CN209844929U - 带断裂结构体声波谐振器、滤波器和电子设备 - Google Patents
带断裂结构体声波谐振器、滤波器和电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN209844929U CN209844929U CN201821875912.3U CN201821875912U CN209844929U CN 209844929 U CN209844929 U CN 209844929U CN 201821875912 U CN201821875912 U CN 201821875912U CN 209844929 U CN209844929 U CN 209844929U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resonator
- top electrode
- fracture
- passivation layer
- piezoelectric layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 9
- 239000003570 air Substances 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003334 KNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，设置在基底上方；顶电极，与所述底电极对置，所述顶电极具有主体部以及与主体部连接的连接部；压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间；和钝化层，设置在顶电极上方，其中：声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域，所述钝化层邻近所述有效区域的边界、在所述连接部上方设置有至少一个第一断裂结构。本实用新型还涉及一种具有上述谐振器滤波器，一种具有该滤波器的电子设备。由于断裂结构的声阻抗和谐振器有效区域的声阻抗不匹配，从而在边缘处将声波反射回谐振器内，可有效阻止了谐振器内能量的泄露。
Description
技术领域
本实用新型的实施例涉及声波谐振器，尤其涉及一种体声波谐振器及其制造方法，一种具有该谐振器的滤波器，以及一种具有该滤波器的电子设备。
背景技术
随着无线通信技术的快速发展，人们对于能同步处理大量数据的多通带收发器的需求与日俱增。近年来，多通带收发器已被广泛地应用在定位系统和多标准的系统中，这些系统需要同时处理不同频段的信号以提高系统的整体性能。虽然单个芯片中频率带的个数不断增加，但消费者对小型化、多功能的便携式设备的需求越来越高，小型化成为芯片的发展趋势，这就对滤波器的尺寸提出了更高的要求。
为此，现有技术中已经采用薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，简称FBAR)取代传统的波导技术实现多频带滤波器。
FBAR主要利用压电材料的压电效应与逆压电效应产生体声波，从而在器件内形成谐振，因为FBAR具有品质因数高、功率容量大、频率高(可达2-10GHz 甚至更高)以及与标准集成电路(IC)的兼容性好等一系列的固有优势，可广泛应用于频率较高的射频应用系统中。
FBAR的结构主体为由电极-压电薄膜-电极组成的“三明治”结构，即两层金属电极层之间夹一层压电材料。通过在两电极间输入正弦信号，FBAR利用逆压电效应将输入电信号转换为机械谐振，并且再利用压电效应将机械谐振转换为电信号输出。FBAR主要利用压电薄膜的纵向压电系数(d33)产生压电效应，所以其主要工作模式为厚度方向上的纵波模式(Thickness Extensional Mode，简称TE模式)。
理想地，薄膜体声波谐振器仅激发厚度方向(TE)模，但是除了期望的TE 模式之外，还会产生横向的寄生模式，如瑞利-拉姆模是与TE模的方向相垂直的机械波。这些横向模式的波会在谐振器的边界处损失掉，从而使得谐振器所需的纵模的能量损失，最终导致谐振器Q值下降。
实用新型内容
为缓解或解决FBAR中横向模式的波所导致的谐振器Q值下降，提出本实用新型。
根据本实用新型的实施例的一个方面，提出了一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，设置在基板上方；顶电极，与所述底电极对置，所述顶电极具有主体部以及与主体部连接的连接部；压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间；和钝化层，设置在顶电极上方，其中：声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域，所述钝化层邻近所述有效区域的边界、在所述连接部上方设置有至少一个第一断裂结构。
可选的，所述连接部具有倾斜面，所述第一断裂结构设置在所述倾斜面处。进一步的，所述连接部形成桥部结构，桥部结构与压电层之间形成空气隙，所述倾斜面包括所述桥部结构的邻近所述边界的第一倾斜面以及邻近顶电极引线的第二倾斜面，所述第一断裂结构设置在所述第一倾斜面处。进一步的，所述钝化层还包括设置在所述第二倾斜面处的至少一个第二断裂结构。
可选的，所述连接部为水平的连接部。
可选的，所述顶电极在与所述连接部相对的一侧还设置有桥翼结构，所述桥翼结构具有桥翼斜面，所述桥翼结构与压电层之间形成空气隙。进一步的，所述钝化层还包括设置在所述桥翼斜面上方的至少一个第三断裂结构。
上述谐振器中，可选的，所述断裂结构的深度小于所述钝化层的厚度。进一步的，所述断裂结构的深度为所述钝化层的厚度的5％-30％。可选的，所述断裂结构的深度的取值范围为
上述谐振器中，可选的，至少部分所述断裂结构的深度等于所述钝化层的厚度。可选的，所述钝化层的厚度的取值范围为
上述谐振器中，可选的，在所述顶电极的下方或者在所述顶电极的横向外侧，邻近所述有效区域的边界在所述压电层中设置有至少一个第四断裂结构。进一步的，所述第四断裂结构的宽度为所述有效区域的横向宽度的1-10％。进一步的，所述第四断裂结构的深度为所述压电层的厚度的1-15％。可选的，所述第四断裂结构的深度的取值范围为
上述谐振器中，可选的，所述断裂结构的宽度的取值范围为0.1-10um。
上述谐振器中，可选的，所述断裂结构的截面形状为圆弧状、倾斜状、阶梯状、扇形状中的一种。
本实用新型的实施例还涉及一种滤波器，包括上述的体声波谐振器。
本实用新型的实施例还涉及一种电子设备，包括上述的滤波器。
本实用新型在谐振器有效区域的边缘形成断裂结构，由于断裂结构的声阻抗和谐振器有效区域的声阻抗不匹配，从而在边缘处将声波反射回谐振器内，有效阻止了谐振器内能量的泄露。
附图说明
以下描述与附图可以更好地帮助理解本实用新型所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
图1A和图1B分别为根据本实用新型的一个示例性实施例的体声波谐振器示意性俯视图和沿图1A中的1B-1B向的截面图；
图1C、图1D、图1E、图1F作为本实用新型的示例性实施例，分别示意性示出了断裂结构的截面形状；
图2A和图2B分别为根据本实用新型的一个示例性实施例的体声波谐振器示意性俯视图和沿图2A中的1B-1B向的截面图；
图3A和图3B分别为根据本实用新型的一个示例性实施例的体声波谐振器示意性俯视图和沿图3A中的1B-1B向的截面图；
图4A和图4B分别为根据本实用新型的一个示例性实施例的体声波谐振器示意性俯视图和沿图4A中的1B-1B向的截面图；
图5A和图5B分别为根据本实用新型的一个示例性实施例的体声波谐振器示意性俯视图和沿图5A中的1B-1B向的截面图；
图6A和图6B分别为根据本实用新型的一个示例性实施例的体声波谐振器示意性俯视图和沿图6A中的1B-1B向的截面图；
图7为根据本实用新型的一个示例性实施例的体声波谐振器的示意性截面图；
图8为根据本实用新型的一个示例性实施例的体声波谐振器的示意性截面图；
图9为基于本实用新型的一个示例性实施例的薄膜体声波谐振器的截面SEM 图；
图10为基于本实用新型的一个示例性实施例的薄膜体声波谐振器的截面 SEM图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本实用新型实施方式的说明旨在对本实用新型的总体实用新型构思进行解释，而不应当理解为对本实用新型的一种限制。
下面参照附图1-8描述根据本实用新型的实施例的体声波谐振器。
图1A为根据本实用新型的一个示例性实施例的薄膜体声波谐振器的俯视图。参见图1A，FBAR包括底电极105、压电层107、顶电极109、钝化层111以及位于顶电极109和其电极连接处台阶上方的钝化层中具有一断裂结构113。
图1B为沿着图1A中1B-1B向所取的截面图。如图1B所示，谐振器在厚度方向上依次包括基底101；声学镜103，此声学镜位于基底的上表面或嵌于基底的内部，在图1B中声学镜为嵌入基底中的空腔所构成，但是任何其它的声学镜结构如布拉格反射器也同样适用；底电极105；压电层107；顶电极109；钝化层111。
在本实用新型中，钝化层能够起到对电极保护的作用，防止材料在谐振器表面的吸附，消除或减轻由于周围空气或潮湿环境影响而导致器件的氧化、腐蚀，从而使得谐振器频率发生偏移；同时还可以通过对钝化层进行处理，能够起到对谐振器频率进行微调的作用；并且钝化层的存在可以降低对谐振器密闭封装的要求，使器件制作的成本降低。
如图1A和1B所示，位于顶电极和其电极连接处台阶上方的钝化层中具有一断裂结构113，其断裂的方式只有部分(即没有完全断开)。断裂结构113的截面形状除了为图1C中的圆弧形状外，还可以为图1D中的倾斜形状、图1E中的阶梯形状和图1F中的扇形形状等其他形状，断裂结构有固定的宽度w和深度 h。在可选的实施例中，断裂结构的深度小于钝化层的厚度，例如为钝化层厚度的5％-30％，其典型的w范围在0.1-10um，h的深度在
在本实用新型中，对于没有完全断裂的准断裂结构，w可以为0.1um、5um、 10um；h可以为
断裂结构可通过湿法刻蚀或者干法刻蚀等类似的工艺获得，通过控制湿法刻蚀的时间以及调控药液的比例来控制断裂结构的宽度和深度，或者通过控制干法刻蚀的时间、功率以及刻蚀气体的流量与比例来控制断裂结构的宽度和深度。
声学镜103、底电极105、压电层107、顶电极109在厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域，具有第一声阻抗，在钝化层111的断裂结构113中具有第二声阻抗。由于在钝化层111的断裂结构113中的第二声阻抗与第一声阻抗不匹配，同时由于断裂结构中具有一定的深度，声波会在断裂结构处形成局部振荡，通过声波在局部振荡区域多次反射叠加形成强反射，能够进一步增加不匹配程度，这样会使得声波在有效区域的边界处传输不连续，因此在有效区域的边界处，一部分声能就会耦合且反射到有效激励区域中，并且转换成与压电层表面垂直的活塞声波模式，从而使得谐振器的Q值得到提高。对于特定的声波波长，可以选择断裂结构的形状、深度和宽度，以调整形成局部振荡的能力和程度。
图2A和图2B分别为根据本实用新型的一个示例性实施例的体声波谐振器示意性俯视图和沿图2A中的1B-1B向的截面图。下面参照图2A和2B说明体声波谐振器的另一个示例性实施例。
如图2A所示，FBAR包括底电极205、压电层207、顶电极209、钝化层211 以及位于顶电极和其电极连接处台阶上方的钝化层中具有一断裂结构213。
图2B所示的压电谐振器结构与图1B所示的实施例结构类似，它们都是沿着俯视图中的1B-1B向所取的截面图。不同之处在于位于顶电极和其电极连接处台阶上方的钝化层的断裂结构213。断裂结构213的截面形状可以为图1C中的圆弧状，也可以为图1D中的倾斜形状、图1E中的阶梯形状和图1F中的扇形形状等其他形状，断裂结构断裂的方式为断裂到底部的顶电极，深度较深。断裂结构213的深度与钝化层的厚度一样，典型的w范围在0.1-10um，深度h在
在本实用新型中，对于完全断裂的断裂结构，w可以为0.1um、5um、10um； h可以为
由于断裂结构具有的深度更深，能够进一步提高在钝化层断裂结构的第二声阻抗与第一声阻抗不匹配程度，会使得声波在边界处传输不连续性增强，因此在有效区域的边界处，就会有更多的声能耦合且反射到有效激励区域中，并且转换成与压电层表面垂直的活塞声波模式，从而使得谐振器的Q值进一步提高。同时由于断裂结构的底部很小，裸露出来的电极很少，所以基本上不会影响钝化层对谐振器的保护作用。
图3A和图3B分别为根据本实用新型的一个示例性实施例的体声波谐振器示意性俯视图和沿图3A中的1B-1B向的截面图。下面参照图3A和3B说明体声波谐振器的再一个示例性实施例。
如图3A所示，FBAR包括底电极305、压电层307、顶电极309、钝化层311 以及位于顶电极和其电极连接处台阶上方的钝化层中具有一断裂结构313和315。
在图3B所示的压电谐振器结构与图1B所示的实施例结构类似，它们都是沿着俯视图中1B-1B向所取的截面图。不同之处在于位于顶电极和其电极连接处台阶上方的钝化层的断裂结构，其断裂部分包含313和315，断裂结构的截面形状可以为图1C中的圆弧状，也可以为图1D中的倾斜形状、图1E中的阶梯形状和图1F中的扇形形状等其他形状，断裂方式为多处位置包括但不限于两处，断裂深度较浅。断裂部分具有两个固定宽度w1和w2以及两个断裂深度h1和h2。在可选的实施例中，断裂结构的深度小于钝化层的厚度，例如为钝化层厚度的 5％-30％，其典型的w1和w2范围在0.1-10um，h1和h2深度在这样在保证谐振器Q值进一步提高的同时，使得钝化层全面覆盖住谐振的电极部分，从而使得钝化层对谐振器的保护更为全面，能够有效防止材料在谐振器表面的吸附，消除或减轻由于周围空气或潮湿环境影响而导致器件的氧化、腐蚀，从而使得谐振器频率发生偏移。
基于以上，本实用新型提出了一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，设置在基板上方；顶电极，与所述底电极对置，所述顶电极具有主体部以及与主体部连接的连接部；压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间；和钝化层，设置在顶电极上方，其中：声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域，所述钝化层邻近所述有效区域的边界、在所述连接部上方设置有至少一个第一断裂结构。
在上面的图1B、图2B和图3B中，连接部可为顶电极和其电极引线连接处，体现为倾斜面。断裂结构设置在所述倾斜面处。
需要专门指出的是，在本实用新型中，在连接部上方设置断裂结构，不仅包括断裂结构仅设置在连接部正上方(在横向方向上，位于连接部的两个竖向边界之间)，也包括断裂结构设置在连接部斜上方的情况。
在本实用新型中，断裂结构设置在倾斜面处，不仅包括设置在倾斜面所在范围内的情况，也包括设置在倾斜面附近的情形。
虽然没有示出，所述连接部也可为水平的连接部。
需要指出的是，在钝化层中，断裂结构除了设置在连接部上方外，还可以设置在其他部位。
在本实用新型中，电极组成材料可以是金(Au)、钨(W)、钼(Mo)、铂(Pt)，钌(Ru)、铱(Ir)、钛钨(TiW)、铝(Al)、钛(Ti)等类似金属。
在本实用新型中，压电层材料可以为氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)、铌酸锂(LiNbO3)、石英(Quartz)、铌酸钾(KNbO3)或钽酸锂(LiTaO3) 等材料。
在本实用新型中，钝化层材料可以为氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)或它们的组合等材料。
图7为根据本实用新型的一个示例性实施例的体声波谐振器的示意性截面图。如图7所示，谐振器在厚度方向上依次包括基底701；声学镜703，此声学镜位于基底的上表面或嵌于基底的内部，在图7中声学镜为嵌入基底中的空腔所构成，但是任何其它的声学镜结构如布拉格反射器也同样适用；底电极705；压电层707；顶电极709，包含两部分即主体部和连接部，其中连接部为桥翼结构，在顶电极的连接部和压电层之间为空气隙；钝化层711，包含在台阶处的断裂结构715和713，断裂结构的截面形状可以为图1C中的圆弧状，也可以为图 1D中的倾斜形状、图1E中的阶梯形状和图1F中的扇形形状等其他形状，其断裂方式为部分断裂，并且具有固定的宽度w1、w2和断裂深度h1、h2。在可选的实施例中，断裂结构的深度小于钝化层的厚度，例如为钝化层厚度的5％-30％，其典型的w1和w2的范围在0.1-10um，h1和h2深度在
在桥翼结构和断裂结构处，由于空气隙和断裂结构的存在使其声阻抗与谐振器的有效区域内声阻抗不匹配，会使得声波在边界处传输不连续，因此在有效区域的边界处，一部分声能就会耦合且反射到有效激励区域中，并且转换成与压电层表面垂直的活塞声波模式，从而使得谐振器的Q值得到提高。
图8为根据本实用新型的一个示例性实施例的体声波谐振器的示意性截面图。如图8所示，谐振器在厚度方向上依次包括基底801；声学镜803，此声学镜位于基底的上表面或嵌于基底的内部，在图8中声学镜为嵌入基底中的空腔所构成，但是任何其它的声学镜结构如布拉格反射器也同样适用；底电极805；压电层807；顶电极809，包含主体部和连接部，其中连接部为桥部结构，在顶电极的连接部和压电层之间为空气隙；钝化层811，包含在台阶处的断裂结构 815和813。
因此，在例如图8的示例中，所述连接部形成桥部结构，桥部结构与压电层之间形成空气隙，所述倾斜面包括所述桥部结构的邻近所述边界的第一倾斜面以及邻近顶电极引线的第二倾斜面，断裂结构设置在所述第一倾斜面处，可选的，断裂结构也设置在所述第二倾斜面处。
断裂结构的截面形状可以为图1C中的圆弧状，也可以为图1D中的倾斜形状、图1E中的阶梯形状和图1F中的扇形形状等其他形状，其断裂方式为部分断裂，并且具有固定的宽度w1、w2和断裂深度h1、h2。在可选的实施例中，断裂结构的深度小于钝化层的厚度，例如为钝化层厚度的5％-30％，其典型的w1和 w2的范围在0.1-10um，h1和h2深度在
在桥部结构和断裂结构处，由于空气隙和断裂结构的存在，使其声阻抗与谐振器的有效区域内声阻抗不匹配，会使得声波在有效区域的边界处传输不连续，因此在有效区域的边界处，一部分声能就会耦合且反射到有效激励区域中，并且转换成与压电层表面垂直的活塞声波模式，从而使得谐振器的Q值得到提高。
图4A和图4B分别为根据本实用新型的一个示例性实施例的体声波谐振器示意性俯视图和沿图4A中的1B-1B向的截面图。
如图4A所示，FBAR包括底电极405、压电层407、顶电极409、钝化层411 以及在顶电极与压电层之间位于顶电极内部的断裂结构413和位于顶电极和其电极连接处台阶(对应于连接部)上方的钝化层中具有一断裂结构415。
如图4B所示，谐振器在厚度方向上依次包括基底401；声学镜403，此声学镜位于基底的上表面或嵌于基底的内部，在图4B中声学镜为嵌入基底中的空腔所构成，但是任何其它的声学镜结构如布拉格反射器也同样适用；底电极407；压电层407；顶电极409；钝化层411；以及在顶电极与压电层之间位于顶电极内部的断裂结构413和位于顶电极和其电极连接处台阶(对应于连接部)上方的钝化层中具有的断裂结构415。
断裂结构413和415的截面形状可以为图1C中的圆弧状，也可以为图1D 中的倾斜形状、图1E中的阶梯形状和图1F中的扇形形状等其他形状，有固定的宽度w1、w2和断裂深度h1、h2。在可选的实施例中，断裂结构的宽度w2与谐振器有效区域横向宽度之间有一比例范围在1％-10％，断裂结构的深度h2与压电层的厚度之间也有比例范围在1％-15％之间，其典型的w1和w2的范围在 0.1-10um，h1和h2深度在由于断裂结构的深度较浅，所以谐振器的机械强度则较强。
断裂结构可通过湿法刻蚀或者干法刻蚀等类似的工艺获得，通过控制湿法刻蚀的时间以及调控药液的比例来控制断裂结构的宽度和深度，或者通过控制干法刻蚀的时间、功率以及刻蚀气体的流量与比例来控制断裂结构的宽度和深度。
在图4A和4B的实施例中，声学镜、底电极、压电层、顶电极在厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域，具有第一声阻抗，在钝化层的断裂结构415 中具有第二声阻抗，在压电层中的断裂结构413中具有第三声阻抗。由于在钝化层断裂结构的第二声阻抗和压电层中断裂结构的第三声阻抗与谐振器有效区域的第一声阻抗不匹配，会使得声波在边界处传输不连续，因此在边界处，一部分声能就会耦合且反射到有效激励区域中，并且转换成与压电层表面垂直的活塞声波模式，从而使得谐振器的Q值得到提高。同时由于断裂结构的深度较浅，不会对压电层产生破坏，从而不会影响谐振器的主模模式，还能够在有效提升谐振器机械强度的同时提高谐振器的Q值。
图5A和图5B分别为根据本实用新型的一个示例性实施例的体声波谐振器示意性俯视图和沿图5A中的1B-1B向的截面图。
如图5A所示，FBAR包括底电极505、压电层507、顶电极509、钝化层511 以及在顶电极与压电层之间位于顶电极外部的断裂结构513和位于顶电极和其电极连接处台阶(对应于连接部)上方的钝化层中具有一断裂结构515。
在图5B所示的压电谐振器结构与图4B所示的实施例结构类似，它们都是沿着俯视图中1B-1B向所取的截面图，不同之处在于：在图4B中，断裂结构处于顶电极的下方或者为顶电极覆盖，或者是处于有效区域的边界的横向内侧，而在图5B中，压电层与顶电极之间的断裂结构位于顶电极的外部，或者是处于有效区域的边界的横向外侧。在此实施例中，断裂结构513和515的截面形状可以为图1C中的圆弧状，也可以为图1D中的倾斜形状、图1E中的阶梯形状和图1F中的扇形形状等其他形状，有具有固定的宽度w1、w2和断裂深度h1、h2。在可选的实施例中，断裂结构的宽度w2与谐振器有效区域横向宽度之间有一比例范围在1％-10％，断裂结构的深度与压电层的厚度之间也有比例范围在1％-15％之间，在进一步的实施例中，w1和w2的范围在0.1-10um，h1和h2深度在
由于在压电层上的断裂结构的深度较浅，所以谐振器的机械强度则较强，同时由于断裂结构的深度较浅，不会对压电层产生破坏，从而不会影响谐振器的主模模式。
此外，在钝化层断裂结构515的第二声阻抗和压电层中断裂结构513的第三声阻抗与谐振器有效区域的第一声阻抗不匹配，会使得声波在边界处传输不连续，因此在有效区域的边界处，一部分声能就会耦合且反射到有效激励区域中，并且转换成与压电层表面垂直的活塞声波模式，从而使得谐振器的Q值得到提高。
图6A和图6B分别为根据本实用新型的一个示例性实施例的体声波谐振器示意性俯视图和沿图6A中的1B-1B向的截面图。
如图6A所示，FBAR包括底电极605、压电层607、顶电极609、钝化层611 以及在顶电极与压电层之间位于顶电极内部具有多处断裂位置的断裂结构615 和617，其断裂方式为多处位置包括但不限于两处，其断裂深度较浅。
在图6B所示的压电谐振器结构与图4B所示的实施例结构类似，它们都是沿着俯视图中1B-1B向所取的截面图，不同之处在于：
在顶电极与压电层之间的断裂结构位于顶电极的内部(被顶电极覆盖)且断裂结构包含两部分即615和617，其断裂方式为多处位置包括但不限于两处。在顶电极与压电层之间的断裂结构的断裂深度较浅。在此实施例中，断裂结构 613、615和617的截面形状可以为图1C中的圆弧状，也可以为图1D中的倾斜形状、图1E中的阶梯形状和图1F中的扇形形状等其他形状。在图6B的实施例中，断裂结构具有固定的宽度w1、w2、w3和断裂深度h1、h2、h3，可选的，断裂结构的宽度w2和w3与谐振器有效区域横向宽度之间有一比例范围在1％-10％，断裂结构的深度与压电层的厚度之间也有比例范围在1％-15％之间，更进一步的，w1、w2和w3的范围在0.1-10um，h1、h2和h3深度在左右。
由于顶电极与压电层之间的断裂结构的深度较浅，所以谐振器的机械强度则较强，同时由于断裂结构的深度较浅，不会对压电层产生破坏，从而不会影响谐振器的主模模式。
而且，由于在压电层内的断裂结构为多处，使得断裂结构中的声阻抗与谐振器有效区域中的声阻抗不匹配度进一步增加，从而声波在边界处传输不连续会进一步增强，因此在有效区域的边界处，会有更多的声能耦合且反射到有效激励区域中，并且转换成与压电层表面垂直的活塞声波模式，从而使得谐振器的Q值进一步提高。
图9是根据本实用新型的一个示例性实施例的薄膜体声波谐振器的截面SEM 图。谐振器在厚度方向上依次包括基底901，空腔903，底电极905，压电层907，顶电极909，钝化层911，以及为了方便将器件图片拍的更清楚而喷涂的一层箔 915。断裂结构913，其断裂位置为在钝化层的台阶处发生了部分断裂。由于在断裂结构中的声阻抗与谐振器有效区域中的声阻抗不匹配，会使得声波在边界处传输不连续，因此在边界处，一部分声能就会耦合且反射到有效激励区域中，并且转换成与压电层表面垂直的活塞声波模式，从而使得谐振器的Q值得到提高。
图10是根据本实用新型的另一个示例性实施例的薄膜体声波谐振器的截面 SEM图。谐振器在厚度方向上依次包括底电极1001，压电层1003，顶电极1005，钝化层1007，以及为了方便将器件图片拍的更清楚而喷涂的一层箔1011。断裂结构1009，其断裂方式为在顶电极与压电层之间，位于顶电极内侧，有多处断裂位置。由于在断裂结构中的声阻抗与谐振器有效区域中的声阻抗不匹配，会使得声波在边界处传输不连续，因此在边界处，一部分声能就会耦合且反射到有效激励区域中，并且转换成与压电层表面垂直的活塞声波模式，从而使得谐振器的Q值得到提高。
本实用新型的实施例还涉及一种滤波器，包括上述的体声波谐振器。
本实用新型的实施例也涉及一种电子设备，包括上述的滤波器。需要指出的是，这里的电子设备，包括但不限于射频前端、滤波放大模块等中间产品，以及手机、WIFI、无人机等终端产品。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (20)
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极，设置在基底上方；
顶电极，与所述底电极对置，所述顶电极具有主体部以及与主体部连接的连接部；
压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间；和
钝化层，设置在顶电极上方，
其特征在于：
声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域，所述钝化层邻近所述有效区域的边界、在所述连接部上方设置有至少一个第一断裂结构。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于：
所述连接部具有倾斜面，所述第一断裂结构设置在所述倾斜面处。
3.根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于：
所述连接部形成桥部结构，桥部结构与压电层之间形成空气隙，所述倾斜面包括所述桥部结构的邻近所述边界的第一倾斜面以及邻近顶电极引线的第二倾斜面，所述第一断裂结构设置在所述第一倾斜面处。
4.根据权利要求3所述的谐振器，其特征在于：
所述钝化层还包括设置在所述第二倾斜面处的至少一个第二断裂结构。
5.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于：
所述连接部为水平的连接部。
6.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于：
所述顶电极在与所述连接部相对的一侧还设置有桥翼结构，所述桥翼结构具有桥翼斜面，所述桥翼结构与压电层之间形成空气隙。
7.根据权利要求6所述的谐振器，其特征在于：
所述钝化层还包括设置在所述桥翼斜面上方的至少一个第三断裂结构。
8.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于：
所述断裂结构的深度小于所述钝化层的厚度。
9.根据权利要求8所述的谐振器，其特征在于：
所述断裂结构的深度为所述钝化层的厚度的5％-30％。
10.根据权利要求9所述的谐振器，其特征在于：
所述断裂结构的深度的取值范围为
11.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于：
至少部分所述断裂结构的深度等于所述钝化层的厚度。
12.根据权利要求11所述的谐振器，其特征在于：
所述钝化层的厚度的取值范围为
13.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于：
在所述顶电极的下方或者在所述顶电极的横向外侧，邻近所述有效区域的边界在所述压电层中设置有至少一个第四断裂结构。
14.根据权利要求13所述的谐振器，其特征在于：
所述第四断裂结构的宽度为所述有效区域的横向宽度的1-10％。
15.根据权利要求13所述的谐振器，其特征在于：
所述第四断裂结构的深度为所述压电层的厚度的1-15％。
16.根据权利要求15所述的谐振器，其特征在于：
所述第四断裂结构的深度的取值范围为
17.根据权利要求1-16中任一项所述的谐振器，其特征在于：
所述断裂结构的宽度的取值范围为0.1-10um。
18.根据权利要求1-16中任一项所述的谐振器，其特征在于：
所述断裂结构的截面形状为圆弧状、倾斜状、阶梯状、扇形状中的一种。
19.一种滤波器，其特征在于，包括根据权利要求1-18中任一项所述的体声波谐振器。
20.一种电子设备，其特征在于，包括根据权利要求19所述的滤波器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821875912.3U CN209844929U (zh) | 2018-11-14 | 2018-11-14 | 带断裂结构体声波谐振器、滤波器和电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821875912.3U CN209844929U (zh) | 2018-11-14 | 2018-11-14 | 带断裂结构体声波谐振器、滤波器和电子设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN209844929U true CN209844929U (zh) | 2019-12-24 |
Family
ID=68895910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201821875912.3U Active CN209844929U (zh) | 2018-11-14 | 2018-11-14 | 带断裂结构体声波谐振器、滤波器和电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN209844929U (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111049495A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-04-21 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种高品质因数的薄膜体声波谐振器的优选结构 |
| WO2020098484A1 (zh) * | 2018-11-14 | 2020-05-22 | 天津大学 | 带断裂结构体声波谐振器及其制造方法、滤波器和电子设备 |
| CN111200414A (zh) * | 2020-01-15 | 2020-05-26 | 杭州见闻录科技有限公司 | 一种体声波谐振器的底电极结构及工艺方法 |
| CN111262541A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-06-09 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及其封装方法、滤波器、电子设备 |
| WO2022083712A1 (zh) * | 2020-10-23 | 2022-04-28 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及组件、滤波器、电子设备 |
-
2018
- 2018-11-14 CN CN201821875912.3U patent/CN209844929U/zh active Active
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020098484A1 (zh) * | 2018-11-14 | 2020-05-22 | 天津大学 | 带断裂结构体声波谐振器及其制造方法、滤波器和电子设备 |
| CN111049495A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-04-21 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种高品质因数的薄膜体声波谐振器的优选结构 |
| CN111262541A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-06-09 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及其封装方法、滤波器、电子设备 |
| WO2021135012A1 (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及其封装方法、滤波器、电子设备 |
| CN111200414A (zh) * | 2020-01-15 | 2020-05-26 | 杭州见闻录科技有限公司 | 一种体声波谐振器的底电极结构及工艺方法 |
| WO2022083712A1 (zh) * | 2020-10-23 | 2022-04-28 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及组件、滤波器、电子设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN209844929U (zh) | 带断裂结构体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| CN108336982B (zh) | 体声波谐振器 | |
| EP1755216B1 (en) | Piezoelectric resonator, piezoelectric filter, and communication apparatus | |
| US7161448B2 (en) | Acoustic resonator performance enhancements using recessed region | |
| US8531087B2 (en) | Piezoelectric thin-film resonator with distributed concave or convex patterns | |
| CN112039465B (zh) | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法 | |
| CN111193489B (zh) | 体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| US8093962B2 (en) | Filter, duplexer and communication apparatus | |
| CN111193485B (zh) | 具有粗糙面的体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| US10666220B2 (en) | Acoustic wave device | |
| US11075614B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator, filter, and multiplexer | |
| CN108631748B (zh) | 声波谐振器及包括该声波谐振器的滤波器 | |
| US10862448B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator, filter, and multiplexer | |
| JP6941981B2 (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| WO2020098487A1 (zh) | 带粗糙面体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| JP2007208728A (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびその製造方法 | |
| EP4372987A1 (en) | Bulk acoustic wave resonator device and method for forming same, filtering device, and radio frequency front end device | |
| US20150130561A1 (en) | Piezoelectric thin film resonator, filter and duplexer | |
| EP4372989A1 (en) | Bulk acoustic wave resonance device and method for forming same, filtering device, and radio frequency front end device | |
| CN111355466A (zh) | 具有多梁檐空隙的体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| WO2020134804A1 (zh) | 顶电极连接部设有延伸结构的谐振器、滤波器和电子设备 | |
| JP2019186691A (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| CN111193482A (zh) | 带断裂结构体声波谐振器及其制造方法、滤波器和电子设备 | |
| CN114389559A (zh) | 体声波谐振器及组件、滤波器、电子设备 | |
| US20220337212A1 (en) | Bulk acoustic wave resonance device and bulk acoustic wave filter |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PP01 | Preservation of patent right | ||
| PP01 | Preservation of patent right |
Effective date of registration: 20240130 Granted publication date: 20191224 |