CN108270414B - 具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法 - Google Patents

具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，包括以下步骤：形成一牺牲结构台面于一基板之上，其中牺牲结构台面分成复数个区部；蚀刻牺牲结构台面使得任两相邻的复数个区部具有不同的高度，其中牺牲结构台面的一最高区部所具有的一最高台面顶表面与一台面顶延伸平面重合；形成一绝缘层于牺牲结构台面以及基板之上；研磨绝缘层以形成一抛光表面；于抛光表面之上形成一体声波共振结构包括一底电极层、一压电层以及一顶电极层；以及蚀刻牺牲结构台面以形成一空腔；其中介于抛光表面以及台面顶延伸平面之间的绝缘层形成一频率调谐结构，其中介于台面顶延伸平面以及空腔之间的绝缘层形成一质量调整结构。

Description

具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法
技术领域
本发明涉及一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法尤指一种具有质量调整结构以及频率调谐结构的体声波共振器的制造方法。
背景技术
请参阅图8其是现有技术的体声波共振器的一具体实施例的剖面示意图。声波共振器包括一基板90、一底电极91、一压电层92、一顶电极93、一空腔94以及一环状压电层凹槽95。其中底电极91形成于基板90之上；压电层92形成于底电极91之上；顶电极93形成于压电层92之上；空腔94形成于底电极91之下基板90之上。其中顶电极93、压电层92以及底电极91重迭的部分是体声波共振器的共振膜。其中沿着体声波共振器的共振膜的周边围绕一圈将压电层92的材料移除而形成环状压电层凹槽95。凭借环状压电层凹槽95的形成使得体声波共振器的共振膜的周边的边界条件改变。由于体声波共振器的共振膜的周边的边界条件改变当入射波于体声波共振器的共振膜的周边反射时反射波与入射波的比例会有所改变。凭借设计适当的宽度、深度的环状压电层凹槽95可以调整反射波与入射波的比例进而增强体声波共振器的品质因子(Q Factor)。
由于体声波共振器的共振膜的宽度通常远大于空腔94的深度因此在体声波共振器的共振膜由顶电极93、压电层92以及底电极91所构成的情况下尤其是金属所构成的顶电极93以及底电极91使得体声波共振器的共振膜受到应力影响时较易向下弯曲因而有可能使底电极91的底部接触到基板90(空腔94的一底部)影响到体声波共振器的特性。移除压电层92的材料以形成环状压电层凹槽95会影响到体声波共振器的共振膜的机械结构强度使得体声波共振器的共振膜受到应力影响时更易向下弯曲此外体声波共振器的共振膜的机械强度不足甚至可能会造成体声波共振器的共振膜塌陷。
由于声波系在体声波共振器的共振膜内传导共振因此体声波共振器的共振膜的顶电极93、压电层92以及底电极91的整体平整度良好与否将直接影响到体声波共振器的共振特性。在另一现有技术的体声波共振器的实施例中系于底电极91之上表面的边缘形成一凸起结构凭借此凸起结构使得体声波共振器的共振膜的周边的边界条件改变进而使得反射波与入射波的比例改变。凭借设计适当的此凸起结构的尺寸可以调整反射波与入射波的比例进而增强体声波共振器的品质因子。然而将此凸起结构形成于底电极91之上表面的边缘在制程当中会使得压电层92的平整度变差进而影响到体声波共振器的共振膜整体的平整度因此声波在体声波共振器的共振膜内传导的特性会受到影响使得体声波共振器的共振特性受到不利的影响。
有鉴于此发明人开发出简便组装的设计能够避免上述的缺点安装方便又具有成本低廉的优点以兼顾使用弹性与经济性等考量因此遂有本发明的产生。
发明内容
本发明所欲解决的技术问题在于增强体声波共振器的共振膜的机械结构强度避免影响到声波共振器的共振膜的整体平整度并同时抑制体声波共振器的寄生模态。
为解决前述问题以达到所预期的功效本发明提供一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法包括以下步骤：步骤D1：形成一牺牲结构台面于一基板之上，其中牺牲结构台面分成复数个区部；步骤D2：蚀刻牺牲结构台面使得牺牲结构台面的复数个区部的任两相邻者具有不同的高度，其中牺牲结构台面的一最高区部具有一最高台面顶表面，其中一台面顶延伸平面与最高台面顶表面重合；步骤D3：形成一绝缘层于牺牲结构台面以及基板之上；步骤D4：以一化学机械平坦化制程研磨绝缘层以形成一抛光表面；步骤D5：形成一体声波共振结构于抛光表面之上，其中体声波共振结构位于牺牲结构台面的上方，其中步骤D5包括以下步骤：步骤D51：形成一底电极层于抛光表面之上；步骤D52：形成一压电层于底电极层之上；以及步骤D53：形成一顶电极层于压电层之上；以及步骤D6：蚀刻牺牲结构台面以形成一空腔，其中空腔位于体声波共振结构的下方；其中在步骤D4中(1)绝缘层被研磨至使得牺牲结构台面未露出，其中位于体声波共振结构之下、空腔之上且介于抛光表面以及台面顶延伸平面之间的绝缘层形成一频率调谐结构，其中位于体声波共振结构之下且介于台面顶延伸平面以及空腔之间的绝缘层形成一质量调整结构；或(2)绝缘层被研磨至使得牺牲结构台面露出，其中位于体声波共振结构之下且介于抛光表面以及空腔之间的绝缘层形成一质量调整结构。
在一实施例中前述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其中于步骤D4之后牺牲结构台面的复数个区部具有一几何构形；其中牺牲结构台面的几何构形相关于质量调整结构的一几何构形；从而凭借调整牺牲结构台面的几何构形以调整质量调整结构的几何构形以增强体声波共振器的一品质因子。
在一实施例中前述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其中基板是一半导体基板，其中构成牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。
在一实施例中前述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其中基板是一化合物半导体基板，其中步骤D1包括以下步骤：步骤D11：形成一牺牲结构于基板之上；以及步骤D12：蚀刻牺牲结构以形成牺牲结构台面。
在一实施例中前述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其中(1)基板由砷化镓所构成牺牲结构包括一砷化镓层；或(2)基板由磷化铟所构成牺牲结构包括一砷化铟镓层。
在一实施例中前述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法其更包括以下的一步骤：形成一底蚀刻终止层于基板之上，其中牺牲结构形成于底蚀刻终止层之上；其中(1)底蚀刻终止层由磷化铟镓所构成；或(2)底蚀刻终止层由磷化铟所构成。
此外本发明更提供一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法包括以下步骤：步骤E1：形成一牺牲结构台面于一基板之上；步骤E2：形成一绝缘层于牺牲结构台面以及基板之上；步骤E3：以一预先化学机械平坦化制程研磨绝缘层以形成一预先抛光表面使得牺牲结构台面露出，其中牺牲结构台面分成复数个区部；步骤E4：蚀刻牺牲结构台面使得牺牲结构台面的复数个区部的任两相邻者具有不同的高度，其中牺牲结构台面的一最高区部具有一最高台面顶表面，其中一台面顶延伸平面与最高台面顶表面重合；步骤E5：形成一体声波共振结构，其中体声波共振结构位于牺牲结构台面的上方，其中步骤E5包括以下步骤：步骤E51：形成一第二次研磨层于牺牲结构台面以及绝缘层之上，其中构成第二次研磨层的材料是绝缘体；步骤E52：以一化学机械平坦化制程研磨第二次研磨层以形成一抛光表面使得牺牲结构台面未露出；步骤E53：形成一底电极层于抛光表面之上；步骤E54：形成一压电层于底电极层之上；以及步骤E55：形成一顶电极层于压电层之上；以及步骤E6：蚀刻牺牲结构台面以形成一空腔，其中空腔位于体声波共振结构的下方；其中位于体声波共振结构之下、空腔之上且介于抛光表面以及台面顶延伸平面之间的第二次研磨层形成一频率调谐结构，其中位于体声波共振结构之下且介于台面顶延伸平面以及空腔之间的第二次研磨层形成一质量调整结构。
在一实施例中前述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其中于步骤E52之后牺牲结构台面的复数个区部具有一几何构形；其中牺牲结构台面的几何构形相关于质量调整结构的一几何构形；从而凭借调整牺牲结构台面的几何构形以调整质量调整结构的几何构形以增强体声波共振器的一品质因子。
在一实施例中前述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其中基板是一半导体基板，其中构成牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。
在一实施例中前述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其中基板是一化合物半导体基板，其中步骤E1包括以下步骤：步骤E11：形成一牺牲结构于基板之上；以及步骤E12：蚀刻牺牲结构以形成牺牲结构台面。
在一实施例中前述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其中(1)基板由砷化镓所构成牺牲结构包括一砷化镓层；或(2)基板由磷化铟所构成牺牲结构包括一砷化铟镓层。
在一实施例中前述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法其更包括以下的一步骤：形成一底蚀刻终止层于基板之上，其中牺牲结构形成于底蚀刻终止层之上；其中(1)底蚀刻终止层由磷化铟镓所构成；或(2)底蚀刻终止层由磷化铟所构成。
此外本发明更提供一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法包括以下步骤：步骤F1：形成一牺牲结构台面于一基板之上；步骤F2：形成一绝缘层于牺牲结构台面以及基板之上；步骤F3：以一预先化学机械平坦化制程研磨绝缘层以形成一预先抛光表面使得牺牲结构台面露出，其中牺牲结构台面分成复数个区部；步骤F4：蚀刻牺牲结构台面使得牺牲结构台面的复数个区部的任两相邻者具有不同的高度，其中牺牲结构台面的一最高区部具有一最高台面顶表面，其中一台面顶延伸平面与最高台面顶表面重合；步骤F5：形成一体声波共振结构，其中体声波共振结构位于牺牲结构台面的上方，其中步骤F5包括以下步骤：步骤F51：形成一第二次研磨层于牺牲结构台面以及绝缘层之上，其中构成第二次研磨层的材料包括选自以下群组的至少一者：金属以及合金；步骤F52：以一化学机械平坦化制程研磨第二次研磨层以形成一抛光表面使得牺牲结构台面未露出；步骤F53：图形化第二次研磨层；步骤F54：形成一压电层于第二次研磨层的抛光表面以及绝缘层的预先抛光表面之上；以及步骤F55：形成一顶电极层于压电层之上；以及步骤F6：蚀刻牺牲结构台面以形成一空腔，其中空腔位于体声波共振结构的下方；其中位于压电层之下、空腔之上且介于抛光表面以及台面顶延伸平面之间的第二次研磨层形成体声波共振结构的一底电极层；其中位于体声波共振结构之下且介于台面顶延伸平面以及空腔之间的第二次研磨层形成一质量调整结构。
在一实施例中前述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其中于步骤F52之后牺牲结构台面的复数个区部具有一几何构形；其中牺牲结构台面的几何构形相关于质量调整结构的一几何构形；从而凭借调整牺牲结构台面的几何构形以调整质量调整结构的几何构形以增强体声波共振器的一品质因子。
在一实施例中前述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其中基板是一半导体基板，其中构成牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。
在一实施例中前述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其中基板是一化合物半导体基板，其中步骤F1包括以下步骤：步骤F11：形成一牺牲结构于基板之上；以及步骤F12：蚀刻牺牲结构以形成牺牲结构台面。
在一实施例中前述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其中(1)基板由砷化镓所构成牺牲结构包括一砷化镓层；或(2)基板由磷化铟所构成牺牲结构包括一砷化铟镓层。
在一实施例中前述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法其更包括以下的一步骤：形成一底蚀刻终止层于基板之上，其中牺牲结构形成于底蚀刻终止层之上；其中(1)底蚀刻终止层由磷化铟镓所构成；或(2)底蚀刻终止层由磷化铟所构成。
为进一步了解本发明以下举较佳的实施例配合图式、图号将本发明的具体构成内容及其所达成的功效详细说明如下。
附图说明
图1A～图1F是本发明一种形成体声波共振器的空腔的方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图1G、图1H是本发明一种形成体声波共振器的空腔的方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图1I是本发明一种形成体声波共振器的空腔的方法的一具体实施例的磊晶结构的剖面示意图。
图1J、图1K是本发明一种形成体声波共振器的空腔的方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图1L是本发明一种形成体声波共振器的空腔的方法的又一具体实施例的剖面示意图。
图2A～图2F是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图2G、图2H是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图2I、图2J是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的两个具体实施例的剖面示意图。
图2K～图2N是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的又一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图3A～图3G是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的再一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图3H、图3I是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图3J、图3K是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的又一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图3L是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的再一具体实施例的剖面示意图。
图4A～图4D是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图4E、图4F是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图4G、图4H是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的又一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图4I是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的再一具体实施例的剖面示意图。
图4J～图4M是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图5A～图5C是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图5D是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的另一具体实施例的剖面示意图。
图5E～图5G是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的又一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图5H～图5K是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的再一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图5L、图5M是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图5N、图5O是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图5P是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的又一具体实施例的剖面示意图。
图6A～图6C是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图6D～图6F是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的三个具体实施例的剖面示意图。
图6G是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的一具体实施例的局部放大剖面示意图。
图6H是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的另一具体实施例的局部放大剖面示意图。
图7A～图7C是本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图7D～图7E是本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图7F～图7H是本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图7I～图7K是本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图7L～图7M是本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图7N～图7O是本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图7P～图7Q是本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。
图7R是本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法的一具体实施例的剖面示意图。
图7S是本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法的一具体实施例的电极形状俯视示意图。
图8是现有技术的体声波共振器的一具体实施例的剖面示意图。
附图标记说明：1体声波共振器/第一体声波共振器；1’第二体声波共振器；1”第三体声波共振器；10基板；11绝缘层；12蚀刻保护层；13化合物半导体基板；20底蚀刻终止层；21牺牲结构；22第一蚀刻终止层；23第一精细调谐层；24第二蚀刻终止层；25第二精细调谐层；26顶蚀刻终止层；27牺牲磊晶层；28牺牲磊晶结构；3体声波共振结构/第一体声波共振结构；3’第二体声波共振结构；3”第三体声波共振结构；30底电极层；31压电层；32顶电极层；40空腔/第一空腔；40’第二空腔；40”第三空腔；41抛光表面；42预先抛光表面；43延伸平面；44台面顶延伸平面；50频率调谐结构/第一频率调谐结构；50’第二频率调谐结构；50”第三频率调谐结构；51第二次研磨层；6牺牲结构台面/第一牺牲结构台面；6’第二牺牲结构台面；6”第三牺牲结构台面；60牺牲磊晶结构台面；7区部；70中央区部；71边缘区部/第一边缘区部；72第二边缘区部；8质量调整结构；81边缘质量调整结构/第一边缘质量调整结构；82第二边缘质量调整结构；90基板；91底电极；92压电层；93顶电极；94空腔；95环状压电层凹槽；a-a’剖面线；ET1第一蚀刻终止层的厚度；FT1第一精细调谐层的厚度；FT2第二精细调谐层的厚度；HD1第一高度差；HD2第二高度差；T厚度；T2第二频率调谐结构的厚度；T3第三频率调谐结构的厚度；TD1第一厚度差；TD2第二厚度差；X1宽度；X2宽度；Y1高度差；Y2高度差。
具体实施方式
请参阅图1A～图1F其是本发明一种形成体声波共振器的空腔的方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。本发明一种形成体声波共振器的空腔的方法包括以下步骤：步骤A1：(如图1B所示)形成一牺牲磊晶结构台面60(28)于一化合物半导体基板13之上包括：(如图1A所示)形成一牺牲磊晶结构28于化合物半导体基板13之上以及(如图1B所示)蚀刻牺牲磊晶结构28以形成牺牲磊晶结构台面60(28)；步骤A2：(如图1C所示)形成一绝缘层11于牺牲磊晶结构台面60以及化合物半导体基板13之上，其中构成绝缘层11的材料包括选自以下群组的至少一者：氮化硅(Silicon NitrideSiNx)、氧化硅(SiO2)以及聚合物(Polymer)；步骤A3：(如图1D所示)以一化学机械平坦化制程研磨绝缘层11以形成一抛光表面41；步骤A4：(如图1E所示)形成一体声波共振结构3于抛光表面41之上，其中体声波共振结构3位于牺牲磊晶结构台面60的上方，其中步骤A4包括以下步骤：步骤A41：形成一底电极层30于抛光表面41之上；步骤A42：形成一压电层31于底电极层30之上；以及步骤A43：形成一顶电极层32于压电层31之上；以及步骤A5：(如图1F所示)蚀刻牺牲磊晶结构台面60以形成一空腔40，其中空腔40位于体声波共振结构3的下方。其中于步骤A3当中绝缘层11被研磨至使得牺牲磊晶结构台面60未露出，其中介于底电极层30以及牺牲磊晶结构台面60之间的绝缘层11形成一频率调谐结构50，其中频率调谐结构50具有一厚度T体声波共振结构3具有一共振频率F从而凭借调整频率调谐结构50的厚度T可调谐体声波共振结构3的共振频率F。当频率调谐结构50的厚度T越大体声波共振结构3的共振频率F则越小。反的当频率调谐结构50的厚度T越小体声波共振结构3的共振频率F则越大。本发明的一种形成体声波共振器的空腔的方法其特点在于使用化合物半导体基板13以牺牲磊晶结构28来作为牺牲层再配合上化学机械平坦化制程研磨绝缘层11。其优点在于有助于精确控制调整频率调谐结构50的厚度T也即有助于精确调谐体声波共振结构3的共振频率F的大小。其中频率调谐结构50的厚度T若太厚则会影响到体声波共振结构3的共振膜态因此频率调谐结构50的厚度T需小于1000nm。在一些较佳的实施例中频率调谐结构50的厚度T系等于或小于300nm。
请参阅图1G、图1H其是本发明一种形成体声波共振器的空腔的方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。形成图1H所示的实施例的主要制程步骤与形成图1F所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中于步骤A3当中绝缘层11被研磨至使得牺牲磊晶结构台面60露出(如图1G所示)；再于抛光表面41之上形成体声波共振结构3并蚀刻牺牲磊晶结构台面60以形成空腔40(如图1H所示)。其中体声波共振结构3并不具有如图1F所示的频率调谐结构50。
请参阅图1I其是本发明一种形成体声波共振器的空腔的方法的一具体实施例的磊晶结构的剖面示意图。图1I的实施例的磊晶结构的主要结构与图1A所示的实施例的磊晶结构大致相同，除了其中于化合物半导体基板13的一下表面形成一蚀刻保护层12。蚀刻保护层12的功能在于保护化合物半导体基板13之下表面以避免制程中的蚀刻(尤其是湿蚀刻的蚀刻剂)伤害到化合物半导体基板13之下表面。其中构成蚀刻保护层12的材料包括选自以下群组的至少一者：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)以及光阻(Photoresist)。其中构成蚀刻保护层12的较佳材料是氮化硅(SiNx)。通常于步骤A5之后会将蚀刻保护层12去除以利于进行基板薄化制程。在本发明的其他所有实施例中不论基板为一半导体基板或一化合物半导体基板都可应用形成蚀刻保护层12以保护半导体基板或化合物半导体基板之下表面。
请参阅图1J、图1K其是本发明一种形成体声波共振器的空腔的方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。图1J的实施例的磊晶结构与图1A所示的实施例的磊晶结构大致相同，除了其中更包括一底蚀刻终止层20，其中底蚀刻终止层20形成于化合物半导体基板13之上牺牲磊晶结构28形成于底蚀刻终止层20之上。当蚀刻牺牲磊晶结构28以形成牺牲磊晶结构台面60时牺牲磊晶结构台面60四周的牺牲磊晶结构28被蚀刻且蚀刻系终止于底蚀刻终止层20。而牺牲磊晶结构台面60之下则为底蚀刻终止层20。图1K的实施例是由图1J的实施例的磊晶结构所制造而成的体声波共振器。图1K的实施例的主要结构与图1F所示的实施例的主要结构大致相同，除了其中更包括一底蚀刻终止层20，其中底蚀刻终止层20形成于化合物半导体基板13之上。在步骤A2中形成绝缘层11形成于牺牲磊晶结构台面60以及底蚀刻终止层20之上。故当牺牲磊晶结构台面60于步骤A5中被蚀刻之后空腔40也位于底蚀刻终止层20之上。在一些实施例中化合物半导体基板13由砷化镓(GaAs)所构成；牺牲磊晶结构28由一牺牲磊晶层所构成牺牲磊晶层由砷化镓(GaAs)所构成，其中牺牲磊晶层具有一厚度系介于50nm以及5000nm之间；底蚀刻终止层20由磷化铟镓(InGaP)所构成，其中底蚀刻终止层20具有一厚度系介于20nm以及500nm之间。在另一些实施例中化合物半导体基板13由磷化铟(InP)所构成；牺牲磊晶结构28由一牺牲磊晶层所构成牺牲磊晶层由砷化铟镓(InGaAs)所构成，其中牺牲磊晶层具有一厚度系介于50nm以及5000nm之间；底蚀刻终止层20由磷化铟(InP)所构成，其中底蚀刻终止层20具有一厚度系介于20nm以及500nm之间。
请参阅图1L其是本发明一种形成体声波共振器的空腔的方法的又一具体实施例的剖面示意图。图1L的实施例也是由图1J的实施例的磊晶结构所制造而成的体声波共振器。图1L的实施例的主要结构与图1K所示的实施例的主要结构大致相同，除了其中于步骤A3当中绝缘层11被研磨至使得牺牲磊晶结构台面60露出；再于抛光表面41之上形成体声波共振结构3并蚀刻牺牲磊晶结构台面60以形成空腔40(相似于图1G、图1H)也因此体声波共振结构3并不具有如图1K所示的频率调谐结构50。
此外请参阅图2A～图2F其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。如图2F所示此实施例的结构包括形成于一基板10之上的至少一第一体声波共振器1以及至少一第二体声波共振器1’。在此实施例中至少一第一体声波共振器1可为一串联共振器(Series Resonator)；而至少一第二体声波共振器1’可为一分路共振器(Shunt Resonator)。其中至少一第一体声波共振器1包括至少一第一体声波共振结构3、一第一频率调谐结构50以及至少一第一空腔40；至少一第二体声波共振器1’包括至少一第二体声波共振结构3’、一第二频率调谐结构50’以及至少一第二空腔40’。本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法包括以下步骤：步骤B1：(如图2B所示)形成复数个牺牲结构台面于基板10之上，其中复数个牺牲结构台面包括至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’，其中至少一第一牺牲结构台面6的一高度系大于至少一第二牺牲结构台面6’的一高度，其中至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’具有一第一高度差HD1；在此实施例中基板10可为一半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构；步骤B2：(如图2C所示)形成一绝缘层11于复数个牺牲结构台面以及基板10之上，其中构成绝缘层11的材料包括选自以下群组的至少一者：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)以及聚合物(Polymer)；步骤B3：(如图2D所示)以一化学机械平坦化制程研磨绝缘层11以形成一抛光表面41；步骤B4：(如图2E所示)形成复数个体声波共振结构于抛光表面41之上(在本发明的所有体声波滤波器的实施例当中复数个体声波共振结构都形成于一延伸平面43之上；而在此实施例中延伸平面43与抛光表面41相重合)，其中复数个体声波共振结构包括至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’分别位于至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’的上方，其中步骤B4包括以下步骤：步骤B41：形成一底电极层30于抛光表面41之上；步骤B42：形成一压电层31于底电极层30之上；以及步骤B43：形成一顶电极层32于压电层31之上；以及步骤B5：(如图2F所示)蚀刻复数个牺牲结构台面以形成复数个空腔，其中复数个空腔分别位于复数个体声波共振结构之下，其中复数个空腔包括至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’分别位于至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的下方。其中于步骤B3当中绝缘层11被研磨至使得至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’未露出如此位于抛光表面41之下且分别位于至少一第一体声波共振结构3之下以及至少一第二体声波共振结构3’之下的绝缘层11分别形成至少一第一体声波共振结构3的一第一频率调谐结构50以及至少一第二体声波共振结构3’的一第二频率调谐结构50’。其中第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’具有一第一厚度差TD1且第一厚度差TD1系等于第一高度差HD1。其中由于第一频率调谐结构50会使得至少一第一体声波共振结构3的第一共振频率F1降低且第二频率调谐结构50’会使得至少一第二体声波共振结构3’的第二共振频率F2降低。但由于第二频率调谐结构50’的厚度比第一频率调谐结构50的厚度更厚因此使得至少一第二体声波共振结构3’的第二共振频率F2降低得比至少一第一体声波共振结构3的第一共振频率F1更低。因此至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’具有一第一共振频率差FD1而此第一共振频率差FD1与第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’的第一厚度差TD1相关也即此第一共振频率差FD1与至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’的第一高度差HD1相关从而凭借调整第一高度差HD1可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。由于基板10的尺寸系远大于体声波共振器的尺寸当进行化学机械平坦化制程研磨绝缘层11时常会使得位于靠近基板10中心位置的绝缘层11被研磨的量与位于远离基板10中心位置的绝缘层11被研磨的量不一样多。然而邻近的体声波共振器尤其是同一个体声波滤波器内的复数个体声波共振器其相对应的绝缘层11被研磨的量是几乎相同的。本发明的特点在于同一个体声波滤波器内的第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’的第一厚度差TD1不会随所在的位置是靠近基板10的中心或远离基板10的中心而有所差异。换句话说至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1并不会随所在的位置是靠近或远离基板10的中心而有所差异。至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1只与第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’的第一厚度差TD1相关也即与至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’的第一高度差HD1相关当然也与构成第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’的材料种类相关。凭借调整第一高度差HD1或选用不同种类的材料的第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。此外本发明的至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1并不会随所在的位置是靠近或远离基板10的中心而有所差异是本发明的特色的一对于稍后的修整(Trimming)制程有很大的帮助。由于一整片晶元(Wafer)上每个区域的至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1都能精准控制且不会随所在的位置而改变因此可以大幅降低修整制程所需耗费的时间成本。在一些实施例中前述的基板10可为一化合物半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料是一磊晶结构；且，其中前述步骤B1包括以下步骤：步骤B11：(如图2A所示)形成一牺牲结构21于基板10之上；步骤B12：蚀刻牺牲结构21以形成复数个牺牲结构台面，其中复数个牺牲结构台面包括至少一第一牺牲结构台面6(21)以及至少一第二牺牲结构台面6’(21)并使得复数个牺牲结构台面具有相同的高度；以及步骤B13：(如图2B所示)蚀刻至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’或蚀刻至少一第二牺牲结构台面6’使得至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’具有第一高度差HD1。
请参阅图2G、图2H其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。在此实施例中基板10可为一半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。形成图2H所示的实施例的主要制程步骤与形成图2F所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中于步骤B3当中绝缘层11被研磨至使得至少一第一牺牲结构台面6露出且至少一第二牺牲结构台面6’未露出(如图2G所示)如此位于抛光表面41(延伸平面43)之下且位于至少一第二体声波共振结构3’之下的绝缘层11形成至少一第二体声波共振结构3’的一第二频率调谐结构50’。如图2H所示，其中第二频率调谐结构50’具有一厚度T2第二频率调谐结构50’的厚度T2系等于第一高度差HD1。在此实施例中并无图2F所示的实施例中的第一频率调谐结构50。因此至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1与第二频率调谐结构50’的厚度T2相关也即与至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’的第一高度差HD1相关。凭借调整第一高度差HD1可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。
请参阅图2I其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的又一具体实施例的剖面示意图。其中图2I的实施例的主要结构与图2F所示的实施例大致相同，除了其中更包括一底蚀刻终止层20，其中底蚀刻终止层20形成于基板10之上绝缘层11形成于底蚀刻终止层20之上至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’也位于底蚀刻终止层20之上。形成图2I所示的实施例的主要制程步骤与形成图2F所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中于步骤B11的前更包括一形成一底蚀刻终止层20于基板之上的步骤。其中步骤B11是形成牺牲结构21于底蚀刻终止层之上。其中在步骤B2当中绝缘层11形成于复数个牺牲结构台面以及底蚀刻终止层20之上。在此实施例中基板10是一化合物半导体基板；构成复数个牺牲结构台面(牺牲结构21)的材料是一磊晶结构。在一些实施例中基板10由砷化镓所构成；牺牲结构21由一牺牲磊晶层所构成牺牲磊晶层由砷化镓所构成，其中牺牲磊晶层具有一厚度系介于50nm以及5000nm之间；底蚀刻终止层20由磷化铟镓所构成，其中底蚀刻终止层20具有一厚度系介于20nm以及500nm之间。在另一些实施例中基板10由磷化铟所构成；牺牲结构21由一牺牲磊晶层所构成牺牲磊晶层由砷化铟镓所构成，其中牺牲磊晶层具有一厚度系介于50nm以及5000nm之间；底蚀刻终止层20由磷化铟所构成，其中底蚀刻终止层20具有一厚度系介于20nm以及500nm之间。
请参阅图2J其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的再一具体实施例的剖面示意图。其中基板10是一化合物半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料是一磊晶结构。其中图2J的实施例的主要结构与图2I所示的实施例大致相同，除了其中于步骤B3当中绝缘层11被研磨至使得至少一第一牺牲结构台面6露出且至少一第二牺牲结构台面6’未露出(相似于图2G)如此位于抛光表面41(延伸平面43)之下且位于至少一第二体声波共振结构3’之下的绝缘层11形成至少一第二体声波共振结构3’的一第二频率调谐结构50’。
请参阅图2K～图2N其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的又一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。其中在图2K所示的实施例中基板10是一化合物半导体基板；构成牺牲结构21的材料是一磊晶结构。图2K的实施例的磊晶结构与图2A所示的实施例的磊晶结构大致相同，除了其中牺牲结构21包括一牺牲磊晶层27、一第一蚀刻终止层22以及一第一精细调谐层23。其中牺牲磊晶层27形成于基板10之上第一蚀刻终止层22形成于牺牲磊晶层27之上第一精细调谐层23形成于第一蚀刻终止层22之上。如图2L所示牺牲结构21被蚀刻成复数个牺牲结构台面，其中复数个牺牲结构台面包括至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’并使得复数个牺牲结构台面具有相同的高度(步骤B12)。如图2M所示，其中第一精细调谐层23具有一厚度FT1。蚀刻至少一第二牺牲结构台面6’的第一精细调谐层23使得至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’具有第一高度差HD1(步骤B13)。图2N系紧接着进行了步骤B2、步骤B3以及步骤B4的示意图。将图2N中的至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’蚀刻去除(步骤B5)即可得如图2F所示的实施例。其中第一高度差HD1由第一精细调谐层23的厚度FT1所决定如此有助于精确调整第一高度差HD1也即有助于精确调整至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。在一些实施例中基板10由砷化镓(GaAs)所构成；牺牲磊晶层27由砷化镓(GaAs)所构成；第一蚀刻终止层22由砷化铝(AlAs)或磷化铟镓(InGaP)所构成，其中第一蚀刻终止层22具有一厚度系介于1nm以及50nm之间；第一精细调谐层23由砷化镓(GaAs)所构成，其中第一精细调谐层23的厚度FT1系介于1nm以及300nm之间。在另一些实施例中基板10由磷化铟(InP)所构成；牺牲磊晶层27由砷化铟镓(InGaAs)所构成；第一蚀刻终止层22由磷化铟(InP)所构成，其中第一蚀刻终止层22具有一厚度系介于1nm以及50nm之间；第一精细调谐层23由砷化铟镓(InGaAs)所构成，其中第一精细调谐层23的厚度FT1系介于1nm以及300nm之间。
请参阅图3A～图3G其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的再一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。以本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法形成至少一第一体声波共振器1以及至少一第二体声波共振器1’(如图3G所示)包括以下步骤：步骤C1：形成复数个牺牲结构台面于一基板10之上，其中复数个牺牲结构台面具有相同的高度，其中复数个牺牲结构台面包括至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’在此实施例中基板10可为一半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构；步骤C2：(如图3A所示)形成一绝缘层11于复数个牺牲结构台面以及基板10之上；步骤C3：(如图3B所示)以一预先化学机械平坦化制程研磨绝缘层11以形成一预先抛光表面42使得复数个牺牲结构台面露出；步骤C4：(如图3C所示)蚀刻至少一第二牺牲结构台面6’使得至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’具有一第一高度差HD1，其中至少一第一牺牲结构台面6的一高度系大于至少一第二牺牲结构台面6’的一高度；步骤C5：(如图3D～图3F所示)形成复数个体声波共振结构，其中复数个体声波共振结构包括至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’，其中至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’分别位于至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’的上方，其中步骤C5包括以下步骤：步骤C51：形成一第二次研磨层51于复数个牺牲结构台面以及绝缘层11之上，其中构成第二次研磨层51的材料是绝缘体，其中构成第二次研磨层51的绝缘体材料包括选自以下群组的至少一者：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)以及氧化锌(ZnO)；步骤C52：以一化学机械平坦化制程研磨第二次研磨层51以形成一抛光表面41使得至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’未露出如此位于抛光表面41之下且分别位于至少一第一体声波共振结构3之下以及至少一第二体声波共振结构3’之下的第二次研磨层51分别形成至少一第一体声波共振结构3的一第一频率调谐结构50以及至少一第二体声波共振结构3’的一第二频率调谐结构50’，其中第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’具有一第一厚度差TD1且第一厚度差TD1系等于第一高度差HD1；步骤C53：形成一底电极层30于抛光表面41之上(如前述复数个体声波共振结构形成于一延伸平面43之上在此实施例中延伸平面43与抛光表面41相重合)；步骤C54：形成一压电层31于底电极层30之上；以及步骤C55：形成一顶电极层32于压电层31之上；以及步骤C6：(如图3G所示)蚀刻复数个牺牲结构台面以形成复数个空腔，其中复数个空腔分别位于复数个体声波共振结构之下，其中复数个空腔包括至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’。其中至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’具有一第一共振频率差FD1第一共振频率差FD1与第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’的第一厚度差TD1相关也即与第一高度差HD1相关；从而凭借调整第一高度差HD1可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。在一些实施例中前述的基板10可为一化合物半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料是一磊晶结构；且，其中前述步骤C1包括以下步骤：步骤C11：形成一牺牲结构21于基板10之上；以及步骤C12：蚀刻牺牲结构21以形成复数个牺牲结构台面，其中复数个牺牲结构台面具有相同的高度。
请参阅图3H、图3I其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。在此实施例中基板10可为一半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。形成图3I所示的实施例的主要制程步骤与形成图3G所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中在步骤C52当中第二次研磨层51被研磨至使得至少一第一牺牲结构台面6露出且至少一第二牺牲结构台面6’未露出(如图3H所示)如此位于抛光表面41(延伸平面43)之下且位于至少一第二体声波共振结构3’之下的第二次研磨层51形成至少一第二体声波共振结构3’的一第二频率调谐结构50’(如图3I所示)。其中第二频率调谐结构50’具有一厚度T2第二频率调谐结构50’的厚度T2系等于第一高度差HD1。在此实施例中并无图3G所示的实施例中的第一频率调谐结构50。因此至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1与第二频率调谐结构50’的厚度T2相关也即与至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’的第一高度差HD1相关。凭借调整第一高度差HD1可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。在此实施例中构成第二次研磨层51的材料可包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及绝缘体。
请参阅图3J、图3K其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的又一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。在此实施例中基板10可为一半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。形成图3K所示的实施例的主要制程步骤与形成图3G所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中于步骤C5当中复数个体声波共振结构形成于一延伸平面43之上，其中延伸平面43与预先抛光表面42相重合，其中步骤C5包括以下步骤：步骤C51’：(如图3D所示)形成一第二次研磨层51于复数个牺牲结构台面以及绝缘层11之上，其中构成第二次研磨层51的材料包括选自以下群组的至少一者：金属以及合金；在一较佳的实施例中构成第二次研磨层51的材料包括选自以下群组的至少一者：钌、钛、钼、铂、金、铝以及钨；步骤C52’：(如图3E所示)以一化学机械平坦化制程研磨第二次研磨层51以形成一抛光表面41使得复数个牺牲结构台面未露出；步骤C53’：(如图3J所示)图形化第二次研磨层51；步骤C54’：形成一压电层31于抛光表面41之上；以及步骤C55’：形成一顶电极层32于压电层31之上。再进行步骤C6蚀刻去除复数个牺牲结构台面之后即形成如图3K所示的实施例。其中于步骤C4当中至少一第二牺牲结构台面6’被蚀刻。其中位于预先抛光表面42(延伸平面43)之上、抛光表面41之下、且位于至少一第一体声波共振结构3之下的第二次研磨层51形成至少一第一体声波共振结构3的一底电极层30；其中位于预先抛光表面42(延伸平面43)之上、抛光表面41之下、且位于至少一第二体声波共振结构3’之下的第二次研磨层51形成至少一第二体声波共振结构3’的一底电极层30；其中位于预先抛光表面42(延伸平面43)之下且位于至少一第二体声波共振结构3’之下的第二次研磨层51形成至少一第二体声波共振结构3’的一第二频率调谐结构50’。其中第二频率调谐结构50’具有一厚度T2第二频率调谐结构50’的厚度T2系等于第一高度差HD1。凭借调整第一高度差HD1可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。
请参阅图3L其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的再一具体实施例的剖面示意图。在此实施例中基板10可为一半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。形成图3L所示的实施例的主要制程步骤与形成图3G所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中步骤C5包括以下步骤：步骤C51”：(如图3D所示)形成一第二次研磨层51于复数个牺牲结构台面以及绝缘层11之上，其中构成第二次研磨层51的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及绝缘体；步骤C52”：(如图3E所示)以一化学机械平坦化制程研磨第二次研磨层51以形成一抛光表面41使得至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’未露出；步骤C53”：(如图3J所示)图形化第二次研磨层51；步骤C54”：形成一底电极层30于抛光表面41(延伸平面43)之上；步骤C55”：形成一压电层31于底电极层30之上；以及步骤C56”：形成一顶电极层32于压电层31之上。经步骤C6而形成如图3L所示的实施例如此位于抛光表面41之下且分别位于至少一第一体声波共振结构3之下以及至少一第二体声波共振结构3’之下的第二次研磨层51分别形成至少一第一体声波共振结构3的一第一频率调谐结构50以及至少一第二体声波共振结构3’的一第二频率调谐结构50’，其中第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’具有一第一厚度差TD1第一厚度差TD1系等于第一高度差HD1。凭借调整第一高度差HD1可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。
在图3G以及图3I的实施例中于步骤C2当中(如图3A所示)系先形成很厚的一层绝缘层11，其中绝缘层11的厚度必须要高过复数个牺牲结构台面的高度。于步骤C3当中(如图3B所示)一预先化学机械平坦化制程必须要研磨绝缘层11的厚度系至少大于或等于复数个牺牲结构台面的高度。然而化学机械平坦化制程存在一个缺点就是当所需研磨的厚度过厚则研磨出来的抛光表面的均匀度会变差。在此实施例中由于所需研磨绝缘层11的厚度很厚会使得经研磨后的预先抛光表面42的均匀度的变差。然而之后于步骤C51所形成的第二次研磨层51其厚度则非常薄(相对于绝缘层11的厚度而言)仅需高过第一高度差HD1。因此于步骤C52当中的化学机械平坦化制程研磨第二次研磨层51之后所形成的抛光表面41其均匀度不会变差。因此于抛光表面41上形成至少一第一体声波共振器1以及至少一第二体声波共振器1’的底电极层30将有助于提升至少一第一体声波共振器1以及至少一第二体声波共振器1’的共振特性。类似地图3L的实施例中也是如此。而于图3K的实施例中则是于抛光表面41上形成至少一第一体声波共振器1以及至少一第二体声波共振器1’的压电层31同样地有助于提升至少一第一体声波共振器1以及至少一第二体声波共振器1’的共振特性。
前述图3G、图3I、图3K以及图3L的实施例也可以由如类似图2K的磊晶结构来形成，其中基板10是一化合物半导体基板，其中牺牲结构21包括一牺牲磊晶层27、一第一蚀刻终止层22以及一第一精细调谐层23，其中牺牲磊晶层27形成于基板10之上第一蚀刻终止层22形成于牺牲磊晶层27之上第一精细调谐层23形成于第一蚀刻终止层22之上，其中第一精细调谐层23具有一厚度FT1；其中于步骤C4当中至少一第二牺牲结构台面6’的第一精细调谐层23被蚀刻使得至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’具有第一高度差HD1从而第一高度差HD1由第一精细调谐层23的厚度FT1所决定如此有助于精确调整第一高度差HD1也即有助于精确调整至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。
请参阅图4A～图4D其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。形成图4D所示的实施例的主要制程步骤与形成图3G所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中步骤C4是：(如图4A所示)蚀刻至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’使得至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’具有一第一高度差，其中至少一第一牺牲结构台面6的一高度系大于至少一第二牺牲结构台面6’的一高度。经步骤C51(如图4B所示)、步骤C52(如图4C所示)、步骤C53～步骤C55以及步骤C6而形成如图4D所示的实施例，其中构成第二次研磨层51的材料是绝缘体。在此实施例中基板10可为一半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。
请参阅图4E、图4F其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。在此实施例中基板10可为一半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。形成图4F所示的实施例的主要制程步骤与形成图4D所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中于步骤C52当中(如图4E所示)，其中第二次研磨层51被研磨至至少使得抛光表面41(延伸平面43)与预先抛光表面42重合或使得抛光表面41低于预先抛光表面42且，其中至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’未露出。在图4F的实施例中构成第二次研磨层51的材料可包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及绝缘体。
请参阅图4G、图4H其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的又一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。在此实施例中基板10可为一半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。形成图4H所示的实施例的主要制程步骤与形成图3K所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中步骤C4是：(如图4A所示)蚀刻至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’使得至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’具有一第一高度差，其中至少一第一牺牲结构台面6的一高度系大于至少一第二牺牲结构台面6’的一高度；于步骤C5当中复数个体声波共振结构形成于一延伸平面43之上，其中延伸平面43与预先抛光表面42相重合；经步骤C53’：(如图4G所示)图形化第二次研磨层51以及步骤C54’、步骤C55’以及步骤C6之后(如图4H所示)，其中位于预先抛光表面42(延伸平面43)之上、抛光表面41之下、且位于至少一第一体声波共振结构3之下的第二次研磨层51形成至少一第一体声波共振结构3的一底电极层30；其中位于预先抛光表面42(延伸平面43)之下且位于至少一第一体声波共振结构3之下的第二次研磨层51形成至少一第一体声波共振结构3的一第一频率调谐结构50；其中位于预先抛光表面42(延伸平面43)之上、抛光表面41之下、且位于至少一第二体声波共振结构3’之下的第二次研磨层51形成至少一第二体声波共振结构3’的一底电极层30；其中位于预先抛光表面42(延伸平面43)之下且位于至少一第二体声波共振结构3’之下的第二次研磨层51形成至少一第二体声波共振结构3’的一第二频率调谐结构50’；其中第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’具有一第一厚度差TD1第一厚度差TD1系等于第一高度差HD1。凭借调整第一高度差HD1可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。其中构成第二次研磨层51的材料包括选自以下群组的至少一者：金属以及合金；在一较佳的实施例中构成第二次研磨层51的材料包括选自以下群组的至少一者：钌、钛、钼、铂、金、铝以及钨。
请参阅图4I其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的再一具体实施例的剖面示意图。在此实施例中基板10可为一半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。形成图4I所示的实施例的主要制程步骤与形成图3L所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中步骤C4是：(如图4A所示)蚀刻至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’使得至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’具有一第一高度差，其中至少一第一牺牲结构台面6的一高度系大于至少一第二牺牲结构台面6’的一高度；且，其中于步骤C52”当中第二次研磨层51被研磨至使得至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’未露出再经步骤C53”(如图4G所示)图形化第二次研磨层51以及步骤C54”～步骤C56”以及步骤C6之后(如图4I所示)如此位于抛光表面41(延伸平面43)之下且分别位于至少一第一体声波共振结构3之下以及至少一第二体声波共振结构3’之下的第二次研磨层51分别形成至少一第一体声波共振结构3的一第一频率调谐结构50以及至少一第二体声波共振结构3’的一第二频率调谐结构50’，其中第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’具有一第一厚度差TD1第一厚度差TD1系等于第一高度差HD1。凭借调整第一高度差HD1可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。在此实施例中构成第二次研磨层51的材料可包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及绝缘体。
请参阅图4J～图4M其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。其中在图4J所示的实施例中基板10是一化合物半导体基板；构成牺牲结构21的材料是一磊晶结构。图4J的实施例的磊晶结构与图2L所示的实施例的磊晶结构大致相同，除了其中牺牲结构21包括一牺牲磊晶层27、一第一蚀刻终止层22、一第一精细调谐层23以及一顶蚀刻终止层26。其中步骤C1包括以下步骤：步骤C11：形成一牺牲结构21于基板10之上；以及步骤C12：蚀刻牺牲结构21以形成复数个牺牲结构台面，其中复数个牺牲结构台面具有相同的高度，其中复数个牺牲结构台面包括至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’。其中牺牲磊晶层27形成于基板10之上第一蚀刻终止层22形成于牺牲磊晶层27之上第一精细调谐层23形成于第一蚀刻终止层22之上顶蚀刻终止层26形成于第一精细调谐层23之上。经过步骤C2以及步骤C3之后形成如图4K所示的结构。其中步骤C4包括以下步骤：步骤C41：(如图4L所示)蚀刻至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’的顶蚀刻终止层26；以及步骤C42：(如图4M所示)蚀刻至少一第二牺牲结构台面6’的第一精细调谐层23使得至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’具有第一高度差HD1。其中第一精细调谐层23具有一厚度FT1从而第一高度差HD1由第一精细调谐层23的厚度FT1所决定如此有助于精确调整第一高度差HD1也即有助于精确调整第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’的第一厚度差TD1也即有助于精确调整至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。由图4M可形成如图4D、图4F、图4H或图4I所示的实施例。以图4M的磊晶结构来形成图4D、图4F、图4H或图4I所示的实施例时，其中于步骤C3当中绝缘层11被研磨至使得复数个牺牲结构台面露出。由于实际研磨时位于靠近基板10的中心的复数个牺牲结构台面与位于远离基板10的中心的复数个牺牲结构台面常无法同时露出。举例来说当位于远离基板10的中心的复数个牺牲结构台面先露出时为了要让位于靠近基板10的中心的复数个牺牲结构台面也露出则必须继续研磨。因此会造成位于远离基板10的中心的复数个牺牲结构台面被研磨过头了也因此位于远离基板10的中心的复数个牺牲结构台面的第一精细调谐层23的厚度会被研磨至比位于接近基板10的中心的复数个牺牲结构台面的第一精细调谐层23的厚度薄。为避免位于接近基板10的中心的复数个牺牲结构台面的第一精细调谐层23与位于远离基板10的中心的复数个牺牲结构台面的第一精细调谐层23被研磨成不一样的厚度可凭借顶蚀刻终止层26使得位于接近基板10的中心的复数个牺牲结构台面的第一精细调谐层23的厚度能维持等于位于远离基板10的中心的复数个牺牲结构台面的第一精细调谐层23的厚度。在一些实施例中基板10由砷化镓所构成；牺牲磊晶层27由砷化镓所构成；第一蚀刻终止层22由砷化铝或磷化铟镓所构成，其中第一蚀刻终止层22具有一厚度系介于1nm以及50nm之间；第一精细调谐层23由砷化镓所构成，其中第一精细调谐层23的厚度FT1系介于1nm以及300nm之间；顶蚀刻终止层26由磷化铟镓所构成顶蚀刻终止层26具有一厚度系介于50nm以及300nm之间。在另一些实施例中基板10由磷化铟所构成；牺牲磊晶层27由砷化铟镓所构成；第一蚀刻终止层22由磷化铟所构成，其中第一蚀刻终止层22具有一厚度系介于1nm以及50nm之间；第一精细调谐层23由砷化铟镓所构成，其中第一精细调谐层23的厚度FT1系介于1nm以及300nm之间；顶蚀刻终止层26由磷化铟所构成顶蚀刻终止层26具有一厚度系介于50nm以及300nm之间。
前述以本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法所形成的至少一第一体声波共振器1以及至少一第二体声波共振器1’的实施例(如图2F、图2H、图2I、图2J、图3G、图3I、图3K、图3L、图4D、图4F、图4H以及图4I的实施例)都具有一共同的特征其任一体声波共振结构(3或3’)的底电极层30都形成于一延伸平面43之上。这些实施例的共同结构包括：一绝缘层11形成于一基板10之上，其中绝缘层11具有复数个空腔；复数个体声波共振结构复数个体声波共振结构分别位于复数个空腔之上，其中复数个体声波共振结构包括至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’复数个空腔包括至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’分别对应于至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’，其中至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’具有一第一共振频率差FD1，其中复数个体声波共振结构的每一者包括：一底电极层30形成于一延伸平面43之上；一压电层31形成于底电极层30之上；以及一顶电极层32形成于压电层31之上；以及一可调谐频率结构；而这些实施例的不同处在于：(1)在图2H，图2J，图3I以及图3K的实施例中前述可调谐频率结构包括结构A：绝缘层11具有经抛光的一上表面延伸平面43与绝缘层11之上表面相重合；其中至少一第二体声波共振结构3’具有一第二频率调谐结构50’第二频率调谐结构50’形成于延伸平面43之下介于至少一第二体声波共振结构3’的底电极层30以及第二空腔40’之间，其中至少一第二频率调谐结构50’具有一厚度T2厚度T2与至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1相关；(2)在图2F，图2I，图4F以及图4H的实施例中前述可调谐频率结构包括结构B：绝缘层11具有经抛光的一上表面延伸平面43与绝缘层11之上表面相重合；其中至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’分别具有一第一频率调谐结构50以及一第二频率调谐结构50’，其中第一频率调谐结构50形成于延伸平面43之下介于至少一第一体声波共振结构3的底电极层30以及第一空腔40之间第二频率调谐结构50’形成于延伸平面43之下介于至少一第二体声波共振结构3’的底电极层30以及第二空腔40’之间，其中第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’具有一第一厚度差TD1第一厚度差TD1与至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1相关；(3)在图3G，图3L，图4D以及图4I的实施例中前述可调谐频率结构包括结构C：一第二次研磨层51形成于绝缘层11以及复数个空腔之上，其中第二次研磨层51具有经抛光的一上表面延伸平面43与第二次研磨层51之上表面相重合；其中于延伸平面43之下介于至少一第一体声波共振结构3的底电极层30以及第一空腔40之间的第二次研磨层51形成至少一第一体声波共振结构3的一第一频率调谐结构50，其中于延伸平面43之下介于至少一第二体声波共振结构3’的底电极层30以及第二空腔之间40’的第二次研磨层51形成至少一第二体声波共振结构3’的一第二频率调谐结构50’，其中第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’具有一第一厚度差TD1第一厚度差TD1与至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1相关。其中在本发明的图2F、图2I、图3G、图3L、图4D、图4F、图4H以及图4I的实施例中其共通的处在于：至少一第一体声波共振结构3的底电极层30以及至少一第二体声波共振结构3’的底电极层30系都形成于延伸平面43之上；第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’系都形成于延伸平面43之下。其中在本发明的图2H、图2J、图3I以及图3K的实施例中其共通的处在于：至少一第一体声波共振结构3的底电极层30以及至少一第二体声波共振结构3’的底电极层30系都形成于延伸平面43之上；第二频率调谐结构50’系都形成于延伸平面43之下。
请参阅图5A～图5C其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。在此实施例中基板10可为一半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。形成图5C所示的实施例的主要制程步骤与形成图2F所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中形成至少一第一体声波共振器1、至少一第二体声波共振器1’以及至少一第三体声波共振器1”于基板10之上；其中于步骤B1中(如图5B所示)复数个牺牲结构台面包括至少一第一牺牲结构台面6、至少一第二牺牲结构台面6’以及至少一第三牺牲结构台面6”；其中至少一第一牺牲结构台面6的一高度系大于至少一第二牺牲结构台面6’的一高度，其中至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’具有一第一高度差HD1；其中至少一第一牺牲结构台面6的高度系大于至少一第三牺牲结构台面6”的一高度，其中至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第三牺牲结构台面6”具有一第二高度差HD2；于步骤B4当中复数个体声波共振结构形成于抛光表面41(延伸平面43)之上，其中复数个体声波共振结构包括至少一第一体声波共振结构3、至少一第二体声波共振结构3’以及至少一第三体声波共振结构3”，其中至少一第一体声波共振结构3、至少一第二体声波共振结构3’以及至少一第三体声波共振结构3”分别位于至少一第一牺牲结构台面6、至少一第二牺牲结构台面6’以及至少一第三牺牲结构台面6”的上方；于步骤B5当中蚀刻复数个牺牲结构台面以形成复数个空腔，其中复数个空腔包括至少一第一空腔40、至少一第二空腔40’以及至少一第三空腔40”，其中至少一第一空腔40、至少一第二空腔40’以及至少一第三空腔40”分别位于至少一第一体声波共振结构3、至少一第二体声波共振结构3’以及至少一第三体声波共振结构3”的下方。其中于步骤B3当中绝缘层11被研磨至使得至少一第一牺牲结构台面6、至少一第二牺牲结构台面6’以及至少一第三牺牲结构台面6”未露出如此位于抛光表面41之下且分别位于至少一第一体声波共振结构3之下、至少一第二体声波共振结构3’之下以及至少一第三体声波共振结构3”之下的绝缘层11分别形成至少一第一体声波共振结构3的一第一频率调谐结构50、至少一第二体声波共振结构3’的一第二频率调谐结构50’以及至少一第三体声波共振结构3”的一第三频率调谐结构50”。其中第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’具有一第一厚度差TD1且第一厚度差TD1系等于第一高度差HD1；且，其中第一频率调谐结构50以及第三频率调谐结构50”具有一第二厚度差TD2且第二厚度差TD2系等于第二高度差HD2。凭借调整第一高度差HD1可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。凭借调整第二高度差HD2可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第三体声波共振结构3”的一第二共振频率差FD2。在一些实施例中前述的基板10可为一化合物半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料是一磊晶结构；且，其中前述步骤B1包括以下步骤：步骤B11：(如图5A所示)形成一牺牲结构21于基板10之上；步骤B12：蚀刻牺牲结构21以形成复数个牺牲结构台面，其中复数个牺牲结构台面包括至少一第一牺牲结构台面6(21)、至少一第二牺牲结构台面6’(21)以及至少一第三牺牲结构台面6”(21)并使得复数个牺牲结构台面具有相同的高度；以及步骤B13：(如图5B所示)蚀刻至少一第一牺牲结构台面6、至少一第二牺牲结构台面6’以及至少一第三牺牲结构台面6”或蚀刻至少一第二牺牲结构台面6’以及至少一第三牺牲结构台面6”使得至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’具有第一高度差HD1且使得至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第三牺牲结构台面6”具有第二高度差HD2。
请参阅图5D其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的另一具体实施例的剖面示意图。在此实施例中基板10可为一半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。形成图5D所示的实施例的主要制程步骤与形成图5C所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中于步骤B3当中绝缘层11被研磨至使得至少一第一牺牲结构台面6露出且至少一第二牺牲结构台面6’以及至少一第三牺牲结构台面6”未露出如此位于抛光表面41(延伸平面43)之下且位于至少一第二体声波共振结构3’之下的绝缘层11形成至少一第二体声波共振结构3’的一第二频率调谐结构50’；且位于抛光表面41之下且位于至少一第三体声波共振结构3”之下的绝缘层11形成至少一第三体声波共振结构3”的一第三频率调谐结构50”。其中第二频率调谐结构50’具有一厚度T2第二频率调谐结构50’的厚度T2系等于第一高度差HD1；其中第三频率调谐结构50”具有一厚度T3第三频率调谐结构50”的厚度T3系等于第二高度差HD2。在此实施例中并无图5C所示的实施例中的第一频率调谐结构50。因此至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1与第二频率调谐结构50’的厚度T2相关也即与至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’的第一高度差HD1相关；至少一第一体声波共振结构3以及至少一第三体声波共振结构3”的第二共振频率差FD2与第三频率调谐结构50”的厚度T3相关也即与至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第三牺牲结构台面6”的第二高度差HD2相关。凭借调整第一高度差HD1可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1；凭借调整第二高度差HD2可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第三体声波共振结构3”的第二共振频率差FD2。
请参阅图5E～图5G其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的又一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。其中在图5E所示的实施例中基板10是一化合物半导体基板；构成牺牲结构21的材料是一磊晶结构。图5E～图5G的实施例的磊晶结构与图5A～图5B所示的实施例的磊晶结构大致相同，除了其中牺牲结构21包括一牺牲磊晶层27、一第二蚀刻终止层24、一第二精细调谐层25、一第一蚀刻终止层22以及一第一精细调谐层23。其中牺牲磊晶层27形成于基板10之上第二蚀刻终止层24形成于牺牲磊晶层27之上第二精细调谐层25形成于第二蚀刻终止层24之上第一蚀刻终止层22形成于第二精细调谐层25之上第一精细调谐层23形成于第一蚀刻终止层22之上。如图5F所示牺牲结构21被蚀刻成复数个牺牲结构台面，其中复数个牺牲结构台面包括至少一第一牺牲结构台面6、至少一第二牺牲结构台面6’以及至少一第三牺牲结构台面6”并使得复数个牺牲结构台面具有相同的高度。如图5G所示，其中第一精细调谐层23具有一厚度FT1第一蚀刻终止层22具有一厚度ET1第二精细调谐层25具有一厚度FT2。蚀刻至少一第二牺牲结构台面6’的第一精细调谐层23使得至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’具有第一高度差HD1；蚀刻至少一第三牺牲结构台面6”的第一精细调谐层23、第一蚀刻终止层22以及第二精细调谐层25使得至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第三牺牲结构台面6”具有第二高度差HD2。由图5G的结构可以形成如图5C的实施例；其中第一高度差HD1由第一精细调谐层23的厚度FT1所决定如此有助于精确调整第一高度差HD1也即有助于精确调整第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’的第一厚度差TD1也即有助于精确调整至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。其中第二高度差HD2由第一精细调谐层23的厚度FT1、第一蚀刻终止层22的厚度ET1以及第二精细调谐层25的厚度FT2所决定如此有助于精确调整第二高度差HD2也即有助于精确调整至少一第一体声波共振结构3以及至少一第三体声波共振结构3”的第二共振频率差FD2。由图5G的结构也可以形成如图5D的实施例；其中第一高度差HD1由第一精细调谐层23的厚度FT1所决定如此有助于精确调整第一高度差HD1也即有助于精确调整第二频率调谐结构50’的厚度T2也即有助于精确调整至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。其中第二高度差HD2由第一精细调谐层23的厚度FT1、第一蚀刻终止层22的厚度ET1以及第二精细调谐层25的厚度FT2所决定如此有助于精确调整第二高度差HD2也即有助于精确调整第三频率调谐结构50”的厚度T3也即有助于精确调整至少一第一体声波共振结构3以及至少一第三体声波共振结构3”的第二共振频率差FD2。在一些实施例中基板10由砷化镓所构成；牺牲磊晶层27由砷化镓所构成；第一蚀刻终止层22由砷化铝或磷化铟镓所构成，其中第一蚀刻终止层22具有一厚度系介于1nm以及50nm之间；第一精细调谐层23由砷化镓所构成，其中第一精细调谐层23的厚度FT1系介于1nm以及300nm之间；第二蚀刻终止层24由砷化铝或磷化铟镓所构成，其中第二蚀刻终止层24具有一厚度系介于1nm以及50nm之间；第二精细调谐层25由砷化镓所构成，其中第二精细调谐层25的厚度FT2系介于1nm以及300nm之间。在另一些实施例中基板10由磷化铟所构成；牺牲磊晶层27由砷化铟镓所构成；第一蚀刻终止层22由磷化铟所构成，其中第一蚀刻终止层22具有一厚度系介于1nm以及50nm之间；第一精细调谐层23由砷化铟镓所构成，其中第一精细调谐层23的厚度FT1系介于1nm以及300nm之间；第二蚀刻终止层24由磷化铟所构成，其中第二蚀刻终止层24具有一厚度系介于1nm以及50nm之间；第二精细调谐层25由砷化铟镓所构成，其中第二精细调谐层25的厚度FT2系介于1nm以及300nm之间。
请参阅图5H～图5K其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的再一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。在此实施例中基板10是一化合物半导体基板；构成牺牲结构21的材料是一磊晶结构。图5K所示的实施例由图5E所示的磊晶结构所形成。形成图5K所示的实施例的主要制程步骤与形成图3G所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中形成至少一第一体声波共振器1、至少一第二体声波共振器1’以及至少一第三体声波共振器1”于基板10之上；其中步骤C1包括以下步骤：步骤C11：(如图5E所示)形成一牺牲结构21于基板10之上，其中牺牲结构21包括一牺牲磊晶层27、一第二蚀刻终止层24、一第二精细调谐层25、一第一蚀刻终止层22以及一第一精细调谐层23。其中牺牲磊晶层27形成于基板10之上第二蚀刻终止层24形成于牺牲磊晶层27之上第二精细调谐层25形成于第二蚀刻终止层24之上第一蚀刻终止层22形成于第二精细调谐层25之上第一精细调谐层23形成于第一蚀刻终止层22之上；以及步骤C12：(如图5F所示)蚀刻牺牲结构21以形成复数个牺牲结构台面，其中复数个牺牲结构台面具有相同的高度，其中复数个牺牲结构台面包括至少一第一牺牲结构台面6、至少一第二牺牲结构台面6’以及至少一第三牺牲结构台面6”。经由步骤C2以及步骤C3形成如图5H的结构。其中步骤C4：(如图5I所示)蚀刻至少一第二牺牲结构台面6’的第一精细调谐层23使得至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’具有第一高度差HD1；蚀刻至少一第三牺牲结构台面6”的第一精细调谐层23、第一蚀刻终止层22以及第二精细调谐层25使得至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第三牺牲结构台面6”具有第二高度差HD2。其中第一精细调谐层23具有一厚度FT1第一蚀刻终止层22具有一厚度ET1第二精细调谐层25具有一厚度FT2。其中于步骤C5：形成复数个体声波共振结构，其中复数个体声波共振结构包括至少一第一体声波共振结构3、至少一第二体声波共振结构3’以及至少一第三体声波共振结构3”；其中步骤C5包括以下步骤：步骤C51、步骤C52、步骤C53、步骤C54以及步骤C55。经由步骤C51以及步骤C52形成如图5J的结构，其中第二次研磨层51被研磨至使得至少一第一牺牲结构台面6、至少一第二牺牲结构台面6’以及至少一第三牺牲结构台面6”未露出如此位于抛光表面41(延伸平面43)之下且分别位于至少一第一体声波共振结构3之下、至少一第二体声波共振结构3’之下以及至少一第一体声波共振结构3”之下的第二次研磨层51分别形成至少一第一体声波共振结构3的一第一频率调谐结构50、至少一第二体声波共振结构3’的一第二频率调谐结构50’以及至少一第三体声波共振结构3”的一第三频率调谐结构50”。其中第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’具有一第一厚度差TD1且第一厚度差TD1系等于第一高度差HD1。其中第一频率调谐结构50以及第三频率调谐结构50”具有一第二厚度差TD2且第二厚度差TD2系等于第二高度差HD2。再经由步骤C53、步骤C54、步骤C55以及步骤C6形成如图5K的结构，其中复数个空腔包括至少一第一空腔40、至少一第二空腔40’以及至少一第三空腔40”。其中至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’具有一第一共振频率差FD1第一共振频率差FD1与第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’的第一厚度差TD1相关也即与第一高度差HD1相关；从而凭借调整第一高度差HD1可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。其中至少一第一体声波共振结构3以及至少一第三体声波共振结构3”具有一第二共振频率差FD2第二共振频率差FD2与第一频率调谐结构50以及第三频率调谐结构50”的第二厚度差TD2相关也即与第二高度差HD2相关；从而凭借调整第二高度差HD2可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第三体声波共振结构3”的第二共振频率差FD2。其中构成第二次研磨层51的材料是绝缘体。
请参阅图5L、图5M其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。在此实施例中基板10是一化合物半导体基板；构成牺牲结构21的材料是一磊晶结构。形成图5M所示的实施例的主要制程步骤与形成图5K所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中在步骤C52当中第二次研磨层51被研磨至使得至少一第一牺牲结构台面6露出且至少一第二牺牲结构台面6’以及至少一第三牺牲结构台面6”未露出(如图5L所示)如此位于抛光表面41(延伸平面43)之下且位于至少一第二体声波共振结构3’之下的第二次研磨层51形成至少一第二体声波共振结构3’的一第二频率调谐结构50’；位于抛光表面41之下且位于至少一第三体声波共振结构3”之下的第二次研磨层51形成至少一第三体声波共振结构3”的一第三频率调谐结构50”。如图5L所示，其中第二频率调谐结构50’具有一厚度T2第二频率调谐结构50’的厚度T2系等于第一高度差HD1；其中第三频率调谐结构50”具有一厚度T3第三频率调谐结构50”的厚度T3系等于第二高度差HD2。在此实施例中并无图5K所示的实施例中的第一频率调谐结构50。因此至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1与第二频率调谐结构50’的厚度T2相关也即与至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’的第一高度差HD1相关。凭借调整第一高度差HD1可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1；且至少一第一体声波共振结构3以及至少一第三体声波共振结构3”的第二共振频率差FD2与第三频率调谐结构50”的厚度T3相关也即与至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第三牺牲结构台面6”的第二高度差HD2相关。凭借调整第二高度差HD2可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第三体声波共振结构3”的第二共振频率差FD2。在此实施例中构成第二次研磨层51的材料可包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及绝缘体。
请参阅图5N、图5O其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。在此实施例中基板10是一化合物半导体基板；构成牺牲结构21的材料是一磊晶结构。形成图5O所示的实施例的主要制程步骤与形成图5K所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中于步骤C5当中复数个体声波共振结构形成于一延伸平面43之上，其中延伸平面43与预先抛光表面42相重合，其中步骤C5包括以下步骤：步骤C51’：形成一第二次研磨层51于复数个牺牲结构台面以及绝缘层11之上，其中构成第二次研磨层51的材料包括选自以下群组的至少一者：金属以及合金；在一较佳的实施例中构成第二次研磨层51的材料包括选自以下群组的至少一者：钌、钛、钼、铂、金、铝以及钨；步骤C52’：(如图5J所示)以一化学机械平坦化制程研磨第二次研磨层51以形成一抛光表面41使得复数个牺牲结构台面未露出；步骤C53’：(如图5N所示)图形化第二次研磨层51；步骤C54’：形成一压电层31于抛光表面41之上；以及步骤C55’：形成一顶电极层32于压电层31之上。于步骤C6蚀刻去除复数个牺牲结构台面之后即形成如图5O所示的实施例。其中于步骤C4当中至少一第二牺牲结构台面6’以及至少一第三牺牲结构台面6”被蚀刻；其中位于预先抛光表面42(延伸平面43)之上、抛光表面41之下、且位于至少一第一体声波共振结构3之下的第二次研磨层51形成至少一第一体声波共振结构3的一底电极层30；其中位于预先抛光表面42(延伸平面43)之上、抛光表面41之下、且位于至少一第二体声波共振结构3’之下的第二次研磨层51形成至少一第二体声波共振结构3’的一底电极层30；其中位于预先抛光表面42(延伸平面43)之下且位于至少一第二体声波共振结构3’之下的第二次研磨层51形成至少一第二体声波共振结构3’的一第二频率调谐结构50’，其中第二频率调谐结构50’具有一厚度T2第二频率调谐结构50’的厚度T2系等于第一高度差HD1；其中位于预先抛光表面42(延伸平面43)之上、抛光表面41之下、且位于至少一第三体声波共振结构3”之下的第二次研磨层51形成至少一第三体声波共振结构3”的一底电极层30；其中位于预先抛光表面42(延伸平面43)之下且位于至少一第三体声波共振结构3”之下的第二次研磨层51形成至少一第三体声波共振结构3”的一第三频率调谐结构50”，其中第三频率调谐结构50”具有一厚度T3第三频率调谐结构50”的厚度T3系等于第二高度差HD2。凭借调整第一高度差HD1可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1；凭借调整第二高度差HD2可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第三体声波共振结构3”的第二共振频率差FD2。
请参阅图5P其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的又一具体实施例的剖面示意图。形成图5P所示的实施例的主要制程步骤与形成图5K所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中步骤C5包括以下步骤：步骤C51”：形成一第二次研磨层51于复数个牺牲结构台面以及绝缘层11之上，其中基板10是一化合物半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料是一磊晶结构；其中构成第二次研磨层51的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及绝缘体；步骤C52”：(如图5J所示)以一化学机械平坦化制程研磨第二次研磨层51以形成一抛光表面41使得至少一第一牺牲结构台面6、至少一第二牺牲结构台面6’以及至少一第三牺牲结构台面6”未露出；步骤C53”：(如图5N所示)图形化第二次研磨层51；步骤C54”：形成一底电极层30于抛光表面41(延伸平面43)之上；步骤C55”：形成一压电层31于底电极层30之上；以及步骤C56”：形成一顶电极层32于压电层31之上。经步骤C6而形成如图5P所示的实施例如此位于抛光表面41之下且分别位于至少一第一体声波共振结构3之下、至少一第二体声波共振结构3’之下以及至少一第三体声波共振结构3”之下的第二次研磨层51分别形成至少一第一体声波共振结构3的一第一频率调谐结构50、至少一第二体声波共振结构3’的一第二频率调谐结构50’以及至少一第三体声波共振结构3”的一第三频率调谐结构50”；其中第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’具有一第一厚度差TD1第一厚度差TD1系等于第一高度差HD1；其中第一频率调谐结构50以及第三频率调谐结构50”具有一第二厚度差TD2第二厚度差TD2系等于第二高度差HD2。凭借调整第一高度差HD1可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。凭借调整第二高度差HD2可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第三体声波共振结构3”的一第二共振频率差FD2。
前述图5K、图5M、图5O以及图5P等实施例也可由如图5A的结构所形成(其中基板10是一半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构)。
请参阅图6A～图6C其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。在此实施例中基板10可为一半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。其中图6A的结构与图3B所示的结构大致相同，除了其中复数个牺牲结构台面包括至少一第一牺牲结构台面6、至少一第二牺牲结构台面6’以及至少一第三牺牲结构台面6”。形成图6C所示的实施例的主要制程步骤与形成图4D所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中形成至少一第一体声波共振器1、至少一第二体声波共振器1’以及至少一第三体声波共振器1”；其中于步骤C1当中复数个牺牲结构台面包括至少一第一牺牲结构台面6、至少一第二牺牲结构台面6’以及至少一第三牺牲结构台面6”；其中于步骤C4当中至少一第一牺牲结构台面6、至少一第二牺牲结构台面6’以及至少一第三牺牲结构台面6”被蚀刻使得至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第二牺牲结构台面6’具有一第一高度差HD1至少一第一牺牲结构台面6以及至少一第三牺牲结构台面6”具有一第二高度差HD2(如图6B所示)；其中于步骤C5当中复数个体声波共振结构包括至少一第一体声波共振结构3、至少一第二体声波共振结构3’以及至少一第三体声波共振结构3”至少一第一体声波共振结构3、至少一第二体声波共振结构3’以及至少一第三体声波共振结构3”分别位于至少一第一牺牲结构台面6之上、至少一第二牺牲结构台面6’之上以及至少一第三牺牲结构台面6”之上；于步骤C52当中第二次研磨层51被研磨至使得至少一第一牺牲结构台面6、至少一第二牺牲结构台面6’以及至少一第三牺牲结构台面6”未露出如此位于抛光表面41(延伸平面43)之下且分别位于至少一第一体声波共振结构3之下、至少一第二体声波共振结构3’之下以及至少一第一体声波共振结构3”之下的第二次研磨层51分别形成至少一第一体声波共振结构3的一第一频率调谐结构50、至少一第二体声波共振结构3’的一第二频率调谐结构50’以及至少一第三体声波共振结构3”的一第三频率调谐结构50”；其中第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’具有一第一厚度差TD1第一厚度差TD1系等于第一高度差HD1；其中第一频率调谐结构50以及第三频率调谐结构50”具有一第二厚度差TD2第二厚度差TD2系等于第二高度差HD2。凭借调整第一高度差HD1可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。凭借调整第二高度差HD2可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第三体声波共振结构3”的一第二共振频率差FD2。其中构成第二次研磨层51的材料是绝缘体。
请参阅图6D其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的另一具体实施例的剖面示意图。在此实施例中基板10可为一半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。形成图6D所示的实施例的主要制程步骤与形成图6C所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中于步骤C52当中第二次研磨层51被研磨至至少使得抛光表面41(延伸平面43)与预先抛光表面42重合或使得抛光表面41低于预先抛光表面42且，其中至少一第一牺牲结构台面6、至少一第二牺牲结构台面6’以及至少一第三牺牲结构台面6”未露出。在此实施例中构成第二次研磨层51的材料可包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及绝缘体。
请参阅图6E其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的再一具体实施例的剖面示意图。在此实施例中基板10可为一半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。形成图6E所示的实施例的主要制程步骤与形成图6C所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中于步骤C5当中复数个体声波共振结构形成于一延伸平面43之上，其中延伸平面43与预先抛光表面42相重合，其中步骤C5包括以下步骤：步骤C51’：形成一第二次研磨层51于复数个牺牲结构台面以及绝缘层11之上，其中构成第二次研磨层51的材料包括选自以下群组的至少一者：金属以及合金；在一较佳的实施例中构成第二次研磨层51的材料包括选自以下群组的至少一者：钌、钛、钼、铂、金、铝以及钨；步骤C52’：以一化学机械平坦化制程研磨第二次研磨层51以形成一抛光表面41使得复数个牺牲结构台面未露出；步骤C53’：图形化第二次研磨层51；步骤C54’：形成一压电层31于抛光表面41之上；以及步骤C55’：形成一顶电极层32于压电层31之上。于步骤C6蚀刻去除复数个牺牲结构台面之后即形成如图6E所示的实施例。其中位于预先抛光表面42(延伸平面43)之上、抛光表面41之下、且位于至少一第一体声波共振结构3之下的第二次研磨层51形成至少一第一体声波共振结构3的一底电极层30；其中位于预先抛光表面42(延伸平面43)之下且位于至少一第一体声波共振结构3之下的第二次研磨层51形成至少一第一体声波共振结构3的一第一频率调谐结构50；其中位于预先抛光表面42(延伸平面43)之上、抛光表面41之下、且位于至少一第二体声波共振结构3’之下的第二次研磨层51形成至少一第二体声波共振结构3’的一底电极层30；其中位于预先抛光表面42(延伸平面43)之下且位于至少一第二体声波共振结构3’之下的第二次研磨层51形成至少一第二体声波共振结构3’的一第二频率调谐结构50’，其中第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’具有一第一厚度差TD1第一厚度差TD1系等于第一高度差HD1；其中位于预先抛光表面42(延伸平面43)之上、抛光表面41之下、且位于至少一第三体声波共振结构3”之下的第二次研磨层51形成至少一第三体声波共振结构3”的一底电极层30；其中位于预先抛光表面42(延伸平面43)之下且位于至少一第三体声波共振结构3”之下的第二次研磨层51形成至少一第三体声波共振结构3”的一第三频率调谐结构50”，其中第一频率调谐结构50以及第三频率调谐结构50”具有一第二厚度差TD2第二厚度差TD2系等于第二高度差HD2。凭借调整第一高度差HD1可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。凭借调整第二高度差HD2可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第三体声波共振结构3”的一第二共振频率差FD2。
请参阅图6F其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的又一具体实施例的剖面示意图。形成图6F所示的实施例的主要制程步骤与形成图6C所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中步骤C5包括以下步骤：步骤C51”：形成一第二次研磨层51于复数个牺牲结构台面以及绝缘层11之上，其中基板10是一化合物半导体基板；构成复数个牺牲结构台面的材料是一磊晶结构；其中构成第二次研磨层51的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及绝缘体；步骤C52”：以一化学机械平坦化制程研磨第二次研磨层51以形成一抛光表面41使得至少一第一牺牲结构台面6、至少一第二牺牲结构台面6’以及至少一第三牺牲结构台面6”未露出；步骤C53”：图形化第二次研磨层51；步骤C54”：形成一底电极层30于抛光表面41(延伸平面43)之上；步骤C55”：形成一压电层31于底电极层30之上；以及步骤C56”：形成一顶电极层32于压电层31之上。经步骤C6而形成如图6F所示的实施例如此位于抛光表面41之下且分别位于至少一第一体声波共振结构3之下、至少一第二体声波共振结构3’之下以及至少一第三体声波共振结构3”之下的第二次研磨层51分别形成至少一第一体声波共振结构3的一第一频率调谐结构50、至少一第二体声波共振结构3’的一第二频率调谐结构50’以及至少一第三体声波共振结构3”的一第三频率调谐结构50”；其中第一频率调谐结构50以及第二频率调谐结构50’具有一第一厚度差TD1第一厚度差TD1系等于第一高度差HD1；其中第一频率调谐结构50以及第三频率调谐结构50”具有一第二厚度差TD2第二厚度差TD2系等于第二高度差HD2。凭借调整第一高度差HD1可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第二体声波共振结构3’的第一共振频率差FD1。凭借调整第二高度差HD2可调谐至少一第一体声波共振结构3以及至少一第三体声波共振结构3”的一第二共振频率差FD2。
前述图6C、图6D、图6E以及图6F等实施例也可由如图5E的磊晶结构所形成，其中基板10是一化合物半导体基板；构成牺牲结构21的材料是一磊晶结构。
前述图5E中的牺牲结构21可更包括一顶蚀刻终止层26形成于第一精细调谐层23之上(图中未显示)如此可形成图6C、图6D、图6E以及图6F等实施例。其中此顶蚀刻终止层26的功能与图4J中的顶蚀刻终止层26的功能相同。为避免位于接近基板10的中心的复数个牺牲结构台面的第一精细调谐层23与位于远离基板10的中心的复数个牺牲结构台面的第一精细调谐层23被研磨成不一样的厚度可凭借顶蚀刻终止层26使得位于接近基板10的中心的复数个牺牲结构台面的第一精细调谐层23的厚度能维持等于位于远离基板10的中心的复数个牺牲结构台面的第一精细调谐层23的厚度。
在本发明的图5C、图5K、图5P、图6C、图6D、图6E以及图6F的实施例中其共通的处在于：至少一第一体声波共振结构3的底电极层30、至少一第二体声波共振结构3’的底电极层30以及至少一第一体声波共振结构3”的底电极层30系都形成于延伸平面43之上；第一频率调谐结构50、第二频率调谐结构50’以及第一频率调谐结构50”系都形成于延伸平面43之下。在本发明的图5D、图5M以及图5O的实施例中其共通的处在于：至少一第一体声波共振结构3的底电极层30、至少一第二体声波共振结构3’的底电极层30以及至少一第一体声波共振结构3”的底电极层30系都形成于延伸平面43之上；第二频率调谐结构50’以及第一频率调谐结构50”系都形成于延伸平面43之下。
前述图3G、图3I、图3K、图3L、图4D、图4F、图4H、图4I、图5C、图5D、图5K、图5M、图5O、图5P、图6C、图6D、图6E以及图6F的实施例都可如图2I或图2J的实施例般更包括一底蚀刻终止层20，其中底蚀刻终止层20形成于基板10之上绝缘层11形成于底蚀刻终止层20之上至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’也位于底蚀刻终止层20之上。其中基板10是一化合物半导体基板；构成复数个牺牲结构台面(牺牲结构21)的材料是一磊晶结构。
请参阅图6G其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的一具体实施例的局部放大剖面示意图。图6G的结构是本发明的图1F、图1K、图2F、图2I以及图5C的实施例的局部放大剖面示意图。其中体声波共振结构3的底金属层30在边缘处可以较为平缓的方式缓缓变薄如此在底金属层30的边缘处附近的压电层31的结晶能维持较好的状态不至于产生结晶裂痕或断裂的现象。因此图6G的结构中底金属层30在边缘处系以较为平缓的方式缓缓变薄是一较佳的实施例。在本发明的其他实施例中体声波共振结构3(或体声波共振结构3’、或体声波共振结构3”)的底金属层30的边缘处也具有类似图6G的结构底金属层30系以较为平缓的方式缓缓变薄。请参阅图6H其是本发明一种用于调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法的另一具体实施例的局部放大剖面示意图。图6H的结构是本发明的图3L以及图5P的实施例的局部放大剖面示意图。其中除了体声波共振结构3的底金属层30在边缘处系以较为平缓的方式缓缓变薄的外第二次研磨层51在边缘处也以较为平缓的方式缓缓变薄。在本发明的图4I以及图6F的实施例中第二次研磨层51在边缘处也可以较为平缓的方式缓缓变薄。
在本发明的实施例当中频率调谐结构50(或频率调谐结构50’、或频率调谐结构50”)的厚度若太厚会影响到体声波共振结构3(或体声波共振结构3’、或体声波共振结构3”)的共振膜态因此频率调谐结构50(或频率调谐结构50’、或频率调谐结构50”)的厚度需小于1000nm。在一些较佳的实施例中频率调谐结构50(或频率调谐结构50’、或频率调谐结构50”)的厚度系等于或小于300nm。
本发明更提供一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法。请参阅图7A～图7C其是本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器1的制造方法包括以下步骤：步骤D1：形成一牺牲结构台面6于一基板10之上，其中牺牲结构台面6分成复数个区部(7)复数个区部(7)包括一中央区部70以及一边缘区部71，其中牺牲结构台面6的边缘区部71系环绕着牺牲结构台面6之中央区部70的周围，其中牺牲结构台面6的边缘区部71具有一宽度X1；步骤D2：蚀刻牺牲结构台面6使得牺牲结构台面6的复数个区部(7)的任两相邻者具有不同的高度(牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的边缘区部71具有一高度差Y1)，其中牺牲结构台面6的一最高区部(在此实施例中是中央区部70)具有一最高台面顶表面，其中一台面顶延伸平面44与最高台面顶表面重合(请参阅图7A)；步骤D3：形成一绝缘层11于牺牲结构台面6以及基板10之上，其中构成绝缘层11的材料包括选自以下群组的至少一者：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)以及聚合物(Polymer)；步骤D4：以一化学机械平坦化制程研磨绝缘层11以形成一抛光表面41(请参阅图7B)，其中牺牲结构台面6的复数个区部(7)具有一几何构形；步骤D5：形成一体声波共振结构3于抛光表面41之上，其中体声波共振结构3位于牺牲结构台面6的上方，其中步骤D5包括以下步骤：步骤D51：形成一底电极层30于抛光表面41之上；步骤D52：形成一压电层31于底电极层30之上；以及步骤D53：形成一顶电极层32于压电层31之上；以及步骤D6：蚀刻牺牲结构台面6以形成一空腔40，其中空腔40位于体声波共振结构3的下方(请参阅图7C)；其中在步骤D4中绝缘层11被研磨至使得牺牲结构台面6未露出，其中位于体声波共振结构3之下、空腔40之上且介于抛光表面41以及台面顶延伸平面44之间的绝缘层11形成一频率调谐结构，其中频率调谐结构具有一厚度T，其中位于体声波共振结构3之下且介于台面顶延伸平面44以及空腔40之间的绝缘层11形成一质量调整结构8。在此实施例中质量调整结构8包括一边缘质量调整结构81。其中边缘质量调整结构81位于相对应于牺牲结构台面6的边缘区部71的位置。边缘质量调整结构81的一宽度(X1)系等于牺牲结构台面6的边缘区部71的宽度X1。边缘质量调整结构81的一厚度(Y1)系等于牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的边缘区部71的高度差Y1。凭借形成质量调整结构8使得由体声波共振器1的体声波共振结构3的顶电极层32、压电层31以及底电极层30所形成的一声波共振膜的周边的边界条件改变。由于体声波共振结构3的周边的边界条件改变当入射波于体声波共振结构3的周边反射时反射波与入射波的比例会有所改变。牺牲结构台面6的复数个区部(7)的几何构形相关于质量调整结构8的一几何构形；从而凭借设计及调整牺牲结构台面6的复数个区部(7)的几何构形的一尺寸以调整质量调整结构8的几何构形的一尺寸(在此实施例中例如设计及调整边缘质量调整结构81的厚度Y1或宽度X1)以调整反射波与入射波的比例使得体声波共振器1的一品质因子(QFactor)有效地增强；同时有效地抑制体声波共振器1的寄生模态(Spurious Mode)。此外在此实施例中绝缘层11可有效地增强体声波共振结构3的机械结构强度。因此可避免当体声波共振结构3受应力的影响向下弯曲而接触到基板10而影响到体声波共振器1的特性。此外增强体声波共振器1的体声波共振结构3的机械结构强度可避免体声波共振器1的体声波共振结构3崩塌。在一些实施例中基板10是一半导体基板，其中构成牺牲结构台面6的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。
在一些其他实施例中基板10是一化合物半导体基板。其中步骤D1包括以下步骤：步骤D11：形成一牺牲结构21于基板10之上；以及步骤D12：蚀刻牺牲结构21以形成牺牲结构台面6。在一些实施例中基板10由砷化镓所构成牺牲结构21包括一砷化镓层。在另一些实施例中基板10由磷化铟所构成牺牲结构21包括一砷化铟镓层。在一些实施例中牺牲结构21包括一牺牲磊晶层27、一第一蚀刻终止层22以及一第一精细调谐层23，其中牺牲磊晶层27形成于基板10之上第一蚀刻终止层22形成于牺牲磊晶层27之上第一精细调谐层23形成于第一蚀刻终止层22之上(请参阅图2K)。牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的边缘区部71的高度差Y1由第一精细调谐层23的一厚度所决定。因此有助于精确调整边缘质量调整结构81的厚度(Y1)从而精确地增强体声波共振器1的品质因子；同时精确地抑制体声波共振器1的寄生模态。
请参阅图7D～图7E其是本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。形成图7E所示的实施例的主要制程步骤与形成图7C所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中于步骤D4当中绝缘层11被研磨至使得牺牲结构台面6露出(请参阅图7D)，其中位于体声波共振结构3之下且介于抛光表面41以及空腔40之间的绝缘层11形成一质量调整结构8(请参阅图7E)。牺牲结构台面6的复数个区部(7)的几何构形相关于质量调整结构8的一几何构形；从而凭借调整牺牲结构台面6的复数个区部(7)的几何构形以调整质量调整结构8的几何构形使得体声波共振器1的一品质因子有效地增强；同时有效地抑制体声波共振器1的寄生模态。在此实施例中质量调整结构8包括一边缘质量调整结构81。其中边缘质量调整结构81位于相对应于牺牲结构台面6的边缘区部71的位置。边缘质量调整结构81的一宽度(X1)系等于牺牲结构台面6的边缘区部71的宽度X1。绝缘层11被研磨至使得牺牲结构台面6露出并使得抛光表面41与台面顶延伸平面44重合或使得抛光表面41低于台面顶延伸平面44因此边缘质量调整结构81的一厚度(Y1’)系等于或小于牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的边缘区部71的高度差Y1。
本发明更提供一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法。请参阅图7F～图7H其是本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器1的制造方法包括以下步骤：步骤E1：形成一牺牲结构台面6于一基板10之上；步骤E2：形成一绝缘层11于牺牲结构台面6以及基板10之上，其中构成绝缘层11的材料包括选自以下群组的至少一者：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)以及聚合物(Polymer)；步骤E3：以一预先化学机械平坦化制程研磨绝缘层11以形成一预先抛光表面42使得牺牲结构台面6露出，其中牺牲结构台面6分成复数个区部(7)复数个区部(7)包括一中央区部70以及一边缘区部71，其中牺牲结构台面6的边缘区部71系环绕着牺牲结构台面6之中央区部70的周围，其中牺牲结构台面6的边缘区部71具有一宽度X1(步骤E1、步骤E2以及步骤E3系类似于图3A以及图3B中仅有一个牺牲结构台面6的实施例的步骤类似)；步骤E4：蚀刻牺牲结构台面6使得牺牲结构台面6的复数个区部(7)的任两相邻者具有不同的高度(牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的边缘区部71具有一高度差Y1)，其中牺牲结构台面6的一最高区部(在此实施例中是中央区部70)具有一最高台面顶表面，其中一台面顶延伸平面44与最高台面顶表面重合，其中台面顶延伸平面44与预先抛光表面42重合，其中牺牲结构台面6的复数个区部(7)具有一几何构形(请参阅图7F)；步骤E5：形成一体声波共振结构3，其中体声波共振结构3位于牺牲结构台面6的上方，其中步骤E5包括以下步骤：步骤E51：形成一第二次研磨层51于牺牲结构台面6以及绝缘层11之上，其中构成第二次研磨层51的材料是绝缘体；在一较佳的实施例中，其中构成第二次研磨层51的材料包括选自以下群组的至少一者：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)以及聚合物(Polymer)，其中聚合物可包括苯并环丁烷(BCB：BenzoCyclobutane)；步骤E52：以一化学机械平坦化制程研磨第二次研磨层51以形成一抛光表面41使得牺牲结构台面6未露出(请参阅图7G)；步骤E53：形成一底电极层30于抛光表面41之上；步骤E54：形成一压电层31于底电极层30之上；以及步骤E55：形成一顶电极层32于压电层31之上；以及步骤E6：蚀刻牺牲结构台面6以形成一空腔40(请参阅图7H)，其中空腔40位于体声波共振结构3的下方；其中位于体声波共振结构3之下、空腔40之上且介于抛光表面41以及台面顶延伸平面44之间的第二次研磨层51形成一频率调谐结构，其中频率调谐结构具有一厚度T，其中位于体声波共振结构3之下且介于台面顶延伸平面44以及空腔40之间的第二次研磨层51形成一质量调整结构8。牺牲结构台面6的复数个区部(7)的几何构形相关于质量调整结构8的一几何构形；从而凭借调整牺牲结构台面6的复数个区部(7)的几何构形以调整质量调整结构8的几何构形使得体声波共振器1的一品质因子有效地增强；同时有效地抑制体声波共振器1的寄生模态。在此实施例中质量调整结构8包括一边缘质量调整结构81。其中边缘质量调整结构81位于相对应于牺牲结构台面6的边缘区部71的位置。边缘质量调整结构81的一宽度(X1)系等于牺牲结构台面6的边缘区部71的宽度X1。边缘质量调整结构81的一厚度(Y1)系等于牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的边缘区部71的高度差Y1。在一些实施例中基板10是一半导体基板，其中构成牺牲结构台面6的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。
在一些其他实施例中基板10是一化合物半导体基板。其中步骤E1包括以下步骤：步骤E11：形成一牺牲结构21于基板10之上；以及步骤E12：蚀刻牺牲结构21以形成牺牲结构台面6。在一些实施例中基板10由砷化镓所构成牺牲结构21包括一砷化镓层。在另一些实施例中基板10由磷化铟所构成牺牲结构21包括一砷化铟镓层。在一些实施例中牺牲结构21包括一牺牲磊晶层27、一第一蚀刻终止层22以及一第一精细调谐层23，其中牺牲磊晶层27形成于基板10之上第一蚀刻终止层22形成于牺牲磊晶层27之上第一精细调谐层23形成于第一蚀刻终止层22之上(请参阅图2K)。牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的边缘区部71的高度差Y1由第一精细调谐层23的一厚度所决定。因此有助于精确调整边缘质量调整结构81的厚度(Y1)从而精确地增强体声波共振器1的品质因子；同时精确地抑制体声波共振器1的寄生模态。
请参阅图7I～图7K其是本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。形成图7K所示的实施例的主要制程步骤与形成图7H所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中于步骤E4当中牺牲结构台面6被蚀刻使得牺牲结构台面6的复数个区部(7)的任两相邻者具有不同的高度(牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的边缘区部71具有一高度差Y1)，其中牺牲结构台面6的一最高区部(在此实施例中是中央区部70)具有一最高台面顶表面，其中一台面顶延伸平面44与最高台面顶表面重合，其中台面顶延伸平面44系低于预先抛光表面42，其中牺牲结构台面6的复数个区部(7)具有一几何构形(请参阅图7I)。经步骤E52之后形成如图7J所示的结果。于步骤E6之后，其中位于体声波共振结构3之下、空腔40之上且介于抛光表面41以及台面顶延伸平面44之间的第二次研磨层51形成一频率调谐结构，其中频率调谐结构具有一厚度T，其中位于体声波共振结构3之下且介于台面顶延伸平面44以及空腔40之间的第二次研磨层51形成一质量调整结构8(请参阅图7K)。
本发明更提供一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法。请参阅图7L～图7M其是本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器1的制造方法包括以下步骤：步骤F1：形成一牺牲结构台面6于一基板10之上；步骤F2：形成一绝缘层11于牺牲结构台面6以及基板10之上，其中构成绝缘层11的材料包括选自以下群组的至少一者：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)以及聚合物(Polymer)；步骤F3：以一预先化学机械平坦化制程研磨绝缘层11以形成一预先抛光表面42使得复数个牺牲结构台面6露出，其中牺牲结构台面6分成复数个区部(7)复数个区部(7)包括一中央区部70以及一边缘区部71，其中牺牲结构台面6的边缘区部71系环绕着牺牲结构台面6之中央区部70的周围，其中牺牲结构台面6的边缘区部71具有一宽度X1(步骤F1、步骤F2以及步骤F3系类似于图3A以及图3B中仅有一个牺牲结构台面6的实施例的步骤类似)；步骤F4：蚀刻牺牲结构台面6使得牺牲结构台面6的复数个区部(7)的任两相邻者具有不同的高度(牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的边缘区部71具有一高度差Y1)，其中牺牲结构台面6的一最高区部(在此实施例中是中央区部70)具有一最高台面顶表面，其中一台面顶延伸平面44与最高台面顶表面重合，其中台面顶延伸平面44与预先抛光表面42重合，其中牺牲结构台面6的复数个区部(7)具有一几何构形(请参阅图7F)；步骤F5：形成一体声波共振结构3，其中体声波共振结构3位于牺牲结构台面6的上方，其中步骤F5包括以下步骤：步骤F51：形成一第二次研磨层51于牺牲结构台面6以及绝缘层11之上，其中构成第二次研磨层51的材料包括选自以下群组的至少一者：金属以及合金；在一较佳的实施例中，其中构成第二次研磨层51的材料包括选自以下群组的至少一者：钌(Ru)、钛(Ti)、钼(Mo)、铂(Pt)、金(Au)、铝(Al)以及钨(W)；步骤F52：以一化学机械平坦化制程研磨第二次研磨层51以形成一抛光表面41使得牺牲结构台面6未露出(请参阅图7G)；步骤F53：图形化第二次研磨层51(请参阅图7L)；步骤F54：形成一压电层31于第二次研磨层51的抛光表面41以及绝缘层11的预先抛光表面42之上；以及步骤F55：形成一顶电极层32于压电层31之上；以及步骤F6：蚀刻牺牲结构台面6以形成一空腔40，其中空腔40位于体声波共振结构3的下方；其中位于压电层31之下、空腔40之上且介于抛光表面41以及台面顶延伸平面44之间的第二次研磨层51形成体声波共振结构3的一底电极层30；其中位于体声波共振结构3之下且介于台面顶延伸平面44以及空腔40之间的第二次研磨层51形成一质量调整结构8(请参阅图7M)。牺牲结构台面6的复数个区部(7)的几何构形相关于质量调整结构8的一几何构形；从而凭借调整牺牲结构台面6的复数个区部(7)的几何构形以调整质量调整结构8的几何构形使得体声波共振器1的一品质因子有效地增强；同时有效地抑制体声波共振器1的寄生模态。在此实施例中质量调整结构8包括一边缘质量调整结构81。其中边缘质量调整结构81位于相对应于牺牲结构台面6的边缘区部71的位置。边缘质量调整结构81的一宽度(X1)系等于牺牲结构台面6的边缘区部71的宽度X1。边缘质量调整结构81的一厚度(Y1)系等于牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的边缘区部71的高度差Y1。在一些实施例中基板10是一半导体基板，其中构成牺牲结构台面6的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。
在一些其他实施例中基板10是一化合物半导体基板。其中步骤F1包括以下步骤：步骤F11：形成一牺牲结构21于基板10之上；以及步骤F12：蚀刻牺牲结构21以形成牺牲结构台面6。在一些实施例中基板10由砷化镓所构成牺牲结构21包括一砷化镓层。在另一些实施例中基板10由磷化铟所构成牺牲结构21包括一砷化铟镓层。在一些实施例中牺牲结构21包括一牺牲磊晶层27、一第一蚀刻终止层22以及一第一精细调谐层23，其中牺牲磊晶层27形成于基板10之上第一蚀刻终止层22形成于牺牲磊晶层27之上第一精细调谐层23形成于第一蚀刻终止层22之上(请参阅图2K)。牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的边缘区部71的高度差Y1由第一精细调谐层23的一厚度所决定。因此有助于精确调整边缘质量调整结构81的厚度(Y1)从而精确地增强体声波共振器1的品质因子；同时精确地抑制体声波共振器1的寄生模态。
请参阅图7N～图7O其是本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法的另一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。形成图7O所示的实施例的主要制程步骤与形成图7M所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中于步骤F4当中牺牲结构台面6被蚀刻使得牺牲结构台面6的复数个区部(7)的任两相邻者具有不同的高度(牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的边缘区部71具有一高度差Y1)，其中牺牲结构台面6的一最高区部(在此实施例中是中央区部70)具有一最高台面顶表面，其中一台面顶延伸平面44与最高台面顶表面重合，其中台面顶延伸平面44系低于预先抛光表面42，其中牺牲结构台面6的复数个区部(7)具有一几何构形(请参阅图7I)。经步骤F52之后形成如图7J所示的结果。经步骤F53之后形成如图7N所示的结果。于步骤F6之后，其中位于压电层31之下、空腔40之上且介于抛光表面41以及台面顶延伸平面44之间的第二次研磨层51形成体声波共振结构3的一底电极层30，其中位于体声波共振结构3之下且介于台面顶延伸平面44以及空腔40之间的第二次研磨层51形成一质量调整结构8(请参阅图7O)。
请参阅图7P～图7Q其是本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法的一具体实施例的制程步骤的剖面示意图。形成图7Q所示的实施例的主要制程步骤与形成图7C所示的实施例的制程步骤大致相同，除了其中于步骤D1当中复数个区部(7)包括一中央区部70以及一第一边缘区部71以及一第二边缘区部72，其中牺牲结构台面6的第二边缘区部72系环绕着牺牲结构台面6之中央区部70的周围，其中牺牲结构台面6的第一边缘区部71系环绕着第二边缘区部72的周围牺牲结构台面6的第二边缘区部72位于牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的第一边缘区部71之间。其中牺牲结构台面6的第一边缘区部71具有一宽度X1；牺牲结构台面6的第二边缘区部72具有一宽度X2；其中在步骤D2中牺牲结构台面6被蚀刻使得牺牲结构台面6的复数个区部(7)的任两相邻者具有不同的高度(也即两相邻的牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的第二边缘区部72具有不同的高度；且两相邻的牺牲结构台面6的第二边缘区部72以及牺牲结构台面6的第一边缘区部71具有不同的高度)，其中牺牲结构台面6的一最高区部(在此实施例中是中央区部70)具有一最高台面顶表面，其中一台面顶延伸平面44与最高台面顶表面重合，其中牺牲结构台面6之中央区部70(最高区部)以及牺牲结构台面6的第二边缘区部72具有一高度差Y2，其中牺牲结构台面6之中央区部70(最高区部)以及牺牲结构台面6的第一边缘区部71具有一高度差Y1，其中牺牲结构台面6的复数个区部(7)具有一几何构形(请参阅图7P)；其中在步骤D4中绝缘层11被研磨至使得牺牲结构台面6未露出，其中位于体声波共振结构3之下、空腔40之上且介于抛光表面41以及台面顶延伸平面44之间的绝缘层11形成一频率调谐结构，其中频率调谐结构具有一厚度T，其中位于体声波共振结构3之下且介于台面顶延伸平面44以及空腔40之间的绝缘层11形成一质量调整结构8(请参阅图7Q)。牺牲结构台面6的复数个区部(7)的几何构形相关于质量调整结构8的一几何构形；从而凭借调整牺牲结构台面6的复数个区部(7)的几何构形以调整质量调整结构8的几何构形使得体声波共振器1的一品质因子有效地增强；同时有效地抑制体声波共振器1的寄生模态。在此实施例中质量调整结构8包括一第一边缘质量调整结构81以及一第二边缘质量调整结构82。其中第一边缘质量调整结构81位于相对应于牺牲结构台面6的第一边缘区部71的位置；而第二边缘质量调整结构82位于相对应于牺牲结构台面6的第二边缘区部72的位置。第一边缘质量调整结构81的一宽度(X1)系等于牺牲结构台面6的第一边缘区部71的宽度X1；而第二边缘质量调整结构82的一宽度(X2)系等于牺牲结构台面6的第二边缘区部72的宽度X2。第一边缘质量调整结构81的一厚度(Y1)系等于牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的第一边缘区部71的高度差Y1；而第二边缘质量调整结构82的一厚度(Y2)系等于牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的第二边缘区部72的高度差Y2。在一些实施例中基板10是一半导体基板，其中构成牺牲结构台面6的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。
在一些其他实施例中基板10是一化合物半导体基板。在一些实施例中基板10由砷化镓所构成牺牲结构21包括一砷化镓层。在另一些实施例中基板10由磷化铟所构成牺牲结构21包括一砷化铟镓层。在一些实施例中牺牲结构21包括一牺牲磊晶层27、一第二蚀刻终止层24、一第二精细调谐层25、一第一蚀刻终止层22以及一第一精细调谐层23，其中牺牲磊晶层27形成于基板10之上第二蚀刻终止层24形成于牺牲磊晶层27之上第二精细调谐层25形成于第二蚀刻终止层24之上第一蚀刻终止层22形成于第二精细调谐层25之上第一精细调谐层23形成于第一蚀刻终止层22之上(请参阅图5E)。牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的第一边缘区部71的高度差Y1由第一精细调谐层23的一厚度、第一蚀刻终止层22的一厚度以及第二精细调谐层25的一厚度所决定；而牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的第二边缘区部72的高度差Y2由第一精细调谐层23的厚度所决定。因此有助于精确调整第一边缘质量调整结构81的厚度(Y1)以及第二边缘质量调整结构82的厚度(Y2)从而精确地增强体声波共振器1的品质因子；同时精确地抑制体声波共振器1的寄生模态。
在一些实施例中牺牲结构台面6的第一边缘区部71具有一最高台面顶表面，其中一台面顶延伸平面44与最高台面顶表面重合，其中两相邻的牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的第二边缘区部72具有不同的高度；且两相邻的牺牲结构台面6的第二边缘区部72以及牺牲结构台面6的第一边缘区部71具有不同的高度。质量调整结构8包括一中央质量调整结构以及一第二边缘质量调整结构82(图中未显示)。在另一些实施例中牺牲结构台面6的第二边缘区部72具有一最高台面顶表面，其中一台面顶延伸平面44与最高台面顶表面重合，其中两相邻的牺牲结构台面6之中央区部70以及牺牲结构台面6的第二边缘区部72具有不同的高度；且两相邻的牺牲结构台面6的第二边缘区部72以及牺牲结构台面6的第一边缘区部71具有不同的高度。质量调整结构8包括一中央质量调整结构以及一第一边缘质量调整结构81(图中未显示)。一般而言在图7E、图7H、图7K、图7M以及图7O的实施例中的质量调整结构8可制造形成类似如图7Q的实施例中的质量调整结构8。
请参阅图7R其是本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法的一具体实施例的剖面示意图。图7R所示的实施例的主要结构与图7C所示的实施例的结构大致相同惟其更包括一底蚀刻终止层20，其中底蚀刻终止层20形成于基板10之上绝缘层11形成于底蚀刻终止层20之上。在步骤D6中蚀刻牺牲结构台面6的向下方向的蚀刻系终止于底蚀刻终止层20。在另一些实施例中基板10是一化合物半导体基板。在一些实施例中基板10由砷化镓(GaAs)所构成；牺牲结构21包括一砷化镓层；底蚀刻终止层20由磷化铟镓(InGaP)所构成。在其他一些实施例中基板10由磷化铟(InP)所构成；牺牲结构21包括砷化铟镓(InGaAs)层；底蚀刻终止层20由磷化铟所构成。一般而言在图7E、图7H、图7K、图7M、图7O以及图7Q的实施例中可如图7R的实施例所示更包括一底蚀刻终止层20。
请参阅图7S其是本发明一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法的一具体实施例的电极形状俯视示意图。在图7S的实施例中其主要结构包括一空腔40、一底电极层30、一压电层31、一顶电极层32、一第一边缘质量调整结构81以及一第二边缘质量调整结构82。其中图7Q的剖面示意图系沿着图7S的剖面线a-a’而来。空腔40位于底电极层30的下方。压电层31形成于底电极层30之上。顶电极层32形成于压电层31之上。图7S的实施例的电极形状俯视示意图是本发明的一种具有质量调整结构的体声波共振器的形状的一个例子。本发明的一种具有质量调整结构的体声波共振器的形状可为各种样态并不受此实施例的限制。其中图7C、图7E、图7H、图7K、图7M、图7O或图7R的实施例的电极形状俯视示意图可与图7S的实施例相似或可为其他各种样态。
顶电极层32的一宽度的一变异也是可能改变体声波共振结构3的周边的边界条件。因此本发明可结合调整质量调整结构8以及调整体声波共振结构3的顶电极层32的宽度使得体声波共振器1的品质因子有效地增强；同时有效地抑制体声波共振器1的寄生模态。在一些实施例中例如图7C、图7E、图7H、图7K、图7M、图7O、图7Q或图7R的实施例体声波共振结构3的顶电极层32的宽度系等于或小于空腔40的一宽度。在其他一些实施例中体声波共振结构3的顶电极层32的宽度系等于或小于牺牲结构台面6之中央区部70的一宽度。
在一些实施例中构成质量调整结构8的材料可为金属材料或绝缘材料。其中金属材料包括选自以下群组的至少一者：钛(Ti)、钼(Mo)、铂(Pt)、铝(Al)、金(Au)、钨(W)以及钌(Ru)。其中绝缘材料包括选自以下群组的至少一者：氮化硅(silicon oxide)、氮化硅(silicon nitride)、氮化铝(aluminum nitride)以及聚合物(polymer)。其中聚合物可包括苯并环丁烷(BCB：Benzo Cyclobutane)。在一些实施例中构成质量调整结构8的材料可为前述材料的组合。例如构成质量调整结构8的材料可为前述的金属材料的组合。
在本发明的实施例中构成底电极层30的材料包括选自以下群组的至少一者：钛(Ti)、钼(Mo)、铂(Pt)、铝(Al)、金(Au)、钨(W)以及钌(Ru)。构成顶电极层32的材料包括选自以下群组的至少一者：钛(Ti)、钼(Mo)、铂(Pt)、铝(Al)、金(Au)、钨(W)以及钌(Ru)。在本发明的一些实施例中构成压电层31的材料包括氮化铝(aluminum nitride)。在本发明的一些实施例中构成压电层31的材料包括钪(Sc)掺杂的氮化铝(aluminum nitride)。在本发明的其他一些实施例中构成压电层31的材料包括氧化锌(Zinc Oxide)。
以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修改、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围之内。

Claims (18)

1.一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其特征是包括以下步骤：
步骤D1：形成一牺牲结构台面在一基板之上，其中该牺牲结构台面分成复数个区部；
步骤D2：蚀刻该牺牲结构台面使得该牺牲结构台面的该复数个区部的任两相邻者具有不同的高度，其中该牺牲结构台面的一最高区部具有一最高台面顶表面，其中一台面顶延伸平面与该最高台面顶表面重合；
步骤D3：形成一绝缘层于该牺牲结构台面以及该基板之上；
步骤D4：以一化学机械平坦化制程研磨该绝缘层以形成一抛光表面；
步骤D5：形成一体声波共振结构于该抛光表面之上，其中该体声波共振结构位于该牺牲结构台面的上方，其中该步骤D5包括以下步骤：
步骤D51：形成一底电极层于该抛光表面之上；
步骤D52：形成一压电层于该底电极层之上；以及
步骤D53：形成一顶电极层于该压电层之上；以及
步骤D6：蚀刻该牺牲结构台面以形成一空腔，其中该空腔位于该体声波共振结构的下方；
其中在该步骤D4中：(1)该绝缘层被研磨至使得该牺牲结构台面未露出，其中位于该体声波共振结构之下、该空腔之上且介于该抛光表面以及该台面顶延伸平面之间的该绝缘层形成一频率调谐结构，其中位于该体声波共振结构之下且介于该台面顶延伸平面以及该空腔之间的该绝缘层形成一质量调整结构；或(2)该绝缘层被研磨至使得该牺牲结构台面露出，其中位于该体声波共振结构之下且介于该抛光表面以及该空腔之间的该绝缘层形成一质量调整结构。
2.根据权利要求1所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其特征在于：在该步骤D4之后该牺牲结构台面的该复数个区部具有一几何构形；其中该牺牲结构台面的该几何构形相关于该质量调整结构的一几何构形；从而凭借调整该牺牲结构台面的该几何构形以调整该质量调整结构的该几何构形以增强该体声波共振器的一品质因子。
3.根据权利要求1所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其特征在于：该基板是一半导体基板，其中构成该牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。
4.根据权利要求3所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其特征在于：该基板是一化合物半导体基板，其中该步骤D1包括以下步骤：
步骤D11：形成一牺牲结构于该基板之上；以及
步骤D12：蚀刻该牺牲结构以形成该牺牲结构台面。
5.根据权利要求4所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其特征在于：(1)该基板由砷化镓所构成该牺牲结构包括一砷化镓层；或(2)该基板由磷化铟所构成该牺牲结构包括一砷化铟镓层。
6.根据权利要求5所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其特征在于，在步骤D11之前还包括以下的一步骤：形成一底蚀刻终止层于该基板之上，在步骤D11中该牺牲结构形成于该底蚀刻终止层之上；其中(1)该底蚀刻终止层由磷化铟镓所构成；或(2)该底蚀刻终止层由磷化铟所构成。
7.一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其特征是包括以下步骤：
步骤E1：形成一牺牲结构台面于一基板之上；
步骤E2：形成一绝缘层于该牺牲结构台面以及该基板之上；
步骤E3：以一预先化学机械平坦化制程研磨该绝缘层以形成一预先抛光表面使得该牺牲结构台面露出，其中该牺牲结构台面分成复数个区部；
步骤E4：蚀刻该牺牲结构台面使得该牺牲结构台面的该复数个区部的任两相邻者具有不同的高度，其中该牺牲结构台面的一最高区部具有一最高台面顶表面，其中一台面顶延伸平面与该最高台面顶表面重合；
步骤E5：形成一体声波共振结构，其中该体声波共振结构位于该牺牲结构台面的上方，其中该步骤E5包括以下步骤：
步骤E51：形成一第二次研磨层于该牺牲结构台面以及该绝缘层之上，其中构成该第二次研磨层的材料是绝缘体；
步骤E52：以一化学机械平坦化制程研磨该第二次研磨层以形成一抛光表面使得该牺牲结构台面未露出；
步骤E53：形成一底电极层于该抛光表面之上；
步骤E54：形成一压电层于该底电极层之上；以及
步骤E55：形成一顶电极层于该压电层之上；以及
步骤E6：蚀刻该牺牲结构台面以形成一空腔，其中该空腔位于该体声波共振结构的下方；
其中位于该体声波共振结构之下、该空腔之上且介于该抛光表面以及该台面顶延伸平面之间的该第二次研磨层形成一频率调谐结构，其中位于该体声波共振结构之下且介于该台面顶延伸平面以及该空腔之间的该第二次研磨层形成一质量调整结构。
8.根据权利要求7所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其特征在于：在该步骤E52之后该牺牲结构台面的该复数个区部具有一几何构形；其中该牺牲结构台面的该几何构形相关于该质量调整结构的一几何构形；从而凭借调整该牺牲结构台面的该几何构形以调整该质量调整结构的该几何构形以增强该体声波共振器的一品质因子。
9.根据权利要求7所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其特征在于：该基板是一半导体基板，其中构成该牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。
10.根据权利要求9所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其特征在于：该基板是一化合物半导体基板，其中该步骤E1包括以下步骤：
步骤E11：形成一牺牲结构于该基板之上；以及
步骤E12：蚀刻该牺牲结构以形成该牺牲结构台面。
11.根据权利要求10所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其特征在于：(1)该基板由砷化镓所构成该牺牲结构包括一砷化镓层；或(2)该基板由磷化铟所构成该牺牲结构包括一砷化铟镓层。
12.根据权利要求11所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其特征在于，在步骤E11之前还包括以下的一步骤：形成一底蚀刻终止层于该基板之上，在步骤E11中该牺牲结构形成于该底蚀刻终止层之上；其中(1)该底蚀刻终止层由磷化铟镓所构成；或(2)该底蚀刻终止层由磷化铟所构成。
13.一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其特征是包括以下步骤：
步骤F1：形成一牺牲结构台面于一基板之上；
步骤F2：形成一绝缘层于该牺牲结构台面以及该基板之上；
步骤F3：以一预先化学机械平坦化制程研磨该绝缘层以形成一预先抛光表面使得该牺牲结构台面露出，其中该牺牲结构台面分成复数个区部；
步骤F4：蚀刻该牺牲结构台面使得该牺牲结构台面的该复数个区部的任两相邻者具有不同的高度，其中该牺牲结构台面的一最高区部具有一最高台面顶表面，其中一台面顶延伸平面与该最高台面顶表面重合；
步骤F5：形成一体声波共振结构，其中该体声波共振结构位于该牺牲结构台面的上方，其中该步骤F5包括以下步骤：
步骤F51：形成一第二次研磨层于该牺牲结构台面以及该绝缘层之上，其中构成该第二次研磨层的材料包括选自以下群组的至少一者：金属以及合金；
步骤F52：以一化学机械平坦化制程研磨该第二次研磨层以形成一抛光表面使得该牺牲结构台面未露出；
步骤F53：图形化该第二次研磨层；
步骤F54：形成一压电层于该第二次研磨层的该抛光表面以及该绝缘层的该预先抛光表面之上；以及
步骤F55：形成一顶电极层于该压电层之上；以及
步骤F6：蚀刻该牺牲结构台面以形成一空腔，其中该空腔位于该体声波共振结构的下方；
其中位于该压电层之下、该空腔之上且介于该抛光表面以及该台面顶延伸平面之间的该第二次研磨层形成该体声波共振结构的一底电极层；其中位于该体声波共振结构之下且介于该台面顶延伸平面以及该空腔之间的该第二次研磨层形成一质量调整结构。
14.根据权利要求13所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其特征在于：在该步骤F52之后该牺牲结构台面的该复数个区部具有一几何构形；其中该牺牲结构台面的该几何构形相关于该质量调整结构的一几何构形；从而凭借调整该牺牲结构台面的该几何构形以调整该质量调整结构的该几何构形以增强该体声波共振器的一品质因子。
15.根据权利要求13所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其特征在于：该基板是一半导体基板，其中构成该牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者：金属、合金以及磊晶结构。
16.根据权利要求15所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其特征在于：该基板是一化合物半导体基板，其中该步骤F1包括以下步骤：
步骤F11：形成一牺牲结构于该基板之上；以及
步骤F12：蚀刻该牺牲结构以形成该牺牲结构台面。
17.根据权利要求16所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其特征在于：(1)该基板由砷化镓所构成该牺牲结构包括一砷化镓层；或(2)该基板由磷化铟所构成该牺牲结构包括一砷化铟镓层。
18.根据权利要求17所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其特征在于：在步骤F11之前还包括以下的一步骤：形成一底蚀刻终止层于该基板之上，在步骤F11中该牺牲结构形成于该底蚀刻终止层之上；其中(1)该底蚀刻终止层由磷化铟镓所构成；或(2)该底蚀刻终止层由磷化铟所构成。
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