JP2001326553A - 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法 - Google Patents
圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法Info
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- JP2001326553A JP2001326553A JP2000145463A JP2000145463A JP2001326553A JP 2001326553 A JP2001326553 A JP 2001326553A JP 2000145463 A JP2000145463 A JP 2000145463A JP 2000145463 A JP2000145463 A JP 2000145463A JP 2001326553 A JP2001326553 A JP 2001326553A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 生産性が高く、電気的特性に優れ、且つ温度
変化に対するフィルタ特性の安定した圧電フィルタ、通
信装置および圧電フィルタの製造方法を提供する。 【解決手段】 基板表面のＳｉＯ2 薄膜２と圧電性薄膜
３および圧電性薄膜３を挟む下部電極４および上部電極
５とによって共振領域を構成し、複数の圧電共振子のう
ち、他の圧電共振子に比べて共振周波数を相対的に低く
設定する圧電共振子部分の下部電極４の下部に付加薄膜
６を形成する。
変化に対するフィルタ特性の安定した圧電フィルタ、通
信装置および圧電フィルタの製造方法を提供する。 【解決手段】 基板表面のＳｉＯ2 薄膜２と圧電性薄膜
３および圧電性薄膜３を挟む下部電極４および上部電極
５とによって共振領域を構成し、複数の圧電共振子のう
ち、他の圧電共振子に比べて共振周波数を相対的に低く
設定する圧電共振子部分の下部電極４の下部に付加薄膜
６を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、シリコンウェハ
などの基板上に圧電性薄膜を形成して成る圧電共振子を
用いた圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製
造方法に関するものである。
などの基板上に圧電性薄膜を形成して成る圧電共振子を
用いた圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェハなどの基板上に圧電性薄
膜を形成して圧電共振子を構成したものとして特開昭
５８−１２１８１５号および米国特許５９１０７５６
号が開示されている。
膜を形成して圧電共振子を構成したものとして特開昭
５８−１２１８１５号および米国特許５９１０７５６
号が開示されている。
【０００３】の圧電共振子は、基板上に一対の電極を
有する圧電性薄膜を設け、基板の他方の面に圧電性薄膜
と対向する部分に凹部を設けて、その凹部内に周波数調
整用薄膜を設けることによって共振周波数を制御するよ
うにしたものが示されている。
有する圧電性薄膜を設け、基板の他方の面に圧電性薄膜
と対向する部分に凹部を設けて、その凹部内に周波数調
整用薄膜を設けることによって共振周波数を制御するよ
うにしたものが示されている。
【０００４】には複数の圧電共振子をラダー型に接続
してなるフィルタにおいて、圧電共振子の共振周波数を
制御するために、ＳｉＯ2 薄膜を２層形成する構造が示
されている。
してなるフィルタにおいて、圧電共振子の共振周波数を
制御するために、ＳｉＯ2 薄膜を２層形成する構造が示
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、に示され
ている構造で、凹部内の周波数調整用薄膜をトリミング
することによって周波数調整を行う場合に、所望の圧電
共振子部分に選択的に周波数調整用薄膜を堆積する必要
があるが、共振子と薄膜形成用のマスクとの間に空間が
存在するために、本来遮蔽されるべき領域にも周波数調
整用薄膜が回り込んで堆積しやすく、その選択性を高め
難いという問題があった。また、共振素子１個毎に周波
数調整用薄膜の堆積を行うため、スループットが悪く、
生産性が高められないという問題があった。さらに、金
属の周波数調整用薄膜を形成した場合、圧電共振子の上
下の電極と周波数調整用薄膜との間に電気的な結合が生
じ、共振子の特性が悪くなるおそれもあった。
ている構造で、凹部内の周波数調整用薄膜をトリミング
することによって周波数調整を行う場合に、所望の圧電
共振子部分に選択的に周波数調整用薄膜を堆積する必要
があるが、共振子と薄膜形成用のマスクとの間に空間が
存在するために、本来遮蔽されるべき領域にも周波数調
整用薄膜が回り込んで堆積しやすく、その選択性を高め
難いという問題があった。また、共振素子１個毎に周波
数調整用薄膜の堆積を行うため、スループットが悪く、
生産性が高められないという問題があった。さらに、金
属の周波数調整用薄膜を形成した場合、圧電共振子の上
下の電極と周波数調整用薄膜との間に電気的な結合が生
じ、共振子の特性が悪くなるおそれもあった。
【０００６】一方、に示されている構造では、ＳｉＯ
2 層の膜厚に対する共振周波数の変化があまり大きくと
れないので、ラダー型フィルタを構成する場合に、並列
接続される共振子と直列接続される共振子とを所望の周
波数差にするためには、２層目のＳｉＯ2 層をある程度
厚く堆積させる必要があり、並列接続される共振子部分
と直列接続される共振子部分とで、圧電性薄膜とＳｉＯ
2 膜との膜厚の割合が大きく異なってしまう。その結
果、並列接続される共振子と直列接続される共振子と
で、共振周波数の温度特性が大きく異なることになり、
温度変化によってフィルタ特性が大きく変動するという
問題があった。
2 層の膜厚に対する共振周波数の変化があまり大きくと
れないので、ラダー型フィルタを構成する場合に、並列
接続される共振子と直列接続される共振子とを所望の周
波数差にするためには、２層目のＳｉＯ2 層をある程度
厚く堆積させる必要があり、並列接続される共振子部分
と直列接続される共振子部分とで、圧電性薄膜とＳｉＯ
2 膜との膜厚の割合が大きく異なってしまう。その結
果、並列接続される共振子と直列接続される共振子と
で、共振周波数の温度特性が大きく異なることになり、
温度変化によってフィルタ特性が大きく変動するという
問題があった。
【０００７】この発明の目的は、上述の各種問題点を解
消して、生産性が高く、電気的特性に優れ、且つ温度変
化に対するフィルタ特性が安定した圧電フィルタ、それ
を用いた通信装置および圧電フィルタの製造方法を提供
することにある。
消して、生産性が高く、電気的特性に優れ、且つ温度変
化に対するフィルタ特性が安定した圧電フィルタ、それ
を用いた通信装置および圧電フィルタの製造方法を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の圧電フィルタ
は、基板の一方の面に、圧電性薄膜と該圧電性薄膜の上
下面を挟む上部電極および下部電極を形成し、該上部電
極および下部電極が前記圧電性薄膜を挟む位置に対向す
る、前記基板の他方の面に凹部を形成して成る圧電共振
子を複数設け、これらの圧電共振子を接続して成る圧電
フィルタにおいて、前記複数の圧電共振子のうち、他の
圧電共振子に比べて共振周波数を相対的に低く設定する
圧電共振子部分の下部電極の下部または上部電極の下部
に、金属または誘電体による付加薄膜を形成した構造と
する。
は、基板の一方の面に、圧電性薄膜と該圧電性薄膜の上
下面を挟む上部電極および下部電極を形成し、該上部電
極および下部電極が前記圧電性薄膜を挟む位置に対向す
る、前記基板の他方の面に凹部を形成して成る圧電共振
子を複数設け、これらの圧電共振子を接続して成る圧電
フィルタにおいて、前記複数の圧電共振子のうち、他の
圧電共振子に比べて共振周波数を相対的に低く設定する
圧電共振子部分の下部電極の下部または上部電極の下部
に、金属または誘電体による付加薄膜を形成した構造と
する。
【０００９】上記圧電フィルタの製造方法としては、複
数の圧電共振子のうち、他の圧電共振子に比べて共振周
波数を相対的に低く設定する圧電共振子部分の下部電極
形成領域に金属薄膜または誘電体薄膜を成膜する工程
と、この金属薄膜または誘電体薄膜の上に下部電極を形
成する工程とを含むものとする。または、複数の圧電共
振子のうち、他の圧電共振子に比べて共振周波数を相対
的に低く設定する圧電共振子部分の上部電極形成領域に
金属薄膜または誘電体薄膜を成膜する工程と、この金属
薄膜または誘電体薄膜の上に上部電極を形成する工程と
を含むものとする。
数の圧電共振子のうち、他の圧電共振子に比べて共振周
波数を相対的に低く設定する圧電共振子部分の下部電極
形成領域に金属薄膜または誘電体薄膜を成膜する工程
と、この金属薄膜または誘電体薄膜の上に下部電極を形
成する工程とを含むものとする。または、複数の圧電共
振子のうち、他の圧電共振子に比べて共振周波数を相対
的に低く設定する圧電共振子部分の上部電極形成領域に
金属薄膜または誘電体薄膜を成膜する工程と、この金属
薄膜または誘電体薄膜の上に上部電極を形成する工程と
を含むものとする。
【００１０】このように圧電共振子部分の下部電極の下
部または上部電極の下部に金属薄膜または誘電体薄膜が
付加されると、共振領域の厚みが厚くなり、また上記金
属薄膜または誘電体薄膜の分だけ質量が増すことになっ
て、共振周波数が低下する。また、この発明の圧電フィ
ルタは、前記複数の圧電共振子のうち、他の圧電共振子
に比べて共振周波数を相対的に低く設定する圧電共振子
部分の下部電極の上部または上部電極の上部に、金属に
よる付加薄膜を形成する。上記圧電フィルタの製造方法
としては、前記複数の圧電共振子のうち、他の圧電共振
子に比べて共振周波数を相対的に低く設定する圧電共振
子部分の下部電極形成領域に下部電極を形成する工程
と、この下部電極の上に金属薄膜を成膜する工程とを含
むものとする。または、複数の圧電共振子のうち、他の
圧電共振子に比べて共振周波数を相対的に低く設定する
圧電共振子部分の電極形成領域に上部電極を形成する工
程と、この上部電極の上に金属薄膜を成膜する工程とを
含むものとする。
部または上部電極の下部に金属薄膜または誘電体薄膜が
付加されると、共振領域の厚みが厚くなり、また上記金
属薄膜または誘電体薄膜の分だけ質量が増すことになっ
て、共振周波数が低下する。また、この発明の圧電フィ
ルタは、前記複数の圧電共振子のうち、他の圧電共振子
に比べて共振周波数を相対的に低く設定する圧電共振子
部分の下部電極の上部または上部電極の上部に、金属に
よる付加薄膜を形成する。上記圧電フィルタの製造方法
としては、前記複数の圧電共振子のうち、他の圧電共振
子に比べて共振周波数を相対的に低く設定する圧電共振
子部分の下部電極形成領域に下部電極を形成する工程
と、この下部電極の上に金属薄膜を成膜する工程とを含
むものとする。または、複数の圧電共振子のうち、他の
圧電共振子に比べて共振周波数を相対的に低く設定する
圧電共振子部分の電極形成領域に上部電極を形成する工
程と、この上部電極の上に金属薄膜を成膜する工程とを
含むものとする。
【００１１】この場合にも共振素子領域の厚みが増し、
同時に金属薄膜による質量が付加されるので、共振周波
数が低下する。
同時に金属薄膜による質量が付加されるので、共振周波
数が低下する。
【００１２】上記金属薄膜または誘電体薄膜は、従来の
で示したように凹部内に形成するものではなく、基板
表面または圧電性薄膜表面に形成するものであるため、
高精度なパターンを高い選択性の下で形成できる。ま
た、上記金属薄膜を形成する場合でも、圧電性薄膜を挟
む上部電極または下部電極に積層される構造であるた
め、上述した電気的結合による特性の悪化が生じること
もない。さらに、上記金属薄膜または誘電体薄膜が、圧
電性薄膜に接する位置、またはその上下の電極に接する
位置に配置することになるため、上記金属薄膜または誘
電体薄膜の膜厚に対する共振周波数の変化を大きくとる
ことができる。そのため、圧電性薄膜の膜厚に対する付
加薄膜の膜厚の割合が大きく変化せず、付加薄膜を形成
しない共振子と比べて共振周波数の温度特性が大きく変
化せずに、温度変化に対しても安定したフィルタ特性が
得られる。
で示したように凹部内に形成するものではなく、基板
表面または圧電性薄膜表面に形成するものであるため、
高精度なパターンを高い選択性の下で形成できる。ま
た、上記金属薄膜を形成する場合でも、圧電性薄膜を挟
む上部電極または下部電極に積層される構造であるた
め、上述した電気的結合による特性の悪化が生じること
もない。さらに、上記金属薄膜または誘電体薄膜が、圧
電性薄膜に接する位置、またはその上下の電極に接する
位置に配置することになるため、上記金属薄膜または誘
電体薄膜の膜厚に対する共振周波数の変化を大きくとる
ことができる。そのため、圧電性薄膜の膜厚に対する付
加薄膜の膜厚の割合が大きく変化せず、付加薄膜を形成
しない共振子と比べて共振周波数の温度特性が大きく変
化せずに、温度変化に対しても安定したフィルタ特性が
得られる。
【００１３】この発明の通信装置は、上記圧電フィルタ
を、例えば高周波回路部において送信信号または受信信
号の処理部分に用いることによって、環境温度変化に対
して安定した通信特性を得る。
を、例えば高周波回路部において送信信号または受信信
号の処理部分に用いることによって、環境温度変化に対
して安定した通信特性を得る。
【００１４】
【発明の実施の形態】第１の実施形態に係る圧電フィル
タの構成を図１〜図３を参照して説明する。図１の
（Ａ）は最も単純なラダー型フィルタの回路図、（Ｂ）
はその等価回路図である。ここで直列共振子と並列共振
子にそれぞれ圧電共振子を用いる。これらの共振子は
（Ｂ）に示すように、等価的にキャパシタ、インダク
タ、抵抗の直列回路とキャパシタとの並列回路から成
り、直列に接続されているキャパシタとインダクタによ
る直列共振と、並列に接続されているキャパシタとイン
ダクタによる並列共振とがそれぞれ生じる。
タの構成を図１〜図３を参照して説明する。図１の
（Ａ）は最も単純なラダー型フィルタの回路図、（Ｂ）
はその等価回路図である。ここで直列共振子と並列共振
子にそれぞれ圧電共振子を用いる。これらの共振子は
（Ｂ）に示すように、等価的にキャパシタ、インダク
タ、抵抗の直列回路とキャパシタとの並列回路から成
り、直列に接続されているキャパシタとインダクタによ
る直列共振と、並列に接続されているキャパシタとイン
ダクタによる並列共振とがそれぞれ生じる。
【００１５】図２は、直列共振子と並列共振子における
上記２つの共振によるリアクタンス特性を重ねて表して
いる。ここで実線は並列共振子の特性、破線は直列共振
子の特性である。ｆｒ１は並列共振子の直列共振周波
数、ｆａ１はその並列共振周波数、またｆｒ２は直列共
振子の直列共振周波数、ｆａ２は直列共振子の並列共振
周波数である。ここでｆａ１とｆｒ２をほぼ等しくし、
この２つの直列共振子と並列共振子をラダー型に接続す
ることによって、ｆｒ１とｆａ２を減衰極とし、その間
を通過帯域とする帯域通過特性が得られる。したがっ
て、このような帯域通過特性を得るためには、並列共振
子の共振周波数を直列共振子の共振周波数より低く定め
る必要がある。
上記２つの共振によるリアクタンス特性を重ねて表して
いる。ここで実線は並列共振子の特性、破線は直列共振
子の特性である。ｆｒ１は並列共振子の直列共振周波
数、ｆａ１はその並列共振周波数、またｆｒ２は直列共
振子の直列共振周波数、ｆａ２は直列共振子の並列共振
周波数である。ここでｆａ１とｆｒ２をほぼ等しくし、
この２つの直列共振子と並列共振子をラダー型に接続す
ることによって、ｆｒ１とｆａ２を減衰極とし、その間
を通過帯域とする帯域通過特性が得られる。したがっ
て、このような帯域通過特性を得るためには、並列共振
子の共振周波数を直列共振子の共振周波数より低く定め
る必要がある。
【００１６】図３は上記直列共振子と並列共振子として
用いる圧電共振子の断面図であリ、（Ａ）は直列共振子
部分、（Ｂ）は並列共振子部分について示している。こ
れらは同一の基板上に設けるが、図においては個別に表
している。
用いる圧電共振子の断面図であリ、（Ａ）は直列共振子
部分、（Ｂ）は並列共振子部分について示している。こ
れらは同一の基板上に設けるが、図においては個別に表
している。
【００１７】図３において１は基板であり、フィルタ単
位で分断する前はシリコンウェハである。２はＳｉＯ2
による薄膜、３はＺｎＯなどによる圧電性薄膜、４はＡ
ｌなどによる下部電極、５は同じくＡｌなどによる上部
電極である。また、６は下部電極４の下部に形成した付
加薄膜である。この付加薄膜６は直列共振子部分には設
けずに、並列共振子部分に設ける。
位で分断する前はシリコンウェハである。２はＳｉＯ2
による薄膜、３はＺｎＯなどによる圧電性薄膜、４はＡ
ｌなどによる下部電極、５は同じくＡｌなどによる上部
電極である。また、６は下部電極４の下部に形成した付
加薄膜である。この付加薄膜６は直列共振子部分には設
けずに、並列共振子部分に設ける。
【００１８】基板１には、薄膜２を形成した面とは反対
の面に凹部を形成して、直列共振子部分は、薄膜２、圧
電性薄膜３、電極４，５の複合体が、圧電性薄膜の圧電
振動により厚み振動する。また、並列共振子部分は、薄
膜２、圧電性薄膜３、電極４，５および付加薄膜６の複
合体が、圧電性薄膜の圧電振動により厚み振動する。
の面に凹部を形成して、直列共振子部分は、薄膜２、圧
電性薄膜３、電極４，５の複合体が、圧電性薄膜の圧電
振動により厚み振動する。また、並列共振子部分は、薄
膜２、圧電性薄膜３、電極４，５および付加薄膜６の複
合体が、圧電性薄膜の圧電振動により厚み振動する。
【００１９】図３に示したように、並列共振子部分に付
加薄膜６を形成しているため、上記複合体による共振領
域の厚みが増し、また付加薄膜６の分だけ共振領域の質
量が増すため、その共振周波数が直列共振子の共振周波
数より低下する。
加薄膜６を形成しているため、上記複合体による共振領
域の厚みが増し、また付加薄膜６の分だけ共振領域の質
量が増すため、その共振周波数が直列共振子の共振周波
数より低下する。
【００２０】次に、上記圧電フィルタの製造方法を、図
４および図５に示す圧電共振子部分の各工程における断
面図を基に説明する。まず、図４の（Ａ）に示すよう
に、シリコンウェハの状態で基板１の一方の面にＳｉＯ
2 の薄膜２を形成し、他方の面にＳｉＯ2 の薄膜２まで
達する凹部を異方性エッチング処理により形成する。
４および図５に示す圧電共振子部分の各工程における断
面図を基に説明する。まず、図４の（Ａ）に示すよう
に、シリコンウェハの状態で基板１の一方の面にＳｉＯ
2 の薄膜２を形成し、他方の面にＳｉＯ2 の薄膜２まで
達する凹部を異方性エッチング処理により形成する。
【００２１】次に、（Ｂ）に示すように薄膜２の表面に
レジスト膜１０をパターン化する。このレジスト膜１０
は下部電極および付加薄膜をパターンニングするために
用いる。
レジスト膜１０をパターン化する。このレジスト膜１０
は下部電極および付加薄膜をパターンニングするために
用いる。
【００２２】続いて（Ｃ）に示すように、直列共振子部
分（共振周波数を低下させない方の圧電共振子部分）
の、レジスト膜１０の開口部をメタルマスク等でマスキ
ングして、付加薄膜６を成膜する。これにより、並列共
振子部分（共振周波数を低下させるべき方の圧電共振子
部分）の下部電極形成領域に付加薄膜６を設ける。この
付加薄膜６は、まず下地としてＴｉ膜を真空蒸着または
スパッタリングにより成膜し、続いてその上にＡｕ薄膜
を真空蒸着またはスパッタリングにより成膜する。ここ
で下地のＴｉ膜は、Ａｕ膜の付着性を高めるために形成
する。この付加薄膜６としては、ＳｉＮまたはＳｉＯ2
などの誘電体薄膜を成膜してもよい。
分（共振周波数を低下させない方の圧電共振子部分）
の、レジスト膜１０の開口部をメタルマスク等でマスキ
ングして、付加薄膜６を成膜する。これにより、並列共
振子部分（共振周波数を低下させるべき方の圧電共振子
部分）の下部電極形成領域に付加薄膜６を設ける。この
付加薄膜６は、まず下地としてＴｉ膜を真空蒸着または
スパッタリングにより成膜し、続いてその上にＡｕ薄膜
を真空蒸着またはスパッタリングにより成膜する。ここ
で下地のＴｉ膜は、Ａｕ膜の付着性を高めるために形成
する。この付加薄膜６としては、ＳｉＮまたはＳｉＯ2
などの誘電体薄膜を成膜してもよい。
【００２３】続いて図４の（Ｄ）に示すように、上記メ
タルマスクを取り除いて、基板の全面に、下部電極とし
てＡｌを真空蒸着またはスパッタリングにより成膜す
る。
タルマスクを取り除いて、基板の全面に、下部電極とし
てＡｌを真空蒸着またはスパッタリングにより成膜す
る。
【００２４】続いてレジスト膜１０をアセトン等で剥離
し、そのレジスト膜１０の形成されていた上部のＡｌ電
極を除去することによって、下部電極４をパターンニン
グする。これにより、並列共振子部分は、（Ｅ）に示す
ように、下部電極４の下部に付加薄膜６を設けた構造と
なる。また、直列共振子部分は、ＳｉＯ2 薄膜２の上に
直接下部電極４を形成した構造となる。
し、そのレジスト膜１０の形成されていた上部のＡｌ電
極を除去することによって、下部電極４をパターンニン
グする。これにより、並列共振子部分は、（Ｅ）に示す
ように、下部電極４の下部に付加薄膜６を設けた構造と
なる。また、直列共振子部分は、ＳｉＯ2 薄膜２の上に
直接下部電極４を形成した構造となる。
【００２５】このように、下部電極の形成領域を定める
レジスト膜を形成した状態で、周波数調整用の金属薄膜
または誘電体薄膜を成膜し、この金属薄膜または誘電体
薄膜と共にレジスト膜を除去するようにしたため、下部
電極の下部に金属薄膜または誘電体薄膜を高精度にパタ
ーン化することができる。
レジスト膜を形成した状態で、周波数調整用の金属薄膜
または誘電体薄膜を成膜し、この金属薄膜または誘電体
薄膜と共にレジスト膜を除去するようにしたため、下部
電極の下部に金属薄膜または誘電体薄膜を高精度にパタ
ーン化することができる。
【００２６】なお、並列共振子部分の下部電極形成領
域にのみ開口部を有するようにレジスト膜をパターンニ
ングする。その上から付加薄膜を成膜する。レジス
ト膜を剥離する。並列共振子部分と、直列共振子部分
の両方の下部電極形成領域に開口部を有するようにレジ
スト膜をパターンニングする。下部電極を成膜する。
レジスト膜を剥離する。という手順で付加薄膜および
下部電極を形成してもよい。
域にのみ開口部を有するようにレジスト膜をパターンニ
ングする。その上から付加薄膜を成膜する。レジス
ト膜を剥離する。並列共振子部分と、直列共振子部分
の両方の下部電極形成領域に開口部を有するようにレジ
スト膜をパターンニングする。下部電極を成膜する。
レジスト膜を剥離する。という手順で付加薄膜および
下部電極を形成してもよい。
【００２７】次に、図５の（Ａ）に示すように、メタル
マスクなどでマスキングしてＺｎＯを真空蒸着またはス
パッタリングにより成膜し、圧電性薄膜３を形成する。
マスクなどでマスキングしてＺｎＯを真空蒸着またはス
パッタリングにより成膜し、圧電性薄膜３を形成する。
【００２８】続いて図５の（Ｂ）に示すように、上部電
極パターン形成用のレジスト膜１１を形成する。
極パターン形成用のレジスト膜１１を形成する。
【００２９】続いて（Ｃ）に示すように、表面の全面に
Ａｌを成膜し、レジスト膜１１をアセトンなどで剥離す
ることによって、（Ｄ）に示すように上部電極５を形成
する。
Ａｌを成膜し、レジスト膜１１をアセトンなどで剥離す
ることによって、（Ｄ）に示すように上部電極５を形成
する。
【００３０】以上の方法によって、図３の（Ｂ）に示し
た並列共振子および直列共振子を含む圧電フィルタを構
成する。
た並列共振子および直列共振子を含む圧電フィルタを構
成する。
【００３１】次に、第２の実施形態に係る圧電フィルタ
の構造と製造方法を図６および図７を参照して説明す
る。図６は並列共振子部分の断面図である。直列共振子
部分の構造は図３の（Ａ）に示したものと同一である。
並列共振子部分は、上部電極５の下部に付加薄膜６を設
けている。このような構造であっても、図３の（Ｂ）に
示したものと同様に、ＳｉＯ2 薄膜２、圧電性薄膜３お
よびその上下の電極から成る複合体による共振領域の厚
みが増し、また質量が増すため、付加電極６を設けない
直列共振子部分に対して、この並列共振子の共振周波数
が低下する。
の構造と製造方法を図６および図７を参照して説明す
る。図６は並列共振子部分の断面図である。直列共振子
部分の構造は図３の（Ａ）に示したものと同一である。
並列共振子部分は、上部電極５の下部に付加薄膜６を設
けている。このような構造であっても、図３の（Ｂ）に
示したものと同様に、ＳｉＯ2 薄膜２、圧電性薄膜３お
よびその上下の電極から成る複合体による共振領域の厚
みが増し、また質量が増すため、付加電極６を設けない
直列共振子部分に対して、この並列共振子の共振周波数
が低下する。
【００３２】次に、上記圧電フィルタの製造方法を、図
７に示す並列共振子部分の各工程における断面図を基に
説明する。まず、図７の（Ａ）に示すように、ＳｉＯ2
薄膜２の上面に、並列共振子部分と直列共振子部分の両
方の下部電極形成領域に開口部を有するようにレジスト
膜をパターンニングし、Ａｌ膜を成膜し、レジスト膜を
剥離することにより、下部電極４を形成する。さらに、
メタルマスクなどでマスキングしてＺｎＯを真空蒸着ま
たはスパッタリングにより成膜し、圧電性薄膜３を形成
する。
７に示す並列共振子部分の各工程における断面図を基に
説明する。まず、図７の（Ａ）に示すように、ＳｉＯ2
薄膜２の上面に、並列共振子部分と直列共振子部分の両
方の下部電極形成領域に開口部を有するようにレジスト
膜をパターンニングし、Ａｌ膜を成膜し、レジスト膜を
剥離することにより、下部電極４を形成する。さらに、
メタルマスクなどでマスキングしてＺｎＯを真空蒸着ま
たはスパッタリングにより成膜し、圧電性薄膜３を形成
する。
【００３３】続いて、（Ｂ）のように、並列共振子部分
と直列共振子部分の両方の上部電極形成領域に開口部を
有するようにレジスト膜１１をパターンニングし、直列
共振子部分（共振周波数を低下させない方の圧電共振子
部分）のレジスト膜の開口部をメタルマスク等でマスキ
ングし、並列共振子部分（共振周波数を低下させるべき
圧電共振子部分）の上部電極形成領域に下地膜としてＴ
ｉ膜を成膜し、その上にＡｕ膜を成膜して、これを付加
薄膜６とする。この付加薄膜６としては、ＳｉＮまたは
ＳｉＯ2 などの誘電体薄膜を成膜してもよい。
と直列共振子部分の両方の上部電極形成領域に開口部を
有するようにレジスト膜１１をパターンニングし、直列
共振子部分（共振周波数を低下させない方の圧電共振子
部分）のレジスト膜の開口部をメタルマスク等でマスキ
ングし、並列共振子部分（共振周波数を低下させるべき
圧電共振子部分）の上部電極形成領域に下地膜としてＴ
ｉ膜を成膜し、その上にＡｕ膜を成膜して、これを付加
薄膜６とする。この付加薄膜６としては、ＳｉＮまたは
ＳｉＯ2 などの誘電体薄膜を成膜してもよい。
【００３４】続いて、上記メタルマスクを取り除いて、
（Ｃ）に示すように、基板表面全面にＡｌ膜を成膜し、
レジスト膜１１をアセトンなどで剥離することによっ
て、その上部のＡｌ膜を除去する。これにより、（Ｄ）
のように上部電極５をパターンニングする。
（Ｃ）に示すように、基板表面全面にＡｌ膜を成膜し、
レジスト膜１１をアセトンなどで剥離することによっ
て、その上部のＡｌ膜を除去する。これにより、（Ｄ）
のように上部電極５をパターンニングする。
【００３５】このように、上部電極の形成領域を定める
レジスト膜を形成した状態で、周波数調整用の金属薄膜
または誘電体薄膜を成膜し、この金属薄膜または誘電体
薄膜と共にレジスト膜を除去するようにしたため、上部
電極の下部に金属薄膜または誘電体薄膜を高精度にパタ
ーン化することができる。
レジスト膜を形成した状態で、周波数調整用の金属薄膜
または誘電体薄膜を成膜し、この金属薄膜または誘電体
薄膜と共にレジスト膜を除去するようにしたため、上部
電極の下部に金属薄膜または誘電体薄膜を高精度にパタ
ーン化することができる。
【００３６】次に、第３の実施形態に係る圧電フィルタ
の構成を、並列共振子の断面図として図８に示す。図８
において７は、並列共振子部分の下部電極４の上部に形
成した付加薄膜である。直列共振子部分には、この付加
薄膜６を形成しない。付加薄膜７は、Ｔｉを下地膜と
し、その上にＡｕ膜を成膜したものである。Ａｕ膜はそ
の上部に形成する圧電性薄膜としてのＺｎＯの結晶性を
向上させ、共振子の特性を向上させる。
の構成を、並列共振子の断面図として図８に示す。図８
において７は、並列共振子部分の下部電極４の上部に形
成した付加薄膜である。直列共振子部分には、この付加
薄膜６を形成しない。付加薄膜７は、Ｔｉを下地膜と
し、その上にＡｕ膜を成膜したものである。Ａｕ膜はそ
の上部に形成する圧電性薄膜としてのＺｎＯの結晶性を
向上させ、共振子の特性を向上させる。
【００３７】このように付加薄膜７を下部電極４の上部
に形成しても、共振領域の厚みが増し、質量が増すた
め、直列共振子部分に比べて共振周波数が低下する。
に形成しても、共振領域の厚みが増し、質量が増すた
め、直列共振子部分に比べて共振周波数が低下する。
【００３８】図８に示した付加薄膜７は、図４の（Ｃ）
と（Ｄ）に示した工程の順を入れ換えて実施することに
よって設ける。すなわちレジスト膜１０を形成した後に
Ａｌ膜を成膜し、メタルマスクなどを用いて直列共振子
部分のレジスト膜開口部をマスキングし、並列共振子部
分のレジスト膜開口部に、付加薄膜７をＴｉ薄膜および
Ａｕ薄膜の順に成膜し、その後にレジスト膜１０を剥離
することによって、直列共振子部分の下部電極をパター
ンニングし、並列共振子部分の下部電極４および付加薄
膜６をパターンニングする。このことによって、並列共
振子部分の下部電極４の上部に付加薄膜７を有する構造
とする。
と（Ｄ）に示した工程の順を入れ換えて実施することに
よって設ける。すなわちレジスト膜１０を形成した後に
Ａｌ膜を成膜し、メタルマスクなどを用いて直列共振子
部分のレジスト膜開口部をマスキングし、並列共振子部
分のレジスト膜開口部に、付加薄膜７をＴｉ薄膜および
Ａｕ薄膜の順に成膜し、その後にレジスト膜１０を剥離
することによって、直列共振子部分の下部電極をパター
ンニングし、並列共振子部分の下部電極４および付加薄
膜６をパターンニングする。このことによって、並列共
振子部分の下部電極４の上部に付加薄膜７を有する構造
とする。
【００３９】図９は第４の実施形態に係る圧電フィルタ
の並列共振子部分の断面図である。ここで７は、並列共
振子部分の上部電極５の上部に形成した付加薄膜であ
り、共振領域の厚みおよび質量を増すことによって、直
列共振子部分に比較して共振周波数を低下させる。
の並列共振子部分の断面図である。ここで７は、並列共
振子部分の上部電極５の上部に形成した付加薄膜であ
り、共振領域の厚みおよび質量を増すことによって、直
列共振子部分に比較して共振周波数を低下させる。
【００４０】図９に示した構造は、図７の（Ｂ）と
（Ｃ）に示した工程の順を入れ換えて実施することによ
って形成する。すなわち、レジスト膜１１を形成した後
に、上部電極膜としてＡｌ膜を成膜し、メタルマスクな
どを用いて直列共振子部分のレジスト膜開口部をマスキ
ングし、並列共振子部分のレジスト膜開口部に、付加薄
膜７としてＴｉ薄膜およびＡｕ薄膜を順に成膜し、その
後にレジスト膜１１を剥離することによって、直列共振
子部分の上部電極をパターンニングし、並列共振子部分
の上部電極５および付加薄膜７をパターンニングする。
このことによって、並列共振子部分の上部電極５の上部
に付加薄膜７を有する構造とする。
（Ｃ）に示した工程の順を入れ換えて実施することによ
って形成する。すなわち、レジスト膜１１を形成した後
に、上部電極膜としてＡｌ膜を成膜し、メタルマスクな
どを用いて直列共振子部分のレジスト膜開口部をマスキ
ングし、並列共振子部分のレジスト膜開口部に、付加薄
膜７としてＴｉ薄膜およびＡｕ薄膜を順に成膜し、その
後にレジスト膜１１を剥離することによって、直列共振
子部分の上部電極をパターンニングし、並列共振子部分
の上部電極５および付加薄膜７をパターンニングする。
このことによって、並列共振子部分の上部電極５の上部
に付加薄膜７を有する構造とする。
【００４１】図８および図９に示したように、下部電極
または上部電極の上部に付加薄膜を形成する場合には、
付加薄膜を金属膜とすることによって、外部とのワイヤ
ボンディングなどの接続を従来通りに行うことができ
る。
または上部電極の上部に付加薄膜を形成する場合には、
付加薄膜を金属膜とすることによって、外部とのワイヤ
ボンディングなどの接続を従来通りに行うことができ
る。
【００４２】なお、第１〜第４の実施形態では、付加薄
膜として金属薄膜を形成する際、下地膜としてＴｉ膜を
成膜し、その上にＡｕ膜を成膜するようにしたが、下地
膜を設けずに単層のＡｕ薄膜を付加薄膜として成膜して
もよい。
膜として金属薄膜を形成する際、下地膜としてＴｉ膜を
成膜し、その上にＡｕ膜を成膜するようにしたが、下地
膜を設けずに単層のＡｕ薄膜を付加薄膜として成膜して
もよい。
【００４３】以上の各実施形態で示した製造方法によれ
ば、共振周波数制御用の金属薄膜または誘電体薄膜を高
い寸法精度で形成することができるため、圧電共振子の
共振周波数を容易に所定値に設定できるようになり、所
望のフィルタ特性を容易に得ることができる。
ば、共振周波数制御用の金属薄膜または誘電体薄膜を高
い寸法精度で形成することができるため、圧電共振子の
共振周波数を容易に所定値に設定できるようになり、所
望のフィルタ特性を容易に得ることができる。
【００４４】以上に示した圧電フィルタは帯域通過特性
を示すので、これを用いて通信装置を構成する際には、
電子同調回路、復調回路、その他の妨害波除去回路等に
用いて、通信装置の高周波回路部を構成する。
を示すので、これを用いて通信装置を構成する際には、
電子同調回路、復調回路、その他の妨害波除去回路等に
用いて、通信装置の高周波回路部を構成する。
【００４５】
【発明の効果】請求項１，２，４〜７に記載の発明によ
れば、共振周波数制御用の付加薄膜を高いパターン精度
で形成できる。また、付加薄膜は圧電性薄膜を挟む上部
電極または下部電極に積層される構造であるため、圧電
共振子から離間した従来の波数調整用薄膜と圧電共振子
との電気的結合による特性の悪化なども生じない。さら
に、付加薄膜の膜厚に対する共振周波数の変化を大きく
とることができるため、圧電性薄膜に対する付加薄膜の
割合が大きくならず、共振周波数の温度特性が変化せず
に、温度変化に対して安定したフィルタ特性が得られ
る。
れば、共振周波数制御用の付加薄膜を高いパターン精度
で形成できる。また、付加薄膜は圧電性薄膜を挟む上部
電極または下部電極に積層される構造であるため、圧電
共振子から離間した従来の波数調整用薄膜と圧電共振子
との電気的結合による特性の悪化なども生じない。さら
に、付加薄膜の膜厚に対する共振周波数の変化を大きく
とることができるため、圧電性薄膜に対する付加薄膜の
割合が大きくならず、共振周波数の温度特性が変化せず
に、温度変化に対して安定したフィルタ特性が得られ
る。
【００４６】特に、請求項１に記載の発明によれば、下
部電極の下部に高配向（結晶性の良い）付加薄膜を形成
すると、下部電極の配向性がよくなり、その上の圧電薄
膜の結晶性が向上し、良好なフィルタ特性が得られる。
また、下部電極の上に高配向の付加薄膜を形成すると、
その上の圧電薄膜の結晶性が向上し、良好なフィルタ特
性が得られる。
部電極の下部に高配向（結晶性の良い）付加薄膜を形成
すると、下部電極の配向性がよくなり、その上の圧電薄
膜の結晶性が向上し、良好なフィルタ特性が得られる。
また、下部電極の上に高配向の付加薄膜を形成すると、
その上の圧電薄膜の結晶性が向上し、良好なフィルタ特
性が得られる。
【００４７】また、請求項２に記載の発明によれば、上
部電極の上面または下部電極の上面に金属薄膜が形成さ
れても、その金属薄膜で導通がとれるので、外部接続の
ために電極パターンを変える必要がない。
部電極の上面または下部電極の上面に金属薄膜が形成さ
れても、その金属薄膜で導通がとれるので、外部接続の
ために電極パターンを変える必要がない。
【００４８】請求項３に記載の発明によれば、上記の圧
電フィルタを、例えば高周波回路部において送信信号ま
たは受信信号の処理部分に用いることによって、環境温
度の変化に対しても安定した通信特性が得られる。
電フィルタを、例えば高周波回路部において送信信号ま
たは受信信号の処理部分に用いることによって、環境温
度の変化に対しても安定した通信特性が得られる。
【図１】第１の実施形態に係る圧電フィルタの基本回路
およびその等価回路図
およびその等価回路図
【図２】同圧電フィルタの特性図
【図３】同圧電フィルタの直列共振子部分および並列共
振子部分の断面図
振子部分の断面図
【図４】同圧電フィルタの各製造工程における断面図
【図５】同圧電フィルタの各製造工程における断面図
【図６】第２の実施形態に係る圧電フィルタの並列共振
子部分の断面図
子部分の断面図
【図７】同圧電フィルタの各製造工程における断面図
【図８】第３の実施形態に係る圧電フィルタの並列共振
子部分の断面図
子部分の断面図
【図９】第４の実施形態に係る圧電フィルタの並列共振
子部分の断面図
子部分の断面図
１−基板（Ｓｉ） ２−薄膜（ＳｉＯ2 ） ３−圧電性薄膜（ＺｎＯ） ４−下部電極（Ａｌ） ５−上部電極（Ａｌ） ６−付加薄膜（Ａｕ／Ｔｉ，ＳｉＮまたはＳｉＯ2 ） ７−付加薄膜（Ａｕ／Ｔｉ） １０，１１−レジスト膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｈ 3/02 Ｈ０１Ｌ 41/18 １０１Ｚ 9/58 41/22 Ｚ
Claims (7)
- 【請求項１】 基板の一方の面に、圧電性薄膜と該圧電
性薄膜の上下面を挟む上部電極および下部電極を形成
し、該上部電極および下部電極が前記圧電性薄膜を挟む
位置に対向する、前記基板の他方の面に凹部を形成して
成る圧電共振子を複数設け、これらの圧電共振子を接続
して成る圧電フィルタにおいて、 前記複数の圧電共振子のうち、他の圧電共振子に比べて
共振周波数を相対的に低く設定する圧電共振子部分の下
部電極の下部または上部電極の下部に、金属または誘電
体による付加薄膜を形成した圧電フィルタ。 - 【請求項２】 基板の一方の面に、圧電性薄膜と該圧電
性薄膜の上下面を挟む上部電極および下部電極を形成
し、該上部電極および下部電極が前記圧電性薄膜を挟む
位置に対向する、前記基板の他方の面に凹部を形成して
成る圧電共振子を複数設け、これらの圧電共振子を接続
して成る圧電フィルタにおいて、 前記複数の圧電共振子のうち、他の圧電共振子に比べて
共振周波数を相対的に低く設定する圧電共振子部分の下
部電極の上部または上部電極の上部に、金属による付加
薄膜を形成した圧電フィルタ。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の圧電フィルタ
を設けて成る通信装置。 - 【請求項４】 基板の一方の面に、圧電性薄膜と該圧電
性薄膜の上下面を挟む上部電極および下部電極を形成
し、該上部電極および下部電極が前記圧電性薄膜を挟む
位置に対向する、前記基板の他方の面に凹部を形成して
成る圧電共振子を複数設け、これらの圧電共振子を接続
して成る圧電フィルタの製造方法であって、 前記複数の圧電共振子のうち、他の圧電共振子に比べて
共振周波数を相対的に低く設定する圧電共振子部分の前
記下部電極形成領域に金属薄膜または誘電体薄膜を成膜
する工程と、 前記金属薄膜または誘電体薄膜の上に下部電極を形成す
る工程とを含む圧電フィルタの製造方法。 - 【請求項５】 基板の一方の面に、圧電性薄膜と該圧電
性薄膜の上下面を挟む上部電極および下部電極を形成
し、該上部電極および下部電極が前記圧電性薄膜を挟む
位置に対向する、前記基板の他方の面に凹部を形成して
成る圧電共振子を複数設け、これらの圧電共振子を接続
して成る圧電フィルタの製造方法であって、 前記複数の圧電共振子のうち、他の圧電共振子に比べて
共振周波数を相対的に低く設定する圧電共振子部分の前
記上部電極形成領域に金属薄膜または誘電体薄膜を成膜
する工程と、 前記金属薄膜または誘電体薄膜の上に上部電極を形成す
る工程とを含む圧電フィルタの製造方法。 - 【請求項６】 基板の一方の面に、圧電性薄膜と該圧電
性薄膜の上下面を挟む上部電極および下部電極を形成
し、該上部電極および下部電極が前記圧電性薄膜を挟む
位置に対向する、前記基板の他方の面に凹部を形成して
成る圧電共振子を複数設け、これらの圧電共振子を接続
して成る圧電フィルタの製造方法であって、 前記複数の圧電共振子のうち、他の圧電共振子に比べて
共振周波数を相対的に低く設定する圧電共振子部分の前
記下部電極形成領域に前記下部電極を形成する工程と、 前記下部電極の上に金属薄膜を成膜する工程とを含む圧
電フィルタの製造方法。 - 【請求項７】 基板の一方の面に、圧電性薄膜と該圧電
性薄膜の上下面を挟む上部電極および下部電極を形成
し、該上部電極および下部電極が前記圧電性薄膜を挟む
位置に対向する、前記基板の他方の面に凹部を形成して
成る圧電共振子を複数設け、これらの圧電共振子を接続
して成る圧電フィルタの製造方法であって、 前記複数の圧電共振子のうち、他の圧電共振子に比べて
共振周波数を相対的に低く設定する圧電共振子部分の前
記上部電極形成領域に前記上部電極を形成する工程と、 前記上部電極の上に金属薄膜を成膜する工程とを含む圧
電フィルタの製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000145463A JP4513169B2 (ja) | 2000-05-17 | 2000-05-17 | 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2000145463A JP4513169B2 (ja) | 2000-05-17 | 2000-05-17 | 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001326553A true JP2001326553A (ja) | 2001-11-22 |
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Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004048639A (ja) * | 2002-05-17 | 2004-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子及びその製造方法等 |
| JP2004221622A (ja) * | 2002-01-08 | 2004-08-05 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子、圧電フィルタ、デュプレクサ、通信装置および圧電共振子の製造方法 |
| US6867667B2 (en) | 2001-11-29 | 2005-03-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric filter, communication device, and method for manufacturing communication device |
| EP1515435A2 (en) * | 2003-09-09 | 2005-03-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film resonator, method for making thin film resonator and filter having thin film resonators |
| JP2005223479A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 薄膜バルク共振子、薄膜バルク共振子フィルタ、および薄膜バルク共振子の製造方法 |
| JP2006510296A (ja) * | 2002-12-13 | 2006-03-23 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電気音響共振器 |
| JP2006109129A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電薄膜素子の製造方法 |
| JP2006174148A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電薄膜共振子およびその製造方法 |
| JP2007507960A (ja) * | 2003-10-06 | 2007-03-29 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 共振器構造体及びそれを製造する方法 |
| JP2007088819A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Seiko Epson Corp | 圧電薄膜振動子 |
| US7240410B2 (en) | 2002-01-08 | 2007-07-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing a piezoelectric resonator |
| JP2007535279A (ja) * | 2004-05-07 | 2007-11-29 | インテル・コーポレーション | 集積化された多周波数帯圧電薄膜共振器（ｆｂａｒ）の形成 |
| JP2008113061A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Kyocera Corp | バルク音響波共振子及びフィルタ装置並びに通信装置 |
| JP2008178126A (ja) * | 2008-01-21 | 2008-07-31 | Ube Ind Ltd | 薄膜音響共振器及びその製造方法 |
| US7463117B2 (en) | 2004-06-30 | 2008-12-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film bulk acoustic-wave resonator (FBAR), filter implemented by FBARs and method for manufacturing FBAR |
| WO2009013938A1 (ja) * | 2007-07-20 | 2009-01-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電共振子及び圧電フィルタ装置 |
| US7498717B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-03-03 | Fujitsu Media Devices Limited | Resonator, filter and fabrication of resonator |
| JP2009200714A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Fujitsu Ltd | 圧電薄膜共振器、フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置 |
| JP2011041136A (ja) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
| JP2011160232A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Ube Industries Ltd | 薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタ |
| JP2013176142A (ja) * | 2013-04-30 | 2013-09-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電薄膜共振器、フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998015984A1 (en) * | 1996-10-10 | 1998-04-16 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for tuning thin film fbars |
| JP2000101345A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Tdk Corp | 電圧制御発振器 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58121815A (ja) * | 1982-01-14 | 1983-07-20 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子 |
| JPS63187714A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-03 | Toshiba Corp | 圧電薄膜共振子 |
| US5692279A (en) * | 1995-08-17 | 1997-12-02 | Motorola | Method of making a monolithic thin film resonator lattice filter |
| JPH11284480A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 圧電薄膜振動子 |
-
2000
- 2000-05-17 JP JP2000145463A patent/JP4513169B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998015984A1 (en) * | 1996-10-10 | 1998-04-16 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for tuning thin film fbars |
| JP2001502136A (ja) * | 1996-10-10 | 2001-02-13 | ノキア モービル フォーンズ リミテッド | 薄膜バルク音波共振子（ｆｂａｒ）をウェーハ上で同調させる方法 |
| JP2000101345A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Tdk Corp | 電圧制御発振器 |
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6867667B2 (en) | 2001-11-29 | 2005-03-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric filter, communication device, and method for manufacturing communication device |
| US7240410B2 (en) | 2002-01-08 | 2007-07-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing a piezoelectric resonator |
| JP2004221622A (ja) * | 2002-01-08 | 2004-08-05 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子、圧電フィルタ、デュプレクサ、通信装置および圧電共振子の製造方法 |
| JP2004048639A (ja) * | 2002-05-17 | 2004-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子及びその製造方法等 |
| JP2006510296A (ja) * | 2002-12-13 | 2006-03-23 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電気音響共振器 |
| EP1515435A2 (en) * | 2003-09-09 | 2005-03-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film resonator, method for making thin film resonator and filter having thin film resonators |
| US7432785B2 (en) | 2003-09-09 | 2008-10-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film resonator, method for making thin film resonator and filter having thin film resonators |
| EP1515435B1 (en) * | 2003-09-09 | 2011-10-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film resonator, method for making thin film resonator and filter having thin film resonators |
| JP4676437B2 (ja) * | 2003-10-06 | 2011-04-27 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 共振器構造体及びそれを製造する方法 |
| JP2007507960A (ja) * | 2003-10-06 | 2007-03-29 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 共振器構造体及びそれを製造する方法 |
| JP2005223479A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 薄膜バルク共振子、薄膜バルク共振子フィルタ、および薄膜バルク共振子の製造方法 |
| JP4625260B2 (ja) * | 2004-02-04 | 2011-02-02 | 株式会社日立メディアエレクトロニクス | 薄膜バルク共振子の製造方法 |
| US7498717B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-03-03 | Fujitsu Media Devices Limited | Resonator, filter and fabrication of resonator |
| JP2007535279A (ja) * | 2004-05-07 | 2007-11-29 | インテル・コーポレーション | 集積化された多周波数帯圧電薄膜共振器（ｆｂａｒ）の形成 |
| US7463117B2 (en) | 2004-06-30 | 2008-12-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film bulk acoustic-wave resonator (FBAR), filter implemented by FBARs and method for manufacturing FBAR |
| JP4680561B2 (ja) * | 2004-10-06 | 2011-05-11 | 京セラキンセキ株式会社 | 圧電薄膜素子の製造方法 |
| JP2006109129A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電薄膜素子の製造方法 |
| JP2006174148A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電薄膜共振子およびその製造方法 |
| JP4697517B2 (ja) * | 2004-12-16 | 2011-06-08 | 株式会社村田製作所 | 圧電薄膜共振子およびその製造方法 |
| JP2007088819A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Seiko Epson Corp | 圧電薄膜振動子 |
| JP2008113061A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Kyocera Corp | バルク音響波共振子及びフィルタ装置並びに通信装置 |
| JPWO2009013938A1 (ja) * | 2007-07-20 | 2010-09-30 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子及び圧電フィルタ装置 |
| WO2009013938A1 (ja) * | 2007-07-20 | 2009-01-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電共振子及び圧電フィルタ装置 |
| JP4730383B2 (ja) * | 2008-01-21 | 2011-07-20 | 宇部興産株式会社 | 薄膜音響共振器及びその製造方法 |
| JP2008178126A (ja) * | 2008-01-21 | 2008-07-31 | Ube Ind Ltd | 薄膜音響共振器及びその製造方法 |
| JP2009200714A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Fujitsu Ltd | 圧電薄膜共振器、フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置 |
| JP2011041136A (ja) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
| WO2011021461A1 (ja) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
| US8749320B2 (en) | 2009-08-17 | 2014-06-10 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and method for manufacturing the same |
| JP2011160232A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Ube Industries Ltd | 薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタ |
| JP2013176142A (ja) * | 2013-04-30 | 2013-09-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電薄膜共振器、フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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