JPS58121815A - 圧電共振子 - Google Patents
圧電共振子Info
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- JPS58121815A JPS58121815A JP453882A JP453882A JPS58121815A JP S58121815 A JPS58121815 A JP S58121815A JP 453882 A JP453882 A JP 453882A JP 453882 A JP453882 A JP 453882A JP S58121815 A JPS58121815 A JP S58121815A
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- piezoelectric thin
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリコンウニノ１−などの基板上に圧電性薄膜
を形成するとともに圧電性薄−と対向するシリコンウェ
ハーの他面に異方性エツチング処理で凹部を形成した、
バルク波を利用し喪高周波用圧電共振子に関する。
を形成するとともに圧電性薄−と対向するシリコンウェ
ハーの他面に異方性エツチング処理で凹部を形成した、
バルク波を利用し喪高周波用圧電共振子に関する。
コｏ ｘ ５ ＆ ＥＥ電共１１子ハ、ｒＦＵｉｌＤＡ
ＭＩＩＩＴＡＬＭＯＤｌ］ｔ ＶＨＦ／ＵＨＦ ＢｔＦ
ＬｉＣＡＣＯＵ８ＴＩＣＷＡＶＩＲ１８ＯＮＡ’ｒＯＲ
８ＡＮＤ ＩＦＩ’１ａＴＩＲ８ＯＮ Ｂ工ＬＩ−ＣＯ
ＮＪ １９８（ｌ ＵＩ、ＴＲＡｌｌＱＭＩＣ８ＹＭＰ
Ｏ８工ＵＭＰ、８２９−８５５や［ＺｎＯ／１ｉｉｏ、
−ＤエムＰＨＲＡＧＭＣＯＭＰＱＥ３工ＴＫ Ｒ迅
ｓｏｎムチＯＲＯＮ ム ８工ＬＩＣｏＭＷＡＰＩＲ
Ｊ ＫＬｊｉｉＣＴＲＯＮＩＣＩ３ ＬＩＴＴＩＲ
８９ｔｈＪｕｌｙ １９ＥＮ ＶＯ２，１７Ｎｏ、１４
Ｆ、５０７〜５０９に開示されＣおり、第１図および
第２図に示す構造をとる。
ＭＩＩＩＴＡＬＭＯＤｌ］ｔ ＶＨＦ／ＵＨＦ ＢｔＦ
ＬｉＣＡＣＯＵ８ＴＩＣＷＡＶＩＲ１８ＯＮＡ’ｒＯＲ
８ＡＮＤ ＩＦＩ’１ａＴＩＲ８ＯＮ Ｂ工ＬＩ−ＣＯ
ＮＪ １９８（ｌ ＵＩ、ＴＲＡｌｌＱＭＩＣ８ＹＭＰ
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−ＤエムＰＨＲＡＧＭＣＯＭＰＱＥ３工ＴＫ Ｒ迅
ｓｏｎムチＯＲＯＮ ム ８工ＬＩＣｏＭＷＡＰＩＲ
Ｊ ＫＬｊｉｉＣＴＲＯＮＩＣＩ３ ＬＩＴＴＩＲ
８９ｔｈＪｕｌｙ １９ＥＮ ＶＯ２，１７Ｎｏ、１４
Ｆ、５０７〜５０９に開示されＣおり、第１図および
第２図に示す構造をとる。
第１図の共振子は、シリコンフェノ・−１の一方面１１
上から所定の深さだけボロン等をドープした（記号２で
示す）のち、他方面１ｂを異方性エツチング処理にて凹
部３を形成してシリコンクエバー１に厚みの４１１部分
１Ｃを構成し、シリコンウェハー１の一方面１ａ上に部
分１Ｃ上を含んでム１などを蒸着し゛Ｃ−Ｃ−極電極４
成し、この電極４を含むシリコンウェハー１上にスパッ
タリングなどによｊ） ＺｎＯなどの圧電性薄１１５を
形成し。
上から所定の深さだけボロン等をドープした（記号２で
示す）のち、他方面１ｂを異方性エツチング処理にて凹
部３を形成してシリコンクエバー１に厚みの４１１部分
１Ｃを構成し、シリコンウェハー１の一方面１ａ上に部
分１Ｃ上を含んでム１などを蒸着し゛Ｃ−Ｃ−極電極４
成し、この電極４を含むシリコンウェハー１上にスパッ
タリングなどによｊ） ＺｎＯなどの圧電性薄１１５を
形成し。
さらに圧電性薄ｌｌｌ５上に少なくとも一方電極４と対
向させ・ＣムＩなどを蒸着して他方電極６を形成したも
ので、電極４，６間に電気信号を加えて圧電性薄１１５
の圧電効果によシその薄！１Ｉ１５を振動させることに
よシ、圧電性薄１［５とシリコンウニＩ・−１の部分１
Ｃとの複合体を振動させ、その複合体の厚み振動を利用
して１ＱＱＭＨｇ以上の鳥周波数領域で有利に動作させ
得るものである。この共振子の共振周波数は主として圧
電性薄！ｌｌｌ５とシリコンウェハー１の薄−へ部分１
Ｃとの複合体の厚みで決まシ、均一な共振周波数を得る
にはシリコンウェハー１の凹部５や圧電性薄＃５を高（
＾精度で制御しながら形成しなければならなｌＰｈ、と
ころが。
向させ・ＣムＩなどを蒸着して他方電極６を形成したも
ので、電極４，６間に電気信号を加えて圧電性薄１１５
の圧電効果によシその薄！１Ｉ１５を振動させることに
よシ、圧電性薄１［５とシリコンウニＩ・−１の部分１
Ｃとの複合体を振動させ、その複合体の厚み振動を利用
して１ＱＱＭＨｇ以上の鳥周波数領域で有利に動作させ
得るものである。この共振子の共振周波数は主として圧
電性薄！ｌｌｌ５とシリコンウェハー１の薄−へ部分１
Ｃとの複合体の厚みで決まシ、均一な共振周波数を得る
にはシリコンウェハー１の凹部５や圧電性薄＃５を高（
＾精度で制御しながら形成しなければならなｌＰｈ、と
ころが。
四部３はボロンなどをドープした部分シドープしく＋へ
な１０部分のエツチング速度の差を利用し・Ｃその深さ
を決めるようＫし・［１八るので、ドープ量により凹部
３の深さひ１へては部分１Ｃの厚みが規定され、量産時
における部分１Ｃの厚みの正確な制御が極め′Ｃ困離で
、厚みのバラツキが大きくなる。
な１０部分のエツチング速度の差を利用し・Ｃその深さ
を決めるようＫし・［１八るので、ドープ量により凹部
３の深さひ１へては部分１Ｃの厚みが規定され、量産時
における部分１Ｃの厚みの正確な制御が極め′Ｃ困離で
、厚みのバラツキが大きくなる。
また圧電性薄＃５はスパッタリングなどで形成するが量
産時に厚みを精度よく制御するのも困難なものである。
産時に厚みを精度よく制御するのも困難なものである。
したがって、量産時に共振周波数を所定値に一致させる
のは非常にむずかしい作業で１ ある。し
かも、共振子を完成後に共振子の共振周波数を巧く修正
する方法も９亀へ出せなかったので、圧電性薄ｉ５や凹
部１Ｃの形成の精度を高める方向でしか工夫が施せず、
均一な共振周波数をえるという点で量産性に乏しくへも
のであった。
のは非常にむずかしい作業で１ ある。し
かも、共振子を完成後に共振子の共振周波数を巧く修正
する方法も９亀へ出せなかったので、圧電性薄ｉ５や凹
部１Ｃの形成の精度を高める方向でしか工夫が施せず、
均一な共振周波数をえるという点で量産性に乏しくへも
のであった。
第２図のものは、シリコンウェハー７の一方面上に８１
０．（７）！１１Ｂを形成し、他方面Ｋ ８１０ｘ Ｗ
ｓ８まで達する凹部９全形成し、ｓｔｏ、＠８上に第１
図のものと同様に電極４．圧電性薄＃５．電極６を順次
形晟したもので、８１０．＠ｆ３と圧電性薄膜５の膜厚
で共振周波数が決まり、第１図のものと同様の欠点がち
り九。
０．（７）！１１Ｂを形成し、他方面Ｋ ８１０ｘ Ｗ
ｓ８まで達する凹部９全形成し、ｓｔｏ、＠８上に第１
図のものと同様に電極４．圧電性薄＃５．電極６を順次
形晟したもので、８１０．＠ｆ３と圧電性薄膜５の膜厚
で共振周波数が決まり、第１図のものと同様の欠点がち
り九。
本発明は、上述し九従来の技術状況Ｋかんがみ°Ｃなさ
れたもので共振子の完成後に周波数調整ができるように
しかつその周波数調整が実際に共振周波数を測定しなが
ら行えるようにした圧電共振子を提供することを目的と
する。
れたもので共振子の完成後に周波数調整ができるように
しかつその周波数調整が実際に共振周波数を測定しなが
ら行えるようにした圧電共振子を提供することを目的と
する。
以下１本発明の一実施例を図面を参照しつつ詳述する。
第３図は第１図の従来例と同様に基板１０とし゛Ｃシリ
コンウェハーを用い、シリコンウェハー１０の一方面１
０ａから所定量ボロ／をドープし九（記号１１で示す）
のち、他方面１０１）から異方性エツチング処理にて凹
部１２を形成してシリコンウニ・・−１０に厚みの薄い
部分１０Ｃを構成し、シリコンウェハー１０の一方面１
０＆上に部分１００を含んでム１などを蒸着し・Ｃ一方
電極１３を形成し。
コンウェハーを用い、シリコンウェハー１０の一方面１
０ａから所定量ボロ／をドープし九（記号１１で示す）
のち、他方面１０１）から異方性エツチング処理にて凹
部１２を形成してシリコンウニ・・−１０に厚みの薄い
部分１０Ｃを構成し、シリコンウェハー１０の一方面１
０＆上に部分１００を含んでム１などを蒸着し・Ｃ一方
電極１３を形成し。
この電極１３を含むシリコンウェハーＩＣ１上にスパッ
タリングなどによＪ）ＺｎＯなどの圧電性薄膜１４を形
成シ、さらに圧電性薄１１１１４上に少なくとも一方電
極１３と対向させてムＩなどを蒸着し”Ｃ他方電極１５
を形成し、シリコンフェノ′−−１０の凹８１２内にム
Ｉ、ムｆ、ムＵなどの金属あるいは８１０ｍ＋ムｊ ｍ
Ｏｓ ＊ Ｚ ｎ Ｏｙムｊｅｔテｉｏ、 などの絶
縁物を付着し°〔周波数調整用１１１１６を形成したも
のである。
タリングなどによＪ）ＺｎＯなどの圧電性薄膜１４を形
成シ、さらに圧電性薄１１１１４上に少なくとも一方電
極１３と対向させてムＩなどを蒸着し”Ｃ他方電極１５
を形成し、シリコンフェノ′−−１０の凹８１２内にム
Ｉ、ムｆ、ムＵなどの金属あるいは８１０ｍ＋ムｊ ｍ
Ｏｓ ＊ Ｚ ｎ Ｏｙムｊｅｔテｉｏ、 などの絶
縁物を付着し°〔周波数調整用１１１１６を形成したも
のである。
本実施例によれば、共振子の完成後に６１定器の電極ビ
ン（図示せず）を電極ＩＬ１５ に接触させ、共振周波
数を測定しながらそれらの電極１ｓ。
ン（図示せず）を電極ＩＬ１５ に接触させ、共振周波
数を測定しながらそれらの電極１ｓ。
１５と反対１１に位置する凹部１２内の１１１６をトリ
ミングして共振周波数を一致させることがで愈る。
ミングして共振周波数を一致させることがで愈る。
第４図および第５図はそれでれ他の実施例を示し、いず
れも基板の構成が上記実施例と異なっているので基板を
中心に説明する。８１４図のものは基板１７としてシリ
コンウェハー１８の一方ｍＫｓｌｏｍｌｌｌ１９を形成
したものを用り、シリコンウェハー１８の他方面からＢ
ｉｂ、＄１９まで凹部２０を異方性エツチングで形成し
たものであり、第５図のものは基板２１としてシリコン
ウェハー２２の一方面に所定量ボロンをドープした（記
号２３で示す）のち８１０．＄２４を形成したものを用
い。
れも基板の構成が上記実施例と異なっているので基板を
中心に説明する。８１４図のものは基板１７としてシリ
コンウェハー１８の一方ｍＫｓｌｏｍｌｌｌ１９を形成
したものを用り、シリコンウェハー１８の他方面からＢ
ｉｂ、＄１９まで凹部２０を異方性エツチングで形成し
たものであり、第５図のものは基板２１としてシリコン
ウェハー２２の一方面に所定量ボロンをドープした（記
号２３で示す）のち８１０．＄２４を形成したものを用
い。
シリコンウェハー２２の他方面からエツチング速度が異
なるドープした部分まで異方性エツチング処理して凹部
２５を形成し友ものである。各実施例とも凹部２０，２
５内ＫＭＩ波数虜整用＃１６を形成し、共振周波数を測
定しながらトリミグできるように構成しＣいる。
なるドープした部分まで異方性エツチング処理して凹部
２５を形成し友ものである。各実施例とも凹部２０，２
５内ＫＭＩ波数虜整用＃１６を形成し、共振周波数を測
定しながらトリミグできるように構成しＣいる。
本−１ａ明は１以上説明したように、電極１３．１５が
基板１０ｔ １７９２１の表１ｒｎｃ圧電性薄＃１４側
）に出ているので、共振周波数を測定しながらトリミン
グでき、均一な共振周波数をもつ共振子を大量生産でき
るという実用上大きな効果を有している−
基板１０ｔ １７９２１の表１ｒｎｃ圧電性薄＃１４側
）に出ているので、共振周波数を測定しながらトリミン
グでき、均一な共振周波数をもつ共振子を大量生産でき
るという実用上大きな効果を有している−
第１図および第２図は従来の圧電共振子を示す断面図、
第３図、第４図および第５図はそれぞれ本発明による圧
電共振子の実施例を示す断面図である。 １０、１７．２１は基板、１２ｔ ２０，２５は凹部、
１４は圧電性薄膜、１６は周波数調整用膜。 特許出願人 株式会社村田製作所 第１図 第２図 第３図 葛４図 Ｉと １０ ７６ 手続補正書動式） １事件の表示 昭和５７年特許願 第４５３８ 号 ２、発明の名称 圧電共振子 ３、補正をする者 名称 （６２３） 株式会社 村 ＦＢ
ｍ （’ＩＥ ｍ５、補正により増加する発明の数
第３図、第４図および第５図はそれぞれ本発明による圧
電共振子の実施例を示す断面図である。 １０、１７．２１は基板、１２ｔ ２０，２５は凹部、
１４は圧電性薄膜、１６は周波数調整用膜。 特許出願人 株式会社村田製作所 第１図 第２図 第３図 葛４図 Ｉと １０ ７６ 手続補正書動式） １事件の表示 昭和５７年特許願 第４５３８ 号 ２、発明の名称 圧電共振子 ３、補正をする者 名称 （６２３） 株式会社 村 ＦＢ
ｍ （’ＩＥ ｍ５、補正により増加する発明の数
Claims (1)
- 基板の一方面上に一対の電極を有する圧電性薄―を設け
、基板の他方面に圧電性薄膜と対向する部分に凹部を設
け、この凹部内に一波数調整用薄膜を設けたことを特徴
とする圧電共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP453882A JPS58121815A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 圧電共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP453882A JPS58121815A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 圧電共振子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58121815A true JPS58121815A (ja) | 1983-07-20 |
| JPH0131728B2 JPH0131728B2 (ja) | 1989-06-27 |
Family
ID=11586815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP453882A Granted JPS58121815A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 圧電共振子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58121815A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61100030U (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-26 | ||
| JPS63243817A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Sharp Corp | シリコンマイクロセンサの製造方法 |
| US6867667B2 (en) | 2001-11-29 | 2005-03-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric filter, communication device, and method for manufacturing communication device |
| WO2005088835A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 分波器及び弾性表面波フィルタ |
| US7414349B2 (en) | 2002-10-28 | 2008-08-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric vibrator, filter using the same and its adjusting method |
| JP4513169B2 (ja) * | 2000-05-17 | 2010-07-28 | 株式会社村田製作所 | 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5737917A (en) * | 1980-08-14 | 1982-03-02 | Fujitsu Ltd | Plezoelectric oscillator |
-
1982
- 1982-01-14 JP JP453882A patent/JPS58121815A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5737917A (en) * | 1980-08-14 | 1982-03-02 | Fujitsu Ltd | Plezoelectric oscillator |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61100030U (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-26 | ||
| JPS63243817A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Sharp Corp | シリコンマイクロセンサの製造方法 |
| JP4513169B2 (ja) * | 2000-05-17 | 2010-07-28 | 株式会社村田製作所 | 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法 |
| US6867667B2 (en) | 2001-11-29 | 2005-03-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric filter, communication device, and method for manufacturing communication device |
| US7414349B2 (en) | 2002-10-28 | 2008-08-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric vibrator, filter using the same and its adjusting method |
| WO2005088835A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 分波器及び弾性表面波フィルタ |
| US7327205B2 (en) | 2004-03-12 | 2008-02-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Demultiplexer and surface acoustic wave filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0131728B2 (ja) | 1989-06-27 |
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