JP2004222244A - 薄膜圧電共振器およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板1上に形成され基板と下面が下部空洞5を形成する圧電膜3aと、この圧電膜の下面に接する下部電極3bと、圧電膜の上面に接し下部電極と重なる部分を有する上部電極3cとを含み圧電膜の膜面に垂直な方向に下部空洞に通じる第1貫通孔6が形成された薄膜圧電共振子3と、圧電膜の上面と上部空洞を形成し、膜面垂直方向に上部空洞に通じる第2貫通孔8が形成された上部空洞形成膜9と、上部空洞形成膜を覆うとともに第2貫通孔を塞ぐように形成された封止層11と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明の第1実施形態による薄膜圧電共振器の構成を図1に示す。この薄膜圧電共振器は、薄膜圧電共振子3を備え、この薄膜圧電共振子3の平面図を図2に示す。なお、図1は、図2に示す切断線A−Aで切断した場合の断面図である。
次に、本発明の第2実施形態による薄膜圧電共振器を、図18乃至図28を参照して説明する。図18乃至図28は、本実施形態による薄膜圧電共振器の製造工程を示す断面図である。
次に、本発明の第3実施形態による薄膜圧電共振器を、図29乃至図38を参照して説明する。図29乃至図38は、本実施形態による薄膜圧電共振器の製造工程を示す断面図である。
3 薄膜圧電共振子
3a 圧電膜
3b 下部電極
3c 上部電極
5 下部空洞
6 貫通孔
7 上部空洞
8 貫通孔
9 上部空洞形成膜
11 封止層
20 犠牲層
22 犠牲層
Claims (15)
- 基板上に形成され前記基板と下面が下部空洞を形成する圧電膜と、この圧電膜の前記下面に接する下部電極と、前記圧電膜の上面に接し前記下部電極と重なる部分を有する上部電極とを含み前記圧電膜の膜面に垂直な方向に前記下部空洞に通じる第1貫通孔が形成された薄膜圧電共振子と、
前記圧電膜の前記上面と上部空洞を形成し、膜面垂直方向に前記上部空洞に通じる第2貫通孔が形成された上部空洞形成膜と、
前記上部空洞形成膜を覆うとともに前記第2貫通孔を塞ぐように形成された封止層と、
を備えたことを特徴とする薄膜圧電共振器。 - 前記第1貫通孔と前記第2貫通孔は重なるように形成されていることを特徴とする請求項1記載の薄膜圧電共振器。
- 前記圧電膜は端部近傍が平坦で、前記端部近傍から中央部に行くにつれて前記基板から離れ、前記中央部近傍が平坦であり、前記下部電極と前記上部電極の重なり部分は前記中央部近傍の平坦な領域に形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の薄膜圧電共振器。
- 前記封止層は少なくとも表面が金属層であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の薄膜圧電共振器。
- 表面に窪みが設けられた基板上に形成され前記基板の前記窪みと下面が下部空洞を形成する圧電膜と、この圧電膜の前記下面に接する下部電極と、前記圧電膜の上面に接し前記下部電極と重なる部分を有する上部電極とを含み前記圧電膜の膜面に垂直な方向に前記下部空洞に通じる第1貫通孔が形成された薄膜圧電共振子と、
前記圧電膜の前記上面と上部空洞を形成し、膜面垂直方向に前記上部空洞に通じる第2貫通孔が形成された上部空洞形成膜と、
前記上部空洞形成膜を覆うとともに前記第2貫通孔を塞ぐように形成された封止層と、
を備えたことを特徴とする薄膜圧電共振器。 - 前記圧電膜は平坦であることを特徴とする請求項5記載の薄膜圧電共振器。
- 前記封止層は少なくとも表面が金属層であることを特徴とする請求項5または6記載の薄膜圧電共振器。
- 基板の表面に形成された音響反射層と、
前記音響反射層を覆うように形成された圧電膜と、この圧電膜の下面に接する下部電極と、前記圧電膜の上面に接し前記下部電極と重なる部分を有する上部電極とを含む薄膜圧電共振子と、
前記圧電膜の前記上面と空洞を形成し、膜面垂直方向に前記空洞に通じる貫通孔が形成された空洞形成膜と、
前記空洞形成膜を覆うとともに前記貫通孔を塞ぐように形成された封止層と、
を備えたことを特徴とする薄膜圧電共振器。 - 前記圧電膜は平坦であることを特徴とする請求項8記載の薄膜圧電共振器。
- 前記音響反射層は、ブラッグ音響反射層であることを特徴とする請求項8または9記載の薄膜圧電共振器。
- 前記音響反射層は、前記基板に埋め込まれていることを特徴とする請求項8乃至10のいずれかに記載の薄膜圧電共振器。
- 前記封止層は少なくとも表面が金属層であることを特徴とする請求項8乃至11のいずれかに記載の薄膜圧電共振器。
- 基板上に第1犠牲層を形成する工程と、
前記第1犠牲層の一部分を覆うように下部電極を形成する工程と、
前記下部電極および前記第1犠牲層を覆い膜面垂直方向に前記第1犠牲層に通じる第1貫通孔を有する圧電膜を形成する工程と、
前記圧電膜の一部分を覆うように前記下部電極と重なる部分を有する上部電極を形成する工程と、
前記圧電膜および前記上部電極を覆う第2犠牲層を形成する工程と、
前記第2犠牲層を覆い膜面垂直方向に前記第2犠牲層に通じる第2貫通孔を有する上部空洞形成膜を形成する工程と、
前記第2および第1貫通孔を通して前記第2および第1犠牲層を選択的に除去する工程と、
前記上部空洞形成膜を覆うとともに前記第2貫通孔を塞ぐ封止層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする薄膜圧電共振器の製造方法。 - 基板に窪みを形成する工程と、
前記基板の前記窪みに埋め込まれる第1犠牲層を形成する工程と、
前記第1犠牲層の少なくとも一部分を覆うように下部電極を形成する工程と、
前記下部電極および前記第1犠牲層を覆い膜面垂直方向に前記第1犠牲層に通じる第1貫通孔を有する圧電膜を形成する工程と、
前記圧電膜の一部分を覆い前記下部電極と重なる部分を有する上部電極を形成する工程と、
前記圧電膜および前記上部電極を覆う第2犠牲層を形成する工程と、
前記第2犠牲層を覆い膜面垂直方向に前記第2犠牲層に通じる第2貫通孔を有する上部空洞形成膜を形成する工程と、
前記第2および第1貫通孔を通して前記第2および第1犠牲層を選択的に除去する工程と、
前記上部空洞形成膜を覆うとともに前記第2貫通孔を塞ぐ封止層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする薄膜圧電共振器の製造方法。 - 基板に窪みを形成する工程と、
前記基板の前記窪みに埋め込まれる音響反射層を形成する工程と、
前記音響反射層の少なくとも一部分を覆うように下部電極を形成する工程と、
前記下部電極および前記音響反射層を覆う圧電膜を形成する工程と、
前記圧電膜の一部分を覆い前記下部電極と重なる部分を有する上部電極を形成する工程と、
前記圧電膜および前記上部電極を覆う犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層を覆い膜面垂直方向に前記犠牲層に通じる貫通孔を有する空洞形成膜を形成する工程と、
前記貫通孔を通して前記犠牲層を選択的に除去する工程と、
前記空洞形成膜を覆うとともに前記貫通孔を塞ぐ封止層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする薄膜圧電共振器の製造方法。
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