JP2017225042A - 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10と、前記基板上に設けられた圧電膜14と、前記圧電膜の少なくとも一部を挟んで対向した下部電極12および上部電極16と、各々、前記下部電極と前記上部電極との間に設けられ、前記圧電膜を挟み前記下部電極と前記上部電極とが対向する共振領域内の外周領域の少なくとも一部に設けられ、前記共振領域の中央領域には設けられておらず、互いに内輪郭の位置が異なる複数の挿入層28、29と、を具備する圧電薄膜共振器。
【選択図】図1
Description
図6(a)から図6(c)は、実施例1の変形例1から3に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図6(a)に示すように、挿入層28は物質層であり、挿入層29は空気層である。挿入層28の内輪郭62は挿入層29の内輪郭69の内側に位置している。上部圧電膜14bは、空隙30の外輪郭64の外側まで延びている。挿入層28および29の端面は傾斜している。また、上部圧電膜14bは空隙30の外輪郭64の外側まで延びていてもよい。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。実施例1の変形例1のように、挿入層28および29の少なくとも一方の端面が傾斜(つまりテーパ状である)していてもよい。これにより、上部圧電膜14bのクラック等を抑制できる。挿入層28および29の端面と下部圧電膜14aの上面とのなす角θは30°以下が好ましい。
図6(b)に示すように、挿入層28は物質層であり、挿入層29は空気層である。挿入層28は挿入層29の内側に位置し、挿入層28と29は平面方向に接している。上部圧電膜14bは、空隙30の外輪郭64の外側まで延びている。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。実施例1の変形例2のように、挿入層28と29は平面方向において接していてもよい。内側の挿入層28が空気層であり、外側の挿入層29が物質層でもよい。
図6(c)に示すように、挿入層28は空気層であり、挿入層29は物質層である。挿入層29の内輪郭69が挿入層28の内輪郭62の内側に位置する。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。実施例1の変形例3のように、下側の挿入層28が空気層で上側の挿入層29が物質層でもよい。
図7(a)は、実施例1の変形例4に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図7(a)に示すように、挿入層28は物質層であり、挿入層29は空気層である。挿入層29の内輪郭69は挿入層28の内輪郭62の内側に位置している。上部圧電膜14bは、空隙30の外輪郭64の外側まで延びている。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。実施例1の変形例3および4のように、上側の挿入層29の内輪郭69が上側の挿入層28の内輪郭62の内側に位置していてもよい。
図7(b)および図7(c)は、実施例1の変形例5に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図7(b)に示すように、挿入層28および29はともに物質層である。図7(c)に示すように、挿入層28および29はともに空気層である。挿入層28の内輪郭62は挿入層29の内輪郭69の内側に位置している。上部圧電膜14bは、空隙30の外輪郭64の外側まで延びている。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。実施例1の変形例5のように、挿入層28および29は同じ材料の物質層でもよいし空気層でもよい。挿入層28および29が共に物質層のとき、挿入層28と29は異なる材料層でもよい。
図8(a)から図9(a)は、実施例1の変形例6に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図8(a)に示すように、挿入層28は物質層であり、挿入層29は空気層である。挿入層28の内輪郭62は挿入層29の内輪郭69の内側に位置している。挿入層28と29との間に中間圧電膜14cが設けられている。圧電膜14は、下部圧電膜14a、中間圧電膜14cおよび上部圧電膜14bを有する。上部圧電膜14bは、空隙30の外輪郭64の外側まで延びている。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図9(b)および図9(c)は、実施例1の変形例7に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図9(b)に示すように、挿入層28および29は物質層である。挿入層28の内輪郭62は挿入層29の内輪郭69の内側に位置している。挿入層28と29との間に中間圧電膜14cが設けられている。上部圧電膜14bは、空隙30の外輪郭64の外側まで延びている。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図10(a)から図10(c)は、実施例1の変形例8に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図10(a)から図10(c)に示すように、下部電極12の引き出し領域において上部圧電膜14bの端面66は空隙30の外輪郭64の内側かつ共振領域50の外側に位置している。その他の構成は実施例1の変形例1から3と同じであり説明を省略する。実施例1の変形例8では、共振領域50から横方向に漏洩する弾性波が挿入層28の内輪郭62、挿入層29の内輪郭69に加え、上部圧電膜14bの端面66で反射または減衰される。このため、弾性波エネルギーの損失が小さくQ値がより向上する。
図11(a)から図11(c)は、実施例1の変形例9に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図11(a)から図11(c)に示すように、上部電極16の引き出し領域において上部圧電膜14bの端面66は共振領域50の外輪郭60に略一致し、かつ空隙30の外輪郭64の内側に位置している。上部電極16は配線22に接続されている。その他の構成は実施例1の変形例8と同じであり説明を省略する。実施例1の変形例9では、上部電極16の引き出し領域においても、共振領域50から横方向に漏洩する弾性波が挿入層28の内輪郭62、挿入層29の内輪郭69に加え、上部圧電膜14bの端面66で反射または減衰される。このため、弾性波エネルギーの損失が小さくQ値がより向上する。
図12(a)から図12(c)は、実施例1の変形例10に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図12(a)から図12(c)に示すように、上部電極16の引き出し領域において挿入層29が設けられていない。その他の構成は実施例1の変形例8と同じであり説明を省略する。実施例1の変形例10のように、挿入層28および29の少なくとも一方は、中央領域を囲む外周領域の少なくとも一部に設けられていればよい。
図13(a)から図14(a)は、実施例1の変形例11に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図13(a)に示すように、挿入層28は物質層であり、挿入層29は空気層である。挿入層28の内輪郭62は挿入層29の内輪郭69の内側に位置している。挿入層28は下部圧電膜14aと上部圧電膜14bとの間に設けられている。挿入層29は圧電膜14と上部電極16との間に設けられている。上部圧電膜14bは、空隙30の外輪郭64の外側まで延びている。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図14(b)から図15(b)は、実施例1の変形例12に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図14(b)から図15(b)に示すように、挿入層28および29の外輪郭63が圧電膜14の端面の内側に位置する。その他の構成は図13(a)、図13(b)、図8(c)および図9(b)と同じであり説明を省略する。実施例1の変形例12のように、挿入層28および29の少なくとも一方の外輪郭63は圧電膜14の端面の内側に位置してもよい。挿入層28および29の少なくとも一方の外輪郭63は共振領域50の外輪郭60と略一致してもよい。
図16(a)および図16(b)は、実施例1のそれぞれ変形例13および14の圧電薄膜共振器の断面図である。図16(a)に示すように、基板10の上面に窪みが形成されている。下部電極12は、基板10上に平坦に形成されている。これにより、空隙30が、基板10の窪みに形成されている。空隙30は共振領域50を含むように形成されている。挿入層28および29の外輪郭63は、共振領域50の外輪郭60に略一致する。その他の構成は、実施例1と同じであり説明を省略する。空隙30は、基板10を貫通するように形成されていてもよい。なお、下部電極12の下面に絶縁膜が接して形成されていてもよい。すなわち、空隙30は、基板10と下部電極12に接する絶縁膜との間に形成されていてもよい。絶縁膜としては、例えば窒化アルミニウム膜を用いることができる。
図16(b)に示すように、共振領域50の下部電極12下に音響反射膜31が形成されている。音響反射膜31は、音響インピーダンスの低い膜30aと音響インピーダンスの高い膜30bとが交互に設けられている。膜30aおよび30bの膜厚は例えばそれぞれλ/4(λは弾性波の波長)である。膜30aと膜30bの積層数は任意に設定できる。音響反射膜31は、音響特性の異なる少なくとも2種類の層が間隔をあけて積層されていればよい。また、基板10が音響反射膜31の音響特性の異なる少なくとも2種類の層のうちの1層であってもよい。例えば、音響反射膜31は、基板10中に音響インピーダンスの異なる膜が一層設けられている構成でもよい。挿入層28および29の外輪郭63は、共振領域50の外輪郭60に略一致する。その他の構成は、実施例1と同じであり説明を省略する。
下部電極12の下層12a:膜厚が100nmのCr膜
下部電極12の上層12b:膜厚が200nmのRu膜
下部圧電膜14a:膜厚が630nmのAlN膜
上部圧電膜14b:膜厚が630nmのAlN膜
挿入層28:膜厚が150nmの酸化シリコン膜または空気層
挿入層29:膜厚が150nmの酸化シリコン膜または空気層
上部電極16の下層16a:膜厚が230nmのRu膜
上部電極16の上層16b:なし
共振領域50の幅W0(共振領域の中心から外輪郭までの距離):42μm
共振領域50と下部圧電膜14aとの距離W3:8μm
空隙30と共振領域50の距離W4:13μm
共振領域の中心をミラー条件としてシミュレーションした。
12 下部電極
14 圧電膜
14a 下部圧電膜
14b 上部圧電膜
16 上部電極
28、29 挿入層
30 空隙
31 音響反射膜
44 送信フィルタ
46 受信フィルタ
50 共振領域
52a、52b 外周領域
54a、54b 中央領域
60 共振領域の外輪郭
62、69 挿入層の内輪郭
63 挿入層の外輪郭
64 空隙または音響反射膜の外輪郭
66 上部圧電膜の端面
68 下部圧電膜の端面
Claims (11)
- 基板と、
前記基板上に設けられた圧電膜と、
前記圧電膜の少なくとも一部を挟んで対向した下部電極および上部電極と、
各々、前記下部電極と前記上部電極との間に設けられ、前記圧電膜を挟み前記下部電極と前記上部電極とが対向する共振領域内の外周領域の少なくとも一部に設けられ、前記共振領域の中央領域には設けられておらず、互いに内輪郭の位置が異なる複数の挿入層と、
を具備する圧電薄膜共振器。 - 前記複数の挿入層は音響インピーダンスが異なる請求項1記載の圧電薄膜共振器。
- 前記複数の挿入層は誘電率が異なる請求項1または2記載の圧電薄膜共振器。
- 前記複数の挿入層は同じ材料である請求項1記載の圧電薄膜共振器。
- 前記複数の挿入層は接している請求項1から4のいずれか一項記載の圧電薄膜共振器。
- 前記複数の挿入層は前記圧電膜の一部を挟み離間している請求項1から4のいずれか一項記載の圧電薄膜共振器。
- 前記複数の挿入層の少なくとも1つは、前記圧電膜内に挿入されている請求項1から6のいずれか一項記載の圧電薄膜共振器。
- 前記複数の挿入層の少なくとも一つは、前記圧電膜と前記下部電極との間または前記圧電膜と前記上部電極との間に挿入されている請求項1から7のいずれか一項記載の圧電薄膜共振器。
- 前記複数の挿入層の少なくとも1つは空気層である請求項1から8いずれか一項記載の圧電薄膜共振器。
- 請求項1から9のいずれか一項記載の圧電薄膜共振器を含むフィルタ。
- 請求項10記載のフィルタを含むマルチプレクサ。
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