JPWO2009013938A1 - 圧電共振子及び圧電フィルタ装置 - Google Patents
圧電共振子及び圧電フィルタ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2009013938A1 JPWO2009013938A1 JP2009524416A JP2009524416A JPWO2009013938A1 JP WO2009013938 A1 JPWO2009013938 A1 JP WO2009013938A1 JP 2009524416 A JP2009524416 A JP 2009524416A JP 2009524416 A JP2009524416 A JP 2009524416A JP WO2009013938 A1 JPWO2009013938 A1 JP WO2009013938A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- electrode
- film
- resonator
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 187
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 37
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 17
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 12
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000002507 cathodic stripping potentiometry Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 AlN Chemical class 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/564—Monolithic crystal filters implemented with thin-film techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/105—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/175—Acoustic mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/025—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks comprising an acoustic mirror
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0471—Resonance frequency of a plurality of resonators at different frequencies
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
圧電薄膜の面方向に沿う不要振動によるスプリアスがなく、挿入損失の増大を図り得る圧電フィルタ装置を得る。相対的に音響インピーダンスが低い材料からなる第１の音響インピーダンス層５ａ〜５ｃと、相対的に音響インピーダンスが高い材料からなる第２の音響インピーダンス層５ｄ，５ｅとを有する音響反射層５と、前記音響反射層５上に設けられた薄膜積層体６とを備え、薄膜積層体６が、圧電薄膜９と、第１の電極１０と、第１の電極１０よりも大きな第２の電極１１とを有し、第２の電極１１が前記音響反射層５上に形成されており、圧電振動部の外側の領域の少なくとも一部において、前記第１の電極１０の周囲に設けられた質量付加膜１４をさらに備え、前記第２の電極１１が、平面視した際に、圧電振動部を超えて質量付加膜１４が設けられている領域に至るように形成されている、圧電共振子３。
Description
本発明は、例えば、発振子や帯域フィルタになどに用いられている圧電共振子及び圧電フィルタ装置に関し、より詳細には、圧電薄膜と圧電薄膜を挟持する第１，第２の電極とを有する薄膜積層体が基板上に形成された構造を備えた圧電共振子及び圧電フィルタ装置に関する。
従来、圧電薄膜を用いて構成された薄い圧電振動部を有する圧電共振子や圧電フィルタ装置が知られている。
例えば、下記の特許文献１には、図２５に示す圧電フィルタが開示されている。圧電フィルタ５０１では、支持基板５０２の上面に凹部５０２ａ，５０２ｂが形成されている。凹部５０２ａが形成されている領域において、凹部５０２ａ上に、圧電薄膜５０３と、上部電極５０４と下部電極５０５とからなる第１の圧電共振子５０６が設けられている。
同様に、凹部５０２ｂ上においても圧電薄膜５０３と、上部電極５０７と下部電極５０８とからなる圧電共振子５０９が構成されている。
ここでは、圧電共振子５０６が直列腕共振子となるように、また圧電共振子５０９が並列腕共振子となるように、圧電共振子５０６，５０９が電気的に接続され、ラダー型回路構成の圧電フィルタ５０１が構成されている。また、直列腕共振子と並列腕共振子との共振周波数の差を設けるために、一方の圧電共振子５０６の下部電極５０５の厚みと、他方の圧電共振子５０９の下部電極５０８の厚みとが異ならされている。
他方、下記の特許文献２には、バルク波を利用したＢＡＷ共振器に、音響インピーダンスが相対的に低い材料からなる層と、音響インピーダンスが相対的に高い材料からなる層とを積層してなる音響反射器が組み合わされた構造が開示されている。ここでは、ＢＡＷ共振器から漏洩した横波を音響反射器により反射させ、共振周波数における縦波の反射率と横波の反射率とを近づけることにより、共振周波数における特性の向上が図られている。
特開２００２−２９９９８０号公報
特開２００４−１５９３３９号公報
特許文献１に記載のような圧電薄膜を用いた薄膜積層体を有する圧電共振子では、厚みが比較的厚い圧電板を用いた場合に比べて、共振子周波数を高めることができる。従って、厚み縦振動モードを利用して、より高い周波数領域で用いる圧電フィルタ装置を構成することができる。
しかしながら、厚み縦振動モード以外に、圧電薄膜５０３の面方向に伝搬するＬａｍｂ波によるスプリアスが現れがちであった。そのため、良好な共振特性やフィルタ特性が得ることができないことがあった。
なお、特許文献２には、上記圧電フィルタ５０１とは全く異なり、バルク波を利用したＢＡＷ共振器が開示されているにすぎない。ここでは、ＢＡＷ共振器において利用するバルク波の共振周波数における特性を高めるために、共振周波数における縦波の反射率と横波の反射率とを近づけるように、上記音響反射器が組み合わされている。
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、比較的薄い圧電薄膜を用いて、より高い周波数領域で使用することができるだけでなく、圧電薄膜の面方向に伝搬するモードのスプリアスによる特性の劣化が生じ難い、圧電共振子及び圧電フィルタ装置を提供することにある。
本発明によれば、第１，第２の主面を有する基板と、前記基板の前記第１の主面上に設けられており、相対的に音響インピーダンスが低い材料からなる第１の音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが高い材料からなる第２の音響インピーダンス層とを有する音響反射層と、前記音響反射層上に設けられた薄膜積層体とを備え、前記薄膜積層体が、第１，第２の主面を有する圧電薄膜と、圧電薄膜の第１の主面上に形成された第１の電極と、前記圧電薄膜の第２の主面上に形成されており、第１の電極よりも大きな第２の電極とを有し、第２の電極が前記音響反射層上に形成されており、前記第１，第２の電極が圧電薄膜を介して重なり合っている部分により圧電振動部が構成されており、前記薄膜積層体において、前記圧電振動部の外側の領域の少なくとも一部において、前記第１の電極の周囲に設けられた質量付加膜をさらに備え、前記第２の電極が、平面視した際に、前記圧電振動部を超えて前記質量付加膜が設けられている領域に至るように形成されている、圧電共振子が提供される。
本発明に係る圧電共振子では、上記体１の電極の膜厚と第２の電極の膜厚とが、等しくともよく、異なっていてもよい。また、第２の電極の膜厚が、第１の電極の膜厚よりも厚くされている場合には、第２の電極の配線抵抗を小さくするとこができ、挿入損失を改善することができる。
また、本発明によれば、本発明に従って構成された圧電共振子を複数備え、複数の圧電共振子の前記基板が共通の単一の基板であり、前記複数の圧電共振子がフィルタ回路を構成するように電気的に接続されている、圧電フィルタ装置が提供される。本発明の圧電共振子を用いているので、圧電フィルタ装置の通過帯域内におけるリップルを低減することができ、挿入損失を小さくすることが可能となる。また、圧電フィルタ装置のフィルタ特性において、通過帯域端部におけるフィルタ特性の急峻性、すなわちロールオフが高められ、カットオフ性能が効果的に高められる。
本発明に係る圧電フィルタ装置では、好ましくは、前記複数の圧電共振子のうち、少なくとも１つの圧電共振子が、残りの圧電共振子と異なるように構成されている。この場合には、複数の圧電共振子の周波数特性を異ならせることにより、様々な通過帯域等を容易に形成することができる。
本発明に係る圧電フィルタ装置では、好ましくは、前記少なくとも１つの圧電共振子の共振周波数と、残りの前記圧電共振子の共振周波数とが異なるように、前記少なくとも１つの圧電共振子の第２の電極の膜厚が、残りの前記圧電共振子の第２の電極の膜厚と異ならされている。少なくとも１つの圧電共振子の第２の電極の膜厚と、残りの圧電共振子の第２の電極の膜厚は容易に異ならせる得るため、少なくとも１つの圧電共振子の共振周波数と、残りの圧電共振子の共振周波数とを容易に異ならせることができる。
本発明に係る圧電フィルタ装置では、好ましくは、前記複数の圧電共振子のうち、少なくとも１つの圧電共振子において、第１の電極の膜厚と、第２の電極の膜厚とが異ならされている。また、本発明の圧電フィルタ装置では、好ましくは、前記複数の圧電共振子のうち、前記少なくとも１つの圧電共振子において、第２の電極の膜厚が第１の電極の膜厚よりも厚くされている。この場合には、第２の電極の配線抵抗を小さくするとこができ、挿入損失を改善することができる。
（発明の効果）
（発明の効果）
本発明に係る圧電共振子では、圧電薄膜を有する薄膜積層体において、エネルギー閉じ込め型の圧電振動部が構成されている。従って、比較的薄い圧電薄膜を用いて圧電振動部が構成されているので、薄型化及び高周波化を図ることができる。
しかも、上記質量付加膜が設けられているため、圧電振動部の周囲に質量が付加される。他方、第２の電極が第１の電極よりも大きくされており、平面視した際に、圧電振動部を超えて質量付加膜が設けられている領域に至っている。従って、質量付加膜と質量付加膜と対向する位置に設けられている第２の電極部分とにより圧電薄膜に質量が付加される。よって、圧電薄膜の面方向を伝搬する振動のスプリアスを効果的に抑圧することができる。
さらに、この発明では、第２の電極側に上記音響反射層が積層されているため、通過帯域内におけるスプリアスをより効果的に抑圧することができるとともに、Ｑ値を高めることが可能となる。
よって、圧電薄膜の面方向を伝搬する振動きスプリアスを効果的に抑圧でき、スプリアスが非常に小さく、良好な共振特性を得ることができるとともに、圧電共振子のＱ値を効果的に高めることが可能となる。
１…圧電フィルタ装置
２…基板
２ａ…上面
２ｂ…下面
３，４…圧電共振子
５…音響反射層
５ａ〜５ｃ…第１の音響インピーダンス層
５ｄ，５ｅ…第２の音響インピーダンス層
６…薄膜積層体
７…音響反射層
８…薄膜積層体
９…圧電薄膜
９ａ…上面
９ｂ…下面
１０，１２…第１の電極
１１，１３…第２の電極
１４，１５…質量付加膜
１４ａ…内側端縁
１４ｂ…外側端縁
１６…保護膜
２１，２２…タングステン膜
２３，２４…金属膜
２５，２６…配線電極
３１…圧電共振子
３２…質量付加膜
３２ａ…端縁
３２ｂ…側面
３３…圧電共振子
３４…質量付加膜
３４ａ…端縁
３４ｂ…側面
３５，３７…圧電共振子
３６，３８…質量付加膜
３６ａ，３８ａ…側面
２…基板
２ａ…上面
２ｂ…下面
３，４…圧電共振子
５…音響反射層
５ａ〜５ｃ…第１の音響インピーダンス層
５ｄ，５ｅ…第２の音響インピーダンス層
６…薄膜積層体
７…音響反射層
８…薄膜積層体
９…圧電薄膜
９ａ…上面
９ｂ…下面
１０，１２…第１の電極
１１，１３…第２の電極
１４，１５…質量付加膜
１４ａ…内側端縁
１４ｂ…外側端縁
１６…保護膜
２１，２２…タングステン膜
２３，２４…金属膜
２５，２６…配線電極
３１…圧電共振子
３２…質量付加膜
３２ａ…端縁
３２ｂ…側面
３３…圧電共振子
３４…質量付加膜
３４ａ…端縁
３４ｂ…側面
３５，３７…圧電共振子
３６，３８…質量付加膜
３６ａ，３８ａ…側面
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る圧電フィルタ装置の表面断面図である。圧電フィルタ装置１は、基板２を有する。基板２は、第１の主面としての上面２ａと、第２の主面としての下面２ｂとを有する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る圧電フィルタ装置の表面断面図である。圧電フィルタ装置１は、基板２を有する。基板２は、第１の主面としての上面２ａと、第２の主面としての下面２ｂとを有する。
基板２は、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＳｉＣなどの半導体材料，；ガラス，；アルミナ、サファイア、水晶、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムといった絶縁性セラミックスもしくは単結晶絶縁性樹脂などの適宜の絶縁性材料からなる。本実施形態では、基板２は高抵抗Ｓｉ（抵抗率１０００Ω・ｃｍ以上）からなる。
本実施形態では、単一の基板２を用いて、複数の圧電共振子３，４が形成されている。すなわち、圧電共振子３，４において、基板２は共通化されている。もっとも、圧電共振子３，４は、異なる基板を用いて形成されてもよい。
本実施形態の圧電フィルタ装置１は、ラダー型回路構成を有する圧電フィルタである。周知のように、ラダー型フィルタは、入力端と出力端との間を結ぶ直列腕に挿入された直列腕共振子と、直列腕とグラウンド電位との間を結ぶ並列腕に挿入された並列腕共振子とを有する。圧電フィルタ装置１では、圧電共振子３が直列腕共振子であり、圧電共振子４が並列腕共振子である。圧電共振子３，４は、図示されていない部分で電気的に接続されて、図１（ｂ）に示すラダー型回路を構成している。
図１（ａ）に示すように、圧電共振子３が構成されている部分では、基板２上に音響反射層５及び薄膜積層体６がこの順序で積層されている。同様に、圧電共振子４が、構成されている部分においても、基板２上に、音響反射層７及び薄膜積層体８がこの順序で積層されている。音響反射層５は、相対的に音響インピーダンスが低い材料からなる第１の音響インピーダンス層５ａ〜５ｃと、相対的に音響インピーダンスが高い材料からなる第２の音響インピーダンス層５ｄ，５ｅとを交互に積層した構造を有する。すなわち、後述の圧電振動部から基板２側に向かって、第１の音響インピーダンス層５ａ−第２の音響インピーダンス層５ｄ−第１の音響インピーダンス層５ｂ−第２の音響インピーダンス層５ｅ−第１の音響インピーダンス層５ｃの順序で、音響インピーダンス層５ａ〜５ｅが積層されている。
圧電共振子４側においても、音響反射層７が、音響反射層５と同様に形成されている。すなわち、音響反射層７は、後述の圧電振動部から基板２側に向かって、順に、第１の音響インピーダンス層５ａ−第２の音響インピーダンス層５ｄ−第１の音響インピーダンス層５ｂ−第２の音響インピーダンス層５ｅ−第１の音響インピーダンス層５ｃの順序で第１，第２の音響インピーダンス層５ａ〜５ｅが積層されている。
上記第１の音響インピーダンス層５ａ〜５ｃ及び第２の音響インピーダンス層５ｄ，５ｅは、適宜の無機材料または有機材料により形成することができる。
例えば、第１の音響インピーダンス層５ａ〜５ｃは、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯＣなどの無機材料または商品名：「ＳＵ−８」（ＭＩＣＲＯ ＣＨＥＭ社製）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミドなどのような高分子材料のような有機材料により形成することができる。また、第２の音響インピーダンス層５ｄ，５ｅは、例えば、Ｗ、Ｉｒ、ＰｔもしくはＭｏなどの金属またはＡｌＮ、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３もしくはＴａ２Ｏ５などの無機化合物、あるいは適宜の有機材料を挙げることができる。特に、第１の音響インピーダンス層５ａ〜５ｃを構成する材料として、ＳｉＯ２などの酸化ケイ素を用い、第２の音響インピーダンス層５ｄ，５ｅを構成する材料として、ＷまたはＴａ２Ｏ５を用いることが望ましい。この場合、ＷとＳｉＯ２との間に密着性を高めたり、Ｗの結晶性を高めるために、Ｔｉ層やＡｌＮ層などを挿入することがより好ましい。
ＳｉＯ２を用いた場合、温度変化による共振周波数変動を小さくすることができ、望ましい。Ｗを用いた場合、音響インピーダンスが大きいため音響反射器の層数を少なくすることができ、望ましい。また、Ｔａ２Ｏ５を用いた場合、絶縁材料のためパターニングを不要とすることができ、望ましい。
なお、本実施形態では、音響反射層５，７では、３層の第１の音響インピーダンス層５ａ〜５ｃと、２層の第２の音響インピーダンス層５ｄ，５ｅとが積層されている。もっとも、音響反射層５，７における音響インピーダンス層の積層数は、５に限らず、少なくとも１層の第１の音響インピーダンス層と、少なくとも１層の第２の音響インピーダンス層とを有しておればよい。好ましくは、音響インピーダンス層の積層数は４層以上であり、５層または７層とすることが望ましい。
いずれにしても、後述の圧電振動部側に相対的に音響インピーダンスが低い第１の音響インピーダンス層が配置されており、該第１の音響インピーダンス層よりも基板側に第２の音響インピーダンス層が配置されていることが必要である。それによって、第１の音響インピーダンス層と第２の音響インピーダンス層との界面において、圧電振動部側から伝搬してきた振動が反射され、音響反射層５，７としての作用を果たし、後述するように、通過帯域内におけるスプリアスの低減及び挿入損失の低減を図ることができる。
音響反射層５，７上に、前述した薄膜積層体６，８が積層されている。薄膜積層体６は、第１の主面としての上面９ａと、第２の主面としての下面９ｂとを有し、分極軸が厚み方向に揃っている圧電薄膜９を備える。本実施形態では、圧電薄膜９は圧電共振子４側にも至っている。すなわち、圧電共振子４においても、薄膜積層体８は、圧電薄膜９を備えている。
圧電薄膜９は、圧電性を示す適宜の圧電単結晶または圧電セラミックスからなる。このような圧電材料としては、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、ＫＮｂＯ３またはチタン酸ジルコン酸鉛系圧電性セラミックスなどを挙げることができる。
上記圧電薄膜９は、薄膜であり、その膜厚は特に限定されるわけではないが、２００ｎｍ〜５０００ｎｍ程度の膜厚とされる。従って、このような薄い圧電薄膜９を用いることにより、高周波で駆動し得る圧電共振子３，４を容易に形成することができる。
圧電共振子３において、圧電薄膜９の上面９ａ上に第１の電極１０が形成されており、下面９ｂ上に第２の電極１１が形成されている。電極１０，１１は、適宜の導電性材料からなる。このような導電性材料としては、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａなどの適宜の金属もしくはこれらの金属の合金を挙げることができる。また、上記電極１０，１１は、これらの金属もしくは合金からなる金属膜を複数積層した積層金属膜からなるものであってもよい。
本実施形態では、上記第１の電極１０と第２の電極１１とが、圧電薄膜９を介して重なり合っている部分により圧電振動部が構成されている。すなわち、第１，第２の電極１０，１１間に交流電界を印加した場合、圧電振動部に電界が印加されて、圧電振動部が励振される。この圧電振動部は、圧電薄膜９の一部に設けられている。従って、エネルギー閉じ込め型の厚み縦振動を利用した共振特性を得ることができる。
本実施形態では、第１の電極１０の面積よりも第２の電極１１の平面積が大きくされている。但し、引き出し配線部では、第１の電極１０と第２の電極１１の重なり部は、寄生容量を生じるため、第１の電極１０と第２の電極１１との重なり部を生じないように、第２の電極１１に切欠が設けられている。そして、平面視した場合、第１の電極１０が第２の電極１１内に位置している。言い換えれば、第２の電極１１は、上記圧電振動部の外側の領域に至っている。
圧電共振子４側においても、同様に、第１，第２の電極１２，１３が形成されている。本実施形態では、圧電共振子３が直列型共振子であり、圧電共振子４が並列型共振子として用いられる。従って、並列型共振子である圧電共振子４の共振周波数が相対的に低くされる必要があるため、第２の電極１３の膜厚が、第１の電極５の膜厚よりも厚くされている。圧電共振子４側においても、第２の電極１３が、圧電振動部の外側の領域に至るように、第２の電極１３が第１の電極１２よりも大きくされている。
また、圧電共振子３においては、薄膜積層体６において、圧電振動部の外側の少なくとも一部において、第１の電極１０の周囲に質量付加膜１４が設けられている。そして、第２の電極１１は、平面視した際に、圧電振動部を超えて質量付加膜１４が設けられている領域に至るように形成されている。
質量付加膜１４は、圧電振動部の外側の領域において、圧電薄膜９に質量を付加し得る適宜の材料からなる。このような材料は、絶縁性材料であってもよく、導電性材料であってもよい。もっとも、本実施形態では、第１の電極１０の外周縁に接するように環状の質量付加膜１４が形成されているため、本実施形態では、質量付加膜１４は絶縁性材料により形成される。このような絶縁性材料としては、ＡｌＮ、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ２、ＳｉＮなどが挙げられ、質量付加作用に優れているため、ＡｌＮが好ましい。
なお、質量付加膜１４を、第１の電極１０と隔てて形成する場合には、質量付加膜１４は、Ａｌ、Ｐｔなどの金属もしくは合金から形成されてもよい。その場合、第１の電極１０と同じ材料により質量付加膜１４を形成することが、製造工程の簡略化を図り得るため、望ましい。
圧電共振子４側においても、質量付加膜１５が圧電振動部の外側に領域に少なくとも一部に設けられている。質量付加膜１５は、質量付加膜１４と同様の材料からなる。好ましくは、圧電フィルタ装置１では、質量付加膜１４，１５の材料を同一とすることにより、材料の種類の低減及びプロセスの低減を図ることができる。もっとも、質量付加膜１４を構成する材料と、質量付加膜１５を構成する材料を異ならせてもよい。その場合には、圧電共振子３に適した質量付加効果を果たす材料により質量付加膜１４を形成し、圧電共振子４に最適な質量付加作用を果たす材料により質量付加膜１５を形成することが望ましい。それによって、各圧電共振子３，４における質量付加膜１４，１５による質量付加効果の最適化を図ることができる。
質量付加膜１４，１５を設けることにより、利用する厚み縦振動モードに対してスプリアスとなる圧電薄膜９の面方向に沿う振動によるスプリアスを効果的に抑圧することができる。
なお、上記質量付加膜１４，１５の平面形状は、環状の形状に限定されず、圧電振動部の外側に連なる外側の領域の少なくとも一部に様々な形状で形成され得る。もっとも、圧電振動部の外側の領域において、均一にＬａｍｂ波などのスプリアスとなるモードを抑圧するには、圧電振動部の中心に対して等方性を有する形状、例えば、円環状の形状の質量付加膜が望ましい。
また、上記第２の電極１１，１３は、質量付加膜１４，１５が設けられている領域の下方に至っている。従って、第２の電極１１，１３の質量付加膜１４，１５が設けられている領域の下方に至っている部分による質量付加作用によっても、上記スプリアスが効果的に抑圧される。上記質量付加膜１４，１５及び第２の電極１１，１３による質量付加作用の効果については、後ほど、具体的な実験例に基づき説明する。
質量付加膜１４の内側端縁１４ａから外側端縁１４ｂまでの寸法、すなわち環状の質量付加膜１４の幅方向寸法は、特に限定されないが、５μｍ以上の幅とすることが望ましい。
また、本実施形態では、第２の電極１１，１３が、質量付加膜１４，１５の下方の領域に至っているが、この場合、質量付加膜１４，１５が設けられている領域の下方領域の一部にのみ第２の電極１１，１３が至っていてもよい。
なお、本実施形態では、第１の電極１０，１２を覆うように保護膜１６が形成されている。保護膜１６は、電極１０，１２を覆うだけでなく、質量付加膜１４，１５をも覆い、すなわち、圧電フィルタ装置１の上面の第１の電極１０，１２を外部と電気的に接続したり配線するための部分を除いて、全領域を被覆するように形成されている。保護膜１６により、下方の構造を保護し、湿気や不純物による汚染を防止することができる。また、保護膜１６の形成に際し、保護膜１６の材料及び膜厚を調整したり、保護膜１６をエッチングすることにより、圧電フィルタ装置１の周波数調整を行うことも可能である。
保護膜１６を構成する材料としては、特に限定されないが、ＳｉＯ２、ＳｉＮまたはＡｌＮなどを挙げることができ、また、これらの材料からなる複数の膜を積層した積層膜により保護膜１６を形成してもよい。また、保護膜１６は、電極との短絡を防止し得る限り、金属膜を用いて形成されてもよい。
本実施形態の圧電フィルタ装置１では、上記のように、質量付加膜１４，１５が圧電振動部の周囲の外側の領域の少なくとも一部に設けられており、かつ第２の電極１１，１３が、平面視した際に、質量付加膜１４，１５が設けられている領域に至るように形成されているため、共振特性において圧電薄膜の面方向の沿うモード、例えば、Ｌａｍｂ波によるスプリアスを抑圧でき、Ｑ値を高めることができる。さらに、通過帯域内におけるリップルが低減され、挿入損失を小さくすることが可能となる。また、上記フィルタの通過帯域端部における急峻性が高められて、ロールオフが改善され、カットオフ性能が高められる。これを、具体的な実験例に基づき説明する。
いま、下記の表１に示すように、圧電共振子３，４の膜厚及び材料を設定し、圧電フィルタ装置１を作製した。このようにして、設計共振周波数が圧電共振子３側において１８９８ＭＨｚ、圧電共振子４の設計共振周波数が１８４０ＭＨｚであるラダー型の回路構成の圧電フィルタ装置１を得た。
ＳｉＯ２の音響インピーダンスは１．２×１０１０（ｇ／ｓ・ｍ２）であり、Ｗの音響インピーダンスは１０．０×１０１０（ｇ／ｓ・ｍ２）である。
上記のようにして得た圧電フィルタ装置１における圧電共振子３，４の共振特性を、図４（ａ），（ｂ）において、それぞれインピーダンススミスチャートで示す。インピーダンス−周波数特性ではなく、インピーダンススミスチャートで示したのは、スプリアスが高域側に現れることにより明確に示し得ることによる。図４（ａ）から明らかなように、圧電共振子３側において、共振特性の高域側にスプリアスがほとんど発生していないことがわかる。同様に、図４（ｂ）から明らかなように、圧電共振子４側においても、スプリアスが高域側にほとんど表れていないことがわかる。
比較のために、質量付加膜１４が設けられてないことを除いては、圧電共振子３と同様に形成された比較例の圧電共振子と、質量付加膜１４の膜厚を、７１０ｎｍ、８３０ｎｍ、８５０ｎｍ及び圧電共振子３と同様に８８０ｎｍ及び９４０ｎｍとしたことを除いては、上記と同様にして構成された圧電共振子を用意し、共振特性を測定した。図２（ａ）〜（ｃ）及び図３（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、質量付加膜１４が０ｎｍ、７１０ｎｍ、８５０ｎｍ、８８０ｎｍ及び９４０ｎｍの場合の圧電共振子の共振特性を示す。図２（ａ）から明らかなように、質量付加膜１４が設けられていない場合、高域側に多数のスプリアスが表れていることがわかる。そして、質量付加膜１４の膜厚を、８３０〜８８０ｎｍとした場合、スプリアスを効果的に抑制し得ることがわかる。すなわち、質量付加膜１４を設けて、第２の電極１１を質量付加膜の下方の領域に至るように形成することにより、スプリアスを効果的に抑圧し得ることがわかる。
なお、上記のようなスプリアスが表れると、電極外周部で散乱し、Ｑ値が劣化し得ることとなる。同時に、不要振動のエネルギーが熱エネルギーに変換され、発熱したりし、耐電力性能が低下するおそれがある。これに対して、上記実施形態では、スプリアスを効果的に抑圧し得るので、Ｑ値を高めることができ、耐電力性の低下も生じ難い。
次に上記圧電共振子３，４を有する圧電フィルタ装置１の製造工程の一例を、圧電共振子３を形成されている部分を代表して説明することとする。すなわち、上記圧電フィルタ装置１において、圧電共振子３が構成されている部分を図５に正面断面図で示す。この圧電共振子３を得るにあたっては、図６（ａ）に示すように、Ｓｉからなる基板２を用意する。該基板２上に、熱酸化膜の形成、スパッタリングまたはＣＶＤ法により、ＳｉＯ２からなる第１の音響インピーダンス層５ｃを全面に成膜する。次に、スパッタリングまたはＣＶＤ法により、タングステン膜２１を全面に形成する。しかる後、図６（ｂ）に示すように、ドライエッチングまたはウエットエッチングにより上記タングステン膜２１をパターニングし、第２の音響インピーダンス層５ｅを形成する。次に、図６（ｃ）ように、ＳｉＯ２からなる第１の音響インピーダンス層５ｂ及びタングステン膜２２を上記と同様にして順次形成する。
しかる後、図６（ｄ）に示すように、反応性イオンエッチングまたはウエットエッチングなどのエッチングによりタングステン膜２２をパターニングし、第２の音響インピーダンス層５ｄを形成する。
さらに、図７（ａ）に示すように、スパッタリングまたはＣＶＤ法により、ＳｉＯ２からなる第１の音響インピーダンス層５ａを成膜する。そして、図７（ｂ）に示すように、Ａｒプラズマエッチングまたは酸素プラズマエッチングにより、表面を平坦化する。
そして、図７（ｃ）に示すように、スパッタリングまたは蒸着により第２の電極を形成する金属膜２３を全面に形成する。
次に、図７（ｄ）に示すように、ドライエッチングもしくはウエットエッチングまたはリフトオフ法により上記金属膜２３をパターニングし、第２の電極１１を形成する。
しかる後、図８（ａ）に示すように、スパッタリングにより、ＡｌＮ膜を体積させ、圧電薄膜９を形成する。
しかる後、図８（ｂ）に示すように、全面に金属膜２４をスパッタリングもしくは蒸着等により形成する。そして、図８（ｃ）に示すように、上記金属膜２４をパターニングすることにより、第１の電極１０を形成する。そして、図８（ｄ）に示すように、第１の電極１０の周囲に、スパッタリングによりＡｌＮ膜を体積し、質量付加膜１４を形成する。
次に、図９（ａ）において、側面断面図で示すように第１の電極１０及び第２の電極１１に接続されるように、配線電極２５，２６をスパッタリングもしくは蒸着等により形成する。図９（ａ）に示す側面断面図では、上部に設けられている第１の電極１０及び下部に設けられている第２の電極１１は、圧電振動部を超えて、外側に引き出されており、該外側に引き出されている部分において、配線電極２５，２６にそれぞれ接続されている。
しかる後、図９（ｂ）正面断面図で示すように酸化シリコンまたは窒化シリコンなどをスパッタリングまたはＣＶＤ法により体積し、さらに適宜のＲＩＥもしくはウェットエッチングなどのエッチングによりパターニングし、保護膜１６を形成する。このようにして、図５に示した圧電共振子３が得られる。
なお、圧電共振子４も同様の製造工程により得ることができる。図１に示した圧電共振子３及び圧電共振子４では、質量付加膜１４，１５が、第１の電極１０，１２の外周縁に接する環状の形状とされていた。このような質量付加膜１４，１５の形状は適宜変形することができる。
例えば、図１０（ａ）に示す変形例の圧電共振子３１では、質量付加膜３２の内側の端縁３２ａが第１の電極１０の上面に位置するように質量付加膜３２が第１の電極１０の上面に乗り上げるように形成されている。また、図１０（ｂ）に示す変形例の圧電共振子３３では、質量付加膜３４の内側の端縁３４ａが、同じく、第１の電極の上部に位置するように、質量付加膜３４の一部が第１の電極１０上に乗り上げている。もっとも、内側側面３４ｂは、下方に行くほど圧電振動部の内側に向かうように傾斜されている。図１０（ａ）に示した質量付加膜３２では、側面３２ｂは、傾斜面とされておらず、上下方向に延びている。
質量付加膜３２，３４のように、端縁３２ａ，３４ａは、第１の電極１０上に至っていてもよい。従って、このような構造では、抑制すべき振動が質量付加膜３２，３４に伝搬し易くなるため、不要振動をより効果的に抑制することができる。また、端縁３２ａ，３４ａが、電極１０の上部に位置していてよいため、フォトリソグラフィーエッチング法による質量付加膜３２，３４の形成に際し、端縁３２ａ，３４ａの位置がわずかにずれたとしても特性が変動し難い。
さらに、図１０（ｂ）に示すように、質量付加膜３４の側面３４ｂが傾斜面とされている場合には、圧電振動部から圧電振動部外に向かって質量付加膜３４による質量付加効果が徐々に大きくなっていく。従って、質量付加効果が穏やかに変化することとなる。この場合には、質量付加膜３４を形成する際のフォトリソグラフィーエッチング法において、形成位置がわずかにずれたとしても、特性のばらつきが生じ難い。
同様に、図１１（ａ），（ｂ）に示す圧電共振子３５，３７のように、質量付加膜３６，３８の内側の側面３６ｂ，３８ｂが傾斜面とされている構造を用いた場合においても、同様に、質量付加膜３６，３８の内側の端縁３６ａ，３８ａの位置がわずかにずれたとしたとしても、特性は変動し難い。
なお、図１１（ａ），（ｂ）の質量付加膜３６，３８の内側の端縁３６ａ，３８ａは、第１の電極１０の外側に位置している。すなわち、質量付加膜３６では、端縁３６ａが第１の電極１０の外周側縁に接しており、図１１（ｂ）では、質量付加膜３８の内側の端縁３８ａは、第１の電極１０と隔てられている。
（第２の実施形態）
圧電フィルタ装置１と同様の構造を有し、但し、各部分の材料及び膜厚が下記の表２に示すように構成されている第２の実施形態の圧電フィルタ装置を用意した。なお、第２の実施形態の圧電フィルタ装置は、第１の実施形態の圧電フィルタ装置１と同様の構造を有するため、同一の参照番号を付して適宜説明することとする。
圧電フィルタ装置１と同様の構造を有し、但し、各部分の材料及び膜厚が下記の表２に示すように構成されている第２の実施形態の圧電フィルタ装置を用意した。なお、第２の実施形態の圧電フィルタ装置は、第１の実施形態の圧電フィルタ装置１と同様の構造を有するため、同一の参照番号を付して適宜説明することとする。
第２の実施形態の圧電フィルタ装置１における第１の圧電共振子３及び第２の圧電共振子４のインピーダンススミスチャートを図１２（ａ），（ｂ）に示す。ここでは、質量付加膜の厚みは、いずれも８５０ｎｍである。
図１２（ａ），（ｂ）から明らかなように、第１，第２の圧電共振子３，４のいずれにおいても、不要振動に基づくスプリアスがほとんど現れていないことがわかる。
（第３の実施形態）
下記の表３に示すように各部分の材料及び膜厚を変更したことを除いては、第１の実施形態と同様にして、圧電フィルタ装置１を得た。
下記の表３に示すように各部分の材料及び膜厚を変更したことを除いては、第１の実施形態と同様にして、圧電フィルタ装置１を得た。
この場合、直列腕共振子である第１の圧電共振子の設計共振周波数が２５３９ＭＨｚとし、並列腕共振子である第２の圧電共振子の設計共振周波数は２４６８ＭＨｚとした。
また、第１の音響インピーダンス層５ａ〜５ｃの膜厚及び第２の音響インピーダンス層５ｄ，５ｅの膜厚は、それぞれ、λ／４とした。なお、λ／４は、λ／４＝ｖ／４ｆで求められる。ｖは、音響インピーダンス層の材料の音速であり、ＳｉＯ２では、おおよそ６２０８（ｍ／ｓ）、Ｗでは、おおよそ５２２１（ｍ／ｓ）であり、ｆは、おおよそ各圧電共振子の共振周波数である。また、表３から明らかなように、ここでは、第１の電極１０，１２及び第２の電極１１，１３を構成する材料として、表３に示す複数の金属膜を積層した積層膜が用いられている。なお、複数の金属膜のうち、Ｔｉ膜は、電極の圧電膜への密着性及び金属膜同士の密着性を高めるために設けられた密着層である。
また、第２の電極１３の厚みを第２の電極１１の厚みと異ならせることにより、第２の圧電共振子４の共振周波数が第１の圧電共振子３の共振周波数と異ならされている。
本実施形態においても、質量付加膜の厚みを、０ｎｍ（質量付加膜を形成しない比較例）、４６０ｎｍ、４９０ｎｍ、５２０ｎｍ、５８０ｎｍ、６７０ｎｍと変化させ、共振特性を測定した。結果を図１３（ａ）〜（ｃ）及び図１４（ａ）〜（ｃ）に示す。図１３及び図１４から明らかなように、質量付加膜が設けられていない場合に比べて、質量付加膜が設けられている場合、不要振動によるスプリアスが効果的に抑圧され得ることがわかる。特に、質量付加膜であるＡｌＮ膜の厚みが４９０〜５８０ｎｍの場合には、スプリアスがほとんど表れておらず、より好ましいことがわかる。
図１５（ａ）,（ｂ）は、質量付加膜１４，１５の厚みが５００ｎｍである第３の実施形態の圧電フィルタ装置における第１の圧電共振子３及び第２の圧電共振子４の共振特性を示すインピーダンススミスチャートである。図１５（ａ），（ｂ）から明らかなように、本実施形態においても、高周波配置で動作し得る圧電共振子３，４において、所望でないスプリアスを効果的に抑圧し得ることがわかる。
また、本実施形態では、Ｐｔ膜と、Ａｌ膜とを密着層としてのＴｉ膜とを積層して第１，第２の電極１０，１２，１１，１３が形成されているが、第２の電極１１，１３において、Ａｌ膜の厚みのみを異ならせることにより、共振周波数が調整されている。従って、密度の比較的小さいＡｌ膜の厚みを調整し得ることにより共振周波数を調整することができるので、高周波帯で動作する圧電共振子３，４間の周波数差を高精度にかつ容易に調整することができる。
（第４の実施形態）
下記の表４に示すように各部分の材料及び膜厚を設定したことを除いては、第１の実施形態の圧電共振子３と同様にして、圧電共振子３を形成した。
下記の表４に示すように各部分の材料及び膜厚を設定したことを除いては、第１の実施形態の圧電共振子３と同様にして、圧電共振子３を形成した。
ここでは、１９００ＭＨｚ帯で動作する圧電共振子３として、設計共振周波数が１９０６ＭＨｚである圧電共振子３を作製した。また、電極材料としては、Ａｌ膜とＷ膜とを積層してなる積層金属膜を用いた。なお、本実施形態では、音響反射層の各第１，第２の音響インピーダンス層５ａ〜５ｃ，５ｄ，５ｅの膜厚はλ／４からずらした。なお、λ／４は、λ／４＝ｖ／４ｆで求められる。ｖは、音響インピーダンスの材料の音速であり、ＳｉＯ２では、８２０（ｍ／ｓ）、Ｗでは、６９０（ｍ／ｓ）であり、ｆは、各圧電共振子の共振周波数である。
本実施形態の圧電共振子において、質量付加膜を設けなかったことを除いては、上記と同様にして比較例の圧電共振子を形成した。図１６（ａ）は、この比較例の圧電共振子の共振特性を示すインピーダンススミスチャートであり、（ｂ）は、本実施形態の圧電共振子の共振特性を示すインピーダンススミスチャートである。
図１６（ａ）と図１６（ｂ）と比較すれば明らかなように、質量付加膜の形成により、スプリアスを効果的に抑圧し得ることがわかる。
また、本実施形態では、第１の音響インピーダンス層５ａ、すなわち、最上部に位置し、圧電振動部を構成している薄膜積層体と接している音響インピーダンス層５ａの厚みが１０００ｎｍと、第１の実施形態の場合よりも厚くされている。そのため、振動エネルギーが音響インピーダンス層５ａにより多く漏れだして、周波数温度特性を改善することができる。すなわち、ＳｉＯ２膜は正の周波数温度係数を示し、ＡｌＮ膜は負の周波数温度係数を有するため、正の周波数温度係数を有するＳｉＯ２からなる第１の音響インピーダンス層５ａの膜厚を増加させることにより、全体としての周波数温度係数ＴＣＦの絶対値をより一層小さくすることが可能となる。
また、第２の音響インピーダンス層５ｄ、第１の音響インピーダンス層５ｂ、第２の音響インピーダンス層５ｅの厚みを第１の実施形態の場合に比べて薄くされているため、横波の反射率が高められる。そのため、圧電薄膜９への厚み縦振動のエネルギー閉じ込め効果が高められる。これは、第２の電極１１の外周縁や各層間の境界面に入射した弾性波が反射したときに生じる横波が、音響反射層５に入射した際に、より確実に横波が反射されることによる。一般に、固体中を伝搬する横波は、縦波の約１／２の音速を有する。そのため、横波の波長λｓは、縦波の波長λｐの約半分となる。従って、λ／４音響反射器を作る場合、縦波に対しては、λｓ／４、横波に対してはλｐ／４〜λｓ／８の厚みとすればよい。すなわち、縦波に対しては、λ／４となる厚みよりも薄くすることにより、横波の反射率を高めることができる。
（第５の実施形態）
下記の表５に示す材料及び膜厚に変更したことを除いては、第１の実施形態と同様にして、第１の圧電共振子３を作製した。ここでは、動作周波数１９００ＭＨｚ帯である圧電共振子を作製した。なお、音響反射層の最上部に位置する第１の音響インピーダンス層５ａの膜厚Ｘ（ｎｍ）を６００ｎｍ〜１１０００ｎｍの間で種々変更し、複数種の圧電共振子を作製した。さらに、この複数種の実施形態の圧電共振子に対応する比較例として、それぞれ、質量付加膜を設けられていないことを除いては、各実施形態の圧電共振子と同様にして得られた比較例の圧電共振子をそれぞれ作製した。
下記の表５に示す材料及び膜厚に変更したことを除いては、第１の実施形態と同様にして、第１の圧電共振子３を作製した。ここでは、動作周波数１９００ＭＨｚ帯である圧電共振子を作製した。なお、音響反射層の最上部に位置する第１の音響インピーダンス層５ａの膜厚Ｘ（ｎｍ）を６００ｎｍ〜１１０００ｎｍの間で種々変更し、複数種の圧電共振子を作製した。さらに、この複数種の実施形態の圧電共振子に対応する比較例として、それぞれ、質量付加膜を設けられていないことを除いては、各実施形態の圧電共振子と同様にして得られた比較例の圧電共振子をそれぞれ作製した。
図１７（ａ），（ｃ），（ｅ）は、それぞれ、質量付加膜が設けられておらず、第１の音響インピーダンス層５ａの膜厚が６００、７００及び７５０ｎｍである各比較例のインピーダンススミスチャートを示し、（ｂ）（ｄ）（ｆ）は、それぞれ、質量付加膜が設けられており、第１の音響インピーダンス層５ａの厚みが、６００、７００、７５０ｎｍの場合のインピーダンススミスチャートを示す。
同様に図１８（ａ）（ｃ）及び（ｅ）は、第１の音響インピーダンス層５ａの膜厚が８２０、８５０及び８７０ｎｍである比較例の圧電共振子のインピーダンススミスチャートを示し、（ｂ），（ｄ），（ｆ）は、同様に、第１の音響インピーダンス層５ａの厚みが、８２０、８５０、８７０ｎｍである質量付加膜を有する実施形態の各圧電共振子のインピーダンススミスチャートを示す。
図１９（ａ），（ｃ），（ｅ）は、第１の音響インピーダンス層５ａの膜厚が９００、１０００、１１００ｎｍの場合の比較例の圧電共振子のインピーダンススミスチャートを示し、（ｂ），（ｄ），（ｆ）は、第１の音響インピーダンス層５ａの厚みが、９００、１０００及び１１００ｎｍの場合の質量付加膜を有する実施形態の各圧電共振子のインピーダンススミスチャートを示す。
図１７（ａ），（ｃ），（ｅ）、図１８（ａ），（ｃ），（ｅ）及び図１９（ａ），（ｃ），（ｅ）と、対応する図１７（ｂ），（ｄ），（ｆ）、図１８（ｂ），（ｄ），（ｆ）、図１９（ｂ），（ｄ），（ｆ）の特性を比較すれば明らかなように、いずれの場合においても、質量付加膜を設けることにより、スプリアスを効果的に抑圧し得ることがわかる。
また、第１の音響インピーダンス層５ａの膜厚が８００ｎｍ以下の比較例では、図１７（ａ），（ｃ），（ｅ）及び図１８（ａ），（ｃ），（ｅ）に示すように、共振周波数よりも低い周波数にもスプリアスが存在する。これは、高域遮断型分散特性を有することを意味する。
これに対して、第１の音響インピーダンス層５ａの厚みが９００ｎｍ以上の圧電共振子では、共振周波数より低い周波数にスプリアスが存在せず、低域遮断型分散特性を有することがわかる。よって、質量付加膜を設けることにより、高域遮断型及び低域遮断型の双方の音響反射型圧電共振子においてスプリアスを抑制し得ることがわかる。
（第６の実施形態）
２４００ＭＨｚ帯で動作する圧電フィルタ装置１を下記の表６に示す仕様で作製した。
２４００ＭＨｚ帯で動作する圧電フィルタ装置１を下記の表６に示す仕様で作製した。
ここでは、第１の圧電共振子の共振周波数、第２の圧電共振子４の共振周波数との差は、第２の電極１１，１３の厚みを異ならせることにより設定されている。すなわち、Ｐｔ膜の厚みを異ならせることにより、両者の共振周波数が異ならされている。
本実施形態の圧電フィルタ装置の圧電共振子３及び圧電共振子４の共振特性を図２０（ａ），（ｂ）のインピーダンススミスチャートによりそれぞれ示す。図２０（ａ），（ｂ）から明らかなように、いずれの圧電共振子３，４においても、不要振動に基づくスプリアスがほとんどみられないことがわかる。このように、下部電極である第２の電極１１，１３において、積層金属膜のうちＰｔ膜の膜厚を異ならせ、他の膜厚を同一とすることによっても、圧電共振子３，４間の共振周波数差を設定することができる。
（第７の実施形態）
２４００ＭＨｚ帯で動作する圧電フィルタ装置１を、下記の表７に示す仕様で作製した。
２４００ＭＨｚ帯で動作する圧電フィルタ装置１を、下記の表７に示す仕様で作製した。
ここでは、第１の圧電共振子３と第２の圧電共振子４との共振周波数差は、第２の電極１１，１３におけるＡｌ膜の厚みを異ならせることにより設定した。
図２１（ａ），（ｂ）は、圧電共振子３及び圧電共振子４の共振特性を示す各インピーダンススミスチャートである。図２１（ａ），（ｂ）から明らかなように、いずれの圧電共振子３，４においても、不要振動によるスプリアスはほとんどみられないことがわかる。本実施形態から明らかなように、下部電極である第２の電極１１，１３を構成しているＡｌ膜の厚みのみを異ならせて、共振周波数を異ならせてもよい。
（第８の実施形態）
図２２（ａ）は、第１の実施形態の圧電フィルタ装置１を内蔵したＣＳＰを示す模式的正面断面図である。ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）５１は、圧電フィルタ装置１上に圧電共振子３，４と対向するように蓋基板５２を金属層５３ａ〜５３ｃより接合した構造を有する。ここでは、圧電共振子３，４の上方に振動を妨げないための空隙を隔てて、蓋基板５２が圧電共振子３，４の上方に配置されている。蓋基板５２の上面５２ａ上には、電極パッド５４，５５が形成されている。電極パッド５４，５５上に表面実装するための金属パンプ５６，５７が接合されている。電極パッド５４，５５は、蓋基板５２内に設けられたビアホール電極５８，５９に接続されている。ビアホール電極５８，５９の下端は、蓋基板５２の下面５２ｂに露出している。そして、ビアホール電極５８，５９の下端が、接続電極６１，６２により圧電共振子３，４に電気的に接続されている。
図２２（ａ）は、第１の実施形態の圧電フィルタ装置１を内蔵したＣＳＰを示す模式的正面断面図である。ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）５１は、圧電フィルタ装置１上に圧電共振子３，４と対向するように蓋基板５２を金属層５３ａ〜５３ｃより接合した構造を有する。ここでは、圧電共振子３，４の上方に振動を妨げないための空隙を隔てて、蓋基板５２が圧電共振子３，４の上方に配置されている。蓋基板５２の上面５２ａ上には、電極パッド５４，５５が形成されている。電極パッド５４，５５上に表面実装するための金属パンプ５６，５７が接合されている。電極パッド５４，５５は、蓋基板５２内に設けられたビアホール電極５８，５９に接続されている。ビアホール電極５８，５９の下端は、蓋基板５２の下面５２ｂに露出している。そして、ビアホール電極５８，５９の下端が、接続電極６１，６２により圧電共振子３，４に電気的に接続されている。
このように、圧電フィルタ装置１を蓋基板５２と組み合わせてＣＳＰ５１を形成してもよい。
また、図２２（ｂ）に示す変形例のＣＳＰ７１のように、蓋基板７２にはビアホール電極及び電極パッドを形成せずに、圧電フィルタ装置１を構成している基板２側にビアホール電極５８，５９、電極パッド５４，５５及び半田バンプ５６，５７を形成してもよい。この場合には、基板２側から表面実装可能なＣＳＰ７１が得られる。上記蓋基板５２，７２は、基板２と同じ材料で形成されてもよく、異なる材料で形成されてもよい。好ましくは、同じ材料で形成することが好ましい。
なお、蓋基板５２と基板２との金属層５３ａ〜５３ｃによる接合に際しては、金属層５３ａを蓋基板５２に、金属層５３ｃを基板２側に形成しておき、両者を貼り合わせて、金属を拡散させることにより達成され得る。すなわち、金属層５３ａを構成している金属と金属層５３ｃを構成している金属とを相互に拡散させて、両者の界面に金属層５３ｂを形成する金属拡散法により接合することができる。例えば、金属層５３ａがＳｎ、金属層５３ｃがＣｕからなる場合、金属層５３ｂは、両者が拡散して形成されたＳｎ−Ｃｕ合金からなることになる。このような拡散接合を行い得る金属の組み合わせとしては、ＳｎとＣｕの他、ＡｕとＡｕのように同種金属の組み合せであってもよい。その場合には、金属層５３ｂは、金属層５３ａ，５３ｃと同じ金属からなることとなる。
なお、半田バンプに代えて、ワイヤボンディングによりプリント基板などに実装されるように構成されていてもよい。
また、図２３に示すＣＳＰ８１のように、第１の音響インピーダンス層５ａ〜５ｃを圧電共振子３，４が設けられている領域の側方まで配置し、上記ビアホール電極を音響インピーダンス層を貫通するように設けてもよい。
（第９の実施形態）
図２４（ａ）に示す実施形態のＣＳＰ９１では、図２４（ａ）に示した蓋基板７２に代えて、合成樹脂層９２が形成されている。合成樹脂層９２は、ポリイミド、ＳＵ−８またはＢＣＢなどの適宜の合成樹脂からなる。この合成樹脂層９２の下方に圧電共振子３，４の振動を妨げない空隙を隔てるように、合成樹脂層９２が矩形枠状の合成樹脂層９３を介して基板２に接合されている。合成樹脂層９３は、ポリイミド、ＳＵ−８またはＢＣＢなどの適宜の合成樹脂からなるが、接着剤により構成されてもよい。
図２４（ａ）に示す実施形態のＣＳＰ９１では、図２４（ａ）に示した蓋基板７２に代えて、合成樹脂層９２が形成されている。合成樹脂層９２は、ポリイミド、ＳＵ−８またはＢＣＢなどの適宜の合成樹脂からなる。この合成樹脂層９２の下方に圧電共振子３，４の振動を妨げない空隙を隔てるように、合成樹脂層９２が矩形枠状の合成樹脂層９３を介して基板２に接合されている。合成樹脂層９３は、ポリイミド、ＳＵ−８またはＢＣＢなどの適宜の合成樹脂からなるが、接着剤により構成されてもよい。
その他の点については、ＣＳＰ９１は、図２４に示したＣＳＰと同様に構成されている。また、図２４（ｂ）に示すように、上方に配置された合成樹脂層９２内にビアホール電極５８，５９を形成してもよい。この場合には、ビアホール電極５８，５９は、合成樹脂層９２と矩形枠状の合成樹脂層９３内を貫通するように設けられている。
図２４（ａ），（ｂ）に示すＣＳＰ９１，９４では、ＣＳＰ構造を形成するのに、合成樹脂層９２，９３を形成するだけでよいため、コストを低減することができる。
Claims (8)
- 第１，第２の主面を有する基板と、
前記基板の前記第１の主面上に設けられており、相対的に音響インピーダンスが低い材料からなる第１の音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが高い材料からなる第２の音響インピーダンス層とを有する音響反射層と、
前記音響反射層上に設けられた薄膜積層体とを備え、
前記薄膜積層体が、第１，第２の主面を有する圧電薄膜と、圧電薄膜の第１の主面上に形成された第１の電極と、前記圧電薄膜の第２の主面上に形成されており、第１の電極よりも大きな第２の電極とを有し、第２の電極が前記音響反射層上に形成されており、前記第１，第２の電極が圧電薄膜を介して重なり合っている部分により圧電振動部が構成されており、
前記薄膜積層体において、前記圧電振動部の外側の領域の少なくとも一部において、前記第１の電極の周囲に設けられた質量付加膜をさらに備え、
前記第２の電極が、平面視した際に、前記圧電振動部を超えて前記質量付加膜が設けられている領域に至るように形成されている、圧電共振子。 - 前記第１の電極の膜厚と、前記第２の電極の膜厚とが異なっている、請求項１に記載の圧電共振子。
- 前記第２の電極の膜厚が、前記第１の電極の膜厚よりも厚くされている、請求項２に記載の圧電共振子。
- 請求項１〜３のいずれか１項に記載の圧電共振子を複数備え、複数の圧電共振子の前記基板が共通の単一の基板であり、前記複数の圧電共振子がフィルタ回路を構成するように電気的に接続されている、圧電フィルタ装置。
- 前記複数の圧電共振子のうち、少なくとも１つの圧電共振子が、残りの圧電共振子と異なるように構成されている、請求項４に記載の圧電フィルタ装置。
- 前記少なくとも１つの圧電共振子の共振周波数と、残りの前記圧電共振子の共振周波数とが異なるように、前記少なくとも１つの圧電共振子の第２の電極の膜厚が、残りの前記圧電共振子の第２の電極の膜厚と異ならされている、請求項５に記載の圧電フィルタ装置。
- 前記複数の圧電共振子のうち、少なくとも１つの圧電共振子において、第１の電極の膜厚と、第２の電極の膜厚とが異ならされている、請求項４〜６のいずれか１項に記載の圧電フィルタ装置。
- 前記複数の圧電共振子のうち、前記少なくとも１つの圧電共振子において、第２の電極の膜厚が第１の電極の膜厚よりも厚くされている、請求項７に記載の圧電フィルタ装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007189901 | 2007-07-20 | ||
| JP2007189901 | 2007-07-20 | ||
| PCT/JP2008/060131 WO2009013938A1 (ja) | 2007-07-20 | 2008-06-02 | 圧電共振子及び圧電フィルタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2009013938A1 true JPWO2009013938A1 (ja) | 2010-09-30 |
Family
ID=40281198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009524416A Pending JPWO2009013938A1 (ja) | 2007-07-20 | 2008-06-02 | 圧電共振子及び圧電フィルタ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100134210A1 (ja) |
| JP (1) | JPWO2009013938A1 (ja) |
| WO (1) | WO2009013938A1 (ja) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5246454B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2013-07-24 | 宇部興産株式会社 | 薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタ |
| US10461719B2 (en) * | 2009-06-24 | 2019-10-29 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
| FR2951024B1 (fr) * | 2009-10-01 | 2012-03-23 | St Microelectronics Sa | Procede de fabrication de resonateur baw a facteur de qualite eleve |
| FR2951023B1 (fr) * | 2009-10-01 | 2012-03-09 | St Microelectronics Sa | Procede de fabrication d'oscillateurs monolithiques a resonateurs baw |
| FR2951026B1 (fr) | 2009-10-01 | 2011-12-02 | St Microelectronics Sa | Procede de fabrication de resonateurs baw sur une tranche semiconductrice |
| US8791776B2 (en) * | 2011-01-19 | 2014-07-29 | Wei Pang | Acoustic wave resonator having a gasket |
| US8438924B2 (en) * | 2011-02-03 | 2013-05-14 | Inficon, Inc. | Method of determining multilayer thin film deposition on a piezoelectric crystal |
| KR101919118B1 (ko) * | 2012-01-18 | 2018-11-15 | 삼성전자주식회사 | 체적 음향 공진기 |
| KR101959204B1 (ko) * | 2013-01-09 | 2019-07-04 | 삼성전자주식회사 | 무선 주파수 필터 및 무선 주파수 필터의 제조방법 |
| US9450565B2 (en) * | 2013-03-12 | 2016-09-20 | Qorvo Us, Inc. | Border ring mode suppression in solidly-mounted bulk acoustic wave resonator |
| KR102219701B1 (ko) * | 2014-08-21 | 2021-02-24 | 삼성전자주식회사 | 이차 전지의 활물질 분석 장치 및 이를 이용한 활물질 분석 방법 |
| WO2016147986A1 (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| US9985194B1 (en) | 2015-05-13 | 2018-05-29 | Qorvo Us, Inc. | Spurious mode suppression in bulk acoustic wave resonator |
| CN106257831B (zh) | 2015-06-16 | 2019-04-02 | 三星电机株式会社 | 体声波谐振器及包括该体声波谐振器的滤波器 |
| US10608611B2 (en) * | 2016-03-10 | 2020-03-31 | Qorvo Us, Inc. | Bulk acoustic wave resonator with electrically isolated border ring |
| JP2017229194A (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | セイコーエプソン株式会社 | Ｍｅｍｓデバイス、圧電アクチュエーター、及び、超音波モーター |
| US10038422B2 (en) * | 2016-08-25 | 2018-07-31 | Qualcomm Incorporated | Single-chip multi-frequency film bulk acoustic-wave resonators |
| JP6668201B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2020-03-18 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ。 |
| US10715099B2 (en) | 2016-10-28 | 2020-07-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same |
| JP7037336B2 (ja) * | 2017-11-16 | 2022-03-16 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ |
| JP2019193168A (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | バルク音響共振器及びその製造方法 |
| DE102018118701B3 (de) * | 2018-08-01 | 2019-10-17 | RF360 Europe GmbH | BAW-Resonator mit verbesserter Verbindung der oberen Elektrode |
| US11469735B2 (en) * | 2018-11-28 | 2022-10-11 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device, filter, and multiplexer |
| DE102018132920B4 (de) * | 2018-12-19 | 2020-08-06 | RF360 Europe GmbH | Elektroakustischer Resonator und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE102019104726B4 (de) * | 2019-02-25 | 2020-10-08 | RF360 Europe GmbH | Elektroakustischer Resonator und Verfahren zu seiner Herstellung |
| TW202343838A (zh) * | 2019-06-12 | 2023-11-01 | 美商特拉華公司 | 電極界定未懸掛之聲波共振器 |
| WO2021112214A1 (ja) * | 2019-12-06 | 2021-06-10 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| CN111262548B (zh) * | 2019-12-31 | 2021-06-22 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器组、滤波器、电子设备、机电耦合系数调整方法 |
| CN113497593B (zh) * | 2020-04-08 | 2023-05-12 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 单晶体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| US20230058875A1 (en) * | 2021-08-18 | 2023-02-23 | RF360 Europe GmbH | Wideband-enabled electroacoustic device |
| US20230101228A1 (en) * | 2021-09-24 | 2023-03-30 | RF360 Europe GmbH | Package comprising an acoustic device and a cap substrate comprising an inductor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001326553A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法 |
| JP2003505905A (ja) * | 1999-07-19 | 2003-02-12 | ノキア コーポレイション | 共振子構造及びそのような共振子構造を有するフィルター |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6396200B2 (en) * | 1998-01-16 | 2002-05-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film piezoelectric element |
| US6424237B1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-07-23 | Agilent Technologies, Inc. | Bulk acoustic resonator perimeter reflection system |
| US6469597B2 (en) * | 2001-03-05 | 2002-10-22 | Agilent Technologies, Inc. | Method of mass loading of thin film bulk acoustic resonators (FBAR) for creating resonators of different frequencies and apparatus embodying the method |
| DE10251876B4 (de) * | 2002-11-07 | 2008-08-21 | Infineon Technologies Ag | BAW-Resonator mit akustischem Reflektor und Filterschaltung |
| JP2004222244A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-08-05 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器およびその製造方法 |
| US6954121B2 (en) * | 2003-06-09 | 2005-10-11 | Agilent Technologies, Inc. | Method for controlling piezoelectric coupling coefficient in film bulk acoustic resonators and apparatus embodying the method |
| JP2005094735A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-04-07 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
| JP4488167B2 (ja) * | 2003-12-18 | 2010-06-23 | Ｔｄｋ株式会社 | フィルタ |
| US20060220763A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Tomohiro Iwasaki | Acoustic mirror type thin film bulk acoustic resonator, and filter, duplexer and communication apparatus comprising the same |
| CN101292422B (zh) * | 2005-11-04 | 2013-01-16 | 株式会社村田制作所 | 压电谐振器、滤波器、以及双模滤波器 |
-
2008
- 2008-06-02 JP JP2009524416A patent/JPWO2009013938A1/ja active Pending
- 2008-06-02 WO PCT/JP2008/060131 patent/WO2009013938A1/ja active Application Filing
-
2010
- 2010-01-06 US US12/683,092 patent/US20100134210A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003505905A (ja) * | 1999-07-19 | 2003-02-12 | ノキア コーポレイション | 共振子構造及びそのような共振子構造を有するフィルター |
| JP2001326553A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20100134210A1 (en) | 2010-06-03 |
| WO2009013938A1 (ja) | 2009-01-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPWO2009013938A1 (ja) | 圧電共振子及び圧電フィルタ装置 | |
| CN111082774B (zh) | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 | |
| JP5648695B2 (ja) | 弾性波装置及びその製造方法 | |
| JP3954395B2 (ja) | 圧電薄膜共振子、フィルタ、および圧電薄膜共振子の製造方法 | |
| KR100698985B1 (ko) | 필터 및 필터의 제조 방법 | |
| JP7037336B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ | |
| US7323953B2 (en) | Film bulk acoustic resonator and method of producing the same | |
| US10218335B2 (en) | Duplexer | |
| JP4428354B2 (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
| JP5792554B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP6185292B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP6642499B2 (ja) | 弾性波装置 | |
| CN112673568A (zh) | 用于调整声波谐振器的频率响应的负荷谐振器 | |
| JP3514222B2 (ja) | 圧電共振子、電子部品及び電子機器 | |
| JP4775445B2 (ja) | 薄膜圧電共振器および薄膜圧電フィルタ | |
| CN110710106B (zh) | 弹性波装置、分波器及通信装置 | |
| JP2019021997A (ja) | 弾性波素子、分波器および通信装置 | |
| JPWO2013031748A1 (ja) | 圧電バルク波装置及びその製造方法 | |
| JP2003087080A (ja) | 弾性表面波素子及びその製造方法 | |
| JP7037333B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ | |
| CN103825574B (zh) | 声波器件及其制造方法 | |
| JP7344011B2 (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| JP4339604B2 (ja) | 圧電薄膜素子 | |
| JP7068974B2 (ja) | ラダー型フィルタ及びマルチプレクサ | |
| JP5204258B2 (ja) | 圧電薄膜共振子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120214 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120612 |