CN114389559A - 体声波谐振器及组件、滤波器、电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；压电层；和顶电极，其中：所述谐振器还包括声阻层，所述声阻层设置在第一层与第二层之间，所述声阻层的内边缘在水平方向上处于声学镜边界的内侧，所述声阻层的声阻不同于所述压电层的声阻；所述谐振器还包括凸起结构。进一步的，所述声阻层的内边缘在水平方向上处于所述凸起结构的内边缘的外侧，或者所述声阻层的内边缘在水平方向上与所述凸起结构的内边缘齐平。本发明还涉及体声波谐振器组件，一种滤波器和一种电子设备。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器及其组件，一种滤波器和一种电子设备。
背景技术
随着5G通信技术的日益发展，对数据传输速率的要求越来越高。与数据传输速率相对应的是频谱资源的高利用率和频谱的复杂化。通信协议的复杂化对于射频系统的各种性能提出了严格的要求，在射频前端模块，射频滤波器起着至关重要的作用，它可以将带外干扰和噪声滤除掉以满足射频系统和通信协议对于信噪比的要求。
传统的射频滤波器受结构和性能的限制，不能满足高频通信的要求。薄膜体声波谐振器(FBAR)作为一种新型的MEMS器件，具有体积小、质量轻、插入损耗低、频带宽以及品质因子高等优点，很好地适应了无线通信系统的更新换代，使FBAR技术成为通信领域的研究热点之一。
FBAR利用TE模式的振动进行机械能和电能的转换以实现滤波特性。理想的FBAR是只存在纵向的纵波振动。但是，实际中的FBAR无法按照单纯的纵波形式振动，而是会产生一定的振动横波，这些横波会将一定的能量泄露至谐振器外部，因此影响谐振器的Q值。所以如何防止谐振器的横波的泄露，是FBAR需要解决的重点问题。
在现有的结构中，利用设置在压电层上方的悬翼结构和凸起结构来制造横波的反射界面防止横波的泄露。上述结构对于谐振器上半部分的能量泄露有一定的抑制作用，但是对于谐振器下部的能量泄露并无希望的抑制作用。
随着5G时代来临，在现有技术中，存在进一步减少谐振器上部和/或下部的横波泄露来提升谐振器的性能的需求。
发明内容
为缓解或解决现有技术中的上述问题的至少一个方面，提出本发明。
根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
压电层，所述压电层包括第一层和第二层，第一层在谐振器的厚度方向上处于第二层的下方；和
顶电极，
其中：
所述谐振器还包括声阻层，所述声阻层设置在第一层与第二层之间，所述声阻层的内边缘在水平方向上处于声学镜边界的内侧，所述声阻层的声阻不同于所述压电层的声阻；
所述谐振器还包括凸起结构。
本发明的实施例还涉及一种体声波谐振器组件，包括至少两个体声波谐振器，其中至少一个体声波谐振器为上述的谐振器。
本发明的实施例还涉及一种滤波器，包括上述的谐振器或组件。
本发明的实施例也涉及一种电子设备，包括上述的滤波器或者上述的谐振器或上述的组件。
附图说明
以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
图1为示例性示出凸起结构(OB结构)的宽度与谐振器的并联谐振阻抗Rp之间的关系图；
图2为示例性示出AW结构或声阻层结构的宽度与谐振器的并联谐振阻抗Rp之间的关系图；
图3为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图；
图4为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图；
图5为根据本发明的还一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图；
图6为根据本发明的再一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图；
图7为根据本发明的又一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图；
图8A-8K示例性示出了图5中的体声波谐振器的制作过程的截面示意图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。发明的一部分实施例，而并不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为示例性示出凸起结构(OB结构)的宽度与谐振器的并联谐振阻抗Rp之间的关系图，其中实线对应于凸起结构设置在谐振器的压电层与顶电极之间的情形，而虚线则对应于凸起结构设置在压电层之间的情形。由图1可以看到，将凸起结构放在压电层中间的情况，相比于现有的凸起结构设置在压电层和顶电极之间的情况，Rp值有明显的下降。因此，单纯为了增加对谐振器下部的能量泄露的抑制作用而将凸起结构设置在压电层中会导致谐振器的Rp值不希望的降低。
图2为示例性示出AW结构或声阻层结构的宽度与谐振器的并联谐振阻抗Rp之间的关系图，其中虚线对应于AW结构设置在谐振器的压电层与顶电极之间的情形，而实线则对应于AW结构设置在压电层之间的情形。由图2可知，将AW结构设置在压电层中间后，谐振器的Rp的值有明显的提升。
因此，将AW结构设置在压电层中间，可以减少或抑制谐振器中下部能量的泄露，也有助于提升谐振器的Rp值。
基于以上，本发明提出了一种在谐振器的压电层中设置AW结构的同时(其可以提升谐振器的Rp值)，还在压电层中设置凸起结构来进一步减少或降低谐振器中下部能量泄露的技术方案。相应的，本发明也提出了一种将压电层中设置AW结构与在谐振器中设置凸起结构相结合的复合结构来减少或降低谐振器的能量泄漏的技术方案。
下面参照附图3-7示例性说明具有复合结构的体声波谐振器。
首先，本发明的附图中的附图标记说明如下：
10：基底，可选材料为单晶硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、石英、碳化硅、金刚石等。
20：声学镜，可为空腔，也可采用布拉格反射层及其他等效形式。本发明的实施例中采用的是空腔的形式。
21：牺牲层，在声学镜为空腔形式的情况下，在制备谐振器的过程中设置在该空腔中，在之后的工艺中被释放以形成声学镜空腔，牺牲层21可选二氧化硅、掺杂二氧化硅、多晶硅、非晶硅等材料。
30：底电极(包括底电极引脚)，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
41：第一压电层，可以为单晶压电材料，可选的，如：单晶氮化铝、单晶氮化镓、单晶铌酸锂、单晶锆钛酸铅(PZT)、单晶铌酸钾、单晶石英薄膜、或者单晶钽酸锂等材料，也可以为多晶压电材料(与单晶相对应，非单晶材料)，可选的，如多晶氮化铝、氧化锌、PZT等，还可是包含上述材料的一定原子比的稀土元素掺杂材料，例如可以是掺杂氮化铝，掺杂氮化铝至少含一种稀土元素，如钪(Sc)、钇(Y)、镁(Mg)、钛(Ti)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等。
42：第二压电层，其材料与第一压电层的材料不同也可以相同，可以为单晶压电材料，可选的，如：单晶氮化铝、单晶氮化镓、单晶铌酸锂、单晶锆钛酸铅(PZT)、单晶铌酸钾、单晶石英薄膜、或者单晶钽酸锂等材料，也可以为多晶压电材料(与单晶相对应，非单晶材料)，可选的，如多晶氮化铝、氧化锌、PZT等，还可是包含上述材料的一定原子比的稀土元素掺杂材料，例如可以是掺杂氮化铝，掺杂氮化铝至少含一种稀土元素，如钪(Sc)、钇(Y)、镁(Mg)、钛(Ti)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等。
50：顶电极(包括顶电极引脚)，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
70：钝化层或工艺层，其可以是氮化铝、氮化硅或二氧化硅等。
80，82：声阻层或AW结构，其声阻不同于第一压电层41和第二压电层42的声阻。在本发明图示的实施例中，为空气隙(即AW)的形式，但是也可以为固态介质层的形式，例如二氧化硅或其掺杂物，或者氮化硅或其掺杂物。如能够理解的，声阻层的声阻可以小于也可以大于第一压电层和第二压电层的声阻。
81，83：牺牲层，在声阻层为空气隙的情况下，在制备谐振器的过程中设置在该空气隙对应的位置，在后续的工艺中被释放以形成该空气隙，牺牲层81和83可选二氧化硅、掺杂二氧化硅、多晶硅、非晶硅等材料。
90：凸起结构，材料可选钼，钌，金，铝，镁，钨，铜，钛，铱，锇，铬或以上金属的符合或其合金等，也可以为二氧化硅，氮化硅等介质材料。
91：附加凸起结构，材料可选钼，钌，金，铝，镁，钨，铜，钛，铱，锇，铬或以上金属的符合或其合金等，也可以为二氧化硅，氮化硅等介质材料。必要时，附加凸起材料不能使用金属，而是使用介质材料。
100：凹陷形成结构：材料可选钼，钌，金，铝，镁，钨，铜，钛，铱，锇，铬或以上金属的符合或其合金等。凹陷形成结构也可以为二氧化硅，氮化硅等介质材料。
101：凹陷结构，示例性的，其基于凹陷形成结构100形成。
图3为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。在图3中，体声波谐振器包括基底10，设置在基底10中的声学镜空腔20，底电极30，顶电极50和压电层，压电层包括第一压电层41和第二压电层42。在第一压电层与第二压电层之间设置有声阻层80，其为空气隙的形式。图3中还示出了钝化层70。
如图3所示，声阻层80设置在压电层中，凸起结构90设置在顶电极50与压电层42之间，以在谐振器的厚度方向设置尽可能多的防止能量泄露。凸起结构90包括在顶电极的非电极连接端的凸起结构，以及在顶电极的电极连接端的凸起结构。
在图3中，凸起结构90的内边缘在水平方向上处于声阻层80的内边缘的内侧，且图3中该两个内边缘之间具有距离L3(非电极连接端)和L4(电极连接端)。在本发明的另外的实施例中，L3和L4也可以为0。
图3中，非电极连接端的声阻层80的内边缘与顶电极的非电极连接端的外端缘之间在水平方向上的距离为L1，电极连接端的声阻层80的内边缘与声学镜20的边界之间在水平方向上的距离为L2。
如图3所示，顶电极50上表面设置有凹陷形成结构100，其相对于顶电极的上表面的其他部分凸出从而形成了凹陷结构101。如本领域技术人员能够理解的，也可以不设置凹陷结构101。设置凹陷结构101可以有利于消除因为凸起结构90和AW结构或声阻层而引入的寄生模式。
参见图3，凸起结构90的内边缘与凹陷结构101的外边缘之间在水平方向上的距离为L5(在顶电极的非电极连接端)和L6(在顶电极的电极连接端)。
在本发明的一个实施例中，上述的L1-L6中的任一个可以在0.25-10μm的范围内。
在图3所示的结构中，在压电层中设置声阻层或AW结构，可以防止谐振器的中下部能量的泄露；将凸起结构设置在顶电极50与压电层之间则可以防止上部的能量泄露；在顶电极上设置凹陷结构101，则有助于减少寄生模式的影响。基于以上，图3的结构可以在谐振器的厚度方向上更大范围内防止能量泄露。
在图3中，凸起结构90设置在顶电极与压电层之间。本发明不限于此。图4示出了不同的示例性实施例，其与图3的不同在于在图4中，凸起结构90设置在顶电极50与钝化层70之间。图4中的L1-L6具有与图3中结构的L1-L6分别对应的含义，这里不再赘述。
在图4所示的结构中，在压电层中设置声阻层或AW结构，可以防止谐振器的中下部能量的泄露；将凸起结构设置在顶电极50与钝化层之间则可以防止上部的能量泄露；在顶电极上设置凹陷结构101，则有助于减少寄生模式的影响。基于以上，图4的结构可以在谐振器的厚度方向上更大范围内防止能量泄露。
图5为根据本发明的还一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。图5与图3的区别在于，在图5中，在凸起结构90与压电层42之间还设置有附加声阻层或者附加AW结构82。在图5中，凸起结构90的内边缘在水平方向上处于附加声阻层或附加AW结构82的内边缘的内侧。此外，在图5中，附加声阻层82的内边缘在水平方向上在声阻层80的内边缘的内侧。
在图5中，L7表示在顶电极的非电极连接端，附加声阻层82的内边缘与声阻层80的内边缘之间在水平方向上的距离，而L8则表示在顶电极的电极连接端，附加声阻层82的内边缘与声阻层80的内边缘之间在水平方向上的距离。图5中的L1-L6具有与图3中结构的L1-L6分别对应的含义，这里不再赘述。
在图5所示的结构中，在压电层中设置声阻层或AW结构，可以防止谐振器的中下部能量的泄露；将凸起结构以及附加AW结构设置在顶电极50与压电层42之间则可以防止上部的能量泄露；在顶电极上设置凹陷结构101，则有助于减少寄生模式的影响。基于以上，图5的结构可以在谐振器的厚度方向上更大范围内防止能量泄露。
需要指出的是，图5中的凸起结构90也可以设置在顶电极与钝化层之间，此时，凸起结构90的内边缘在水平方向上处于附加声阻层或附加AW结构的内边缘的内侧。在本发明的另外的实施例中，凸起结构90的内边缘在水平方向上与附加声阻层的内边缘齐平，
图6为根据本发明的再一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。图6与图5的区别在于，在图6中，附加声阻层82的内边缘在水平方向上处于声阻层80的内边缘的外侧，而在图5中，附加声阻层82的内边缘在水平方向上处于声阻层80的内边缘的内侧。
此外，在图6中，凸起结构90的内边缘在水平方向上处于声阻层80的内边缘的内侧。
在图6中，L7表示在顶电极的非电极连接端，附加声阻层82的内边缘与声阻层80的内边缘之间在水平方向上的距离，而L8则表示在顶电极的电极连接端，附加声阻层82的内边缘与声阻层80的内边缘之间在水平方向上的距离。在本发明中，L7与L8可以在0.25-10μm的范围内。图6中的L1-L6具有与图3中结构的L1-L6分别对应的含义，这里不再赘述。
在图6所示的结构中，在压电层中设置声阻层或AW结构，可以防止谐振器的中下部能量的泄露；将凸起结构以及附加AW结构设置在顶电极50与压电层42之间则可以防止上部的能量泄露；在顶电极上设置凹陷结构101，则有助于减少寄生模式的影响。基于以上，图6的结构可以在谐振器的厚度方向上更大范围内防止能量泄露。
需要指出的是，图6中的凸起结构90也可以设置在顶电极与钝化层之间，此时，凸起结构90的内边缘在水平方向上仍然处于声阻层80的内边缘的内侧。
图7为根据本发明的又一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。
图7与图5的区别在于，在图7中，声阻层80以及凸起结构91同时设置在压电层中，而在图5中，压电层中仅仅设置有声阻层80。在图7中，在压电层内的凸起结构91的内边缘在水平方向上处于声阻层80的内边缘的内侧；在压电层外的凸起结构90的内边缘在水平方向上处于附加声阻层82的内边缘的内侧。
如本领域技术人员能够理解的，在图7中，声阻层80的内边缘也可以在附加声阻层82的内边缘的内侧；凸起结构90还可以设置在顶电极与钝化层之间；还可以不设置凸起结构90或附加声阻层82。这些变化，均在本发明的保护范围之内。
在图7所示的结构中，在压电层中设置声阻层或AW结构，以及设置凸起结构91，可以防止谐振器的中下部能量的泄露；将凸起结构90以及附加AW结构82设置在顶电极50与压电层42之间则可以防止上部的能量泄露；在顶电极上设置凹陷结构101，则有助于减少寄生模式的影响。基于以上，图7的结构可以在谐振器的厚度方向上更大范围内防止能量泄露。
在图5-7所示的实施例中，谐振器在顶电极的非电极连接端设置有悬翼结构，在顶电极的电极连接端设置有桥部结构。
而在图3-4所示的实施例中，谐振器在顶电极的非电极连接端并未设置悬翼结构，在顶电极的电极连接端也没有设置桥部结构。
如能够理解的，也可以仅设置桥部结构，或者仅设置悬翼结构。在本发明中，桥翼部为包括桥部结构和/或悬翼结构的结构。
在本发明的实施例中，在水平方向上，在顶电极的电极连接端，声学镜20的边界与声阻层80的内边缘存在的距离在0.25-10μm的范围内。
在本发明中，若AW结构或者声阻层或者空气隙设置在顶电极的非电极连接端，在谐振器的有效区域为多边形的情况下，可以包括仅在非电极连接端的一条边或多条边设置的情况，也可以包括在非电极连接端的所有边设置的情况。若AW结构或者声阻层或者空气隙设置在顶电极的电极连接端，在谐振器的有效区域为多边形的情况下，表示在顶电极的电极连接端所在的边设置有AW结构或者声阻层或者空气隙。AW结构或者声阻层或者空气隙也可以围绕谐振器的整个有效区域设置。
通过在第一压电层41与第二压电层42之间设置声阻层80，还可以调节谐振器的机电耦合系数的值。因为第一压电层41和第二压电层42分开制备，因此可以将这两压电层制备为不同的材料，进而可以自由调节谐振器的机电耦合系数。例如，第一压电层41为某种材料的压电层(例如氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、铌酸锂、石英、铌酸钾、钽酸锂中的一种材料的压电层)，而第二压电层42则为与第一压电层41的材料相同的材料层中掺杂如上提及的至少一种稀土元素的掺杂层，在一个具体的实施例中，第一压电层41和第二压电层42都是基于氮化铝的压电材料，但是其中一层压电材料是没有任何掺杂的压电材料，另外一层是掺杂元素钪的压电材料。再如，第一压电层与第二压电层均为同一材料的掺杂层，只是第一压电层的掺杂浓度不同于第二压电层的掺杂浓度，在一个具体的实施例中，第一压电层41和第二压电层42都是基于掺杂了稀土元素钪的氮化铝的压电材料，只是第一压电层与第二压电层掺杂浓度不同。又如，第一压电层41的材料为氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、铌酸锂、石英、铌酸钾、钽酸锂中的一种材料，而第二压电层42为氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、铌酸锂、石英、铌酸钾、钽酸锂中不同于第一压电层材料的材料，在一个具体的实施例中，第一压电层为氮化铝，第二压电层为氧化锌。
在压电层的厚度一定时，当采用在AW结构的上下两侧采用同一种压电材料时，则无论AW结构设置在压电层内的任一位置，在同等条件下，谐振器的机电耦合系数是一个确定的值。但是当AW结构的上下两侧采用不同的压电层材料时，可以增加谐振器的机电耦合系数的设计自由度。例如，第一压电层41采用不掺杂氮化铝材料，第二压电层42采用掺杂钪的氮化铝材料。当压电层厚度固定时，例如，压电层只采用不掺杂氮化铝压电层时其机电耦合系数为6％，而压电层只采用掺杂氮化铝时其机电耦合系数为10％。因此，在压电层厚度不变时，通过控制第一压电层41和第二压电层42的掺杂浓度使得谐振器的机电耦合系数在6％-10％之间自由变化。当两层压电层的厚度分别确定后，接着可以通过控制AW结构的宽度的变化，对滤波器内不同的谐振器的机电耦合系数进行微调，所以该方案能够最大限度的提升滤波器内的谐振器的机电耦合系数的设计自由度。
在以上的实施例中，AW结构夹在第一压电层41和第二压电层42的位置不是固定的。在本发明的一个实施例中，AW结构的下表面距离第一压电层41下表面的距离要大于
AW结构的上表面距离第二压电层42的距离也要大于
AW结构的厚度的范围是
下面参照图8A-8K示例性说明图5中的体声波谐振器的制作过程。
第一，如图8A所示，在基底10上表面形成作为声学镜20的空腔，接着在基底10的上表面设置牺牲材料，该牺牲材料填充该空腔，然后，通过CMP(化学机械研磨)工艺移除基底10上表面的牺牲材料并且使得空腔内的牺牲材料的上表面与基底10的上表面齐平从而形成牺牲层21。
第二，如图8B所示，在图8A的结构上沉积和图形化电极材料层，以形成底电极30。
第三，如图8C所示，在图8B的结构上沉积第一压电层41，其例如可以为未掺杂压电层。
第四，如图8D所示，在图8C的第一压电层41的上表面沉积和图形化牺牲材料，以形成牺牲层81。该牺牲层81在后期将被释放以用于形成AW结构80。
第五，如图8E所示，在图8D的结构的上表面沉积第二压电层42，其例如可以为掺杂压电层。
第六，如图8F所示，在图8E的结构的第二压电层42的上表面沉积和图形化牺牲材料，以形成牺牲层83。该牺牲层83在后期将被释放以用于形成AW结构82。
第七，如图8G所示，在图8F的结构上沉积和图形化导电材料或者介质材料(例如钼)，以形成凸起结构90。
第八，如图8H所示，在图8G的结构的上表面制备沉积用于形成顶电极50的金属层。
第九，如图8I所示，在图8H的结构的顶电极的上表面(在谐振器的有效区域的大体中间区域)沉积金属层或介质层而形成凹陷形成结构100，从而形成与凹陷形成结构100相邻布置的凹陷结构101。
第十，如图8J所示，在图8I的结构上制备保护层或钝化层70，然后刻蚀钝化层、顶电极和凸起结构，以形成图8J所示的结构。
第十一，如图8K所示，将图8J的结构中的牺牲层21和牺牲层81、83移除，以分别形成声学镜20和AW结构80和附加AW结构82，如图8K所示。
需要指出的是，在本发明中，各个数值范围，除了明确指出不包含端点值之外，除了可以为端点值，还可以为各个数值范围的中值，这些均在本发明的保护范围之内。
在本发明中，上和下是相对于基底的底面而言的，对于一个部件，其靠近该底面的一侧为下侧，远离该底面的一侧为上侧。
在本发明中，内和外是相对于谐振器的有效区域(压电层、顶电极、底电极和声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠区域构成有效区域)的中心在横向方向或者径向方向上而言的，一个部件的靠近有效区域的中心的一侧或一端为内侧或内端，而该部件的远离有效区域的中心的一侧或一端为外侧或外端。对于一个参照位置而言，位于该位置的内侧表示在横向方向或径向方向上处于该位置与有效区域的中心之间，位于该位置的外侧表示在横向方向或径向方向上比该位置更远离该有效区域的中心。
如本领域技术人员能够理解的，体声波谐振器可以用于形成滤波器或其他半导体器件。
基于以上，本发明提出了如下技术方案：
1、一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
压电层，所述压电层包括第一层和第二层，第一层在谐振器的厚度方向上处于第二层的下方；和
顶电极，
其中：
所述谐振器还包括声阻层，所述声阻层设置在第一层与第二层之间，所述声阻层的内边缘在水平方向上处于声学镜边界的内侧，所述声阻层的声阻不同于所述压电层的声阻；
所述谐振器还包括凸起结构。
2、根据1的谐振器，其中：
所述声阻层的内边缘在水平方向上处于所述凸起结构的内边缘的外侧，或者所述声阻层的内边缘在水平方向上与所述凸起结构的内边缘齐平。
3、根据2所述的谐振器，其中：
所述凸起结构包括第一凸起结构，所述第一凸起结构设置于顶电极上方，或顶电极与第二层之间，或底电极与第一层之间。
4、根据2所述的谐振器，其中：
所述凸起结构包括设置在第一层与第二层之间的第一凸起结构。
5、根据4所述的谐振器，其中：
所述第一凸起结构的一部分位于声阻层上方而覆盖所述声阻层；或者
所述第一凸起结构的一部分位于声阻层下方而被所述声阻层覆盖。
6、根据3或4所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括桥翼部，所述桥翼部与第二层之间限定附加声阻层，所述附加声阻层的声阻不同于所述压电层的声阻。
7、根据6所述的谐振器，其中：
所述附加声阻层的内边缘在水平方向上处于所述声阻层的内边缘的内侧或外侧。
8、根据6所述的谐振器，其中：
所述凸起结构还包括附加凸起结构，所述附加凸起结构在上方覆盖所述附加声阻层。
9、根据8所述的谐振器，其中：
所述附加凸起结构的内边缘在水平方向上处于所述附加声阻层的内边缘的内侧，或者所述附加凸起结构的内边缘在水平方向与所述附加声阻层的内边缘齐平。
10、根据6所述的谐振器，其中：
所述桥翼部包括设置在电极连接端的桥结构和/或设置在电极非连接端的悬翼结构。
11、根据4所述的谐振器，其中：
所述凸起结构还包括附加凸起结构，所述附加凸起结构设置于顶电极上方，或顶电极与第二层之间，或底电极与第一层之间。
12、根据10或11所述的谐振器，其中：
所述附加凸起结构的内边缘在水平方向上处于所述凸起结构的内边缘的内侧。
13、根据1-12中任一项所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括凹陷结构，所述凹陷结构在水平方向上处于所述凸起结构的内侧。
14、根据1-13中任一项所述的谐振器，其中：
第一层与第二层中的一层为另一层的掺杂层；或者
第一层与第二层均为同一材料的掺杂层，第一层的掺杂浓度不同于第二层的掺杂浓度；或者
第一层的材料为氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、铌酸锂、石英、铌酸钾、钽酸锂中的一种材料，而第二层为氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、铌酸锂、石英、铌酸钾、钽酸锂中不同于第一层材料的材料。
15、一种体声波谐振器组件，包括：
至少两个体声波谐振器，其中至少一个体声波谐振器为根据1-14中任一项所述的谐振器。
16、一种滤波器，包括根据1-14中任一项所述的体声波谐振器，或根据15所述的体声波谐振器组件。
17、一种电子设备，包括根据16所述的滤波器，或根据1-14中任一项所述的体声波谐振器，或根据15所述的体声波谐振器组件。
这里的电子设备，包括但不限于射频前端、滤波放大模块等中间产品，以及手机、WIFI、无人机等终端产品。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (17)
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
压电层，所述压电层包括第一层和第二层，第一层在谐振器的厚度方向上处于第二层的下方；和
顶电极，
其中：
所述谐振器还包括声阻层，所述声阻层设置在第一层与第二层之间，所述声阻层的内边缘在水平方向上处于声学镜边界的内侧，所述声阻层的声阻不同于所述压电层的声阻；
所述谐振器还包括凸起结构。
2.根据权利要求1的谐振器，其中：
所述声阻层的内边缘在水平方向上处于所述凸起结构的内边缘的外侧，或者所述声阻层的内边缘在水平方向上与所述凸起结构的内边缘齐平。
3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：
所述凸起结构包括第一凸起结构，所述第一凸起结构设置于顶电极上方，或顶电极与第二层之间，或底电极与第一层之间。
4.根据权利要求2所述的谐振器，其中：
所述凸起结构包括设置在第一层与第二层之间的第一凸起结构。
5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
所述第一凸起结构的一部分位于声阻层上方而覆盖所述声阻层；或者
所述第一凸起结构的一部分位于声阻层下方而被所述声阻层覆盖。
6.根据权利要求3或4所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括桥翼部，所述桥翼部与第二层之间限定附加声阻层，所述附加声阻层的声阻不同于所述压电层的声阻。
7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
所述附加声阻层的内边缘在水平方向上处于所述声阻层的内边缘的内侧或外侧。
8.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
所述凸起结构还包括附加凸起结构，所述附加凸起结构在上方覆盖所述附加声阻层。
9.根据权利要求8所述的谐振器，其中：
所述附加凸起结构的内边缘在水平方向上处于所述附加声阻层的内边缘的内侧，或者所述附加凸起结构的内边缘在水平方向与所述附加声阻层的内边缘齐平。
10.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
所述桥翼部包括设置在电极连接端的桥结构和/或设置在电极非连接端的悬翼结构。
11.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
所述凸起结构还包括附加凸起结构，所述附加凸起结构设置于顶电极上方，或顶电极与第二层之间，或底电极与第一层之间。
12.根据权利要求10或11所述的谐振器，其中：
所述附加凸起结构的内边缘在水平方向上处于所述凸起结构的内边缘的内侧。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括凹陷结构，所述凹陷结构在水平方向上处于所述凸起结构的内侧。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的谐振器，其中：
第一层与第二层中的一层为另一层的掺杂层；或者
第一层与第二层均为同一材料的掺杂层，第一层的掺杂浓度不同于第二层的掺杂浓度；或者
第一层的材料为氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、铌酸锂、石英、铌酸钾、钽酸锂中的一种材料，而第二层为氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、铌酸锂、石英、铌酸钾、钽酸锂中不同于第一层材料的材料。
15.一种体声波谐振器组件，包括：
至少两个体声波谐振器，其中至少一个体声波谐振器为根据权利要求1-14中任一项所述的谐振器。
16.一种滤波器，包括根据权利要求1-14中任一项所述的体声波谐振器，或根据权利要求15所述的体声波谐振器组件。
17.一种电子设备，包括根据权利要求16所述的滤波器，或根据权利要求1-14中任一项所述的体声波谐振器，或根据权利要求15所述的体声波谐振器组件。
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