CN111010100A - 压电层带凹陷结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，设置在基底上方；顶电极；和压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，其中：所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；所述压电层设置有凹陷结构，所述凹陷结构具有内缘与外缘，且在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述顶电极的边缘重合或者在所述顶电极的边缘的外侧。本发明还涉及一种具有上述谐振器的滤波器，以及具有上述谐振器或者滤波器的电子设备。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种压电层带凹陷结构的体声波谐振器、一种具有该谐振器的滤波器，以及一种具有该谐振器或者该滤波器的电子设备。
背景技术
近年来，基于硅材料的半导体器件、尤其是集成电路芯片取得了飞速的发展，已经牢牢占据了产业的主流地位。利用压电薄膜在厚度方向的纵向谐振所制成的薄膜体波谐振器，在无线通信系统中己成为声表面波器件和石英晶体谐振器的一个可行的替代。
如图1所示，薄膜体声波谐振器(FBAR，film bulk acoustic resonator)包括：基底P00，位于基底上或嵌入基底的声反射结构P10(可以为空腔、布拉格反射层及其他等效结构)，位于声反射结构P10和基底P00之上的底电极P20，覆盖于底电极P20和基底P00上表面的压电层薄膜P30以及位于压电层之上的顶电极P40等，其中，声反射结构P10、底电极P20、压电层P30和顶电极P40在厚度方向上的重合区域构成所述谐振器的有效声学区域AR，顶电极、压电层和底电极构成三明治结构。
当所述体声波谐振器处于理想工作状态时，只存在活塞模式声波在三明治结构中传播，并且这种振动模式的能量被限制在有效声学区域AR之内。然而，实际情况中，谐振器的三明治结构中不仅存在活塞模式的振动还存在横向传播的振动模式，后者的能量会沿横向由三明治结构中的压电层向三明治结构(AR之内的电极和压电层组成的部分)之外的压电层及其它结构发生逸散(由箭头PE所示意)，从而导致谐振器的品质因数(Q值)下降，从而使谐振器性能劣化。
发明内容
为缓解或解决现有技术中的上述问题，提出本发明。
根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极，设置在基底上方；
顶电极，具有电极连接部；和
压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，
其中：
所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；
所述压电层设置有凹陷结构，所述凹陷结构具有内缘与外缘，且在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述顶电极的边缘重合或者在所述顶电极的边缘的外侧。
可选的，在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述声学镜的边缘重合；或者，在垂直投影中，所述声学镜的边缘位于所述凹陷结构之内,或者所述凹陷结构的外缘与所述声学镜的边缘重合；或者，在垂直投影中，所述凹陷结构位于所述声学镜的边缘与所述顶电极的边缘之间，或者所述凹陷结构的内缘与所述顶电极的边缘重合。进一步可选的，在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述顶电极边缘之间的径向距离X不大于10μm。更进一步的，在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述顶电极边缘之间的径向距离X为：0μm≤X≤1μm，或者3μm≤X≤4μm,或者6μm≤X≤8μm。
可选的，所述凹陷结构设置在压电层的上侧，或下侧，或上下侧之间，或者在谐振器的厚度方向上贯穿压电层。
可选的，所述凹陷结构包括一个凹陷。所述凹陷可为阶梯凹陷。
可选的，所述凹陷结构具有至少两个凹陷，进一步的，所述至少两个凹陷在径向方向上彼此间隔开。
可选的，在垂直投影中，所述凹陷结构的外缘位于所述底电极的边缘内侧。
可选的，在垂直投影中，所述凹陷结构的外缘位于所述声学镜的边缘内侧。
可选的，所述电极连接部形成有桥部；且所述凹陷结构为环形凹陷结构。
可选的，所述凹陷结构内填充有填充材料。所述填充材料可选自如下材料：单晶硅，多晶硅，二氧化硅，氮化硅，碳化硅，掺杂氮化铝及金属氧化物。
本发明的实施例还涉及一种滤波器，包括上述的体声波谐振器。
本发明的实施例也涉及一种电子设备，包括上述的滤波器或者上述的谐振器。
附图说明
以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
图1为现有技术的体声波谐振器的剖面示意图；
图2为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的俯视示意图；
图2A为示例性说明凹陷结构的声波反射作用的示意图；
图3A至3L分别为沿图2中的A1-A2剖得的边界S1左侧部分的根据本发明的示例性实施例的局部剖视图；
图4A至4H分别为沿图2中的A1-A2剖得的边界S2右侧部分的根据本发明的示例性实施例的局部剖视图；
图5为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的结构示意图，其中凹陷结构的宽度为D1，深度为H1，凹陷结构的内缘与顶电极的边缘之间的距离为X1；
图6为示出并联谐振阻抗(Rp)随凹陷结构与顶电极的边缘之间的径向距离X1的关系图；
图7为示出并联谐振阻抗(Rp)随凹陷结构与顶电极的边缘之间的径向距离X1的关系图；
图8为体声波谐振器并联谐振频率处S1模式的色散曲线。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
下面参照附图示例性描述根据本发明的实施例的压电层带凹陷结构的体声波谐振器。
图2给出了本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的俯视示意图，如图2所示，该谐振器包括基底00，位于基底之上的底电极20，位于底电极和基底之上的压电层30，位于压电层的上表面的凹陷结构31(阴影所示的沟道部分)，位于压电层之上的顶电极40以及顶电极的引脚(即电极连接部)43。
图2中并未示出位于基底上表面的声反射结构(声学镜)和底电极的引脚。
下面参照图2A示例性说明凹陷结构的作用。如图2A所示，压电层30的上表面具有凹陷结构31，该结构在压电层中形成了B1和B2两个声阻不匹配的边界。当声波从位于B1右侧的有效声学区域(图中未示出)横向传播至B1或B2区域时，在不匹配界面会被多次反射回谐振器有效区域，在声波干涉叠加的作用下减少泄漏的声波能量，从而提高谐振器的Q值。
本发明的实施例相应提出了如下技术方案，如图2，图3A至图3L以及图4A至图4H所示：
一种体声波谐振器，包括：
基底00；
声学镜10；
底电极20，设置在基底00上方；
顶电极40，具有电极连接部43；和
压电层30，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，
其中：
所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域AR(参见图1)；
所述压电层设置有凹陷结构31，所述凹陷结构31具有内缘(凹陷结构靠近有效区域的一侧)与外缘(凹陷结构远离有效区域的一侧)，且在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述顶电极的边缘重合或者在所述顶电极的边缘的外侧。
在本发明中，当凹陷结构位于顶电极的外部或者外侧时，相较凹陷与顶电极有重叠的结构，加工工艺更为简单。(凹陷结构位于顶电极的外侧时，仅需光刻和刻蚀等步骤，可省去牺牲层填充、磨平，牺牲层释放等工艺)可减少复杂工艺对谐振器结构和性能的不利影响。
在本发明中，基底00的材料可选用但不限于：单晶硅，砷化镓，石英，蓝宝石，碳化硅等。
在本发明中，电极20和40的材料可选用但不限于：钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金。
在本发明中，压电层30的材料可选但不限于：氮化铝，氧化锌，钛锆酸铅(PZT)，铌酸锂等，可选的，还可对所述材料掺入一定比例的稀土元素杂质。
在本发明中，所述压电层为厚度小于10微米的薄膜，具有单晶或多晶微观结构，并可由溅射或沉积工艺制成。
在本发明中，声学镜10不限于示例中示出的声学镜结构。
图3A为沿图2中的A1-A2剖得的边界S1左侧部分的根据本发明的示例性实施例的局部剖视图。
图3A中的结构中，声学镜(或者声反射结构)10位于基底00的上表面，并具有左侧边界C1，顶电极40具有左侧边界T1，压电层30的上表面嵌有凹陷结构31，所述凹陷结构为矩形ABCD。需要指出的是，凹陷结构31的形状不限于此，基于实际应用或者实际制造工艺，例如可以为图3F所示的倒梯形截面。
凹陷结构31具有宽度W30和深度H30。此外，在图3A中，凹陷结构31的右侧边CD(内缘)与边界C1重合。
凹陷结构的宽度W30(参见图3A)的取值范围为0.5微米-4微米，进一步为1-3微米，除上述端点值之外，还可为2微米；或者为并联谐振频率处S1模式兰姆波波长的四分之一或其奇数倍。
凹陷结构的深度H30(参见图3A)的范围为0.02微米-0.5微米，进一步为0.1微米-0.3微米，除上述端点值之外，还可为0.2微米，或者为压电层厚度的5％-100％，进一步10％-40％，除上述端点值之外，还可为20％。
在本发明中，凹陷结构的深度为凹陷结构的最大深度；而凹陷结构的宽度为凹陷结构的顶部开口宽度。
下面简单说明谐振器并联谐振频率处S1模式兰姆波波长λ。在体声波谐振器工作时，三明治结构中会产生大量的振动，若将这些振动按照其频率(f)和波数(k)的关系绘制成色散曲线，则可获得多种模式的曲线，其中1种模式的曲线称为S1模式(其余模式的曲线未在图8中示出)，其具有图8示形状的色散曲线，其中横坐标为波数，纵坐标为振动频率。振动频率为并联谐振频率fp时，对应的波数为kp，而S1模式的波长λ定义为下式：
在图3A中，在垂直投影中，凹陷结构的内缘与声学镜的边缘重合，不过，凹陷结构也可以处于其它的位置。
如图3B所示，在垂直投影中，所述声学镜的边缘位于所述凹陷结构之内。
如图3C所示，在垂直投影中，所述凹陷结构的外缘与所述声学镜的边缘重合。
如图3D所示，在垂直投影中，所述凹陷结构位于所述声学镜的边缘与所述顶电极的边缘之间。
如图3E所示，在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述声学镜的边缘重合。
此外，如图3G所示，凹陷结构内还可以填充其他材料，填充材料可以是非金属如二氧化硅，碳化硅，氮化硅等，或金属如钛、钼、镁、铝等。
图5为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的结构示意图，其中凹陷结构的宽度为D1，深度为H1，凹陷结构的内缘与顶电极的边缘之间的径向距离为X1；图6和图7均示出并联谐振阻抗(Rp)随凹陷结构与顶电极的边缘之间的径向距离X1的关系图。
在图6中，X1变化范围为0-7微米，每次变化步进0.5微米。另外2个参数D1和H1则被固定为3组。每次X1变化时，D1和H1均保持不变，具体的，图6示出了如下三组变化数据：
(1)D1＝1.5um，H1＝1000A，并联谐振阻抗Rp1随X1的变化数据。
(2)D1＝2.5um，H1＝1000A，并联谐振阻抗Rp2随X1的变化数据。
(3)D1＝3um，H1＝1000A，并联谐振阻抗Rp3随X1的变化数据。
将上述数据与已知的无凹陷结构的谐振器的并联谐振阻抗的结果Rp0进行比较并绘图，可得到图6所示的曲线图(Rp值越高说明谐振器的Q值越高，性能越好)。由图6结果可知，具有凹陷结构的谐振器在Q值意义下的性能，在X1大多数范围内，都要高于没有凹陷结构的传统谐振器性能。并且在一些X1的取值区间内，凹陷结构可显著提高谐振器的Q值，例如在X1＝0微米处，以及X1＝3微米附近等。
基于图6，在本发明的实施例中，X1取值范围为0-10微米，进一步为X1为0-0.5微米或3-3.5微米。
在图7中，X1变化范围为0-5.5微米，每次变化步进0.5微米。另外2个参数D1和H1则被固定为3组。每次X1变化时，D1和H1均保持不变，具体的，图7示出了如下三组变化数据：
(1)D1＝1um，H1＝1000A，并联谐振阻抗Rp4随X1的变化数据。
(2)D1＝1um，H1＝2000A，并联谐振阻抗Rp5随X1的变化数据。
(3)D1＝1um，H1＝3000A，并联谐振阻抗Rp6随X1的变化数据。
将上述数据与已知的无凹陷结构的谐振器的并联谐振阻抗的结果Rp0进行比较并绘图，可得到图7所示的曲线图(Rp值越高说明谐振器的Q值越高，性能越好)。
由图7结果可知，具有凹陷结构的谐振器在Q值意义下的性能，在X1大多数范围内，都要高于没有凹陷结构的传统谐振器性能。并且在一些X1的取值区间内，凹陷结构可显著提高谐振器的Q值，例如在X1＝0微米处，以及X1＝3.5微米附近等。
基于图7，在本发明的实施例中，X1取值范围为0-5.5微米，进一步为X1为0-0.5微米，或者X1为3-4微米。
从图6和图7可以看出，X1的值对于谐振器的Q值有较大影响。
基于以上，X1的取值范围可为0μm≤X1≤0.5μm，或者3μm≤X1≤4μm。
结合以上，在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述顶电极边缘之间的径向距离X为：0μm≤X≤1μm，或者3μm≤X≤4μm,或者6μm≤X≤8μm。
需要说明的是，所述凹陷结构不限于设置在压电层的上侧(如图3B所示)，也可以设置在压电层的下侧(如图3I所示)，或上下侧之间(如图3H所示)，或者在谐振器的厚度方向上贯穿压电层(如图3J所示)。
此外，参见图3K，凹陷结构也可以为阶梯型凹陷。具体的，该凹陷结构31具有不同深度的组成部分。阶梯型凹陷不仅增加了声阻不匹配边界的数量，而且丰富了反射波长。
在图3A至3K的示例中，凹陷结构为单凹陷结构，但本发明不限于此。参见图3L，凹陷结构也可以包括至少两个凹陷。在图3L的示例中，两个凹陷31和32在径向方向上彼此间隔开一个距离W33。需要指出的是，凹陷31和32的宽度W31和W32可以相同，也可以不同；此外，两个凹陷的深度H31和H32也可以彼此不同。
图4A为沿图2中的A1-A2剖得的边界S2右侧部分的根据本发明的示例性实施例的局部剖视图。如图所示，所述电极连接部43形成有桥部(即图中拱形部)；且所述凹陷结构31为环形凹陷结构(参见图2中的环形形状)。
如图4A所示，声学镜10具有右侧边界C2，顶电极40具有右侧边界T2，顶电极具有电极连接结构(即引脚)43，电极连接结构43具有拱起的桥结构，压电层30的上表面设置有凹陷结构31。凹陷结构31的左侧边缘(凹陷结构的内缘)与边界C2重合。
在图4A中，凹陷结构的内缘与声学镜的边缘重合，不过，凹陷结构也可以处于其它的位置。
如图4B所示，所述声学镜10的边缘的垂直投影位于所述凹陷结构31之内。
如图4C所示，所述凹陷结构的外缘的垂直投影与所述声学镜的边缘重合。
如图4D所示，所述凹陷结构位于所述声学镜的边缘与所述顶电极的边缘之间。
如图4E所示，所述凹陷结构的内缘的垂直投影与所述声学镜的边缘重合。
此外，虽没有示出，所述凹陷结构的内缘可位于所述声学镜的边缘外侧。
参见图3A-图3L，在可选的实施例中，在垂直投影中，所述凹陷结构的外缘位于所述底电极的边缘内侧；或者所述凹陷结构的外缘位于所述声学镜的边缘内侧。
在本发明中，使用了“垂直投影”的表述，如附图3A所示，应理解为在与谐振器的厚度方向上进行投影，例如，在图3A中，虚线或边界C1和T1也可以认为是垂直投影线。而本发明中的“重合”则是处于同一垂直投影线上，或者基本处于同一垂直投影线上。本发明中的“边缘”则为对应部件的最外侧缘或最内侧缘。
虽然没有示出，本发明的实施例也涉及一种滤波器，包括上述的体声波谐振器。
本发明的实施例也涉及一种电子设备，包括上述的谐振器或者上述的滤波器。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (18)
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极，设置在基底上方；
顶电极，具有电极连接部；和
压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，
其中：
所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；
所述压电层设置有凹陷结构，所述凹陷结构具有内缘与外缘，且在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述顶电极的边缘重合或者在所述顶电极的边缘的外侧。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述声学镜的边缘重合；或者
在垂直投影中，所述声学镜的边缘位于所述凹陷结构之内,或者所述凹陷结构的外缘与所述声学镜的边缘重合；或者
在垂直投影中，所述凹陷结构位于所述声学镜的边缘与所述顶电极的边缘之间，或者所述凹陷结构的内缘与所述顶电极的边缘重合。
3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：
在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述顶电极边缘之间的径向距离X不大于10μm。
4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：
在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述顶电极边缘之间的径向距离X为：0μm≤X≤1μm，或者3μm≤X≤4μm,或者6μm≤X≤8μm。
5.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述凹陷结构内填充有填充材料。
6.根据权利要求5所述的谐振器，其中：
所述填充材料选自如下材料：单晶硅，多晶硅，二氧化硅，氮化硅，碳化硅，掺杂氮化铝及金属氧化物。
7.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述凹陷结构设置在压电层的上侧，或下侧，或上下侧之间，或者在谐振器的厚度方向上贯穿压电层。
8.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述凹陷结构包括一个凹陷。
9.根据权利要求8所述的谐振器，其中：
所述凹陷为阶梯凹陷。
10.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述凹陷结构具有至少两个凹陷。
11.根据权利要求10所述的谐振器，其中：
所述至少两个凹陷在径向方向上彼此间隔开。
12.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
在垂直投影中，所述凹陷结构的外缘位于所述底电极的边缘内侧。
13.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
在垂直投影中，所述凹陷结构的外缘位于所述声学镜的边缘内侧。
14.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述电极连接部形成有桥部；且
所述凹陷结构为环形凹陷结构。
15.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
凹陷结构的宽度的取值范围为0.5μm-4μm，或者为并联谐振频率处S1模式兰姆波波长的四分之一或其奇数倍；且
凹陷结构的深度范围为0.02μm-0.5μm，或为所在压电层厚度的5％-100％。
16.根据权利要求15所述的谐振器，其中：
凹陷结构的深度范围为所在压电层厚度的10％-40％。
17.一种滤波器，包括根据权利要求1-16中任一项所述的体声波谐振器。
18.一种电子设备，包括根据权利要求17所述的滤波器或者根据权利要求1-16中任一项所述的谐振器。
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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