JPS63260211A - 膜厚差をもつ電極の作製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は膜厚差をもつ電極構造を作製する方法に関する
。

通常のインターデジタル電極である弾性表面波変換器は
両方向性のため、非常に大きな挿入損失の状態でしか実
用化されていない。しかし、これを一方向性化すること
により低挿入損失でかつ特性の良い弾性表面波機能素子
を得ることができる。

この一方向性化の方法として、電極に膜厚差をもたせ、
その膜厚差による反射を利用した一方向性変換器が種々
提案されている。本発明はその膜厚差をもつ電極を作製
する方法に関するものである。

まず、第１図のように光、電子ビーム、Ｘ線などを光源
としたりソグラフィを用いて第１図のようなレジストパ
ターンを基板面上に作製する。次にこれに垂直方向から
のビームを用いて蒸着＠３を作製する。次に、レジスト
ｌ及びレジスト上の蒸着膜３の影が得られるように斜め
方向からのビーム４を用いて蒸着膜５を得る。次に、蒸
着膜５はエツチングされないが蒸着膜３はエツチングさ
れるようなエツチング液或いはプラズマガスを用５はエ
ツチングされるようなエツチング液或いはプラズマガス
を用いて蒸着膜５を取り除く。次に通常のリフトオフ法
を用いてレジストを取り除くことにより第２図（ｅ）の
ような膜厚差をもつ電極を得ることができる。

また、第３図のように、蒸着膜６．７．８を蒸着し、第
２図（ｂ）のように斜め方向からのビーム４を用いて蒸
着膜５を得た後、蒸着膜５および蒸着膜７はエツチング
しないが膜８はエツチングする液或いはプラズマガスを
用いてエツチングすることによりＭ８のエツチングがＭ
７の面上で停止するので、正確な膜厚が制御された膜厚
差をもつ電極を得ることができる。

以上、本発明は膜厚差をもつ電極を一つのレノストパタ
ーンのみを用いて容易に作製できる方法について述べた
ものであり、微細構造の膜厚差を第１図は本発明の膜厚
差をもつ電極の作製法を説明するための図で、第１図（
ａ）は基板及びレジストの平面図、第１図（ｂ）はＡ−
Ａ′から見た断面図である。Ｉ・・・基板、２・・・レ
ジスト膜第２図は本発明の膜厚差をもつ電極を作製する
ための手順を示した図であり、（ａ）はレノストをもつ
基板上に蒸着膜を作製した図、（ｂ）は斜め蒸着法の図
、（ｃ）は蒸着膜３のエツチングの図、（ｄ）は斜め蒸
着膜のエツチングした後の図、（ｅ）はレジストをリフ
トオフして得られた膜厚差をもつ電極の図である。３・
・・蒸着膜、４・・・斜め方向からの蒸着ビーム、５・
・・斜め蒸着法により得られる蒸着膜 第３図は、種類の異なる蒸着膜を付着させた図であり、
蒸着膜６と８は異種類でも同種類でも良い。６．７．８
・・・蒸着膜

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）第１図（ａ）（ｂ）のようにレジストパターン２
   が作製されている基板１において、基板１面及びレジス
   ト２の面上に、第２図（ａ）に示すように蒸着膜３を付
   着させた後、斜め方向からの蒸発ビーム４を用いて、第
   ２図（ｂ）のように、レジスト１の影が出来るように蒸
   着膜５を付着させた後、蒸着膜５はエッチングしないが
   、蒸着膜３はエッチングする液或いはプラズマガスを用
   いて、蒸着膜３をエッチングにより第２図（ｃ）のよう
   に膜厚差をもたせた後、第２図（ｄ）のように蒸着膜５
   をエッチングで取り除き、更にリフトオフでレジスト膜
   を取り除いて得られる第２図（ｅ）のような膜厚差をも
   つ電極構造を作製する方法及びこのような方法で作製さ
   れた電極をもつ機能素子。
2. （２）特許請求の範囲第１項において、蒸着膜３として
   第３図のように、蒸着膜６、７、８を蒸着した後、第２
   図（ｂ）のように斜め方向からの蒸発ビーム４を用いて
   レジスト１の影が出来るように蒸着膜５を付着させた後
   、蒸着膜５及び蒸着膜７はエッチングしないが、蒸着膜
   ８はエッチングする液或いはプラズマガスを用いてエッ
   チングで取り除き、蒸着膜５のみあるいは蒸着膜５およ
   び蒸着膜７をエッチングで取り除いた後、リフトオフで
   レジストを取り除いて得られる膜厚差をもつ電極構造を
   作製する方法及びこのような方法で作製される電極をも
   つ機能素子。