JP2010074080A - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ウエハ上に複数の半導体レーザ素子を製造する場合であっても、当該複数の半導体レーザ素子を高い信頼性を有するように製造可能な方法を提供する
【解決手段】 一実施形態の半導体レーザの製造方法は、(a)InP基板上に、バッファ層、活性層、クラッド層、コンタクト層、InPエッチングストップ層、及び、InPに格子整合し且つInPに対して選択エッチング可能な犠牲層を順に含むメサ構造部を形成する工程と、(b)メサ構造部を半絶縁性InP層で埋め込む工程と、(c)犠牲層の上面を含む当該犠牲層の少なくとも一部を露出させるよう、半絶縁性InP層を選択的にエッチングする工程と、(c)犠牲層を選択的にエッチングする工程と、(d)InPエッチングストップ層を選択的にエッチングする工程と、を含む。
【選択図】 図5
【解決手段】 一実施形態の半導体レーザの製造方法は、(a)InP基板上に、バッファ層、活性層、クラッド層、コンタクト層、InPエッチングストップ層、及び、InPに格子整合し且つInPに対して選択エッチング可能な犠牲層を順に含むメサ構造部を形成する工程と、(b)メサ構造部を半絶縁性InP層で埋め込む工程と、(c)犠牲層の上面を含む当該犠牲層の少なくとも一部を露出させるよう、半絶縁性InP層を選択的にエッチングする工程と、(c)犠牲層を選択的にエッチングする工程と、(d)InPエッチングストップ層を選択的にエッチングする工程と、を含む。
【選択図】 図5
Description
本発明は、半導体レーザ素子の製造方法に関するものである。
半導体レーザ素子には、InP基板、メサ構造部、及び、半絶縁性のInP埋込層を備えるものがある。メサ構造部は、InP基板上に設けられている。メサ構造部は、バッファ層、活性層、クラッド層、及び、コンタクト層を含んでいる。メサ構造部の両側には、InP埋込層が設けられている。このような半導体レーザ素子の製造方法としては、例えば、特許文献1に開示された方法が知られている。
特許文献1に開示された方法では、メサ構造部がドライエッチングによって作成され、当該メサ構造部がInP埋込層によって埋め込まれる。次いで、InP埋込層をエッチングすることによって、メサ構造部のコンタクト層が露出される。
特開2008−34531号公報
ドライエッチングは、エッチングする深さの制御性、即ち、メサ構造部の高さの制御性に優れている。しかしながら、ウエハ上に複数の半導体レーザ素子を製造する場合には、ウエハのサイズが大きくなるにつれて、メサ構造部の高さにバラツキが生じる。メサ構造部の高さにバラツキが生じると、InP埋込層のエッチング後に、コンタクト層の露出が不十分な部分と、クラッド層まで露出してしまう部分とが生じることがある。かかる現象は、半導体レーザ素子の信頼性不良を招くことがある。
本発明は、ウエハ上に複数の半導体レーザ素子を製造する場合であっても、当該複数の半導体レーザ素子を高い信頼性を有するように製造可能な方法を提供することを目的としている。
本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、(a)InP基板上に、バッファ層、活性層、クラッド層、コンタクト層、InPエッチングストップ層、及び、InPに格子整合し且つInPに対して選択エッチング可能な犠牲層を順に含むメサ構造部を形成する工程と、(b)メサ構造部を半絶縁性InP層で埋め込む工程と、(c)犠牲層の上面を含む当該犠牲層の少なくとも一部を露出させるよう、半絶縁性InP層を選択的にエッチングする工程と、(c)犠牲層を選択的にエッチングする工程と、(d)InPエッチングストップ層を選択的にエッチングする工程と、を含む。
本発明によれば、クラッド層を露出させることなく、コンタクト層を確実に露出させることができる。したがって、信頼性の高い半導体レーザ素子を製造することが可能となる。
本発明の製造方法においては、InP基板上に、上述のメサ構造部と同じ層を含む複数のメサ構造部が形成され、犠牲層は、InP基板の表面と複数のメサ構造部の上面との間の距離のうち最大の距離と最小の距離との差以上の厚みを有することが好ましい。この犠牲層としては、例えば、InGaAs半導体層を用いることが可能である。
以上説明したように、本発明によれば、ウエハ上に複数の半導体レーザ素子を製造する場合であっても、当該複数の半導体レーザ素子を高い信頼性を有するように製造可能な方法が提供される。
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
図1は、一実施形態に係る製造方法によって製造される半導体レーザ素子を示す断面図である。なお、図1を含む添付の図面は、InP基板の(110)面で劈開した半導体レーザ素子の断面を示している。図1に示すように、本製造方法は、ウエハ(InP基板12)上に、複数の半導体レーザ素子10を製造する方法である。
半導体レーザ素子10は、InP基板12、メサ構造部14、埋込層16、保護膜18、上部電極20、及び、下部電極22を備えている。InP基板12は、高濃度第1導電型のInP基板である。以下、本例では、InP基板12を、n型のInP基板とする。
メサ構造部14は、InP基板12上に形成されている。メサ構造部14は、バッファ層24、活性層26、クラッド層28、及び、コンタクト層30を、InP基板12の一方の主面(上面)から順に有している。
バッファ層24は、第1導電型のInP半導体層であり、本例では、n型のInP半導体層である。このバッファ層24上には、活性層26が設けられている。活性層26は、注入される電流によって光を発生する領域であり、本例では、アンドープInGaAsP光閉じ込め層、InGaAsP層、及び、アンドープInGaAsP光閉じ込め層を含んでいる。この活性層26上には、クラッド層28が設けられている。
クラッド層28は、第2導電型のInP半導体層であり、本例では、p型のInP半導体層である。このクラッド層28上にはコンタクト層30が設けられている。コンタクト層30は、第2導電型の半導体層であり、本例では、p型のInGaAs半導体層である。
以上の層構造を有するメサ構造部14の両側部には、埋込層16が設けられている。埋込層16は、高抵抗の半導体層であり、半絶縁性の半導体層である。本例では、埋込層16は、FeドープのInP半導体層である。
埋込層16の表面には、保護膜18が設けられている。この保護膜18は、コンタクト層30の上側に開口を提供するように、形成されている。保護膜18は、本例では、SiN半導体膜である。
保護膜18、及び、コンタクト層30上には、上部電極20が設けられている。上部電極20は、本例では、Ti/Pt/Auの三層構造の金属膜である。また、InP基板12の下面には、下部電極22が設けられている。この下部電極22は、本例では、AuGeを含む合金である。
以上説明した半導体レーザ素子10を製造する方法を、図2〜図10に従って、以下に説明する。図2〜図10は、一実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を示す図である。
まず、図2を参照する。図2に示すように、本製造方法では、n型InP基板12の(001)面上に、n型InP半導体層24a、半導体層26a、p型InP半導体層28a、p型InGaAs半導体層30a、InPエッチングストップ層32、及び、犠牲層34が順に積層される。これら各層の積層には、MOCVD(有機金属気相成長)法を用いることができる。
図2に示す各部の構成は以下の通りである。
n型InP基板12:Snを濃度3×1018cm−3でドープ、厚み350μm、2インチのウエハサイズ。
n型InP半導体層24a:Siを濃度8×1017cm−3でドープ、厚み500nm。
半導体層26a:アンドープInGaAsP半導体層、InGaAsP半導体層、及びアンドープInGaAsPの三層構造、厚み300nm。
p型InP半導体層28a:Znを濃度1×1018cm−3でドープ、厚み2000nm。
p型InGaAs半導体層30a:Znを濃度1×1018cm−3でドープ、厚み200nm。
InPエッチングストップ層32:厚み25nm。
犠牲層34:InGaAs半導体層、厚み1500nm。
n型InP基板12:Snを濃度3×1018cm−3でドープ、厚み350μm、2インチのウエハサイズ。
n型InP半導体層24a:Siを濃度8×1017cm−3でドープ、厚み500nm。
半導体層26a:アンドープInGaAsP半導体層、InGaAsP半導体層、及びアンドープInGaAsPの三層構造、厚み300nm。
p型InP半導体層28a:Znを濃度1×1018cm−3でドープ、厚み2000nm。
p型InGaAs半導体層30a:Znを濃度1×1018cm−3でドープ、厚み200nm。
InPエッチングストップ層32:厚み25nm。
犠牲層34:InGaAs半導体層、厚み1500nm。
なお、MOCVD法によれば、以上の積層体を、典型的には、厚みのバラツキが1%以下の範囲内となるように、形成することが可能である。
次に、図3を参照する。本製造方法では、次いで、絶縁膜(例えば、300nmの厚みのSiN膜)が犠牲層34上に堆積される。そして、図3の(a)に示すように、フォトリソグラフィ技術によって、絶縁膜が幅1.5μmの帯状に加工されることによって、マスク36が形成される。
次いで、本製造方法では、図3の(b)に示すように、マスク36に沿って、エッチングが行われる。このエッチングは、RIE(Reactive Ion Etching)といったドライエッチングによって行うことができる。RIEには、例えば、BCl3といったガスを用いることができる。
このエッチングによって、犠牲層34、InPエッチングストップ層32、p型InGaAs半導体層30a、p型InP半導体層28a、半導体層26a、及び、n型InP半導体層24aを含む積層体、及び、InP基板12の表面がエッチングされ、図3の(b)に示すように、メサ構造部14が形成される。即ち、本エッチングにより、n型InP半導体層24aはバッファ層24となり、半導体層26aは活性層26となり、p型InP半導体層28aはクラッド層28となり、p型InGaAs半導体層30aはコンタクト層30となる。
なお、本願発明者の実験によれば、InP基板12の表面、即ち、メサ構造部14が形成されている側のInP基板12の表面からメサ構造部14の上面までの距離(高さ)を5000nmとするよう、図3の(b)に示すエッチングを行った場合に、ウエハ面内で当該距離は最小で4750nmであり、最大で5250nmであった。したがって、当該距離(メサ構造部14の高さ)のバラツキは、500nmであり、上述した犠牲層34の厚みは、当該距離以上となっている。
次に、図4を参照する。図4の(a)に示すように、本製造方法では、次いで、マスク36が除去される。マスク36の除去には、例えば、ふっ酸を用いることができる。さらに、本製造方法では、等方的にエッチング可能なエッチャントを用いた0.1μm程度のエッチングによって、ドライエッチングによって形成された変性層が除去される。このエッチャントとしては、水に臭化水素酸(47wt%)と過酸化水素水(31wt%)を混ぜたエッチャント(臭化水素酸:過酸化水素水:水=2:1:10)を用いることができる。
次いで、本製造方法では、図4の(b)に示すように、メサ構造部14が半導体16aによって埋め込まれる。この半導体16aは、MOCVD法によって堆積させることができ、例えば、4000nmの厚みで堆積される。半導体16aには、FeがドープされたInP半導体を用いることができる。なお、半導体16aとしては、Feに代えて、RuがドープされたInPが用いられてもよい。
次に、図5を参照する。図5に示すように、本製造方法では、次いで、半導体16aをエッチングすることによって、犠牲層34の上面を含む当該犠牲層34の頂部が露出される。このエッチングには、(001)面のエッチングレートが遅く、異方性を有し、且つ、InGaAsに対してInPを選択的にエッチング可能なエッチャントを用いることができる。このようなエッチャントとしては、塩酸系のエッチャントを用いることができる。塩酸系のエッチャントとしては、例えば、塩酸(36wt%)と酢酸と水を混合したエッチャント(塩酸:酢酸:水=1:5:1)を用いることができる。
次に、図6を参照する。図6に示すように、本製造方法では、次いで、犠牲層34が除去される。犠牲層34の除去は、InPに対して犠牲層34を構成するInGaAsに選択性を有するエッチャントを用いたエッチングにより、行うことができる。このようなエッチャントとしては、硫酸系のエッチャントを用いることができる。硫酸系のエッチャントとしては、硫酸と過酸化水素水と水とを混合したエッチャント(硫酸:過酸化水素水:水=3:2:40)を用いることができる。このようなエッチャントは、InPを殆どエッチングしないため、InPエッチングストップ層32でエッチングが停止する。
次に、図7を参照する。図7に示すように、本製造方法では、次いで、エッチングストップ層32が除去される。エッチングストップ層32の除去は、InGaAsに対してInPを選択的にエッチング可能な塩酸系のエッチャントを用いたエッチングによって、行うことができる。このようなエッチャントとしては、塩酸と酢酸と水とを混合したエッチャント(塩酸:酢酸:水=1:5:1)を用いることができる。
また、図7に示すように、エッチングストップ層32のエッチングと同時に、同じエッチャントによるエッチングによって、半導体16aがエッチングされる。この半導体16aのエッチングは、コンタクト層30より高い位置にある半導体16aが後述する保護膜18の開口より外側に位置するように、行われる。これによって、半導体16aは、最終的な形状となり、埋込層16となる。なお、半導体16aのエッチングは、コンタクト層30の表面と埋込層16の表面との間の段差が30〜70nmとなるように制御される。
次に、図8を参照する。図8に示すように、本製造方法では、次いで、図7に示した生産物の表面上に絶縁膜が堆積される。そして、フォトリソグラフィによって、絶縁膜に開口が形成される。この開口は、コンタクト層30の上側に位置する。開口が形成された絶縁膜は、上述した保護膜18となる。なお、保護膜18としては、SiN半導体膜を用いることができ、その厚みは300nmとすることができる。
次に、図9を参照する。図9に示すように、本製造方法では、次いで、コンタクト層30、保護膜18、及び、埋込層16の表面上に、上部電極20が形成される。上部電極20の層構造の一例は、Ti(厚み50nm)/Pt(厚み50nm)/Au(厚み1500nm)である。
次に、図10を参照する。図10に示すように、本製造方法では、次いで、InP基板12の厚みが100μm程度に減少される。そして、InP基板12の下面に下部電極22が形成される。下部電極22は、InP基板12の下面にAuGeを蒸着し、300℃1分の加熱によってAuGeを合金とすることによって、形成することができる。さらに図10に示すように、半導体レーザ素子10を、ウエハから分離して300μm角のチップとことによって、所望の半導体レーザ素子が得られる。
以上説明した製造方法によれば、ウエハ面内でInP基板の表面からメサ構造部の上面までの高さにバラツキがあっても、クラッド層28を露出させることなく、確実にコンタクト層30の表面を露出させることができる。したがって、本製造方法によれば、信頼性の高い半導体レーザ素子が得られる。
また、犠牲層34の厚みがメサ構造部14の高さバラツキ以上の高さを有するので、犠牲層34を露出させるために埋込層16をエッチングしても、クラッド層28が露出することがない。したがって、本製造方法によれば、信頼性の高い半導体レーザ素子を容易に製造することも可能となる。
なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、犠牲層34には、AlInAs半導体層が用いられてもよい。
10…半導体レーザ素子、12…InP基板、14…メサ構造部、16…埋込層、16a…半導体(FeドープInP半導体)、18…保護膜、20…上部電極、22…下部電極、24…バッファ層、24a…半導体層(n型InP半導体層)、26…活性層、26a…半導体層、28…クラッド層、28a…半導体層(p型InP半導体層)、30…コンタクト層、30a…半導体層(p型InGaAs半導体層)、32…エッチングストップ層、34…犠牲層。
Claims (3)
- 半導体レーザ素子を製造する方法であって、
InP基板上に、バッファ層、活性層、クラッド層、コンタクト層、InPエッチングストップ層、及び、InPに格子整合し且つInPに対して選択エッチング可能な犠牲層を順に含むメサ構造部を形成する工程と、
前記メサ構造部を半絶縁性InP層で埋め込む工程と、
前記犠牲層の上面を含む該犠牲層の少なくとも一部を露出させるよう、前記半絶縁性InP層を選択的にエッチングする工程と、
前記犠牲層を選択的にエッチングする工程と、
前記InPエッチングストップ層を選択的にエッチングする工程と、
を含む方法。 - 前記InP基板上に、前記メサ構造部と同じ層を含む複数のメサ構造部が形成され、
前記犠牲層は、前記InP基板の表面と前記複数のメサ構造部の上面との間の距離のうち最大の距離と最小の距離との差以上の厚みを有する、
請求項1に記載の方法。 - 前記犠牲層は、InGaAs層である、請求項1又は2に記載の方法。
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JP2017108061A (ja) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
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JP2018110367A (ja) * | 2017-01-03 | 2018-07-12 | ウィン セミコンダクターズ コーポレーション | バルク音響波フィルターと、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法 |
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2008
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