CN111245400A - 具有桥部插入结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备 - Google Patents
具有桥部插入结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111245400A CN111245400A CN201911226741.0A CN201911226741A CN111245400A CN 111245400 A CN111245400 A CN 111245400A CN 201911226741 A CN201911226741 A CN 201911226741A CN 111245400 A CN111245400 A CN 111245400A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- resonator
- insertion layer
- piezoelectric
- piezoelectric layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003780 insertion Methods 0.000 title claims abstract description 143
- 230000037431 insertion Effects 0.000 title claims abstract description 143
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical group Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 13
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 3
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000090 poly(aryl ether) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 claims description 3
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明涉及体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极，与电极连接部相连，所述电极连接部形成桥部；压电层，其中：声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；所述谐振器还包括桥部插入结构，所述桥部插入结构包括第一插入层和第二插入层，所述第一插入层和所述第二插入层材料彼此不同且在谐振器的俯视图中至少部分重叠；所述第一插入层的内端位于压电层的中间部位，所述第二插入层设置于所述第一插入层的上方，且所述第二插入层的内端与所述压电层的位于第一插入层上方的部分的第一端面相接。本发明还涉及滤波器与电子设备。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器，一种滤波器，一种具有上述部件中的一种的电子设备。
背景技术
体声波滤波器具有低插入损耗、高矩形系数、高功率容量等优点，因此，被广泛应用在当代无线通讯系统中，是决定射频信号进出通讯系统质量的重要元器件。体声波滤波器的性能由构成它的体声波谐振器决定，如：体声波谐振器的谐振频率决定了滤波器的工作频率，有效机电耦合系数决定了滤波器的带宽，品质因数决定滤波器插入损耗。当滤波器结构一定时，其品质因数，特别是在串联谐振频率和并联谐振频率处的品质因数(或串并联阻抗)，会显著影响通带插入损耗。因此，如何提高谐振器的品质因数是高性能滤波器设计的一个重要问题。体声波谐振器串联谐振频率处的品质因数(Qs)或串联阻抗(Rs) 通常由电极损耗及材料损耗决定，而体声波谐振器并联谐振频率处的品质因数 (Qp)或并联阻抗(Rp)通常受边界声波泄露影响。因此，当谐振器材料、及层叠结构确定时，Qs(或Rs)的提升空间有限，但可以通过改变谐振器的边界结构来有效改善声波的边界泄露情况，从而显著提高谐振器的Qp(或Rp)。
传统的薄膜体声波谐振器剖面结构示意图如图12所示，其中：100为基底， 110为声学镜，120为底电极，130为压电层，140为顶电极，15为环形凸起结 构，16为翼结构，h1为空隙的高度，h2为凸起结构15的厚度，17为桥结构。 d11-d14为各种尺寸。
在图12中，复合结构位于谐振器的上表面的有效区域边缘，使得有效区域 边缘两侧的声阻抗不匹配，限制了横向兰姆波的传输，增强了对兰姆波的反射 和转换能力，使得Rp得到一定程度的提高。在顶电极与底电极的连接侧，压电 层因底电极边缘粗糙质量较差，复合结构能使得这部分质量较差的压电层所引 起的谐振激励较小的贡献到整个电路中，能一定程度上改善
及抗静电放电 能力。
然而，以上结构对谐振器有效区域边缘的能量泄露问题改善有限，因此在改善Rp的程度上也是有限的。
发明内容
为进一步提高体声波谐振器的Rp值或Qp值，提出本发明。
根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种体声波谐振器，其例如在谐振器顶电极与底电极的连接边区域，将部分压电层刻蚀掉，形成一种空气(介质)插入结构，此插入结构可有效提高谐振器的Rp值。相应的，该体声波谐振器包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极，与电极连接部相连，所述电极连接部形成桥部；
压电层，
其中：
声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；
所述谐振器还包括桥部插入结构，所述桥部插入结构包括第一插入层和第二插入层，所述第一插入层和所述第二插入层材料彼此不同且在谐振器的俯视图中至少部分重叠；
所述第一插入层的内端位于压电层的中间部位，所述第二插入层设置于所述第一插入层的上方，且所述第二插入层的内端与所述压电层的位于第一插入层上方的部分的第一端面相接。
可选的，所述电极连接部的下侧的至少一部分构成所述第二插入层的上侧的边界。
可选的，在谐振器的俯视图中，第二插入层的内端落在声学镜内，或者第一插入层和第二插入层的重叠部分至少有一部分位于有效区域内。
可选的，在谐振器的俯视图中，所述第一插入层的外端处于所述底电极的端部的外侧。
可选的，所述底电极在所述电极连接部所在的一侧设置有平坦层，所述压电层以平层的方式覆盖所述底电极以及所述平坦层；且所述第一插入层为平层结构。
可选的，在谐振器的俯视图中，所述第一插入层的外端在径向方向上比第二插入层的外端更远离有效区域的中心。进一步可选的，所述第一插入层的外端与所述电极连接部连接从而在谐振器的厚度方向上位于压电层与所述电极连接部之间。
可选的，在谐振器的俯视图中，所述第二插入层的外端在径向方向上比第一插入层的外端更远离有效区域的中心。
可选的，在谐振器的俯视图中，所述第一插入层的外端与所述底电极的端部在径向方向上的距离在0-20μm的范围内。
可选的，所述第一插入层与所述第二插入层在谐振器的厚度方向上至少部分彼此相接设置。
可选的，在谐振器的厚度方向上，所述第一插入层与所述第二插入层之间至少一部分设置有一层压电层材料。
可选的，基于所述第一插入层的内端设置在压电层的中间部位，所述压电层的位于第一插入层之上的在谐振器的俯视图中与所述第一插入层的内端重叠的部分形成压电层台阶，且基于所述压电层台阶所述顶电极的端部形成顶电极台阶。进一步可选的，所述压电层台阶的端部的上侧与所述电极连接部的顶侧之间存在空隙。
可选的，所述第一插入层的内端与第二插入层的内端在径向方向上的距离在0-10μm的范围内。进一步可选的，所述第一插入层的内端与声学镜的对应边缘在径向方向上的距离在0-20μm的范围内。
可选的，所述第一插入层的厚度在
的范围内。
可选的，所述第一端面为在谐振器的俯视图中上端比下端更靠近有效区域的中心的斜面。进一步可选的，所述斜面与所述第一端面的下端所在的平面的夹角在20-90度的范围内。
可选的，所述电极连接部具有凸起结构。
可选的，所述电极连接部具有下凹结构。
可选的，所述压电层具有压电第一层和压电第二层，所述压电第一层和压电第二层为不同的压电材料或者具有不同的掺杂浓度；且所述第一插入层的内端在谐振器的厚度方向上设置在压电第一层与压电第二层之间。进一步可选的，所述压电第一层为氮化铝，所述压电第二层为掺杂氮化铝。
可选的，所述第一插入层为介质材料或金属，所述第二插入层为空气或者不同于第一插入层的材料的介质材料或者与所述压电层的掺杂浓度不同的压电层材料。
可选的，所述介质材料为以下材料中的一种或多种：二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮化铝、氧化铝、多孔硅、氟化非晶碳、氟聚合物、聚对二甲苯、聚芳醚、氢倍半硅氧烷、交联聚苯聚合物、双苯环丁烯、氟化二氧化硅、碳掺杂氧化物和金刚石。
可选的，所述第一插入层的内端在压电层的厚度方向上位于所述压电层的厚度的1/3至2/3之间。
根据本发明的实施例的再一方面，提出了一种滤波器，包括上述的谐振器。
根据本发明的实施例的还一方面，提出了一种电子设备，包括上述的谐振器，或者上述的滤波器。
附图说明
以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
图1为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的示意性俯视图；
图2为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图；
图3为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图；
图4为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图；
图5为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图；
图6为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图；
图7为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图；
图8为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图；
图9为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图；
图10为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图；
图11为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图；
图12为现有技术中的体声波谐振器的示意性剖视图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
图1为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的示意性俯视图，图2为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图。
如图1所示，体声波谐振器包括底电极、压电层、顶电极，字母O代表谐振器的中心。
下面参照图2的实施例说明谐振器的结构。在图2中：
10：基底。用于承载并封闭声学器件，材料通常可选单晶硅，石英，砷化镓或蓝宝石等等。
20：声学镜。声学镜位于基底的上表面或嵌于基底的内部，在图2中声学镜为嵌入基底中的空腔所构成，但是任何其它的声学镜结构如布拉格反射器也同样适用。
30：底电极。底电极120沉积在声学镜的上表面，并覆盖声学镜。可将底电极120边缘刻蚀成斜面，并且该斜面位于声学镜的外边，此外还可以为阶梯状、垂直状或是其它相似的结构。底电极边缘与声学镜的距离为d13，d13的范围为0-10um。材料可为：金(Au)、钨(W)、钼(Mo)、铂(Pt)，钌(Ru)、铱(Ir)、钛钨(TiW)、铝(Al)、钛(Ti)、锇(Os)、镁(Mg)、金(Au)、钨(W)、钼(Mo)、铂(Pt)、钌(Ru)、铱(Ir)、锗(Ge)、铜(Cu)、铝(Al)、铬(Cr)、砷掺杂金等类似金属形成。
40：压电层。压电层材料可以为氮化铝(AlN)、掺杂氮化铝(doped AlN) 氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)、铌酸锂(LiNbO3)、石英(Quartz)、铌酸钾(KNbO3) 或钽酸锂(LiTaO3)等材料，其中掺杂AlN至少含一种稀土元素，如钪(Sc)、钇 (Y)、镁(Mg)、钛(Ti)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐 (Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等。
50：顶电极。材料同底电极30。顶电极上可覆盖钝化层。
60：第一插入层。插入层60具有第一末端(在本发明中，第一末端为更靠近有效区域的中心的端部，对应于内端)和第二末端(在本发明中，第二末端为更远离有效区域的中心的端部，对应于外端)，其第一末端位于有效区域内侧，第一末端插入压电层的距离为d11，d11的范围是0-10um，第一末端与声学镜的距离为d12，d12的范围为0-20um；第二末端延伸出底电极，其延伸出的距离为 d14，d14的范围为0-20um。插入层的高度为h11，h11的范围为
第一插入层材料可为金属或介质。金属的材料同底电极30。第一插入层的水平中心位于整个压电材料的1/3至2/3之间。介质材料可为：二氧化硅(SiO2)，氮化硅(Si3N4)，碳化硅(SiC)，氮化铝(AlN)，氧化铝(Al2O3)、多孔硅、氟化非晶碳、氟聚合物、聚对二甲苯、聚芳醚、氢倍半硅氧烷、交联聚苯聚合物、双苯环丁烯、氟化二氧化硅、碳掺杂氧化物和金刚石中的一种或多种或是它们的组合。
70：第二插入层。第二插入层可为空气或介质(如：SiO2、Si3N4、AlN、与压电层掺杂浓度不同的掺杂AlN等)。
基底10、声学镜20、底电极30、压电层40、顶电极50重叠的区域为谐振器的有效区域，在图2中如d15区域所示。
基于图2所示的实施例，一方面，在压电层中设置的第一插入层位于谐振器活塞模式应力最大的位置，因此所产生的阻抗不匹配具有更强的声波反射效果，另一方面，在压电层中设置的第一插入层由于可以延伸到非有效区域，因此，增强了有效区域与非有效区域的边界阻抗不匹配特性，从而将更多的声波反射回有效谐振区域，在电性能上表现为提高了Rp。将压电材料部分刻蚀，填充以空气后，将谐振器的有效区域固定在d15所示区域，也将有效区域与声学镜边缘的衬底分开，减少了此处横向兰姆波的泄露，同时减少了横向兰姆波在压电材料中的传输与泄露，极大的改善了因能量泄露导致的Rp降低。
图2的实施例中各部分的材料的选取也适用于本发明的其他实施例。
图3为根据本发明的一个示例性实施例100的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图。在图3中，110为基底，120为声学镜，130为底电极，140 为压电层，150为顶电极，160为第一插入层，170为第二插入层，180为设置在电极连接部的凸起结构。图3所示实施例与图1类似，不同之处在于顶电极 150在压电层140的第一末端附近，有向上的凸起结构180，此结构为回波反射增强结构，会使在此处传播的横向兰姆波进一步反射回有效区域，从而提高Rp。
图4为根据本发明的一个示例性实施例200的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图。在图4中，210为基底，220为声学镜，230为底电极，240 为压电层，250为顶电极，260为第一插入层，270为第二插入层，280为设置在电极连接部的下降结构。图4所示实施例与图1类似，不同之处在于顶电极 250在压电层240的第一末端附近，有向下的下降结构280(下凹结构)，此结构为回波反射增强结构，会使在此处传播的横向兰姆波进一步反射回有效区域，从而提高Rp。
图5为根据本发明的一个示例性实施例300的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图。在图5中，310为基底，320为声学镜，330为底电极，340 为压电层，350为顶电极，360为第一插入层，370为第二插入层，380为压电层的第一端面。图5所示实施例与图1类似，不同之处在于压电层240第一末端在厚度方向上并非为垂直结构，而是呈倾斜结构，倾斜的角度为θ1，θ1的范围是20-90°。在图5所示的实施例中，第一端面为在谐振器的俯视图中上端比下端更靠近有效区域的中心的斜面。此结构为回波反射增强结构，会使在此处传播的横向兰姆波进一步反射回有效区域，从而提高Rp。
图6为根据本发明的一个示例性实施例400的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图。在图6中，410为基底，420为声学镜，430为底电极，440 为压电层，450为顶电极，460为第一插入层，470为第二插入层。图6所示实施例与图1类似，不同之处在于第二插入层470用介质填充。介质可为：SiO2、 Si3N4、AlN、与压电层掺杂浓度不同的掺杂AlN等。
图7为根据本发明的一个示例性实施例500的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图。在图7中，510为基底，520为声学镜，530为底电极，540 为压电层，550为顶电极，560为第一插入层，570为第二插入层。图7所示实施例与图1类似，不同之处在于压电层540在第一末端的右侧，并未完全刻蚀到第一插入层，而是保留一部分压电材料，如图7所示，高度h51大于高度h52。如图7所示，在谐振器的厚度方向上，第一插入层560与第二插入层570之间至少一部分设置有一层压电层材料。
图8为根据本发明的一个示例性实施例600的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图。在图8中，610为基底，620为声学镜，630为底电极，640 为压电层，650为顶电极，660为第一插入层，670为第二插入层，680为平坦层。图8所示实施例与图1类似，不同之处在于底电极右侧填充以平坦层680。如图8所示，底电极630在电极连接部所在的一侧设置有平坦层680，压电层以平层的方式覆盖底电极以及平坦层；且第一插入层660为平层结构。虽然没有示出，平坦层也可以设置在其他实施例中。
图9为根据本发明的一个示例性实施例800的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图。在图9中，810为基底，820为声学镜，830为底电极，840 为压电层，850为顶电极，860为第一插入层，870为第二插入层。图9所示实施例与图1类似，不同之处在于第一插入层继续向右延伸，直至与顶电极连接。
图10为根据本发明的一个示例性实施例900的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图。在图10中，910为基底，920为声学镜，930为底电极，940 为压电层，950为顶电极，960为第一插入层，970为第二插入层，980为凸起结构。图10所示实施例与图9类似，不同之处在于顶电极950在压电层940的第一末端附近，有向上的凸起结构980，且凸起结构的第一末端981位于压电层 940第一末端的左侧。如图10所示，所述压电层台阶的端部的上侧与所述电极连接部的顶侧之间存在空隙。在图10中，第一插入层960的外端与电极连接部连接从而在谐振器的厚度方向上位于压电层940与所述电极连接部之间。相对于图9中的实施例，此结构避免了压电层第一末端因粗糙等问题对谐振器的影响，使得因此部分质量较差的压电材料引起的谐振激励在整体的电路中贡献最小，能一定程度上改善
及抗静电放电能力，增加Rp。
图11为根据本发明的一个示例性实施例1000的沿图1中的O-I线截得的示意性局部剖视图。在图11中，1010为基底，1020为声学镜，1030为底电极， 1040为第一压电层，1041为第二压电层，1050为顶电极，1060为第一插入层， 1070为第二插入层。图11所示实施例与图2类似，不同之处在于压电层由两种不同的压电材料组成，或由掺杂浓度不同的压电材料组成。在图11所示的实施例中，第一压电层1040为AlN，第二压电层1041为掺杂AlN。
如图9-10所示，第一插入层的外端在径向方向上比第二插入层的外端更远离有效区域的中心。而在图2-8以及图11中，第二插入层的外端在径向方向上比第一插入层的外端更远离有效区域的中心。
如图2-11所示，第一插入层的外端处于底电极的端部的外侧。本发明不限于此，在俯视图中，第一插入层的外端可以与底电极的端部齐平，也可以位于底电极的端部的内侧。
如图2-6以及8-11中，所述第一插入层与所述第二插入层在谐振器的厚度方向上至少部分彼此相接设置。
如图2-11所示，基于所述第一插入层的内端设置在压电层的中间部位，所述压电层的位于第一插入层之上的在谐振器的俯视图中与所述第一插入层的内端重叠的部分形成压电层台阶，且基于所述压电层台阶所述顶电极的端部形成顶电极台阶。需要指出的是，在本发明中，中间部位表示第一插入层的内端的顶面与压电层的顶面存在距离且第一插入层的内端的底面与压电层的底面存在距离。在进一步的实施例中，第一插入层的内端在压电层的厚度方向上位于所述压电层的厚度的1/3至2/3之间。
在本发明中，如图2所示，第一插入层的内端与第二插入层的内端在径向方向上的距离d11在0-10μm的范围内。第一插入层的内端与声学镜的对应边缘在径向方向上的距离d12在0-20μm的范围内。第一插入层的厚度在
的范围内。以上数值范围也可适用于本发明的其他实施例。
需要专门指出的是，在本发明中，对于数值范围，不仅可以为给出的范围端点值，而且可以为该数值范围的均值或中点值。
基于以上实施例及其附图，本发明提出了如下技术方案：
1、一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极，与电极连接部相连，所述电极连接部形成桥部；
压电层，
其中：
声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；
所述谐振器还包括桥部插入结构，所述桥部插入结构包括第一插入层和第二插入层，所述第一插入层和所述第二插入层材料彼此不同且在谐振器的俯视图中至少部分重叠；
所述第一插入层的内端位于压电层的中间部位，所述第二插入层设置于所述第一插入层的上方，且所述第二插入层的内端与所述压电层的位于第一插入层上方的部分的第一端面相接。
需要指出的是，所述第一插入层和所述第二插入层材料彼此不同中的“材料彼此不同”不仅包括两个插入层在材料选取上的不同，例如为金属或者介质，或者介质与空气等，也包括两个插入层可以在基本物质相同的基础上存在不同的掺杂浓度，这些均在本发明的保护范围之内。
2、一种滤波器，包括上述的谐振器。
3、一种电子设备，包括上述的谐振器，或者上述的滤波器。需要指出的是，这里的电子设备，包括但不限于射频前端、滤波放大模块等中间产品，以及手机、WIFI、无人机等终端产品。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (27)
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极，与电极连接部相连，所述电极连接部形成桥部；
压电层，
其中：
声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；
所述谐振器还包括桥部插入结构，所述桥部插入结构包括第一插入层和第二插入层，所述第一插入层和所述第二插入层材料彼此不同且在谐振器的俯视图中至少部分重叠；
所述第一插入层的内端位于压电层的中间部位，所述第二插入层设置于所述第一插入层的上方，且所述第二插入层的内端与所述压电层的位于第一插入层上方的部分的第一端面相接。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
在谐振器的俯视图中，第二插入层的内端落在声学镜内，或者第一插入层和第二插入层的重叠部分至少有一部分位于有效区域内。
3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述电极连接部的下侧的至少一部分构成所述第二插入层的上侧的边界。
4.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
在谐振器的俯视图中，所述第一插入层的外端处于所述底电极的端部的外侧。
5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
所述底电极在所述电极连接部所在的一侧设置有平坦层，所述压电层以平层的方式覆盖所述底电极以及所述平坦层；且
所述第一插入层为平层结构。
6.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
在谐振器的俯视图中，所述第一插入层的外端在径向方向上比第二插入层的外端更远离有效区域的中心。
7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
所述第一插入层的外端与所述电极连接部连接从而在谐振器的厚度方向上位于压电层与所述电极连接部之间。
8.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
在谐振器的俯视图中，所述第二插入层的外端在径向方向上比第一插入层的外端更远离有效区域的中心。
9.根据权利要求8所述的谐振器，其中：
在谐振器的俯视图中，所述第一插入层的外端与所述底电极的端部在径向方向上的距离在0-20μm的范围内。
10.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述第一插入层与所述第二插入层在谐振器的厚度方向上至少部分彼此相接设置。
11.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
在谐振器的厚度方向上，所述第一插入层与所述第二插入层之间至少一部分设置有一层压电层材料。
12.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
基于所述第一插入层的内端设置在压电层的中间部位，所述压电层的位于第一插入层之上的在谐振器的俯视图中与所述第一插入层的内端重叠的部分形成压电层台阶，且基于所述压电层台阶所述顶电极的端部形成顶电极台阶。
13.根据权利要求12所述的谐振器，其中：
所述压电层台阶的端部的上侧与所述电极连接部的顶侧之间存在空隙。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的谐振器，其中：
所述第一插入层的内端与第二插入层的内端在径向方向上的距离在0-10μm的范围内。
15.根据权利要求14所述的谐振器，其中：
所述第一插入层的内端与声学镜的对应边缘在径向方向上的距离在0-20μm的范围内。
16.根据权利要求1-13中任一项所述的谐振器，其中：
所述第一插入层的厚度在
的范围内。
17.根据权利要求1-13中任一项所述的谐振器，其中：
所述第一端面为在谐振器的俯视图中上端比下端更靠近有效区域的中心的斜面。
18.根据权利要求17所述的谐振器，其中：
所述斜面与所述第一端面的下端所在的平面的夹角在20-90度的范围内。
19.根据权利要求1-13中任一项所述的谐振器，其中：
所述电极连接部具有凸起结构。
20.根据权利要求1-13中任一项所述的谐振器，其中：
所述电极连接部具有下凹结构。
21.根据权利要求1-13中任一项所述的谐振器，其中：
所述压电层具有压电第一层和压电第二层，所述压电第一层和压电第二层为不同的压电材料或者具有不同的掺杂浓度；且
所述第一插入层的内端在谐振器的厚度方向上设置在压电第一层与压电第二层之间。
22.根据权利要求21所述的谐振器，其中：
所述压电第一层为氮化铝，所述压电第二层为掺杂氮化铝。
23.根据权利要求1-22中任一项所述的谐振器，其中：
所述第一插入层为介质材料或金属，所述第二插入层为空气或者不同于第一插入层的材料的介质材料或者与所述压电层的掺杂浓度不同的压电层材料。
24.根据权利要求23所述的谐振器，其中：
所述介质材料为以下材料中的一种或多种：二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮化铝、氧化铝、多孔硅、氟化非晶碳、氟聚合物、聚对二甲苯、聚芳醚、氢倍半硅氧烷、交联聚苯聚合物、双苯环丁烯、氟化二氧化硅、碳掺杂氧化物和金刚石。
25.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述第一插入层的内端在压电层的厚度方向上位于所述压电层的厚度的1/3至2/3之间。
26.一种滤波器，包括：
根据权利要求1-25中任一项所述的体声波谐振器。
27.一种电子设备，包括根据权利要求1-25中任一项所述的体声波谐振器，或者根据权利要求26所述的滤波器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911226741.0A CN111245400A (zh) | 2019-12-04 | 2019-12-04 | 具有桥部插入结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911226741.0A CN111245400A (zh) | 2019-12-04 | 2019-12-04 | 具有桥部插入结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111245400A true CN111245400A (zh) | 2020-06-05 |
Family
ID=70868980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911226741.0A Pending CN111245400A (zh) | 2019-12-04 | 2019-12-04 | 具有桥部插入结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111245400A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111917393A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-11-10 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及制造方法、体声波谐振器组件、滤波器及电子设备 |
| CN111934640A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-11-13 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 设置插入层以提升功率的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN112165310A (zh) * | 2020-09-25 | 2021-01-01 | 中国科学技术大学 | 一种薄膜体声波谐振滤波器 |
| CN117013978A (zh) * | 2022-12-14 | 2023-11-07 | 北京芯溪半导体科技有限公司 | 一种体声波谐振器及其制备方法、滤波器和电子设备 |
| CN117013979A (zh) * | 2022-12-14 | 2023-11-07 | 北京芯溪半导体科技有限公司 | 一种体声波谐振器及其制备方法、滤波器和电子设备 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101908865A (zh) * | 2010-08-20 | 2010-12-08 | 庞慰 | 体波谐振器及其加工方法 |
| US20100327697A1 (en) * | 2009-06-24 | 2010-12-30 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure comprising a bridge |
| JP2015139167A (ja) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ |
| JP2017225042A (ja) * | 2016-06-16 | 2017-12-21 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
| CN109802646A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-05-24 | 天津大学 | 带有温度补偿层的谐振器、滤波器 |
-
2019
- 2019-12-04 CN CN201911226741.0A patent/CN111245400A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100327697A1 (en) * | 2009-06-24 | 2010-12-30 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure comprising a bridge |
| CN101908865A (zh) * | 2010-08-20 | 2010-12-08 | 庞慰 | 体波谐振器及其加工方法 |
| JP2015139167A (ja) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ |
| JP2017225042A (ja) * | 2016-06-16 | 2017-12-21 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
| CN109802646A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-05-24 | 天津大学 | 带有温度补偿层的谐振器、滤波器 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111917393A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-11-10 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及制造方法、体声波谐振器组件、滤波器及电子设备 |
| CN111917393B (zh) * | 2020-06-22 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及制造方法、体声波谐振器组件、滤波器及电子设备 |
| CN111934640A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-11-13 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 设置插入层以提升功率的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN111934640B (zh) * | 2020-06-28 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 设置插入层以提升功率的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| WO2022001861A1 (zh) * | 2020-06-28 | 2022-01-06 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 设置插入层以提升功率的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN112165310A (zh) * | 2020-09-25 | 2021-01-01 | 中国科学技术大学 | 一种薄膜体声波谐振滤波器 |
| CN117013978A (zh) * | 2022-12-14 | 2023-11-07 | 北京芯溪半导体科技有限公司 | 一种体声波谐振器及其制备方法、滤波器和电子设备 |
| CN117013979A (zh) * | 2022-12-14 | 2023-11-07 | 北京芯溪半导体科技有限公司 | 一种体声波谐振器及其制备方法、滤波器和电子设备 |
| CN117013979B (zh) * | 2022-12-14 | 2024-06-04 | 北京芯溪半导体科技有限公司 | 一种体声波谐振器及其制备方法、滤波器和电子设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10727808B2 (en) | Bulk acoustic wave resonator comprising a ring | |
| CN111245400A (zh) | 具有桥部插入结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| CN110061712B (zh) | 包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器、滤波器和电子设备 | |
| US10284173B2 (en) | Acoustic resonator device with at least one air-ring and frame | |
| WO2021042741A1 (zh) | 压电层具有插入结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| CN111010119B (zh) | 带复合环形结构的谐振器、滤波器及电子设备 | |
| US10404231B2 (en) | Acoustic resonator device with an electrically-isolated layer of high-acoustic-impedance material interposed therein | |
| CN111313857A (zh) | 设置有插入结构与温补层的体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| CN111193489B (zh) | 体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| CN111355466A (zh) | 具有多梁檐空隙的体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| CN114070233A (zh) | 降低寄生模式的体声波谐振器、滤波器及电子设备 | |
| CN114389559A (zh) | 体声波谐振器及组件、滤波器、电子设备 | |
| CN114070251A (zh) | 压电层双侧设置声学结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备 | |
| CN111010133A (zh) | 体声波谐振器及其制造方法、滤波器和电子设备 | |
| EP3905521A1 (en) | Resonator with extension structure at connection portion of top electrode, filter and electronic device | |
| US20100109809A1 (en) | Thin film piezoelectric resonator and thin film piezoelectric filter | |
| CN111010128A (zh) | 带环形结构的谐振器、滤波器及电子设备 | |
| CN111384909A (zh) | 电极厚度不对称的体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| WO2020140654A1 (zh) | 基于梁檐尺寸调整声学谐振器性能的装置和方法 | |
| CN115882812A (zh) | 选择凸起结构的角度以提升性能的体声波谐振器 | |
| CN111262547A (zh) | 体声波谐振器、mems器件、滤波器和电子设备 | |
| CN111010139B (zh) | 体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| CN111934640B (zh) | 设置插入层以提升功率的体声波谐振器、滤波器及电子设备 | |
| CN114844481A (zh) | 体声波谐振器、滤波器及电子设备 | |
| CN114553169A (zh) | 利用凸起结构降低声阻抗的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |