JP2005223479A - 薄膜バルク共振子、薄膜バルク共振子フィルタ、および薄膜バルク共振子の製造方法 - Google Patents
薄膜バルク共振子、薄膜バルク共振子フィルタ、および薄膜バルク共振子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005223479A JP2005223479A JP2004027590A JP2004027590A JP2005223479A JP 2005223479 A JP2005223479 A JP 2005223479A JP 2004027590 A JP2004027590 A JP 2004027590A JP 2004027590 A JP2004027590 A JP 2004027590A JP 2005223479 A JP2005223479 A JP 2005223479A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film bulk
- electrode layer
- region
- bulk resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 159
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 9
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 Also Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/564—Monolithic crystal filters implemented with thin-film techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02157—Dimensional parameters, e.g. ratio between two dimension parameters, length, width or thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/174—Membranes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/566—Electric coupling means therefor
- H03H9/568—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/023—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the membrane type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0421—Modification of the thickness of an element
- H03H2003/0442—Modification of the thickness of an element of a non-piezoelectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0471—Resonance frequency of a plurality of resonators at different frequencies
Abstract
【解決手段】 第1の共振周波数を有する第1の薄膜バルク共振子11と、第2の共振周波数を有する第2の薄膜バルク共振子12とを同一基板上に形成した薄膜バルク共振子フィルタであって、基板1と、第1の下部電極層3および第2の下部電極層4との間に、第1の下地層2および第2の下地層131とを有し、第1の下地層2の厚さと、第2の下地層131の厚さとが異なる構造とする。
【選択図】 図1
Description
Q=ωrL/(R1+R2+R3) …(式1)
ここで、ωrは共振周波数である。(式1)より、各層の膜質の劣化による損失の増加は、薄膜バルク共振子のQ値の低下につながることは明らかである。
まず、基板1(図2(a)参照)の第2領域の表面に、第1の薄膜バルク共振子11と第2の薄膜バルク共振子12との共振周波数の差Δf(Δf=f1−f2)に対応する深さΔt(100nm)の掘り込み69を形成する(図2(b)参照)。
次いで、第1領域の下地層2と第2領域の下地層131との表面が単一平面となるように、例えばガスクラスタイオンビーム(GCIB)により平坦化処理を行う(図2(d)参照)。これによりΔfに対応する膜厚の差Δt(Δt=t2−t1)を有する下地層2,131が形成される。
次いで、下部電極層を 200nm堆積後、パターニングして第1領域の下地層2および第2領域の下地層131の上に、第1領域の下部電極層3および第2領域の下部電極層4を形成する(図2(e)参照)。
次いで、上部電極層を200nm度堆積後、パターニングして第1領域の圧電層5および第2の圧電層6の上に、第1上部電極層7および第2上部電極層8を形成する(図2(g)参照)。
まず、基板13(図4(a)参照)の表面に、200nmの下地層を成膜する(図4(b)参照)。
次いで、第1領域の下地層14に、第1の薄膜バルク共振子23の共振周波数f1と第2の薄膜バルク共振子24の共振周波数f2との差Δf(Δf=f1−f2)に対応する深さΔt(Δt=t2−t1)の掘り込み70を形成する(図4(c)参照)。
図5は、一般的な携帯電話におけるフロントエンド部分のブロック回路図である。図5において参照符号130は移相器を示し、この移相器130は受信部と送信部のアンテナの共用を可能にする。アンテナANTで受信された高周波の受信信号Rxは移相器130を通り、さらにイメージ周波数信号を除去して所定の受信帯域の周波数信号だけを通すための受信フィルタ79を介して低雑音増幅器128へ入力される。低雑音増幅器128において増幅された高周波受信信号Rxは、不図示のミキサ回路、中間周波フィルタ等の携帯電話内部回路へ送られる。
2,14,131,132…下地層、
3,4,15,16…下部電極、
5,6,17,18…圧電層、
7,8…上部電極、
9,10,21,22,39〜42…空洞、
11,12,23,24…薄膜バルク共振子、
43,45,71〜73,120〜122…直列接続の薄膜バルク共振子、
44,46,74〜77,123〜126…分路接続の薄膜バルク共振子、
69,70…掘り込み、
78…送信フィルタ、
79…受信フィルタ、
100…圧電層
128…低雑音増幅器、
129…電力増幅器、
130…移相器、
t1〜t4…下地層の膜厚、
T1〜T4…ダイヤフラム構造の膜厚。
Claims (9)
- 空洞を有する基板と、
前記空洞を被覆するように前記基板上に形成された下地層と、
前記下地層上に形成された下部電極層と、
前記下部電極層上に形成された圧電層と、
前記圧電層上に形成された上部電極層とを具備して成り、
前記空洞部上の前記下地層の厚さにより共振周波数を調整可能な構造であることを特徴とする薄膜バルク共振子。 - 前記下部電極層および前記上部電極層の少なくともどちらか一方が、モリブデンおよびタングステンの少なくとも一種を主成分とする材料を含んで成ることを特徴とする請求項1に記載の薄膜バルク共振子。
- 前記下地層が酸化ケイ素、窒化ケイ素、アルミナ、窒化アルミニウム、および炭化ケイ素の少なくとも一種を主成分とする材料を含んで成ることを特徴とする請求項1に記載の薄膜バルク共振子。
- 複数の空洞を有する基板と、
前記空洞を被覆するように前記基板上に形成された下地層と、
前記下地層上に形成された下部電極層と、
前記下部電極層上に形成された圧電層と、
前記圧電層上に形成された上部電極層とを具備した複数の薄膜バルク共振子を含んで成り、
第1の薄膜バルク共振子を形成する第1領域の下地層の厚さと、第2の薄膜バルク共振子を形成する第2領域の下地層の厚さとが異なることを特徴とするバルク共振子フィルタ。 - 前記下部電極層および前記上部電極層の少なくともどちらか一方が、モリブデンおよびタングステンの少なくとも一種を主成分とする材料を含んで成ることを特徴とする請求項4に記載の薄膜バルク共振子フィルタ。
- 前記下地層が酸化ケイ素、窒化ケイ素、アルミナ、窒化アルミニウム、および炭化ケイ素の少なくとも一種を主成分とする材料を含んで成ることを特徴とする請求項4に記載の薄膜バルク共振子フィルタ。
- 複数の空洞を有する基板と、
前記空洞を被覆するように前記基板上に形成された下地層と、
前記下地層上に形成された下部電極層と、
前記下部電極層上に形成された圧電層と、
前記圧電層上に形成された上部電極層とを具備した第1乃至第4の薄膜バルク共振子を含んで成り、
前記第1の薄膜バルク共振子と前記第2の薄膜バルク共振子とは送信用フィルタを構成し、前記第3の薄膜バルク共振子と前記第4の薄膜バルク共振子とはを受信用フィルタを構成し、
前記第1の薄膜バルク共振子を形成する第1領域の下地層の厚さと、前記第2の薄膜バルク共振子を形成する第2領域の下地層の厚さと、前記第3の薄膜バルク共振子を形成する第3領域の下地層の厚さと、前記第4の薄膜バルク共振子を形成する第4領域の下地層の厚さとが全て異なることを特徴とする送受信フィルタ。 - 単一基板上に異なる厚さの下地層を含むダイヤフラム構造を有する複数の薄膜バルク共振子を製造する方法であって、
第1の薄膜バルク共振子と第2の薄膜バルク共振子との共振周波数の差に対応する深さの掘り込みを前記基板上に形成する工程と、
前記掘り込みを形成した前記基板上に下地層を成膜する工程と、
前記第1の薄膜バルク共振子を形成する第1領域の前記下地層と、前記第2の薄膜バルク共振子を形成する第2領域の前記下地層との表面が単一平面となるように処理する平坦化処理工程と、
表面に下部電極層を堆積後、前記下部電極層をパターニングして前記第1領域の下地層と前記第2領域の下地層との上に、第1下部電極層と第2下部電極層とをそれぞれ形成する工程と、
表面に圧電層を成膜する工程と、
表面に上部電極層を堆積後、前記上部電極層をパターニングして前記第1領域の圧電層と前記第2領域の圧電層との上に、第1上部電極層と第2上部電極層とをそれぞれ形成する工程と、
前記基板の裏面より掘り込み、前記第1領域に第1空洞を、前記第2領域に第2空洞をそれぞれ形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜バルク共振子の製造方法。 - 単一基板上に下地層の厚さが異なる複数の薄膜バルク共振子を製造する方法であって、
前記基板上に下地層を成膜する工程と、
第1の薄膜バルク共振子と第2の薄膜バルク共振子との共振周波数の差に対応する深さの掘り込みを、前記第1の薄膜バルク共振子を形成する第1領域の前記下地層に対して行う工程と、
表面に下部電極層を堆積後、前記下部電極層をパターニングして前記第1領域の下地層の上と前記第2の薄膜バルク共振子を形成する第2領域の前記下地層の上とに第1下部電極層と第2下部電極層とをそれぞれ形成する工程と、
表面に圧電層を成膜する工程と、
表面に上部電極層を堆積後、前記上部電極層をパターニングして前記第1領域の上部電極層と前記第2領域の上部電極層とをそれぞれ形成する工程と、
前記基板の裏面より掘り込み、前記第1領域に第1空洞を、前記第2領域に第2空洞をそれぞれ形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜バルク共振子の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004027590A JP4625260B2 (ja) | 2004-02-04 | 2004-02-04 | 薄膜バルク共振子の製造方法 |
US10/909,335 US20050168102A1 (en) | 2004-02-04 | 2004-08-03 | Film bulk acoustic wave resonator, film bulk acoustic wave resonator filter and method of manufacturing film bulk acoustic wave resonator |
US11/602,330 US7408287B2 (en) | 2004-02-04 | 2006-11-21 | Film bulk acoustic wave resonator, film bulk acoustic wave resonator filter and method of manufacturing film bulk acoustic wave resonator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004027590A JP4625260B2 (ja) | 2004-02-04 | 2004-02-04 | 薄膜バルク共振子の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005223479A true JP2005223479A (ja) | 2005-08-18 |
JP2005223479A5 JP2005223479A5 (ja) | 2007-03-15 |
JP4625260B2 JP4625260B2 (ja) | 2011-02-02 |
Family
ID=34805884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004027590A Expired - Fee Related JP4625260B2 (ja) | 2004-02-04 | 2004-02-04 | 薄膜バルク共振子の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20050168102A1 (ja) |
JP (1) | JP4625260B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007227998A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Ube Ind Ltd | 薄膜圧電共振器とそれを用いた薄膜圧電フィルタ |
JP2008042878A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-02-21 | Ngk Insulators Ltd | 圧電薄膜デバイス |
WO2009066448A1 (ja) * | 2007-11-21 | 2009-05-28 | Panasonic Corporation | 圧電フィルタおよびその製造方法 |
JP2012124648A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電デバイス及びその製造方法 |
CN108270414A (zh) * | 2017-01-03 | 2018-07-10 | 稳懋半导体股份有限公司 | 具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法 |
JP2018110367A (ja) * | 2017-01-03 | 2018-07-12 | ウィン セミコンダクターズ コーポレーション | バルク音響波フィルターと、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法 |
JP2018207375A (ja) * | 2017-06-07 | 2018-12-27 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
CN110445474A (zh) * | 2018-05-04 | 2019-11-12 | 贵州中科汉天下微电子有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其制造方法以及薄膜体声波滤波器 |
CN112087217A (zh) * | 2020-09-27 | 2020-12-15 | 苏州汉天下电子有限公司 | Q值提升的fbar谐振器制造方法 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7242130B2 (en) * | 2003-11-07 | 2007-07-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric device, antenna duplexer, and method of manufacturing piezoelectric resonators used therefor |
JP2008109402A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器およびその製造方法 |
US20100194246A1 (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-05 | Integrated Device Technology, Inc. | Thin-Film Bulk Acoustic Resonators Having Reduced Susceptibility to Process-Induced Material Thickness Variations |
US8291559B2 (en) * | 2009-02-24 | 2012-10-23 | Epcos Ag | Process for adapting resonance frequency of a BAW resonator |
WO2010138838A1 (en) * | 2009-05-28 | 2010-12-02 | Northrop Grumman Systems Corporation | Lateral over-moded bulk acoustic resonators |
JP2011041136A (ja) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
US8330556B2 (en) * | 2009-11-23 | 2012-12-11 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Passivation layers in acoustic resonators |
US8816567B2 (en) * | 2011-07-19 | 2014-08-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Piezoelectric laterally vibrating resonator structure geometries for spurious frequency suppression |
US8922302B2 (en) | 2011-08-24 | 2014-12-30 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator formed on a pedestal |
US9793874B2 (en) * | 2014-05-28 | 2017-10-17 | Avago Technologies General Ip Singapore (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator with electrical interconnect disposed in underlying dielectric |
US10233076B2 (en) * | 2015-05-20 | 2019-03-19 | uBeam Inc. | Transducer array subdicing |
US10038422B2 (en) | 2016-08-25 | 2018-07-31 | Qualcomm Incorporated | Single-chip multi-frequency film bulk acoustic-wave resonators |
US10790801B2 (en) | 2018-09-07 | 2020-09-29 | Vtt Technical Research Centre Of Finland Ltd | Loaded resonators for adjusting frequency response of acoustic wave resonators |
CN109889174B (zh) * | 2019-02-20 | 2023-05-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种谐振器及其制作方法 |
CN111010103A (zh) * | 2019-05-31 | 2020-04-14 | 天津大学 | 带多层突起结构的谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 |
CN111130486A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-05-08 | 北京汉天下微电子有限公司 | 一种薄膜体声波谐振器结构及其制造方法、滤波器以及双工器 |
CN111082777B (zh) * | 2019-12-31 | 2021-03-12 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 底电极为空隙电极的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
CN111277240B (zh) * | 2020-03-07 | 2022-05-03 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种薄膜体声波滤波器的膜层结构及其制备方法 |
CN114244300A (zh) * | 2020-09-09 | 2022-03-25 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 滤波器组件及其制造方法、电子设备 |
KR102609139B1 (ko) * | 2020-10-13 | 2023-12-05 | 삼성전기주식회사 | 체적 음향 공진기 |
CN112601169B (zh) * | 2020-12-15 | 2021-09-24 | 武汉大学 | 一种宽频带高灵敏度谐振式压电mems麦克风 |
CN112886940B (zh) * | 2021-01-13 | 2022-06-17 | 宁波华彰企业管理合伙企业(有限合伙) | 一种易于集成的fbar滤波器 |
CN113612463B (zh) * | 2021-06-30 | 2023-07-21 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 阶梯型薄膜体声波谐振器滤波器及滤波器组件 |
CN114160399B (zh) * | 2021-12-02 | 2022-12-02 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 同频异构的压电超声波换能器及其制备方法 |
CN116248068B (zh) * | 2022-09-28 | 2024-03-08 | 泰晶科技股份有限公司 | 一种超高频at切石英晶片及制造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000332570A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Kyocera Corp | 圧電共振子 |
JP2001326553A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法 |
JP2002344280A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 圧電薄膜素子とその製造方法 |
JP2003264445A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子及びその製造方法等、並びに圧電フィルタ等 |
JP2003347884A (ja) * | 2002-05-21 | 2003-12-05 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 薄膜バルクアコースティック共振器(FBARs)素子及びその製造方法 |
WO2004001964A1 (ja) * | 2002-06-20 | 2003-12-31 | Ube Industries, Ltd. | 薄膜圧電共振器、薄膜圧電デバイスおよびその製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5587620A (en) * | 1993-12-21 | 1996-12-24 | Hewlett-Packard Company | Tunable thin film acoustic resonators and method for making the same |
US6407649B1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-06-18 | Nokia Corporation | Monolithic FBAR duplexer and method of making the same |
US6483229B2 (en) * | 2001-03-05 | 2002-11-19 | Agilent Technologies, Inc. | Method of providing differential frequency adjusts in a thin film bulk acoustic resonator (FBAR) filter and apparatus embodying the method |
US6617249B2 (en) | 2001-03-05 | 2003-09-09 | Agilent Technologies, Inc. | Method for making thin film bulk acoustic resonators (FBARS) with different frequencies on a single substrate and apparatus embodying the method |
US6469597B2 (en) | 2001-03-05 | 2002-10-22 | Agilent Technologies, Inc. | Method of mass loading of thin film bulk acoustic resonators (FBAR) for creating resonators of different frequencies and apparatus embodying the method |
WO2002093740A1 (fr) * | 2001-05-11 | 2002-11-21 | Ube Electronics, Ltd. | Resonateur d'onde acoustique en volume a couche mince |
JP3830843B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2006-10-11 | 株式会社東芝 | 薄膜圧電共振子 |
KR100616508B1 (ko) * | 2002-04-11 | 2006-08-29 | 삼성전기주식회사 | Fbar 소자 및 그 제조방법 |
-
2004
- 2004-02-04 JP JP2004027590A patent/JP4625260B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-03 US US10/909,335 patent/US20050168102A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-11-21 US US11/602,330 patent/US7408287B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000332570A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Kyocera Corp | 圧電共振子 |
JP2001326553A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法 |
JP2002344280A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 圧電薄膜素子とその製造方法 |
JP2003264445A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子及びその製造方法等、並びに圧電フィルタ等 |
JP2003347884A (ja) * | 2002-05-21 | 2003-12-05 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 薄膜バルクアコースティック共振器(FBARs)素子及びその製造方法 |
WO2004001964A1 (ja) * | 2002-06-20 | 2003-12-31 | Ube Industries, Ltd. | 薄膜圧電共振器、薄膜圧電デバイスおよびその製造方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007227998A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Ube Ind Ltd | 薄膜圧電共振器とそれを用いた薄膜圧電フィルタ |
JP2008042878A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-02-21 | Ngk Insulators Ltd | 圧電薄膜デバイス |
WO2009066448A1 (ja) * | 2007-11-21 | 2009-05-28 | Panasonic Corporation | 圧電フィルタおよびその製造方法 |
JP2009130478A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Panasonic Corp | 圧電振動子およびその製造方法 |
US8049581B2 (en) | 2007-11-21 | 2011-11-01 | Panasonic Corporation | Piezoelectric filter and method for manufacturing the same |
JP2012124648A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電デバイス及びその製造方法 |
CN108270414A (zh) * | 2017-01-03 | 2018-07-10 | 稳懋半导体股份有限公司 | 具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法 |
JP2018110367A (ja) * | 2017-01-03 | 2018-07-12 | ウィン セミコンダクターズ コーポレーション | バルク音響波フィルターと、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法 |
CN108270414B (zh) * | 2017-01-03 | 2021-06-22 | 稳懋半导体股份有限公司 | 具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法 |
JP2018207375A (ja) * | 2017-06-07 | 2018-12-27 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
CN110445474A (zh) * | 2018-05-04 | 2019-11-12 | 贵州中科汉天下微电子有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其制造方法以及薄膜体声波滤波器 |
CN112087217A (zh) * | 2020-09-27 | 2020-12-15 | 苏州汉天下电子有限公司 | Q值提升的fbar谐振器制造方法 |
CN112087217B (zh) * | 2020-09-27 | 2024-02-23 | 苏州汉天下电子有限公司 | Q值提升的fbar谐振器制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050168102A1 (en) | 2005-08-04 |
US7408287B2 (en) | 2008-08-05 |
US20070069606A1 (en) | 2007-03-29 |
JP4625260B2 (ja) | 2011-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4625260B2 (ja) | 薄膜バルク共振子の製造方法 | |
JP5147932B2 (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタ、通信モジュール、および通信装置 | |
JP5229945B2 (ja) | フィルタ、デュープレクサ、および通信装置 | |
JP4691395B2 (ja) | バルク弾性波共振器、バルク弾性波共振器を用いたフィルタ、それを用いた高周波モジュール、並びにバルク弾性波共振器を用いた発振器 | |
US10784838B2 (en) | Air-gap type film bulk acoustic resonator and method of manufacturing the same | |
JP5519326B2 (ja) | フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、通信装置 | |
KR100771345B1 (ko) | 압전 박막 공진자 및 필터 | |
US8941450B2 (en) | Acoustic wave device having a frequency control film | |
US20080169728A1 (en) | Piezoelectric thin film resonator, piezoelectric thin film resonator filter and manufacturing method thereof | |
JP5322597B2 (ja) | 共振子、フィルタ、デュープレクサおよび電子装置 | |
JP2007312164A (ja) | 圧電薄膜共振器並びにそれを用いた高周波フィルタ及び高周波モジュール | |
US8749320B2 (en) | Acoustic wave device and method for manufacturing the same | |
JP2006180304A (ja) | 圧電バルク共振子およびその製造方法、圧電バルク共振子を用いたフィルタ、それを用いた半導体集積回路装置、並びにそれを用いた高周波モジュール | |
JPWO2008088010A1 (ja) | 薄膜圧電共振器および薄膜圧電フィルタ | |
JP2008182543A (ja) | 薄膜圧電共振器とそれを用いた薄膜圧電フィルタ | |
KR100555762B1 (ko) | 에어갭형 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법, 이를이용한 필터 및 듀플렉서 | |
US8344590B2 (en) | Acoustic wave device with frequency control film | |
JPWO2009066380A1 (ja) | フィルタ、それを用いたデュプレクサおよびそのデュプレクサを用いた通信機 | |
JP5750052B2 (ja) | 弾性波デバイス、フィルタ、通信モジュール、通信装置 | |
JP5555466B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
JP2008311873A (ja) | フィルタ | |
JP5340876B2 (ja) | 弾性波デバイス、フィルタ、通信モジュール、通信装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070130 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070130 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100407 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100622 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100811 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101019 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101105 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131112 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |