一樣的厚度，係可藉由頂蝕刻終止層26，使得位於接近基板10的中心之複數個犧牲結構台面之第一精細調諧層23之厚度能維持等於位於遠離基板10的中心之複數個犧牲結構台面之第一精細調諧層23之厚度。在一些實施例中，基板10係由砷化鎵所構成；犧牲磊晶層27係由砷化鎵所構成；第一蝕刻終止層22係由砷化鋁或磷化銦鎵所構成，其中第一蝕刻終止層22具有一厚度，係介於1nm以及50nm之間；第一精細調諧層23係由砷化鎵所構成，其中第一精細調諧層23之厚度 FT1係介於1nm以及300nm之間；頂蝕刻終止層26係由磷化銦鎵所構成，頂蝕刻終止層26具有一厚度，係介於50nm以及300nm之間。在另一些實施例中，基板10係由磷化銦所構成；犧牲磊晶層27係由砷化銦鎵所構成；第一蝕刻終止層22係由磷化銦所構成，其中第一蝕刻終止層22具有一厚度，係介於1nm以及50nm之間；第一精細調諧層23係由砷化銦鎵所構成，其中第一精細調諧層23之厚度FT1係介於1nm以及300nm之間；頂蝕刻終止層26係由磷化銦所構成，頂蝕刻終止層26具有一厚度，係介於50nm以及300nm之間。
前述以本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法所形成之至少一第一體聲波共振器1以及至少一第二體聲波共振器1’之實施例(如第2F圖、第2H圖、第2I圖、第2J圖、第3G圖、第3I圖、第3K圖、第3L圖、第4D圖、第4F圖、第4H圖以及第4I圖之實施例)皆具有一共同之特徵，其任一體聲波共振結構(3或3’)之底電極層30皆形成於一延伸平面43之上。這些實施例之共同結構包括：一絕緣層11，係形成於一基板10之上，其中絕緣層11具有複數個空腔；複數個體聲波共振結構，複數個體聲波共振結構係分別相對應於複數個空腔，其中複數個體聲波共振結構包括至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’，複數個空腔包括至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’，至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’係分別對應於至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’，其中至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’具有一第一共振頻率差FD1，其中複數個體聲波共振結構之每一者包括：一底電極層30，係形成於一延伸平面43之上；一壓電層31，係形成於底電極層30之上；以及一頂電極層32，係形成於壓電層 31之上；以及一可調諧頻率結構；而這些實施例之不同處在於：(1)在第2H圖，第2J圖，第3I圖以及第3K圖之實施例中，前述可調諧頻率結構包括結構A：絕緣層11具有經拋光之一上表面，延伸平面43係與絕緣層11之上表面相重合；其中至少一第二體聲波共振結構3’具有一第二頻率調諧結構50’，第二頻率調諧結構50’係形成於延伸平面43之下介於至少一第二體聲波共振結構3’之底電極層30以及第二空腔40’之間，其中至少一第二頻率調諧結構50’具有一厚度T2，厚度T2係相對應於至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1；(2)在第2F圖，第2I圖，第4F圖以及第4H圖之實施例中，前述可調諧頻率結構包括結構B：絕緣層11具有經拋光之一上表面，延伸平面43係與絕緣層11之上表面相重合；其中至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’分別具有一第一頻率調諧結構50以及一第二頻率調諧結構50’，其中第一頻率調諧結構50係形成於延伸平面43之下介於至少一第一體聲波共振結構3之底電極層30以及第一空腔40之間，第二頻率調諧結構50’係形成於延伸平面43之下介於至少一第二體聲波共振結構3’之底電極層30以及第二空腔40’之間，其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係相對應於至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1；(3)在第3G圖，第3L圖，第4D圖以及第4I圖之實施例中，前述可調諧頻率結構包括結構C：一第二次研磨層51係形成於絕緣層11以及複數個空腔之上，其中第二次研磨層51具有經拋光之一上表面，延伸平面43係與第二次研磨層51之上表面相重合；其中於延伸平面43之下介於至少一第一體聲波共振結構3之底電極層30以及第一空 腔40之間之第二次研磨層51形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50，其中於延伸平面43之下介於至少一第二體聲波共振結構3’之底電極層30以及第二空腔之間40’之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’，其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係相對應於至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。其中，在本發明之第2F圖、第2I圖、第3G圖、第3L圖、第4D圖、第4F圖、第4H圖以及第4I圖之實施例中，其共通之處在於：至少一第一體聲波共振結構3之底電極層30以及至少一第二體聲波共振結構3’之底電極層30係皆形成於延伸平面43之上；第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’係皆形成於延伸平面43之下。其中，在本發明之第2H圖、第2J圖、第3I圖以及第3K圖之實施例中，其共通之處在於：至少一第一體聲波共振結構3之底電極層30以及至少一第二體聲波共振結構3’之底電極層30係皆形成於延伸平面43之上；第二頻率調諧結構50’係皆形成於延伸平面43之下。
請參閱第5A~5C圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第5C圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第2F圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中係形成至少一第一體聲波共振器1、至少一第二體聲波共振器1’以及至少一第三體聲波共振器1”於基板10之上；其中於步驟B1 中，(如第5B圖所示)複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”；其中至少一第一犧牲結構台面6之一高度係大於至少一第二犧牲結構台面6’之一高度，其中至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’係具有一第一高度差HD1；其中至少一第一犧牲結構台面6之高度係大於至少一第三犧牲結構台面6”之一高度，其中至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第三犧牲結構台面6”係具有一第二高度差HD2；於步驟B4當中，複數個體聲波共振結構係形成於拋光表面41(延伸平面43)之上，其中複數個體聲波共振結構包括至少一第一體聲波共振結構3、至少一第二體聲波共振結構3’以及至少一第三體聲波共振結構3”，其中至少一第一體聲波共振結構3、至少一第二體聲波共振結構3’以及至少一第三體聲波共振結構3”係分別相對應於至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”，係分別位於至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”之上方；於步驟B5當中，蝕刻複數個犧牲結構台面以形成複數個空腔，其中複數個空腔包括至少一第一空腔40、至少一第二空腔40’以及至少一第三空腔40”，其中至少一第一空腔40、至少一第二空腔40’以及至少一第三空腔40”係分別位於至少一第一體聲波共振結構3、至少一第二體聲波共振結構3’以及至少一第三體聲波共振結構3”之下方。其中於步驟B3當中，絕緣層11係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”未露出，藉此位於拋光表面41之下且分別相對應於至少一第一體聲波共振結構3、至少一第二體聲波共振結構3’以及至少 一第三體聲波共振結構3”之絕緣層11分別形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50、至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第三頻率調諧結構50”。其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係相對應於第一高度差HD1，且第一厚度差TD1係等於第一高度差HD1；且其中第一頻率調諧結構50以及第三頻率調諧結構50”具有一第二厚度差TD2，第二厚度差TD2係相對應於第二高度差HD2，且第二厚度差TD2係等於第二高度差HD2。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。藉由調整第二高度差HD2，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第二共振頻率差FD2。在一些實施例中，前述之基板10係可為一化合物半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係為一磊晶結構；且其中前述步驟B1係包括以下步驟：步驟B11：(如第5A圖所示)形成一犧牲結構21於基板10之上；步驟B12：蝕刻犧牲結構21以形成複數個犧牲結構台面，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6(21)、至少一第二犧牲結構台面6’(21)以及至少一第三犧牲結構台面6”(21)，並使得複數個犧牲結構台面具有相同之高度；以及步驟B13：(如第5B圖所示)蝕刻至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”或蝕刻至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有第一高度差HD1，且使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第三犧牲結構台面6”具有第二高度 差HD2。
請參閱第5D圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第5D圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第5C圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟B3當中，絕緣層11係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6露出，且至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”未露出，藉此位於拋光表面41(延伸平面43)之下且相對應於至少一第二體聲波共振結構3’之絕緣層11形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’；且位於拋光表面41之下且相對應於至少一第三體聲波共振結構3”之絕緣層11形成至少一第三體聲波共振結構3”之一第三頻率調諧結構50”。其中第二頻率調諧結構50’具有一厚度T2，第二頻率調諧結構50’之厚度T2係相對應於第一高度差HD1，且厚度T2係等於第一高度差HD1；其中第三頻率調諧結構50”具有一厚度T3，第三頻率調諧結構50”之厚度T3係相對應於第二高度差HD2，且厚度T3係等於第二高度差HD2。在此實施例中，並無第5C圖所示之實施例中之第一頻率調諧結構50。因此，至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1，係與第二頻率調諧結構50’之厚度T2相關，亦即與至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’之第一高度差HD1相關；至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之第二共振頻率差FD2，係與第三頻率調諧結構50”之厚度T3相關，亦即與至少一第一 犧牲結構台面6以及至少一第三犧牲結構台面6”之第二高度差HD2相關。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1；藉由調整第二高度差HD2，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之第二共振頻率差FD2。
請參閱第5E~5G圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。其中在第5E圖所示之實施例中，基板10係為一化合物半導體基板；構成犧牲結構21之材料係為一磊晶結構。第5E~5G圖之實施例之磊晶結構係與第5A~5B圖所示之實施例之磊晶結構大致相同，惟，其中犧牲結構21包括一犧牲磊晶層27、一第二蝕刻終止層24、一第二精細調諧層25、一第一蝕刻終止層22以及一第一精細調諧層23。其中犧牲磊晶層27係形成於基板10之上，第二蝕刻終止層24係形成於犧牲磊晶層27之上，第二精細調諧層25係形成於第二蝕刻終止層24之上，第一蝕刻終止層22係形成於第二精細調諧層25之上，第一精細調諧層23係形成於第一蝕刻終止層22之上。如第5F圖所示，犧牲結構21被蝕刻成複數個犧牲結構台面，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”，並使得複數個犧牲結構台面具有相同之高度。如第5G圖所示，其中第一精細調諧層23具有一厚度FT1，第一蝕刻終止層22具有一厚度ET1，第二精細調諧層25具有一厚度FT2。蝕刻至少一第二犧牲結構台面6’之第一精細調諧層23，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有第一高度差HD1；蝕刻至少一第三犧牲結構台面6”之第一 精細調諧層23、第一蝕刻終止層22以及第二精細調諧層25，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第三犧牲結構台面6”具有第二高度差HD2。由第5G圖之結構，可以形成如第5C圖之實施例；其中第一高度差HD1係由第一精細調諧層23之厚度FT1所決定，如此有助於精確調整第一高度差HD1，亦即有助於精確調整第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’之第一厚度差TD1，亦即有助於精確調整至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。其中第二高度差HD2係由第一精細調諧層23之厚度FT1、第一蝕刻終止層22之厚度ET1以及第二精細調諧層25之厚度FT2所決定，如此有助於精確調整第二高度差HD2，亦即有助於精確調整至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之第二共振頻率差FD2。由第5G圖之結構，亦可以形成如第5D圖之實施例；其中第一高度差HD1係由第一精細調諧層23之厚度FT1所決定，如此有助於精確調整第一高度差HD1，亦即有助於精確調整第二頻率調諧結構50’之厚度T2，亦即有助於精確調整至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。其中第二高度差HD2係由第一精細調諧層23之厚度FT1、第一蝕刻終止層22之厚度ET1以及第二精細調諧層25之厚度FT2所決定，如此有助於精確調整第二高度差HD2，亦即有助於精確調整第三頻率調諧結構50”之厚度T3，亦即有助於精確調整至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之第二共振頻率差FD2。在一些實施例中，基板10係由砷化鎵所構成；犧牲磊晶層27係由砷化鎵所構成；第一蝕刻終止層22係由砷化鋁或磷化銦鎵所構成，其中第一蝕刻終止層22具有一厚度，係介於1nm以及50nm之間；第一精細調諧層 23係由砷化鎵所構成，其中第一精細調諧層23之厚度FT1係介於1nm以及300nm之間；第二蝕刻終止層24係由砷化鋁或磷化銦鎵所構成，其中第二蝕刻終止層24具有一厚度，係介於1nm以及50nm之間；第二精細調諧層25係由砷化鎵所構成，其中第二精細調諧層25之厚度FT2係介於1nm以及300nm之間。在另一些實施例中，基板10係由磷化銦所構成；犧牲磊晶層27係由砷化銦鎵所構成；第一蝕刻終止層22係由磷化銦所構成，其中第一蝕刻終止層22具有一厚度，係介於1nm以及50nm之間；第一精細調諧層23係由砷化銦鎵所構成，其中第一精細調諧層23之厚度FT1係介於1nm以及300nm之間；第二蝕刻終止層24係由磷化銦所構成，其中第二蝕刻終止層24具有一厚度，係介於1nm以及50nm之間；第二精細調諧層25係由砷化銦鎵所構成，其中第二精細調諧層25之厚度FT2係介於1nm以及300nm之間。
請參閱第5H~5K圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係為一化合物半導體基板；構成犧牲結構21之材料係為一磊晶結構。第5K圖所示之實施例係由第5E圖所示之磊晶結構所形成。形成第5K圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第3G圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中係形成至少一第一體聲波共振器1、至少一第二體聲波共振器1’以及至少一第三體聲波共振器1”於基板10之上；其中步驟C1包括以下步驟：步驟C11：(如第5E圖所示)形成一犧牲結構21於基板10之上，其中犧牲結構21包括一犧牲磊晶層27、一第二蝕刻終止層24、一第二精細調諧層25、一第一蝕刻終止層22以及一第一精細調諧層23。其中犧牲磊晶層27係形成於基板10之上，第二蝕刻終止層24係形成於犧牲磊晶層27 之上，第二精細調諧層25係形成於第二蝕刻終止層24之上，第一蝕刻終止層22係形成於第二精細調諧層25之上，第一精細調諧層23係形成於第一蝕刻終止層22之上；以及步驟C12：(如第5F圖所示)蝕刻犧牲結構21以形成複數個犧牲結構台面，其中複數個犧牲結構台面具有相同之高度，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”。經由步驟C2以及步驟C3，形成如第5H圖之結構。其中步驟C4：(如第5I圖所示)蝕刻至少一第二犧牲結構台面6’之第一精細調諧層23，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有第一高度差HD1；蝕刻至少一第三犧牲結構台面6”之第一精細調諧層23、第一蝕刻終止層22以及第二精細調諧層25，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第三犧牲結構台面6”具有第二高度差HD2。其中第一精細調諧層23具有一厚度FT1，第一蝕刻終止層22具有一厚度ET1，第二精細調諧層25具有一厚度FT2。其中於步驟C5：形成複數個體聲波共振結構，其中複數個體聲波共振結構包括至少一第一體聲波共振結構3、至少一第二體聲波共振結構3’以及至少一第三體聲波共振結構3”；其中步驟C5包括以下步驟：步驟C51、步驟C52、步驟C53、步驟C54以及步驟C55。經由步驟C51以及步驟C52，形成如第5J圖之結構，其中第二次研磨層51係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”未露出，藉此位於拋光表面41(延伸平面43)之下且分別相對應於至少一第一體聲波共振結構3、至少一第二體聲波共振結構3’以及至少一第一體聲波共振結構3”之第二次研磨層51分別形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50、至少一第二體聲波共 振結構3’之一第二頻率調諧結構50’以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第三頻率調諧結構50”。其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係相對應於第一高度差HD1，且第一厚度差TD1係等於第一高度差HD1。其中第一頻率調諧結構50以及第三頻率調諧結構50”具有一第二厚度差TD2，第二厚度差TD2係相對應於第二高度差HD2，且第二厚度差TD2係等於第二高度差HD2。再經由步驟C53、步驟C54、步驟C55以及步驟C6形成如第5K圖之結構，其中複數個空腔包括至少一第一空腔40、至少一第二空腔40’以及至少一第三空腔40”。其中至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’具有一第一共振頻率差FD1，第一共振頻率差FD1係相對應於第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’之第一厚度差TD1，亦即相對應於第一高度差HD1；從而藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。其中至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”具有一第二共振頻率差FD2，第二共振頻率差FD2係相對應於第一頻率調諧結構50以及第三頻率調諧結構50”之第二厚度差TD2，亦即相對應於第二高度差HD2；從而藉由調整第二高度差HD2，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之第二共振頻率差FD2。其中構成第二次研磨層51之材料係為絕緣體。
請參閱第5L、5M圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係為一化合物半導體基板；構成犧牲結構21之材料係為 一磊晶結構。形成第5M圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第5K圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中在步驟C52當中，第二次研磨層51係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6露出，且至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”未露出(如第5L圖所示)，藉此位於拋光表面41(延伸平面43)之下且相對應於至少一第二體聲波共振結構3’之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’；位於拋光表面41之下且相對應於至少一第三體聲波共振結構3”之第二次研磨層51形成至少一第三體聲波共振結構3”之一第三頻率調諧結構50”。如第5L圖所示，其中第二頻率調諧結構50’具有一厚度T2，第二頻率調諧結構50’之厚度T2係相對應於第一高度差HD1，且厚度T2係等於第一高度差HD1；其中第三頻率調諧結構50”具有一厚度T3，第三頻率調諧結構50”之厚度T3係相對應於第二高度差HD2，且厚度T3係等於第二高度差HD2。在此實施例中，並無第5K圖所示之實施例中之第一頻率調諧結構50。因此，至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1，係與第二頻率調諧結構50’之厚度T2相關，亦即與至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’之第一高度差HD1相關。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1；且至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之第二共振頻率差FD2，係與第三頻率調諧結構50”之厚度T3相關，亦即與至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第三犧牲結構台面6”之第二高度差HD2相關。藉由調整第二高度差HD2，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體 聲波共振結構3”之第二共振頻率差FD2。在此實施例中，構成第二次研磨層51之材料係可包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體。
請參閱第5N、5O圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係為一化合物半導體基板；構成犧牲結構21之材料係為一磊晶結構。形成第5O圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第5K圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟C5當中，複數個體聲波共振結構係形成於一延伸平面43之上，其中延伸平面43係與預先拋光表面42相重合，其中步驟C5包括以下步驟：步驟C51’：形成一第二次研磨層51於複數個犧牲結構台面以及絕緣層11之上，其中構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬以及合金；在一較佳之實施例中，構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：釕、鈦、鉬、鉑、金、鋁以及鎢；步驟C52’：(如第5J圖所示)以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層51以形成一拋光表面41，使得複數個犧牲結構台面未露出；步驟C53’：(如第5N圖所示)圖形化第二次研磨層51；步驟C54’：形成一壓電層31於拋光表面41之上；以及步驟C55’：形成一頂電極層32於壓電層31之上。於步驟C6蝕刻去除複數個犧牲結構台面之後，即形成如第5O圖所示之實施例。其中於步驟C4當中，至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”被蝕刻；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且相對應於至少一第一體聲波共振結構3之第二次研磨層51形成至少一第一體聲波共振結構3之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且相對應於至少一第二 體聲波共振結構3’之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之下且相對應於至少一第二體聲波共振結構3’之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’，其中第二頻率調諧結構50’具有一厚度T2，第二頻率調諧結構50’之厚度T2係相對應於第一高度差HD1；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且相對應於至少一第三體聲波共振結構3”之第二次研磨層51形成至少一第三體聲波共振結構3”之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之下且相對應於至少一第三體聲波共振結構3”之第二次研磨層51形成至少一第三體聲波共振結構3”之一第三頻率調諧結構50”，其中第三頻率調諧結構50”具有一厚度T3，第三頻率調諧結構50”之厚度T3係相對應於第二高度差HD2。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1；藉由調整第二高度差HD2，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之第二共振頻率差FD2。
請參閱第5P圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之剖面示意圖。形成第5P圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第5K圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中步驟C5包括以下步驟：步驟C51”：形成一第二次研磨層51於複數個犧牲結構台面以及絕緣層11之上，其中基板10係為一化合物半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係為一磊晶結構；其中構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體； 步驟C52”：(如第5J圖所示)以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層51以形成一拋光表面41，使得至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”未露出；步驟C53”：(如第5N圖所示)圖形化第二次研磨層51；步驟C54”：形成一底電極層30於拋光表面41(延伸平面43)之上；步驟C55”：形成一壓電層31於底電極層30之上；以及步驟C56”：形成一頂電極層32於壓電層31之上。經步驟C6而形成如第5P圖所示之實施例，藉此位於拋光表面41之下且分別相對應於至少一第一體聲波共振結構3、至少一第二體聲波共振結構3’以及至少一第三體聲波共振結構3”之第二次研磨層51分別形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50、至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第三頻率調諧結構50”；其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係相對應於第一高度差HD1；其中第一頻率調諧結構50以及第三頻率調諧結構50”具有一第二厚度差TD2，第二厚度差TD2係相對應於第二高度差HD2。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。藉由調整第二高度差HD2，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第二共振頻率差FD2。
前述第5K圖、第5M圖、第5O圖以及第5P圖等實施例，亦可由如第5A圖之結構所形成(其中基板10係為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構)。
請參閱第6A~6C圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。其中第6A圖之結構係與第3B圖所示之結構大致相同，惟，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”。形成第6C圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第4D圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中係形成至少一第一體聲波共振器1、至少一第二體聲波共振器1’以及至少一第三體聲波共振器1”；其中於步驟C1當中，複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”；其中於步驟C4當中，至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”被蝕刻，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有一第一高度差HD1，至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第三犧牲結構台面6”具有一第二高度差HD2；其中於步驟C5當中，複數個體聲波共振結構包括至少一第一體聲波共振結構3、至少一第二體聲波共振結構3’以及至少一第三體聲波共振結構3”，至少一第一體聲波共振結構3、至少一第二體聲波共振結構3’以及至少一第三體聲波共振結構3”係分別相對應於至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”；於步驟C52當中，第二次研磨層51係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”未露出，藉此位於拋光表面41 (延伸平面43)之下且分別相對應於至少一第一體聲波共振結構3、至少一第二體聲波共振結構3’以及至少一第一體聲波共振結構3”之第二次研磨層51係分別形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50、至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第三頻率調諧結構50”；其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係相對應於第一高度差HD1；其中第一頻率調諧結構50以及第三頻率調諧結構50”具有一第二厚度差TD2，第二厚度差TD2係相對應於第二高度差HD2。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。藉由調整第二高度差HD2，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第二共振頻率差FD2。其中構成第二次研磨層51之材料係為絕緣體。
請參閱第6D圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第6D圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第6C圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟C52當中，第二次研磨層51係被研磨至至少使得拋光表面41(延伸平面43)係與預先拋光表面42重合或使得拋光表面41低於預先拋光表面42，且其中至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”未露出。在此實施例中，構成第二次研磨層51之材料係可包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體。
請參閱第6E圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第6E圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第6C圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟C5當中，複數個體聲波共振結構係形成於一延伸平面43之上，其中延伸平面43係與預先拋光表面42相重合，其中步驟C5包括以下步驟：步驟C51’：形成一第二次研磨層51於複數個犧牲結構台面以及絕緣層11之上，其中構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬以及合金；在一較佳之實施例中，構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：釕、鈦、鉬、鉑、金、鋁以及鎢；步驟C52’：以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層51以形成一拋光表面41，使得複數個犧牲結構台面未露出；步驟C53’：圖形化第二次研磨層51；步驟C54’：形成一壓電層31於拋光表面41之上；以及步驟C55’：形成一頂電極層32於壓電層31之上。於步驟C6蝕刻去除複數個犧牲結構台面之後，即形成如第6E圖所示之實施例。其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且相對應於至少一第一體聲波共振結構3之第二次研磨層51形成至少一第一體聲波共振結構3之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之下且相對應於至少一第一體聲波共振結構3之第二次研磨層51形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且相對應於至少一第二體聲波共振結構3’之第二次研磨層51形成至少一第二體聲 波共振結構3’之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之下且相對應於至少一第二體聲波共振結構3’之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’，其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係相對應於第一高度差HD1；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且相對應於至少一第三體聲波共振結構3”之第二次研磨層51形成至少一第三體聲波共振結構3”之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之下且相對應於至少一第三體聲波共振結構3”之第二次研磨層51形成至少一第三體聲波共振結構3”之一第三頻率調諧結構50”，其中第一頻率調諧結構50以及第三頻率調諧結構50”具有一第二厚度差TD2，第二厚度差TD2係相對應於第二高度差HD2。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。藉由調整第二高度差HD2，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第二共振頻率差FD2。
請參閱第6F圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之剖面示意圖。形成第6F圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第6C圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中步驟C5包括以下步驟：步驟C51”：形成一第二次研磨層51於複數個犧牲結構台面以及絕緣層11之上，其中基板10係為一化合物半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係為一磊晶結構；其中構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體； 步驟C52”：以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層51以形成一拋光表面41，使得至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”未露出；步驟C53”：圖形化第二次研磨層51；步驟C54”：形成一底電極層30於拋光表面41(延伸平面43)之上；步驟C55”：形成一壓電層31於底電極層30之上；以及步驟C56”：形成一頂電極層32於壓電層31之上。經步驟C6而形成如第6F圖所示之實施例，藉此位於拋光表面41之下且分別相對應於至少一第一體聲波共振結構3、至少一第二體聲波共振結構3’以及至少一第三體聲波共振結構3”之第二次研磨層51分別形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50、至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第三頻率調諧結構50”；其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係相對應於第一高度差HD1；其中第一頻率調諧結構50以及第三頻率調諧結構50”具有一第二厚度差TD2，第二厚度差TD2係相對應於第二高度差HD2。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。藉由調整第二高度差HD2，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第二共振頻率差FD2。
前述第6C圖、第6D圖、第6E圖以及第6F圖等實施例，亦可由如第5E圖之磊晶結構所形成，其中基板10係為一化合物半導體基板；構成犧牲結構21之材料係為一磊晶結構。
前述第5E圖中之犧牲結構21，可更包括一頂蝕刻終止層26 形成於第一精細調諧層23之上(圖中未顯示)，藉此可形成第6C圖、第6D圖、第6E圖以及第6F圖等實施例。其中此頂蝕刻終止層26之功能係與第4J圖中之頂蝕刻終止層26之功能相同。為避免位於接近基板10的中心之複數個犧牲結構台面之第一精細調諧層23與位於遠離基板10的中心之複數個犧牲結構台面之第一精細調諧層23被研磨成不一樣的厚度，係可藉由頂蝕刻終止層26，使得位於接近基板10的中心之複數個犧牲結構台面之第一精細調諧層23之厚度能維持等於位於遠離基板10的中心之複數個犧牲結構台面之第一精細調諧層23之厚度。
在本發明之第5C圖、第5K圖、第5P圖、第6C圖、第6D圖、第6E圖以及第6F圖之實施例中，其共通之處在於：至少一第一體聲波共振結構3之底電極層30、至少一第二體聲波共振結構3’之底電極層30以及至少一第一體聲波共振結構3”之底電極層30係皆形成於延伸平面43之上；第一頻率調諧結構50、第二頻率調諧結構50’以及第一頻率調諧結構50”係皆形成於延伸平面43之下。在本發明之第5D圖、第5M圖以及第5O圖之實施例中，其共通之處在於：至少一第一體聲波共振結構3之底電極層30、至少一第二體聲波共振結構3’之底電極層30以及至少一第一體聲波共振結構3”之底電極層30係皆形成於延伸平面43之上；第二頻率調諧結構50’以及第一頻率調諧結構50”係皆形成於延伸平面43之下。
前述第3G圖、第3I圖、第3K圖、第3L圖、第4D圖、第4F圖、第4H圖、第4I圖、第5C圖、第5D圖、第5K圖、第5M圖、第5O圖、第5P圖、第6C圖、第6D圖、第6E圖以及第6F圖之實施例，皆可如第2I圖或第2J圖之實施例般，更包括一底蝕刻終止層20，其中底蝕刻終止層20係形成於基板10 之上，絕緣層11係形成於底蝕刻終止層20之上，至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’亦位於底蝕刻終止層20之上。其中基板10係為一化合物半導體基板；構成複數個犧牲結構台面(犧牲結構21)之材料係為一磊晶結構。
請參閱第6G圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之局部放大剖面示意圖。第6G圖之結構係為本發明之第1F圖、第1K圖、第2F圖、第2I圖以及第5C圖之實施例之局部放大剖面示意圖。其中體聲波共振結構3之底金屬層30在邊緣處係可以較為平緩的方式緩緩變薄，體聲波共振結構3之壓電層31在底金屬層30之邊緣處也會以較為平緩的方式緩緩變薄，如此在底金屬層30之邊緣處附近之壓電層31之結晶能維持較好之狀態，不至於產生結晶裂痕或斷裂之現象。因此，第6G圖之結構中，底金屬層30在邊緣處係以較為平緩的方式緩緩變薄，係為一較佳之實施例。在本發明之其他實施例中，體聲波共振結構3(或體聲波共振結構3’、或體聲波共振結構3”)之底金屬層30之邊緣處，亦具有類似第6G圖之結構，底金屬層30係以較為平緩的方式緩緩變薄。請參閱第6H圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之局部放大剖面示意圖。第6H圖之結構係為本發明之第3L圖以及第5P圖之實施例之局部放大剖面示意圖。其中除了體聲波共振結構3之底金屬層30在邊緣處係以較為平緩的方式緩緩變薄之外，第二次研磨層51在邊緣處也以較為平緩的方式緩緩變薄。在本發明之第4I圖以及第6F圖之實施例中，第二次研磨層51在邊緣處也可以較為平緩的方式緩緩變薄。
在本發明之實施例當中，頻率調諧結構50(或頻率調諧結構 50’、或頻率調諧結構50”)之厚度若太厚，會影響到體聲波共振結構3(或體聲波共振結構3’、或體聲波共振結構3”)之共振膜態，因此頻率調諧結構50(或頻率調諧結構50’、或頻率調諧結構50”)之厚度需小於1000nm。在一些較佳之實施例中，頻率調諧結構50(或頻率調諧結構50’、或頻率調諧結構50”)之厚度係等於或小於300nm。
以上所述乃是本發明之具體實施例及所運用之技術手段，根據本文的揭露或教導可衍生推導出許多的變更與修正，仍可視為本發明之構想所作之等效改變，其所產生之作用仍未超出說明書及圖式所涵蓋之實質精神，均應視為在本發明之技術範疇之內，合先陳明。
綜上所述，依上文所揭示之內容，本發明確可達到發明之預期目的，提供一種，極具產業上利用之價植，爰依法提出發明專利申請。
1‧‧‧第一體聲波共振器
1’‧‧‧第二體聲波共振器
10‧‧‧基板
11‧‧‧絕緣層
3‧‧‧第一體聲波共振結構
3’‧‧‧第二體聲波共振結構
30‧‧‧底電極層
31‧‧‧壓電層
32‧‧‧頂電極層
40‧‧‧第一空腔
40’‧‧‧第二空腔
41‧‧‧拋光表面
43‧‧‧延伸平面
50‧‧‧第一頻率調諧結構
50’‧‧‧第二頻率調諧結構
TD1‧‧‧第一厚度差

Claims (23)

  1. 一種形成體聲波共振器之空腔之方法，包括以下步驟：步驟A1：形成一犧牲磊晶結構台面於一化合物半導體基板之上；步驟A2：形成一絕緣層於該犧牲磊晶結構台面以及該化合物半導體基板之上；步驟A3：以一化學機械平坦化製程研磨該絕緣層以形成一拋光表面；步驟A4：形成一體聲波共振結構於該拋光表面之上，其中該體聲波共振結構係相對應於該犧牲磊晶結構台面，其中該步驟A4包括以下步驟：步驟A41：形成一底電極層於該拋光表面之上；步驟A42：形成一壓電層於該底電極層之上；以及步驟A43：形成一頂電極層於該壓電層之上；以及步驟A5：蝕刻該犧牲磊晶結構台面以形成一空腔，其中該空腔係相對應於該體聲波共振結構，其中於該步驟A3當中，該絕緣層係被研磨至使得該犧牲磊晶結構台面未露出，其中介於該底電極層以及該犧牲磊晶結構台面之間之該絕緣層形成一頻率調諧結構，其中該頻率調諧結構具有一厚度，該體聲波共振結構具有一共振頻率，從而藉由調整該頻率調諧結構之該厚度，係可調諧該體聲波共振結構之該共振頻率。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之形成體聲波共振器之空腔之方法，更包括一形成一底蝕刻終止層於該化合物半導體基板之上之步驟，其中該犧牲磊晶結構台面係形成於該底蝕刻終止層之上；其中該犧牲磊晶結構台面包括一犧牲磊晶層。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之形成體聲波共振器之空腔之方法，其中 (1)該化合物半導體基板係由砷化鎵所構成；該犧牲磊晶層係由砷化鎵所構成；該底蝕刻終止層係由磷化銦鎵所構成；或(2)該化合物半導體基板係由磷化銦所構成；該犧牲磊晶層係由砷化銦鎵所構成；該底蝕刻終止層係由磷化銦所構成。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之形成體聲波共振器之空腔之方法，其中該犧牲磊晶層具有一厚度，該犧牲磊晶層之該厚度係介於50nm以及5000nm之間；其中該底蝕刻終止層具有一厚度，該底蝕刻終止層之該厚度係介於20nm以及500nm之間。
  5. 一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法，包括以下步驟：步驟B1：形成複數個犧牲結構台面於一基板之上，其中該複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面以及至少一第二犧牲結構台面，其中該至少一第一犧牲結構台面之一高度係大於該至少一第二犧牲結構台面之一高度，其中該至少一第一犧牲結構台面以及該至少一第二犧牲結構台面係具有一第一高度差；步驟B2：形成一絕緣層於該複數個犧牲結構台面以及該基板之上；步驟B3：以一化學機械平坦化製程研磨該絕緣層以形成一拋光表面；步驟B4：形成複數個體聲波共振結構於該拋光表面之上，其中該複數個體聲波共振結構包括至少一第一體聲波共振結構以及至少一第二體聲波共振結構，該至少一第一體聲波共振結構以及該至少一第二體聲波共振結構係分別相對應於該至少一第一犧牲結構台面以及該至少一第二犧牲結構台面，其中該步驟B4包括以下步驟：步驟B41：形成一底電極層於該拋光表面之上； 步驟B42：形成一壓電層於該底電極層之上；以及步驟B43：形成一頂電極層於該壓電層之上；以及步驟B5：蝕刻該複數個犧性結構台面以形成複數個空腔，其中該複數個空腔係分別相對應於該複數個體聲波共振結構；其中於該步驟B3當中，該絕緣層係被研磨至使得(1)該至少一第一犧牲結構台面露出且該至少一第二犧牲結構台面未露出，藉此位於該拋光表面之下且相對應於該至少一第二體聲波共振結構之該絕緣層形成該至少一第二體聲波共振結構之一第二頻率調諧結構，其中該第二頻率調諧結構具有一厚度，該第二頻率調諧結構之該厚度係相對應於該第一高度差；或(2)該至少一第一犧牲結構台面以及該至少一第二犧牲結構台面未露出，藉此位於該拋光表面之下且相對應於該至少一第一體聲波共振結構以及該至少一第二體聲波共振結構之該絕緣層分別形成該至少一第一體聲波共振結構之一第一頻率調諧結構以及該至少一第二體聲波共振結構之一第二頻率調諧結構，其中該第一頻率調諧結構以及該第二頻率調諧結構具有一第一厚度差，該第一厚度差係相對應於該第一高度差；其中該至少一第一體聲波共振結構以及該至少一第二體聲波共振結構具有一第一共振頻率差，該第一共振頻率差係相對應於該第一高度差，從而藉由調整該第一高度差，係可調諧該至少一第一體聲波共振結構以及該至少一第二體聲波共振結構之該第一共振頻率差。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法，其中該基板係為一半導體基板；其中構成該複數個犧牲結構台面 之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法，其中該基板係為一化合物半導體基板，其中該步驟B1包括以下步驟：步驟B11：形成一犧牲結構於該基板之上，其中該犧牲結構包括一犧牲磊晶層；步驟B12：蝕刻該犧牲結構以形成該複數個犧牲結構台面，使得該複數個犧牲結構台面具有相同之高度；以及步驟B13：蝕刻該至少一第一犧牲結構台面以及該至少一第二犧牲結構台面或蝕刻該至少一第二犧牲結構台面，使得該至少一第一犧牲結構台面以及該至少一第二犧性結構台面具有該第一高度差。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法，其中該犧牲結構更包括一第一蝕刻終止層以及一第一精細調諧層，其中該犧性磊晶層係形成於該基板之上，該第一蝕刻終止層係形成於該犧牲磊晶層之上，該第一精細調諧層係形成於該第一蝕刻終止層之上，其中該第一精細調諧層具有一厚度；其中於該步驟B13當中，該至少一第二犧牲結構台面之該第一精細調諧層被蝕刻，使得該至少一第一犧牲結構台面以及該至少一第二犧牲結構台面係具有該第一高度差，從而該第一高度差係由該第一精細調諧層之該厚度所決定。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法，其中(1)該基板係由砷化鎵所構成；該犧牲磊晶層係由砷化鎵所構成；該第一蝕刻終止層係由砷化鋁或磷化銦鎵所構成；該第一精細調諧 層係由砷化鎵所構成；或(2)該基板係由磷化銦所構成；該犧牲磊晶層係由砷化銦鎵所構成；該第一蝕刻終止層係由磷化銦所構成；該第一精細調諧層係由砷化銦鎵所構成。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法，其中該第一精細調諧層之該厚度係介於1nm以及300nm之間；其中該第一蝕刻終止層具有一厚度，該第一蝕刻終止層之該厚度係介於1nm以及50nm之間。
  11. 如申請專利範圍第7項所述之用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法，更包括一形成一底蝕刻終止層於該基板之上之步驟，其中該犧牲結構係形成於該底蝕刻終止層之上；其中該犧牲磊晶層具有一厚度，該犧牲磊晶層之該厚度係介於50nm以及5000nm之間；其中該底蝕刻終止層具有一厚度，該底蝕刻終止層之該厚度係介於20nm以及500nm之間；其中(1)該基板係由砷化鎵所構成；該犧牲磊晶層係由砷化鎵所構成；該底蝕刻終止層係由磷化銦鎵所構成；或(2)該基板係由磷化銦所構成；該犧牲磊晶層係由砷化銦鎵所構成；該底蝕刻終止層係由磷化銦所構成。
  12. 一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法，包括以下步驟：步驟C1：形成複數個犧牲結構台面於一基板之上，其中該複數個犧牲結構台面具有相同之高度，其中該複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面以及至少一第二犧牲結構台面；步驟C2：形成一絕緣層於該複數個犧牲結構台面以及該基板之上；步驟C3：以一預先化學機械平坦化製程研磨該絕緣層以形成一預先拋光表面，使得該複數個犧牲結構台面露出； 步驟C4：蝕刻該至少一第一犧牲結構台面以及該至少一第二犧牲結構台面或蝕刻該至少一第二犧性結構台面，使得該至少一第一犧牲結構台面以及該至少一第二犧牲結構台面具有一第一高度差，其中該至少一第一犧牲結構台面之一高度係大於該至少一第二犧牲結構台面之一高度；步驟C5：形成複數個體聲波共振結構，其中該複數個體聲波共振結構包括至少一第一體聲波共振結構以及至少一第二體聲波共振結構，該至少一第一體聲波共振結構以及該至少一第二體聲波共振結構係分別相對應於該至少一第一犧牲結構台面以及該至少一第二犧牲結構台面，其中(a)該步驟C5包括以下步驟：步驟C51：形成一第二次研磨層於該複數個犧牲結構台面以及該絕緣層之上，其中構成該第二次研磨層之材料係為絕緣體；步驟C52：以一化學機械平坦化製程研磨該第二次研磨層以形成一拋光表面，使得(1)該至少一第一犧牲結構台面露出且該至少一第二犧牲結構台面未露出，藉此位於該拋光表面之下且相對應於該至少一第二體聲波共振結構之該第二次研磨層形成該至少一第二體聲波共振結構之一第二頻率調諧結構，其中該第二頻率調諧結構具有一厚度，該第二頻率調諧結構之該厚度係相對應於該第一高度差；或(2)該至少一第一犧牲結構台面以及該至少一第二犧牲結構台面未露出，藉此位於該拋光表面之下且分別相對應於該至少一第一體聲波共振結構以及該至少一第二體聲波共振結構之該第二次研磨層分別形成該至少一第一體聲波共振結構之一 第一頻率調諧結構以及該至少一第二體聲波共振結構之一第二頻率調諧結構，其中該第一頻率調諧結構以及該第二頻率調諧結構具有一第一厚度差，該第一厚度差係相對應於該第一高度差；步驟C53：形成一底電極層於該拋光表面之上；步驟C54：形成一壓電層於該底電極層之上；以及步驟C55：形成一頂電極層於該壓電層之上；或(b)一延伸平面係與該預先拋光表面相重合，其中該步驟C5包括以下步驟：步驟C51’：形成一第二次研磨層於該複數個犧牲結構台面以及該絕緣層之上，其中構成該第二次研磨層之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬以及合金；步驟C52’：以一化學機械平坦化製程研磨該第二次研磨層以形成一拋光表面，使得該複數個犧牲結構台面未露出；步驟C53’：圖形化該第二次研磨層，其中(1)於該步驟C4當中，該至少一第二犧牲結構台面被蝕刻；其中位於該延伸平面之上、該拋光表面之下、且相對應於該至少一第一體聲波共振結構之該第二次研磨層形成該至少一第一體聲波共振結構之一底電極層；其中位於該延伸平面之上、該拋光表面之下、且相對應於該至少一第二體聲波共振結構之該第二次研磨層形成該至少一第二體聲波共振結構之一底電極層；其中位於該延伸平面之下且相對應於該至少一第二體聲波共振結構之該第二次研磨層形成該至少一第二體聲波共振結構之一第二頻率調諧結構，其中該第二頻率調諧 結構具有一厚度，該第二頻率調諧結構之該厚度係相對應於該第一高度差；或(2)於該步驟C4當中，該至少一第一犧牲結構台面以及該至少一第二犧牲結構台面被蝕刻；其中位於該延伸平面之上、該拋光表面之下、且相對應於該至少一第一體聲波共振結構之該第二次研磨層形成該至少一第一體聲波共振結構之一底電極層；其中位於該延伸平面之下且相對應於該至少一第一體聲波共振結構之該第二次研磨層形成該至少一第一體聲波共振結構之一第一頻率調諧結構；其中位於該延伸平面之上、該拋光表面之下、且相對應於該至少一第二體聲波共振結構之該第二次研磨層形成該至少一第二體聲波共振結構之一底電極層；其中位於該延伸平面之下且相對應於該至少一第二體聲波共振結構之該第二次研磨層形成該至少一第二體聲波共振結構之一第二頻率調諧結構；其中該第一頻率調諧結構以及該第二頻率調諧結構具有一第一厚度差，該第一厚度差係相對應於該第一高度差；步驟C54’：形成一壓電層於該拋光表面之上；以及步驟C55’：形成一頂電極層於該壓電層之上；或(c)該步驟C5包括以下步驟：步驟C51”：形成一第二次研磨層於該複數個犧牲結構台面以及該絕緣層之上，其中構成該第二次研磨層之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體；步驟C52”：以一化學機械平坦化製程研磨該第二次研磨層以形成一拋光表面，使得(1)該至少一第一犧牲結構台面露出且該至 少一第二犧牲結構台面未露出，藉此位於該拋光表面之下且相對應於該至少一第二體聲波共振結構之該第二次研磨層形成該至少一第二體聲波共振結構之一第二頻率調諧結構，其中該第二頻率調諧結構具有一厚度，該第二頻率調諧結構之該厚度係相對應於該第一高度差；或(2)該至少一第一犧牲結構台面以及該至少一第二犧牲結構台面未露出，藉此位於該拋光表面之下且分別相對應於該至少一第一體聲波共振結構以及該至少一第二體聲波共振結構之該第二次研磨層分別形成該至少一第一體聲波共振結構之一第一頻率調諧結構以及該至少一第二體聲波共振結構之一第二頻率調諧結構，其中該第一頻率調諧結構以及該第二頻率調諧結構具有一第一厚度差，該第一厚度差係相對應於該第一高度差；步驟C53”：圖形化該第二次研磨層；步驟C54”：形成一底電極層於該拋光表面之上；步驟C55”：形成一壓電層於該底電極層之上；以及步驟C56”：形成一頂電極層於該壓電層之上；以及步驟C6：蝕刻該複數個犧牲結構台面以形成複數個空腔，其中該複數個空腔係分別相對應於該複數個體聲波共振結構；其中該至少一第一體聲波共振結構以及該至少一第二體聲波共振結構具有一第一共振頻率差，該第一共振頻率差係相對應於該第一高度差；從而藉由調整該第一高度差，係可調諧該至少一第一體聲波共振結構以及該至少一第二體聲波共振結構之該第一共振頻率差。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振 器之方法，其中該基板係為一半導體基板；其中構成該複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法，其中該基板係為一化合物半導體基板；其中該步驟C1包括以下步驟：步驟C11：形成一犧牲結構於該基板之上，其中該犧牲結構包括一犧牲磊晶層；以及步驟C12：蝕刻該犧牲結構以形成該複數個犧牲結構台面，其中該複數個犧牲結構台面具有相同之高度。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法，其中(1)該犧牲結構更包括一第一蝕刻終止層以及一第一精細調諧層，其中該犧牲磊晶層係形成於該基板之上，該第一蝕刻終止層係形成於該犧牲磊晶層之上，該第一精細調諧層係形成於該第一蝕刻終止層之上，其中該第一精細調諧層具有一厚度；其中於該步驟C4當中，該至少一第二犧牲結構台面之該第一精細調諧層被蝕刻，使得該至少一第一犧牲結構台面以及該至少一第二犧牲結構台面具有該第一高度差，從而該第一高度差係由該第一精細調諧層之該厚度所決定；或(2)該犧牲結構更包括一第一蝕刻終止層、一第一精細調諧層以及一頂蝕刻終止層，其中該犧牲磊晶層係形成於該基板之上，該第一蝕刻終止層係形成於該犧牲磊晶層之上，該第一精細調諧層係形成於該第一蝕刻終止層之上，該頂蝕刻終止層係形成於該第一精細調諧層之上，其中該第一精細調諧層具有一厚度；其中該步驟C4包括以下步驟： 步驟C41：蝕刻該至少一第一犧牲結構台面以及該至少一第二犧牲結構台面之該頂蝕刻終止層；以及步驟C42：蝕刻該至少一第二犧牲結構台面之該第一精細調諧層，使得該至少一第一犧牲結構台面以及該至少一第二犧牲結構台面具有該第一高度差，從而該第一高度差係由該第一精細調諧層之該厚度所決定。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法，其中(1)該基板係由砷化鎵所構成；該犧牲磊晶層係由砷化鎵所構成；該第一蝕刻終止層係由砷化鋁或磷化銦鎵所構成；該第一精細調諧層係由砷化鎵所構成；該頂蝕刻終止層係由磷化銦鎵所構成；或(2)該基板係由磷化銦所構成；該犧牲磊晶層係由砷化銦鎵所構成；該第一蝕刻終止層係由磷化銦所構成；該第一精細調諧層係由砷化銦鎵所構成；該頂蝕刻終止層係由磷化銦所構成。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法，其中該第一精細調諧層之該厚度係介於1nm以及300nm之間；其中該第一蝕刻終止層具有一厚度，該第一蝕刻終止層之該厚度係介於1nm以及50nm之間；其中該頂蝕刻終止層具有一厚度，該頂蝕刻終止層之該厚度係介於50nm以及300nm之間。
  18. 如申請專利範圍第14項所述之用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法，更包括一形成一底蝕刻終止層於該基板之上之步驟，其中該犧牲結構係形成於該底蝕刻終止層之上；其中該犧牲磊晶層具有一厚度，該犧牲磊晶層之該厚度係介於50nm以及5000nm之間；其中該底蝕刻終止層具 有一厚度，該底蝕刻終止層之該厚度係介於20nm以及500nm之間；其中(1)該基板係由砷化鎵所構成；該犧牲磊晶層係由砷化鎵所構成；該底蝕刻終止層係由磷化銦鎵所構成；或(2)該基板係由磷化銦所構成；該犧牲磊晶層係由砷化銦鎵所構成；該底蝕刻終止層係由磷化銦所構成。
  19. 如申請專利範圍第12項所述之用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法，其中於該步驟C51’當中，其中構成該第二次研磨層之材料係包括選自以下群組之至少一者：釕、鈦、鉬、鉑、金、鋁以及鎢。
  20. 一種體聲波濾波器，包括：一絕緣層，係形成於一基板之上，其中該絕緣層具有複數個空腔；複數個體聲波共振結構，該複數個體聲波共振結構係分別相對應於該複數個空腔，其中該複數個體聲波共振結構包括一第一體聲波共振結構以及一第二體聲波共振結構，該複數個空腔包括一第一空腔以及一第二空腔，該第一體聲波共振結構以及該第二體聲波共振結構係分別對應於該第一空腔以及該第二空腔，其中該第一體聲波共振結構以及該第二體聲波共振結構具有一第一共振頻率差，其中每一該複數個體聲波共振結構包括：一底電極層，係形成於一延伸平面之上；一壓電層，係形成於該底電極層之上；以及一頂電極層，係形成於該壓電層之上；以及一可調諧頻率結構，其中該可調諧頻率結構之構形為以下結構A、結構B以及結構C之其中之一：結構A：該絕緣層具有經拋光之一上表面，該延伸平面係與該絕緣 層之該上表面相重合；其中該第二體聲波共振結構具有一第二頻率調諧結構，該第二頻率調諧結構係形成於該延伸平面之下介於該第二體聲波共振結構之該底電極層以及該第二空腔之間，其中該第二頻率調諧結構具有一厚度，該厚度係相對應於該第一體聲波共振結構以及該第二體聲波共振結構之該第一共振頻率差；結構B：該絕緣層具有經拋光之一上表面，該延伸平面係與該絕緣層之該上表面相重合；其中該第一體聲波共振結構以及該第二體聲波共振結構分別具有一第一頻率調諧結構以及一第二頻率調諧結構，其中該第一頻率調諧結構係形成於該延伸平面之下介於該第一體聲波共振結構之該底電極層以及該第一空腔之間，該第二頻率調諧結構係形成於該延伸平面之下介於該第二體聲波共振結構之該底電極層以及該第二空腔之間，其中該第一頻率調諧結構以及該第二頻率調諧結構具有一第一厚度差，該第一厚度差係相對應於該第一體聲波共振結構以及該第二體聲波共振結構之該第一共振頻率差；以及結構C：一第二次研磨層係形成於該絕緣層以及該複數個空腔之上，其中該第二次研磨層具有經拋光之一上表面，該延伸平面係與該第二次研磨層之該上表面相重合；其中於該延伸平面之下介於該第一體聲波共振結構之該底電極層以及該第一空腔之間之該第二次研磨層形成該第一體聲波共振結構之一第一頻率調諧結構，其中於該延伸平面之下介於該第二體聲波共振結構之該底電極層以及該第二空腔之間之該第二次研磨層形成該第二體聲波共振結構之一第二頻率調諧結構，其中該第一頻率調諧結構以及該第二頻率調諧結構具有一第一厚 度差，該第一厚度差係相對應於該第一體聲波共振結構以及該第二體聲波共振結構之該第一共振頻率差。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之體聲波濾波器，其中該基板係為一半導體基板。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之體聲波濾波器，其中構成該第一頻率調諧結構之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體；其中構成該第二頻率調諧結構之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體。
  23. 如申請專利範圍第20項所述之體聲波濾波器，其中該第一頻率調諧結構以及該第一體聲波共振結構之該底電極層係由相同之材料所構成；其中該第二頻率調諧結構以及該第二體聲波共振結構之該底電極層係由相同之材料所構成。
TW106100073A 2017-01-03 2017-01-03 體聲波濾波器及調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法 TWI611604B (zh)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW106100073A TWI611604B (zh) 2017-01-03 2017-01-03 體聲波濾波器及調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法
US15/477,758 US10594286B2 (en) 2017-01-03 2017-04-03 Bulk acoustic wave filter and a method of frequency tuning for bulk acoustic wave resonator of bulk acoustic wave filter
JP2017092404A JP6533250B2 (ja) 2017-01-03 2017-05-08 バルク音響波フィルターと、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法
US15/684,347 US10608608B2 (en) 2017-01-03 2017-08-23 Method for fabricating bulk acoustic wave resonator with mass adjustment structure
JP2017214458A JP6545772B2 (ja) 2017-01-03 2017-11-07 質量調整構造付きバルク音響波共振装置の製造方法
CN201810002610.3A CN108270414B (zh) 2017-01-03 2018-01-02 具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法
US16/779,982 US11070185B2 (en) 2017-01-03 2020-02-03 Bulk acoustic wave filter and a method of frequency tuning for bulk acoustic wave resonator of bulk acoustic wave filter
US16/780,007 US11502661B2 (en) 2017-01-03 2020-02-03 Method for fabricating bulk acoustic wave resonator with mass adjustment structure
US17/331,330 US11637538B2 (en) 2017-01-03 2021-05-26 Bulk acoustic wave filter and a method of frequency tuning for bulk acoustic wave resonator of bulk acoustic wave filter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW106100073A TWI611604B (zh) 2017-01-03 2017-01-03 體聲波濾波器及調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI611604B true TWI611604B (zh) 2018-01-11
TW201826579A TW201826579A (zh) 2018-07-16

Family

ID=61728615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106100073A TWI611604B (zh) 2017-01-03 2017-01-03 體聲波濾波器及調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法

Country Status (3)

Country Link
US (3) US10594286B2 (zh)
JP (1) JP6533250B2 (zh)
TW (1) TWI611604B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10608608B2 (en) * 2017-01-03 2020-03-31 Win Semiconductors Corp. Method for fabricating bulk acoustic wave resonator with mass adjustment structure
CN111010100A (zh) * 2019-03-02 2020-04-14 天津大学 压电层带凹陷结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备
US20200350889A1 (en) * 2019-04-30 2020-11-05 Texas Instruments Incorporated Method and structure to reduce impact of external stress and aging of a baw resonator
US11356082B2 (en) 2019-12-12 2022-06-07 Texas Instruments Incorporated Folded ramp generator
TWI838524B (zh) * 2020-05-05 2024-04-11 晶元光電股份有限公司 聲波裝置及其製造方法
US11605571B2 (en) * 2020-05-29 2023-03-14 Qualcomm Incorporated Package comprising a substrate, an integrated device, and an encapsulation layer with undercut
US20220052664A1 (en) * 2020-08-17 2022-02-17 RF360 Europe GmbH Lateral feature control for reducing coupling variation
TWI784331B (zh) * 2020-10-22 2022-11-21 台灣奈米碳素股份有限公司 製造具特定共振頻率之薄膜體聲波共振裝置的方法
US12054385B2 (en) 2021-01-29 2024-08-06 Texas Instruments Incorporated Stress isolation using three-dimensional trenches
CN114884483B (zh) * 2022-05-09 2024-01-30 上海芯波电子科技有限公司 一种saw和baw的混合层叠滤波器芯片及其制造工艺
CN116545402A (zh) * 2023-07-06 2023-08-04 广州市艾佛光通科技有限公司 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN117498828B (zh) * 2023-12-06 2024-07-23 武汉敏声新技术有限公司 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW488044B (en) * 2001-02-09 2002-05-21 Asia Pacific Microsystems Inc Bulk acoustic filter and its package
TW200411961A (en) * 2002-12-31 2004-07-01 Chung Shan Inst Of Science The integrating technique of baw resonator and IC
US20060208833A1 (en) * 2005-03-17 2006-09-21 Po-Hsun Sung Method of forming film bulk acoustic wave filter assembly
TW201216619A (en) * 2010-10-11 2012-04-16 Richwave Technology Corp Bulk acoustic wave resonator and bulk acoustic wave filter and method of fabricating bulk acoustic wave resonator
TW201625021A (zh) * 2014-12-30 2016-07-01 穩懋半導體股份有限公司 一種聲波元件改良結構暨功率放大器與聲波元件整合結構及其製造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6060818A (en) * 1998-06-02 2000-05-09 Hewlett-Packard Company SBAR structures and method of fabrication of SBAR.FBAR film processing techniques for the manufacturing of SBAR/BAR filters
US6714102B2 (en) * 2001-03-01 2004-03-30 Agilent Technologies, Inc. Method of fabricating thin film bulk acoustic resonator (FBAR) and FBAR structure embodying the method
TW520341B (en) * 2001-11-20 2003-02-11 Ind Tech Res Inst A method for manufacturing a chamber of the thin film bulk acoustic wave resonator (FBAR)
JP4625260B2 (ja) * 2004-02-04 2011-02-02 株式会社日立メディアエレクトロニクス 薄膜バルク共振子の製造方法
KR100622393B1 (ko) * 2005-07-05 2006-09-12 삼성전자주식회사 일 표면 상에 딤플이 제작된 공진부를 포함하는 벌크 음향공진기 및 그 제조방법
US7561009B2 (en) * 2005-11-30 2009-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation
JP2007221588A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器及び薄膜圧電共振器の製造方法
JP2008035119A (ja) * 2006-07-27 2008-02-14 Toshiba Corp 薄膜圧電共振子及びその製造方法
JP2008172713A (ja) * 2007-01-15 2008-07-24 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 圧電薄膜共振器および圧電薄膜共振器フィルタおよびその製造方法
JP5038740B2 (ja) * 2007-02-23 2012-10-03 パナソニック株式会社 帯域通過フィルタおよびその製造方法
JP2010074080A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザ素子の製造方法
JP2011086928A (ja) * 2009-09-17 2011-04-28 Sumitomo Chemical Co Ltd 化合物半導体結晶の製造方法、電子デバイスの製造方法、および半導体基板
JP5569537B2 (ja) * 2009-11-26 2014-08-13 株式会社村田製作所 圧電デバイスの製造方法
KR101708893B1 (ko) * 2010-09-01 2017-03-08 삼성전자주식회사 체적 음향 공진기 구조 및 제조 방법
KR101761309B1 (ko) * 2011-04-19 2017-07-25 삼성전자주식회사 ＧａＮ 박막 구조물, 그의 제조 방법, 및 그를 포함하는 반도체 소자
US8910355B2 (en) * 2011-12-12 2014-12-16 International Business Machines Corporation Method of manufacturing a film bulk acoustic resonator with a loading element
US9853626B2 (en) * 2014-03-31 2017-12-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising acoustic redistribution layers and lateral features
KR102029503B1 (ko) * 2014-12-08 2019-11-08 삼성전기주식회사 체적 음향 공진기 및 필터
US10513429B2 (en) * 2016-07-27 2019-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integration scheme for microelectromechanical systems (MEMS) devices and complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices
US10734968B2 (en) * 2016-08-26 2020-08-04 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic resonator and filter including the same
TWI632772B (zh) * 2016-10-17 2018-08-11 穩懋半導體股份有限公司 具有質量調整結構之體聲波共振器及其應用於體聲波濾波器
US10715099B2 (en) * 2016-10-28 2020-07-14 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same
US9796582B1 (en) * 2016-11-29 2017-10-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with microelectromechanical systems (MEMS) devices using a flat surface above a sacrificial layer
US10608608B2 (en) * 2017-01-03 2020-03-31 Win Semiconductors Corp. Method for fabricating bulk acoustic wave resonator with mass adjustment structure

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW488044B (en) * 2001-02-09 2002-05-21 Asia Pacific Microsystems Inc Bulk acoustic filter and its package
TW200411961A (en) * 2002-12-31 2004-07-01 Chung Shan Inst Of Science The integrating technique of baw resonator and IC
US20060208833A1 (en) * 2005-03-17 2006-09-21 Po-Hsun Sung Method of forming film bulk acoustic wave filter assembly
TW201216619A (en) * 2010-10-11 2012-04-16 Richwave Technology Corp Bulk acoustic wave resonator and bulk acoustic wave filter and method of fabricating bulk acoustic wave resonator
TW201625021A (zh) * 2014-12-30 2016-07-01 穩懋半導體股份有限公司 一種聲波元件改良結構暨功率放大器與聲波元件整合結構及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11637538B2 (en) 2023-04-25
TW201826579A (zh) 2018-07-16
US20180191327A1 (en) 2018-07-05
US10594286B2 (en) 2020-03-17
US20210281233A1 (en) 2021-09-09
US11070185B2 (en) 2021-07-20
JP6533250B2 (ja) 2019-06-19
US20200169238A1 (en) 2020-05-28
JP2018110367A (ja) 2018-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI611604B (zh) 體聲波濾波器及調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法
US20200177148A1 (en) Method for fabricating bulk acoustic wave resonator with mass adjustment structure
CN108270414B (zh) 具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法
KR102369434B1 (ko) 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법
CN108270413B (zh) 滤波器封装元件
US11671067B2 (en) Piezoelectric acoustic resonator manufactured with piezoelectric thin film transfer process
CN108365829A (zh) 单晶压电射频谐振器和滤波器的制备方法
US11832521B2 (en) Methods of forming group III-nitride single crystal piezoelectric thin films using ordered deposition and stress neutral template layers
US20240164216A1 (en) Methods of forming group iii piezoelectric thin films via removal of portions of first sputtered material
US20230327628A1 (en) Piezoelectric acoustic resonator with dielectric protective layer manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US11646710B2 (en) Piezoelectric acoustic resonator manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US11895920B2 (en) Methods of forming group III piezoelectric thin films via removal of portions of first sputtered material
US20230011477A1 (en) Structure and manufacturing method of surface acoustic wave filter with back electrode of piezoelectric layer
CN108288960B (zh) 调谐共振器的方法、形成共振器的空腔的方法及滤波器
US11990889B2 (en) Bulk acoustic wave resonator and formation method thereof
US20190199319A1 (en) Resonator package and method of manufacturing the same
TWI656669B (zh) 一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法
CN114978093A (zh) 声波谐振器、滤波器、通信设备及其制造方法
US20240088860A1 (en) Methods of forming group iii-nitride single crystal piezoelectric thin films using ordered deposition and stress neutral template layers
US12088271B2 (en) Structure and manufacturing method of surface acoustic wave filter with back electrode of piezoelectric layer
US11146230B2 (en) Method for creating double bragg mirror for tight frequency reference control
KR20220155353A (ko) Ⅲ족-질화물 단결정 압전 박막들을 형성하는 방법들